JPS58167601A - プラズマ重合装置 - Google Patents
プラズマ重合装置Info
- Publication number
- JPS58167601A JPS58167601A JP4887582A JP4887582A JPS58167601A JP S58167601 A JPS58167601 A JP S58167601A JP 4887582 A JP4887582 A JP 4887582A JP 4887582 A JP4887582 A JP 4887582A JP S58167601 A JPS58167601 A JP S58167601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymerization
- reactions
- plasma polymerization
- glow discharge
- polymerizing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明はプラズマ重合装置の改良に関し、特に反応制御
の容易な重合装置に関する。
の容易な重合装置に関する。
発明の技術的背景と問題点
プラズマ重合法は、主に炭化水素系分子を０．１〜ｌＴ
Ｏ「「の低真空中に発生させたグロー放電中に吹きこみ
、そこで活性化し重合反応を行なわせしむ重合法である
１、完全なドライプロセスである点ピンホールのない均
一な薄膜が得られる薇等の利点から広く応用されている
〇 しかし、この方法の欠点は、反応の制御、反応条件の一
定制御が困難な点にある。すなわち、プラズマ重合反応
は、その操作の簡便さに似ず礪めて複雑なものと考えら
れる。一般に、アルゴン等の希釈ガス中に形成されたグ
ロー放電中に吹き込まれた反応性分子（以下これをモノ
マーガスと呼ぶ）はアルゴンイオン、励起されたアルゴ
ン原子、電子と衝突し、イオン化、ラジカル化及び励起
化し、活性化し、モノマーガスの重合反応が進行するも
のと考えられる。このようにモノマーガスの励起反応、
重合反応には非常に多種類の未反応が関与しており、こ
れが反応の制御を困難にしているものと見られる。そこ
で、これらの未反応のいくつかを制限し重合反応単純化
させれば、反応制御は容易になるものと考えられる。
Ｏ「「の低真空中に発生させたグロー放電中に吹きこみ
、そこで活性化し重合反応を行なわせしむ重合法である
１、完全なドライプロセスである点ピンホールのない均
一な薄膜が得られる薇等の利点から広く応用されている
〇 しかし、この方法の欠点は、反応の制御、反応条件の一
定制御が困難な点にある。すなわち、プラズマ重合反応
は、その操作の簡便さに似ず礪めて複雑なものと考えら
れる。一般に、アルゴン等の希釈ガス中に形成されたグ
ロー放電中に吹き込まれた反応性分子（以下これをモノ
マーガスと呼ぶ）はアルゴンイオン、励起されたアルゴ
ン原子、電子と衝突し、イオン化、ラジカル化及び励起
化し、活性化し、モノマーガスの重合反応が進行するも
のと考えられる。このようにモノマーガスの励起反応、
重合反応には非常に多種類の未反応が関与しており、こ
れが反応の制御を困難にしているものと見られる。そこ
で、これらの未反応のいくつかを制限し重合反応単純化
させれば、反応制御は容易になるものと考えられる。
発明の目的
本発明はこの点に鑑みなされたものであり、プラズマ重
合反応を単純化し、以てその反応制御性を高めた重合装
置を提供しようとするものである。
合反応を単純化し、以てその反応制御性を高めた重合装
置を提供しようとするものである。
発明の概要
すなわちグロー放電域に接地された金属金網で包囲され
た空間を設け、その領域中で重合反応を進行させ基板に
重合膜を堆積させるようにしたことを特徴とするプラズ
マ重合装置に関する。
た空間を設け、その領域中で重合反応を進行させ基板に
重合膜を堆積させるようにしたことを特徴とするプラズ
マ重合装置に関する。
本発明装置によれば、接地された金網で包囲された空間
内には外部電場の影響は及ばないため、電子やイオンは
、エネルギーを電場から供給されることなく速かに減衰
消滅する。従ってこの空間内での反応は、ラジカル、励
起原子分子間の衝突すなわち、非イオン性、非電子性の
ものに限定されることになり著しく反応が単純化される
。
内には外部電場の影響は及ばないため、電子やイオンは
、エネルギーを電場から供給されることなく速かに減衰
消滅する。従ってこの空間内での反応は、ラジカル、励
起原子分子間の衝突すなわち、非イオン性、非電子性の
ものに限定されることになり著しく反応が単純化される
。
発明の実施例
以下、実施例により本発明を詳述する。
本発明にかかるプラズマ重合装置の一例を第１図及び第
２図に示した。すなわち、放電形成用電極１とアルゴン
等の希釈ガス及び七ツマーガスの流入口を具備してなる
真空槽中にステンレス鋼、銅などでできた全網製の箱を
収容させ、かっこの箱を接地する。箱は反応中グロー放
電が内部に及ばないように大きな開口部を持たない形態
を有する。金網の網目はグロー放電の侵入を防ぐため、
５ Ｘ ５１１以下が好ましいが細かすぎると、気体の
流れを妨げて活性分子種の拡赦が阻害されるため好まし
くない。通常１×１ｎ程度に選ぶ。金網の他に平板に小
径の穴を多数蹟孔した、いわゆるパンチングメタルも使
用することができる。
２図に示した。すなわち、放電形成用電極１とアルゴン
等の希釈ガス及び七ツマーガスの流入口を具備してなる
真空槽中にステンレス鋼、銅などでできた全網製の箱を
収容させ、かっこの箱を接地する。箱は反応中グロー放
電が内部に及ばないように大きな開口部を持たない形態
を有する。金網の網目はグロー放電の侵入を防ぐため、
５ Ｘ ５１１以下が好ましいが細かすぎると、気体の
流れを妨げて活性分子種の拡赦が阻害されるため好まし
くない。通常１×１ｎ程度に選ぶ。金網の他に平板に小
径の穴を多数蹟孔した、いわゆるパンチングメタルも使
用することができる。
第１図に於てはガラス製反応容器（１）中に円筒形のス
テンレス鋼製のかご状の重合室（２）を設けている。重
合室は、側面、端面共金網で閉じられている。基板（３
）（ガラス板、シリコンウニ・・−等）ハ重合室中の基
板ホルダー（４）に固定されている。重合室の金網は線
径；０３朋、目； Ｉ Ｘ １ ＋１１１のステンレス
製のものを用いている。１３．５６ ＭＨｚの高周波電
源（５）より放゛鑞用電極（６）に高周波直圧が印加さ
れる。
テンレス鋼製のかご状の重合室（２）を設けている。重
合室は、側面、端面共金網で閉じられている。基板（３
）（ガラス板、シリコンウニ・・−等）ハ重合室中の基
板ホルダー（４）に固定されている。重合室の金網は線
径；０３朋、目； Ｉ Ｘ １ ＋１１１のステンレス
製のものを用いている。１３．５６ ＭＨｚの高周波電
源（５）より放゛鑞用電極（６）に高周波直圧が印加さ
れる。
七ツマーガス及びアルゴンガスはガス導入孔（力よシ反
応容器に流入ｊ〜、排気孔（８）より排気、放出される
。ガス流量を■節し反応容器内を０．１Ｔｏｒｒ程度に
保つ。閤周波嵯圧を印加すると、ガラス壁をへだでて放
縦用Ｉｉｔ、ｔｔと重合室側壁との間でグロー放電が発
生する。グロー放電域では電子は電場に加速されて活発
に動き、アルゴンガス、モノマーガス分子に衝突しこれ
をイオン化、ラジカル化、励起分子化する。この結果生
じた活性分子種は、容器内を拡赦し金網の目をすり抜け
て重合室内に流入する。しかし、重合室内には外部電場
の影響が及ばないため、電子とイオンは結合消滅してし
まう。従って基板付近に到達し、重合し膜として基板上
に堆積する反応に関与する分子から、イオンは除外され
る。すなわち、ラジカル反応を大部分とした反応により
重合が進行することになる。
応容器に流入ｊ〜、排気孔（８）より排気、放出される
。ガス流量を■節し反応容器内を０．１Ｔｏｒｒ程度に
保つ。閤周波嵯圧を印加すると、ガラス壁をへだでて放
縦用Ｉｉｔ、ｔｔと重合室側壁との間でグロー放電が発
生する。グロー放電域では電子は電場に加速されて活発
に動き、アルゴンガス、モノマーガス分子に衝突しこれ
をイオン化、ラジカル化、励起分子化する。この結果生
じた活性分子種は、容器内を拡赦し金網の目をすり抜け
て重合室内に流入する。しかし、重合室内には外部電場
の影響が及ばないため、電子とイオンは結合消滅してし
まう。従って基板付近に到達し、重合し膜として基板上
に堆積する反応に関与する分子から、イオンは除外され
る。すなわち、ラジカル反応を大部分とした反応により
重合が進行することになる。
アルゴンイオン、七ツマーイオンが存在スルト重合反応
が複雑化するばか９でなく、基板上に形成された膜をこ
れらのイオンが衝撃し、ピンホールなどの損傷を与えた
りあるいは、膜中にイオンが取シこまれるため膜が帯電
し、膜にしわ状の変形が生じたり、亀裂が生じたりする
不都合が生じる。一般にこれらの現象は、膜形成のたび
に観測されたり、されなかったシして一定せず、対策が
立てにくく再現性を損う大きな原因になっている。
が複雑化するばか９でなく、基板上に形成された膜をこ
れらのイオンが衝撃し、ピンホールなどの損傷を与えた
りあるいは、膜中にイオンが取シこまれるため膜が帯電
し、膜にしわ状の変形が生じたり、亀裂が生じたりする
不都合が生じる。一般にこれらの現象は、膜形成のたび
に観測されたり、されなかったシして一定せず、対策が
立てにくく再現性を損う大きな原因になっている。
発明の効果
本発明になる重合装置を使用すれば、かかる不都合を回
避することができ、均一で平滑な膜を得ることができ、
実用上大きな利点を与えるといえる。なお実施例の説明
の便に供した図面は、本発明にかかる装置の形状材質を
限定するものではない０
避することができ、均一で平滑な膜を得ることができ、
実用上大きな利点を与えるといえる。なお実施例の説明
の便に供した図面は、本発明にかかる装置の形状材質を
限定するものではない０
第１図は本発明にかかるプラズマ重合装置の正面図、第
２図は同側面図を表わす。 （１）・・・反応容器、（５）・・・高周波電源、（２
）・・・重合室、 （６）・・・放電用電極、（３
）・・・基 板、 （７）・・・ガス導入孔、（４
）・・・基板ホルダー、（８）・・・排気孔。
２図は同側面図を表わす。 （１）・・・反応容器、（５）・・・高周波電源、（２
）・・・重合室、 （６）・・・放電用電極、（３
）・・・基 板、 （７）・・・ガス導入孔、（４
）・・・基板ホルダー、（８）・・・排気孔。
Claims (1)
- グロー放電中において、分子を重合させるプラズマ重合
のための装置において、グロー放電域に金属網で遮蔽さ
れた領域を設け、その空間内で重合反応を行なわせるよ
うにしたことを特徴とするプラズマ重合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4887582A JPS58167601A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | プラズマ重合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4887582A JPS58167601A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | プラズマ重合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167601A true JPS58167601A (ja) | 1983-10-03 |
Family
ID=12815454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4887582A Pending JPS58167601A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | プラズマ重合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58167601A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5054683A (ja) * | 1973-09-14 | 1975-05-14 | Susumu Ind Co Ltd |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP4887582A patent/JPS58167601A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5054683A (ja) * | 1973-09-14 | 1975-05-14 | Susumu Ind Co Ltd |
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