JPS58167500A - ガリウム砒素単結晶の製造方法 - Google Patents
ガリウム砒素単結晶の製造方法Info
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- JPS58167500A JPS58167500A JP57050032A JP5003282A JPS58167500A JP S58167500 A JPS58167500 A JP S58167500A JP 57050032 A JP57050032 A JP 57050032A JP 5003282 A JP5003282 A JP 5003282A JP S58167500 A JPS58167500 A JP S58167500A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
- C30B27/02—Single-crystal growth under a protective fluid by pulling from a melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高純度の半絶縁性ガリウム砒素（Ｇａｋａ
）単結晶の製造方法に関する。
）単結晶の製造方法に関する。
尚純度のＧｃＬＡ８単結晶は比抵抗値が１０−’ＩＱ・
備以上の半絶縁性となり、とのＧａＡｓ結晶を光素子と
電子素子を集積化したオプトエレクトロニック−積回路
の基板として用いてデバイスを構成すると、配線などに
よる浮遊容量を小さくでき、素子間の分離も容易になる
ため、集＆密度を大きくすることができる。
備以上の半絶縁性となり、とのＧａＡｓ結晶を光素子と
電子素子を集積化したオプトエレクトロニック−積回路
の基板として用いてデバイスを構成すると、配線などに
よる浮遊容量を小さくでき、素子間の分離も容易になる
ため、集＆密度を大きくすることができる。
これまで半絶縁性のＧａｐｓの製造法としてはボート成
長法、低圧封止引き上は法と高Ｅｆ二封正引き上げ法（
ＧｃＬとＡｓからの直接合成法）か知られていた。ボー
ト成長法は大気圧−トで村えるが、ボート材料である石
英からシリコンか１料に混入して比抵抗を下ける。この
ため、通常クロムを添加して半絶縁性としている。し２
かし、クロムの不均一分布による特性のバラツキや熱処
理プロセスでの特性変化等の問題点がある。
長法、低圧封止引き上は法と高Ｅｆ二封正引き上げ法（
ＧｃＬとＡｓからの直接合成法）か知られていた。ボー
ト成長法は大気圧−トで村えるが、ボート材料である石
英からシリコンか１料に混入して比抵抗を下ける。この
ため、通常クロムを添加して半絶縁性としている。し２
かし、クロムの不均一分布による特性のバラツキや熱処
理プロセスでの特性変化等の問題点がある。
また、低圧封止引き上げ法ではボート成長法で作成した
ＧａＡｓ多結晶を原料とするため原料純度か低く、クロ
ムの添加が必賛となる１、蘭圧到止引き上は法はクロム
の添加は不安でめる〃・、高圧下で結晶が作成されるた
め、圧力による熱環境の影響により結晶内の欠陥か多く
、液体封止剤や高圧ガス対流の影響で製造工程が俵雑で
あった。
ＧａＡｓ多結晶を原料とするため原料純度か低く、クロ
ムの添加が必賛となる１、蘭圧到止引き上は法はクロム
の添加は不安でめる〃・、高圧下で結晶が作成されるた
め、圧力による熱環境の影響により結晶内の欠陥か多く
、液体封止剤や高圧ガス対流の影響で製造工程が俵雑で
あった。
この発明はクロム等の不純物を硝加することなく、高純
度の半絶帷性ＧｃＬＡ８単幀晶を容易に再現性良く製造
する方法を提供することを目的とし、酸化ボロン（Ｂｚ
Ｏａ）を封止剤として用いて高圧下でＧａＡａを溶融さ
せ、次いで減圧して低、圧とする・このように圧力を低
下させることにより圧力の変化に応じて多数の気泡が生
じＧａＡｓ溶融液中の不純物はこの気泡内に含まれ或は
気泡に付着して除去され、所定時間低圧に維持した後引
き上げ操作圧力に昇圧して種結晶をＧａＡｓ溶融液に接
触させ所定の速度で引き上けることにより高純度のＧａ
Ａｓ単結晶が得られる。
度の半絶帷性ＧｃＬＡ８単幀晶を容易に再現性良く製造
する方法を提供することを目的とし、酸化ボロン（Ｂｚ
Ｏａ）を封止剤として用いて高圧下でＧａＡａを溶融さ
せ、次いで減圧して低、圧とする・このように圧力を低
下させることにより圧力の変化に応じて多数の気泡が生
じＧａＡｓ溶融液中の不純物はこの気泡内に含まれ或は
気泡に付着して除去され、所定時間低圧に維持した後引
き上げ操作圧力に昇圧して種結晶をＧａＡｓ溶融液に接
触させ所定の速度で引き上けることにより高純度のＧａ
Ａｓ単結晶が得られる。
本発明を添付の図面に基いてｌ１５２明すると、第１図
は引き上は法による単結晶製造装置の一例を示し、／は
高圧容器であって、この高圧容器／内にはルツボ３が設
置され、このルツボは支持部材弘により回転できるよう
に支持されており、周囲に設けられた加熱器λにより所
定の温度に加熱される。ルツボ３の上部には先端に種結
晶６を備えた引き上げ軸！が設けられ、この引き上げ軸
は回転すると共に上下動するように構成されている。
は引き上は法による単結晶製造装置の一例を示し、／は
高圧容器であって、この高圧容器／内にはルツボ３が設
置され、このルツボは支持部材弘により回転できるよう
に支持されており、周囲に設けられた加熱器λにより所
定の温度に加熱される。ルツボ３の上部には先端に種結
晶６を備えた引き上げ軸！が設けられ、この引き上げ軸
は回転すると共に上下動するように構成されている。
上記の装置を用いてＧａＡｓ単結晶を製造する場合、ル
ツボ３の中にガリウム（Ｇａ）と砒素（Ａｓ）を所望の
組成比の単結晶となるような割合でそれぞれ入れる。次
いで封止剤としてＢ２０゜を溶融したときに少くとも１
０ｗｍ以上の厚さの層が形成するような負を入れる。ル
ツボに所定量のＧａ、 Ａｓ 、 Ｂ、０．、を入れた
ら、ルツボを高圧容器ｌ内に設置し、アルゴン、窒素等
の不活性ガスを圧入して４０〜５０気圧以上の高圧とし
、ルツボをＧａｋｓの融点（約１２６０℃）以上の温度
で加熱する。すると、ルツボ内では下部にＧａＡｓ溶融
液層７が形成し、上部にＢｔＯａ溶融液溶融液層成し、
とのＢ、０３層が封止剤となってＧａＡｓ溶融液の蒸発
を防止する。
ツボ３の中にガリウム（Ｇａ）と砒素（Ａｓ）を所望の
組成比の単結晶となるような割合でそれぞれ入れる。次
いで封止剤としてＢ２０゜を溶融したときに少くとも１
０ｗｍ以上の厚さの層が形成するような負を入れる。ル
ツボに所定量のＧａ、 Ａｓ 、 Ｂ、０．、を入れた
ら、ルツボを高圧容器ｌ内に設置し、アルゴン、窒素等
の不活性ガスを圧入して４０〜５０気圧以上の高圧とし
、ルツボをＧａｋｓの融点（約１２６０℃）以上の温度
で加熱する。すると、ルツボ内では下部にＧａＡｓ溶融
液層７が形成し、上部にＢｔＯａ溶融液溶融液層成し、
とのＢ、０３層が封止剤となってＧａＡｓ溶融液の蒸発
を防止する。
ルツボ内のＧａ ＋ Ａｓ 、ＢｔＯＢが完全に溶融し
たら、種結晶をＧａＡｓ溶融液に接触させ、所定の速度
で種結晶を引き上けてＧαＡ８結晶を成長させる。
たら、種結晶をＧａＡｓ溶融液に接触させ、所定の速度
で種結晶を引き上けてＧαＡ８結晶を成長させる。
この時の容器内の圧力は５〜３０気圧の範囲が好適であ
り、５気圧以下では多結晶や双晶が発生し易く、商品と
しての単結晶の歩留りが低くなる。一方５０気圧以上で
は単結晶の歩留シは高くなるが、転位が多くなルまた結
晶内分布が不均一になる。
り、５気圧以下では多結晶や双晶が発生し易く、商品と
しての単結晶の歩留りが低くなる。一方５０気圧以上で
は単結晶の歩留シは高くなるが、転位が多くなルまた結
晶内分布が不均一になる。
しかるに本発明においてはルツボ内の材料が完全に溶融
しＧａｐｓ ）容融層７とＢ、０．溶融層ｔが形成した
ら、高圧容器内の圧力を上述の種結晶引き上げ操作時の
圧力よシも低い圧力に降圧する。このように容器内の圧
力を低くすると、二つの溶融液の界面にＧａｚａ 、
Ａｓ或は混入した不活性ガスにより多数の気泡が生成し
、Ｂｔへ層内を上昇し、降圧された不活性ガス内に飛散
消滅する。
しＧａｐｓ ）容融層７とＢ、０．溶融層ｔが形成した
ら、高圧容器内の圧力を上述の種結晶引き上げ操作時の
圧力よシも低い圧力に降圧する。このように容器内の圧
力を低くすると、二つの溶融液の界面にＧａｚａ 、
Ａｓ或は混入した不活性ガスにより多数の気泡が生成し
、Ｂｔへ層内を上昇し、降圧された不活性ガス内に飛散
消滅する。
ＧｃＬＡａ溶融液中の不純物はこの気泡内に含まれ或は
気泡に付着し除去されるため、溶融液内の不純物濃度は
減少し、精製が行われる。上記の気泡の発生は時間の経
過と共に少くな、り、１０〜５０分経過すると気泡が少
しづつ発生する安定した状態となるので、その時の溶融
液の品質を測定し、所定の値に達していたら、高圧容器
内を５−５０気圧に昇圧し気泡の発生を抑制して、種結
晶を接触させ、引き上げて結晶成長を行う。
気泡に付着し除去されるため、溶融液内の不純物濃度は
減少し、精製が行われる。上記の気泡の発生は時間の経
過と共に少くな、り、１０〜５０分経過すると気泡が少
しづつ発生する安定した状態となるので、その時の溶融
液の品質を測定し、所定の値に達していたら、高圧容器
内を５−５０気圧に昇圧し気泡の発生を抑制して、種結
晶を接触させ、引き上げて結晶成長を行う。
容器内の圧力を下げる方法としては、高圧よシ急激に下
げる方法、時間を掛けて徐々に下げる方法、階段状に下
げる方法、高圧と低圧を複数回往復させる方法等がある
が、余り急激に高圧よシ低王に降下させると気泡が多数
発生し、ＧａＡｓ溶融液は激しく攪拌された状態となり
、不純物は多く除去され処理時間は短縮できるが、Ａ８
またはＧａが単体で飛散し易くなり、Ｇａ／Ａｓ比が変
化する等の間組が生じるっまた、高圧、低圧を繰返しな
がら圧力を下降する方法は、圧力を形成する不活性ガス
がそのＳ度新鮮なものに代えられるため、不純物による
汚染が抑制される。これまでの検討、実験轡によると、
通常１０気圧以下にして数分間気泡を発生させることに
より、溶融液の不純物濃度は半分以下となる。
げる方法、時間を掛けて徐々に下げる方法、階段状に下
げる方法、高圧と低圧を複数回往復させる方法等がある
が、余り急激に高圧よシ低王に降下させると気泡が多数
発生し、ＧａＡｓ溶融液は激しく攪拌された状態となり
、不純物は多く除去され処理時間は短縮できるが、Ａ８
またはＧａが単体で飛散し易くなり、Ｇａ／Ａｓ比が変
化する等の間組が生じるっまた、高圧、低圧を繰返しな
がら圧力を下降する方法は、圧力を形成する不活性ガス
がそのＳ度新鮮なものに代えられるため、不純物による
汚染が抑制される。これまでの検討、実験轡によると、
通常１０気圧以下にして数分間気泡を発生させることに
より、溶融液の不純物濃度は半分以下となる。
更に、圧力を負圧、１×１０１トール程度の真空にする
と、処理時間は短縮することができる。
と、処理時間は短縮することができる。
精製処理中におけるＧａＡｓ溶融液の不純物線間を測定
する方法としては、ルツボ３の支持部材≠及び種結晶の
引き上げ軸ｊにリードｉ１５！り。
する方法としては、ルツボ３の支持部材≠及び種結晶の
引き上げ軸ｊにリードｉ１５！り。
１０を接続し、種結晶６をＧａＡｓ溶融液７に接触させ
た状態で交流電圧を印加する。ＧａＡ３溶融液は抵抗体
と見做され、絶縁材料のルツボはコンデンサーの彷きを
なし、溶融液の不純物濃度により抵抗値が変るので、電
流値を検出することにより、溶融の不純物濃度を知るこ
とができる。−例を第２図のグラフに基いて説明すると
ミ第１図に示したような単結晶製造装置において、パイ
ロリテツク窒化ボロン製ルツボにＧａ 、 Ａ＃ 。
た状態で交流電圧を印加する。ＧａＡ３溶融液は抵抗体
と見做され、絶縁材料のルツボはコンデンサーの彷きを
なし、溶融液の不純物濃度により抵抗値が変るので、電
流値を検出することにより、溶融の不純物濃度を知るこ
とができる。−例を第２図のグラフに基いて説明すると
ミ第１図に示したような単結晶製造装置において、パイ
ロリテツク窒化ボロン製ルツボにＧａ 、 Ａ＃ 。
Ｂ、０．を所定量入れ、高圧容器内に設置し、アルゴン
ガスを圧入して５０気圧にし、１５００℃に加熱してＢ
ｚＯｓ溶融層とＧａＡｓ溶融層が形成した時点で、２０
気圧に降圧し、種結晶をＧａＡｓ溶融液に接触させ、１
５ｖの交流電圧を印加したらその時の電流値は０．６２
ｍＡを示しく第２図の６点）、圧力を５気圧に一時的に
下げ再び２０気圧に戻すことにより、電流値は０．４ｔ
ｎＡに下ｖ ＜ｂ点）、この状態で約９時間５０分放置
したら、電流値も一定であシ、再び５気圧に一時的下降
し、２０気圧に戻すと電流値は０．３１ｍＡとなシ（０
点）、この溶＠液より抵抗値が４．５Ｘ１０”Ω・個の
ＧａＡ＃単結晶が得られ喪。このように圧力を下げる毎
に溶融液の抵抗値が上り、不純物が除去されることが判
る。
ガスを圧入して５０気圧にし、１５００℃に加熱してＢ
ｚＯｓ溶融層とＧａＡｓ溶融層が形成した時点で、２０
気圧に降圧し、種結晶をＧａＡｓ溶融液に接触させ、１
５ｖの交流電圧を印加したらその時の電流値は０．６２
ｍＡを示しく第２図の６点）、圧力を５気圧に一時的に
下げ再び２０気圧に戻すことにより、電流値は０．４ｔ
ｎＡに下ｖ ＜ｂ点）、この状態で約９時間５０分放置
したら、電流値も一定であシ、再び５気圧に一時的下降
し、２０気圧に戻すと電流値は０．３１ｍＡとなシ（０
点）、この溶＠液より抵抗値が４．５Ｘ１０”Ω・個の
ＧａＡ＃単結晶が得られ喪。このように圧力を下げる毎
に溶融液の抵抗値が上り、不純物が除去されることが判
る。
また上記測定法で測定したＧａＡｓ溶融液の電流値とそ
の溶融液で作成したＧａｐｓ単結晶の電気抵抗値とは第
５図の如き関係がおる。即ち、結昌成長ｉ前の電流値が
０．７２５ｆｉＡの溶融液より作った単結晶の抵抗値は
約９ＸｉＯ’Ω・口であり、電流値が３．５ｍＡの溶融
液の場合は７Ｘ１０”Ω・αの抵抗値を有する単結晶が
得られ、更に、電流値が０．５５ｍＡの溶融液では１０
８０・α以上の抵抗値を有する単結晶が得られた。
の溶融液で作成したＧａｐｓ単結晶の電気抵抗値とは第
５図の如き関係がおる。即ち、結昌成長ｉ前の電流値が
０．７２５ｆｉＡの溶融液より作った単結晶の抵抗値は
約９ＸｉＯ’Ω・口であり、電流値が３．５ｍＡの溶融
液の場合は７Ｘ１０”Ω・αの抵抗値を有する単結晶が
得られ、更に、電流値が０．５５ｍＡの溶融液では１０
８０・α以上の抵抗値を有する単結晶が得られた。
従って、ルツボ内のＧａＡｓ溶融液の電流値を測定しな
がら、降圧による精製処理を行い、電流値が目的とする
値まで下がらない場合は、一旦昇圧した後に減圧する咎
をして精製処理を行い、目的とする値に達したらＧａｐ
ｓ結昌作成に適する圧力まで昇圧することによシ、所望
の抵抗値を有する高純度に精製されたＧｃＬＡ５単結晶
を得ることができる。
がら、降圧による精製処理を行い、電流値が目的とする
値まで下がらない場合は、一旦昇圧した後に減圧する咎
をして精製処理を行い、目的とする値に達したらＧａｐ
ｓ結昌作成に適する圧力まで昇圧することによシ、所望
の抵抗値を有する高純度に精製されたＧｃＬＡ５単結晶
を得ることができる。
上記の説明で明らかなように、本発明によればＧａＡｓ
溶融液の存在する雰囲気の圧力を変化させるのみで不純
物が除去され、半絶縁性のＧｃＬＡａ単結晶、が再現性
よく得られることになり、オプトエレクトロニクス集積
技術の発展に大きな貢献を与えることとなる。
溶融液の存在する雰囲気の圧力を変化させるのみで不純
物が除去され、半絶縁性のＧｃＬＡａ単結晶、が再現性
よく得られることになり、オプトエレクトロニクス集積
技術の発展に大きな貢献を与えることとなる。
次に本発明の実施例を述べ具体的に説明する。
第１図に示したような単結晶製造装置を用い、水平ブリ
ッジマン法により作られｆｃ Ｇａｐｓ多結・ 晶体１
０００ｆをパイロリテツク窒化ボロン製ルツボに入れ、
その上に含水率１５０ｐのＲｏｏｍを１８０を入れた後
、高圧容器内に設置し、容器内を１ｘ１ｏ−”トールの
真空にし、その後アルゴンガスを圧入して４０気圧とし
、ルツボを１２６０℃に加熱してＧａｋａ多結晶体及び
Ｂｔｕｓを溶融させた。ルー、ツボ内の材料が完全に溶
融したら２０気圧とし、種結晶をＧａＡｓ溶融液に接触
させ、１５ｖの交流電圧を印加した結果、電流値は０．
７２ｍＡ を示した。この状態で種結晶を５ ｍ／ｈで
引き上げ、直径約ＳＯＷ長さ約１００１１１の単結晶を
作成し、電気抵抗を測定した結果、比抵抗は９Ｘ１０’
Ωであつた。
ッジマン法により作られｆｃ Ｇａｐｓ多結・ 晶体１
０００ｆをパイロリテツク窒化ボロン製ルツボに入れ、
その上に含水率１５０ｐのＲｏｏｍを１８０を入れた後
、高圧容器内に設置し、容器内を１ｘ１ｏ−”トールの
真空にし、その後アルゴンガスを圧入して４０気圧とし
、ルツボを１２６０℃に加熱してＧａｋａ多結晶体及び
Ｂｔｕｓを溶融させた。ルー、ツボ内の材料が完全に溶
融したら２０気圧とし、種結晶をＧａＡｓ溶融液に接触
させ、１５ｖの交流電圧を印加した結果、電流値は０．
７２ｍＡ を示した。この状態で種結晶を５ ｍ／ｈで
引き上げ、直径約ＳＯＷ長さ約１００１１１の単結晶を
作成し、電気抵抗を測定した結果、比抵抗は９Ｘ１０’
Ωであつた。
また、２０気圧でルツボ内の材料が溶融した時点で圧力
を５気圧にして５０分放置した後、再び２０気圧に上げ
、種結晶をＧａＡｓ溶融液に接触させ、電圧を印加して
電流値を測定したら０．５ｍＡであった。この状態で種
結晶を５ ｍ／ｈの速度で引き上げＧａＡａ単結晶を作
り、室温で比抵抗を測定した結果、５．８Ｘ１０’Ω・
個であった。
を５気圧にして５０分放置した後、再び２０気圧に上げ
、種結晶をＧａＡｓ溶融液に接触させ、電圧を印加して
電流値を測定したら０．５ｍＡであった。この状態で種
結晶を５ ｍ／ｈの速度で引き上げＧａＡａ単結晶を作
り、室温で比抵抗を測定した結果、５．８Ｘ１０’Ω・
個であった。
第１図は単結晶製造装置の一例を示す断面図、第２図は
ＧａＡ８溶融液の処理経過時間と電流値の関係を示すグ
ラフ、第５図はＧａＡ８溶融液の電流値と結晶体にした
ときの比抵抗の関係を示すグラフ。 図中、／は高圧容器、λは加熱器、３はルツボ、６は種
結晶、７はＧａＡ３溶融液、ｆｆ ｉｔ、 Ｂ、０゜溶
融液である。 １こ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０経り時Ｆ１
吟閣）
ＧａＡ８溶融液の処理経過時間と電流値の関係を示すグ
ラフ、第５図はＧａＡ８溶融液の電流値と結晶体にした
ときの比抵抗の関係を示すグラフ。 図中、／は高圧容器、λは加熱器、３はルツボ、６は種
結晶、７はＧａＡ３溶融液、ｆｆ ｉｔ、 Ｂ、０゜溶
融液である。 １こ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０経り時Ｆ１
吟閣）
Claims (4)
- （１） ガリウム砒素単結晶を酸化ボロン會封止剤と
して用いた引き上は法で製造する方法において、高圧下
のガリウム砒素溶融液を少くとも引き上は操作時の圧力
よりも低い圧力１に置いて該溶Ｍ！ＩＩ液よυ気泡を発
生させた俵に引き上げ操作圧力に上げて結晶作成を竹う
ことを％徴とするガリウム砒素単結晶の製造方法。 - （２）的記引き上は操作時の圧力は５−５０気圧である
ことを特徴とする請求範囲第１項記載の単結晶製造方法
。 - （３） ガリウム砒素単結晶を酸化ボロンを到止削とし
て柑いて引き上は法で製造する方法において、カリウム
砒素溶融液と種結晶を接触させ、該溶融液に電圧を印加
してｔ旅情を測矩し、該溶融液を種結晶引き上げ操作時
の圧力よりも低い圧力下に降圧して該溶融液よ多気泡を
発生させて不純物を除去し、該溶融液の電流値が定めら
れた値に飼違したら種結晶引き上げ操作圧力に昇圧し、
種結晶を引き上げて結晶成長を行うことに％徴とするガ
リウム砒素単結晶の製造方法。 - （４） 前記引き上は操作時の圧力は５−６０気圧で
あることを特徴とする請求範囲第５項記載の単結晶の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57050032A JPS58167500A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
| US06/455,734 US4496424A (en) | 1982-03-30 | 1983-01-05 | Method for manufacture of III-V compound semiconducting single crystal |
| GB08302441A GB2120954B (en) | 1982-03-30 | 1983-01-28 | Reducing impurity levels in pulled single crystals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57050032A JPS58167500A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167500A true JPS58167500A (ja) | 1983-10-03 |
| JPS6111920B2 JPS6111920B2 (ja) | 1986-04-05 |
Family
ID=12847650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57050032A Granted JPS58167500A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58167500A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008280225A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶の製造方法および製造装置 |
| JP2010155762A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2011201757A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57050032A patent/JPS58167500A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008280225A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶の製造方法および製造装置 |
| JP2010155762A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2011201757A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Covalent Materials Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6111920B2 (ja) | 1986-04-05 |
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