JPS58169108A - 色分解フイルタ−の製造方法 - Google Patents
色分解フイルタ−の製造方法Info
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- JPS58169108A JPS58169108A JP57053538A JP5353882A JPS58169108A JP S58169108 A JPS58169108 A JP S58169108A JP 57053538 A JP57053538 A JP 57053538A JP 5353882 A JP5353882 A JP 5353882A JP S58169108 A JPS58169108 A JP S58169108A
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- Japan
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- resist
- mask
- mask pattern
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は色分解フィルターの製造方法に関する◇従来、
色分解フィルターの製造方法として、ＩＪ７トオフ法に
よる方法がある。例えば４！−昭４７−１６８１５に記
載されているリフトオフ法へ がある。この方法は第１図から第５図に示されるように
、基板２上にレジスト層１を形成する（第１図）。次に
暗部と明部を有するマスク３を介してパターン鼻先４．
を行う（第２図）。
色分解フィルターの製造方法として、ＩＪ７トオフ法に
よる方法がある。例えば４！−昭４７−１６８１５に記
載されているリフトオフ法へ がある。この方法は第１図から第５図に示されるように
、基板２上にレジスト層１を形成する（第１図）。次に
暗部と明部を有するマスク３を介してパターン鼻先４．
を行う（第２図）。
レジスト層の亀光部は所定の現偉液による処理によって
選択的に溶解除去され、レジストパターン５が形成され
る（第３図）。
選択的に溶解除去され、レジストパターン５が形成され
る（第３図）。
次にレジストパターン５ケ上に染料、顔料などの色素ｌ
を蒸着して色素層６を形成する（第４図）。次にレジス
トパターンを除去することによって第５図に示される様
に色要素７が形成され色分解フィルターが得られる。し
かしこの様なり７トオ７法を用い九色分解フィルター形
成方法では基板表面め反射率のバラツキのちがいＫよる
露光時のレジストへの影醤により期待するパターン精度
やり７トオ７に適するエッヂ形状やパターン形状が得ら
れない場合もある。
を蒸着して色素層６を形成する（第４図）。次にレジス
トパターンを除去することによって第５図に示される様
に色要素７が形成され色分解フィルターが得られる。し
かしこの様なり７トオ７法を用い九色分解フィルター形
成方法では基板表面め反射率のバラツキのちがいＫよる
露光時のレジストへの影醤により期待するパターン精度
やり７トオ７に適するエッヂ形状やパターン形状が得ら
れない場合もある。
即ち％＾色分解能のフィルターを形成するためＫＵ、レ
ジストパターンを除去することＫよつて、その上に形成
されている色素層をきれいに選択的に除去することが必
要であり、それに社、レジストパターンの断面形状が台
形であったシ色素層の厚さに対してレジストパターンの
厚さが非常に薄かったりしてけなら表い。なぜならば、
そのような場合にはレジストパターンの側面にも色素層
が形成されレジストパターンの除去と共に色素層がパタ
ーン状にきれいに除去されなくなるからである。
ジストパターンを除去することＫよつて、その上に形成
されている色素層をきれいに選択的に除去することが必
要であり、それに社、レジストパターンの断面形状が台
形であったシ色素層の厚さに対してレジストパターンの
厚さが非常に薄かったりしてけなら表い。なぜならば、
そのような場合にはレジストパターンの側面にも色素層
が形成されレジストパターンの除去と共に色素層がパタ
ーン状にきれいに除去されなくなるからである。
而して本発明は、基板の反射率のバラツキがある場合に
も３ｉｆＳ的なレジストパターンが形成できそれｋよっ
て、色分解能に優れたフィルターを製造できる方法を提
供することを主たる目的とする。
も３ｉｆＳ的なレジストパターンが形成できそれｋよっ
て、色分解能に優れたフィルターを製造できる方法を提
供することを主たる目的とする。
本発Ｗ＃による色分解フィルターの製造方法は、基板上
に中間に一光層を挾んだ構成のレジスト層を形成する工
程、遮光層の上のレジスト層でマスクパターンを形成す
る工程、＃マスクパターンで禎傍されていない遮光層を
エツチングして、遮光層でマスクパターンを形成する工
程、遮光層のマスクパターンで被接されでいない下部の
レジス）ＪＭをエツチングして、レジストパターンを形
成する工程、色素層を形成する工１および該レジストパ
ターンをその上に形成されている色素層と共に除去する
工程を有することを特徴とするものである。
に中間に一光層を挾んだ構成のレジスト層を形成する工
程、遮光層の上のレジスト層でマスクパターンを形成す
る工程、＃マスクパターンで禎傍されていない遮光層を
エツチングして、遮光層でマスクパターンを形成する工
程、遮光層のマスクパターンで被接されでいない下部の
レジス）ＪＭをエツチングして、レジストパターンを形
成する工程、色素層を形成する工１および該レジストパ
ターンをその上に形成されている色素層と共に除去する
工程を有することを特徴とするものである。
、 即ち、本発明においては、レジスト層間に形成され
た光学的にも形状的にも均一な遮光層を利用して遮光層
の上にあるレジスト層で理想的な断面形状のマスクパタ
ーンを形成でき、仁のマスクパターンを基本パターンと
して利用して最終的なレジストパターンを形成すること
Ｋよって、この最終的に形成されるレジストパターンも
また、理想的な断面形状のものとすることができるもの
である。
た光学的にも形状的にも均一な遮光層を利用して遮光層
の上にあるレジスト層で理想的な断面形状のマスクパタ
ーンを形成でき、仁のマスクパターンを基本パターンと
して利用して最終的なレジストパターンを形成すること
Ｋよって、この最終的に形成されるレジストパターンも
また、理想的な断面形状のものとすることができるもの
である。
次に１本発明による色分解フィルター製造方第６図に於
て基板８にポジ型のレジスト層９が形成され、次に第７
図に示される様Ｋｊｌｌ光層１０を積層させ、更に第８
図に示される様にポジ瀝のレジスト層１１を形成する。
て基板８にポジ型のレジスト層９が形成され、次に第７
図に示される様Ｋｊｌｌ光層１０を積層させ、更に第８
図に示される様にポジ瀝のレジスト層１１を形成する。
次に第９図に示される様に暗部と明部を有するマスク１
２充 を介してパターンＩＩｌ〜１３を行い、第１０図に示さ
れる様Ｋ１１Ｋ光部のレジスト層を選択的に除去してマ
スクパターン１４を得る。次に第１１図に示される様に
マスクパターン１４をエツチング用マスクとし、ドライ
エツチング（例えば酸素ヤハｐゲン含有有機化合物質の
ガスプラズマを用いるエツチング）によシマスフパター
ン第１３ＩＩ！！ＩＫ示される様に露光部のレジスト層
１０とマスクパターン１４を第１３図に示される様に選
択的に除去して上層にマスクパターン１５を有するレジ
ストパターン１７を得る。次に第１４図に示される様に
色素層１８を蒸着により形成し、レジストパターン１７
を溶解除去する事によシレジストパターン１７上のマス
クパターン１５とともに色素層１８を基板９よシ遊離さ
せる事によシ第１５図に示される＆に所望形状の色簀素
１９が形成され色分解フィルターを得る。
２充 を介してパターンＩＩｌ〜１３を行い、第１０図に示さ
れる様Ｋ１１Ｋ光部のレジスト層を選択的に除去してマ
スクパターン１４を得る。次に第１１図に示される様に
マスクパターン１４をエツチング用マスクとし、ドライ
エツチング（例えば酸素ヤハｐゲン含有有機化合物質の
ガスプラズマを用いるエツチング）によシマスフパター
ン第１３ＩＩ！！ＩＫ示される様に露光部のレジスト層
１０とマスクパターン１４を第１３図に示される様に選
択的に除去して上層にマスクパターン１５を有するレジ
ストパターン１７を得る。次に第１４図に示される様に
色素層１８を蒸着により形成し、レジストパターン１７
を溶解除去する事によシレジストパターン１７上のマス
クパターン１５とともに色素層１８を基板９よシ遊離さ
せる事によシ第１５図に示される＆に所望形状の色簀素
１９が形成され色分解フィルターを得る。
この様に本発明に於ては第１層目のレジストと
を基板の凹凸を十分カバーするに必要な厚み一へ
布する事によりレジスト表面を平坦化できる０更に従来
方法でれ部分的なレジストの厚みの変動や基板絢の反射
率のちがいによりり７トオフに適するシャープなエツジ
を有するレジストパターン形状を得るのに必要な光量が
まちまちであシ、一括全一無光の一般的な方法では、必
景面棟のすべてに於てリフトオフに適するシャープなエ
ツジを鳴し、アンダーカットプロフィールのレジストパ
ターン形成ができない場合でも、本発明の場合には為光
用マスク（マスクパターン１５）をｗＬ接レジスト層表
面に作シ付け、かつこの無光用マスクをリフトオフ用レ
ジストパターンのエツジもしくはひさしとして用いる為
レジストの最適なエツジ形状を得る丸めの無光のｌ１ｌ
ｌｌ整は必要なく、すべてに電光不足Ｏ生じないだけの
十分な真先を与えるだけで良い。この事は不要部分のレ
ジスト残りの心配もなくかつリフトオフに適したアンダ
ーカットのレジストパターンを得る為にも都合が良い。
方法でれ部分的なレジストの厚みの変動や基板絢の反射
率のちがいによりり７トオフに適するシャープなエツジ
を有するレジストパターン形状を得るのに必要な光量が
まちまちであシ、一括全一無光の一般的な方法では、必
景面棟のすべてに於てリフトオフに適するシャープなエ
ツジを鳴し、アンダーカットプロフィールのレジストパ
ターン形成ができない場合でも、本発明の場合には為光
用マスク（マスクパターン１５）をｗＬ接レジスト層表
面に作シ付け、かつこの無光用マスクをリフトオフ用レ
ジストパターンのエツジもしくはひさしとして用いる為
レジストの最適なエツジ形状を得る丸めの無光のｌ１ｌ
ｌｌ整は必要なく、すべてに電光不足Ｏ生じないだけの
十分な真先を与えるだけで良い。この事は不要部分のレ
ジスト残りの心配もなくかつリフトオフに適したアンダ
ーカットのレジストパターンを得る為にも都合が良い。
更に導光層を挾む両レジストとして同じエツチング液で
溶解できるものを使用することにより、工程途中の膜は
がれ等により生ずるゴミが再付着する事を有効に防止で
きる。更にリフトオフに適した断面形状のレジストパタ
ーンを得る為の現像処理は、マスクパターン１５が現像
液に対して不溶の物質である為必要なたけ行う事ができ
る。
溶解できるものを使用することにより、工程途中の膜は
がれ等により生ずるゴミが再付着する事を有効に防止で
きる。更にリフトオフに適した断面形状のレジストパタ
ーンを得る為の現像処理は、マスクパターン１５が現像
液に対して不溶の物質である為必要なたけ行う事ができ
る。
また廼光屑により上層と下層のレジストが溶剤的に絶縁
される為下層のレジストが上層レジストを塗布するさい
に耐高する事もない。
される為下層のレジストが上層レジストを塗布するさい
に耐高する事もない。
この様にして得られたリフトオフに適するレジストパタ
ーン上に色素層を形成し、す７トオフによる所望形状の
色分解フイ・）、１ルターを得る為、凹凸のある基板及
び部分的に＆ｌＪ率の異なる基板上に直接色分解フィル
ターを、欠陥なく、精度良く形成でき、また生産性も良
いものである。
ーン上に色素層を形成し、す７トオフによる所望形状の
色分解フイ・）、１ルターを得る為、凹凸のある基板及
び部分的に＆ｌＪ率の異なる基板上に直接色分解フィル
ターを、欠陥なく、精度良く形成でき、また生産性も良
いものである。
なお、図面によシ本発明の代表的なＳｎを説明したが、
さらに他の態様として、例えば、第１２図に示される露
光は省略されてもよいし、レジストとしてネガ型のレジ
スト（即ち未篇九部が除去されレジスト）を用いてもよ
いし、ｌ九、パターン形成には必簀に応じて、エツチン
グ法による湿風エツチングやドライエツチンクを使トは
従来一般に使用される物質を任意に使用できる０例えは
市販のものとして、東京応化工業（株）、０ＦＰＲシリ
ーズ（２、７７、７８、８００）、０ＤＵＲシリーズ（
１０００、１００１、１０１３、１０１４）、コダック
製、ＫＭＰＲ−８０９、ハント灸ＷＡ ＹＣＯＡ ＴＬ
ＳＩ ＲＥＳＩＳＴ、Ｉ（ＰＲＰＯ８ＩＴＩＶＥ ｌ５
ＩｓＴ （１０４゜１０６）、シブレー製ＡＺ シ１７
−ス（１１１、１３５０。
さらに他の態様として、例えば、第１２図に示される露
光は省略されてもよいし、レジストとしてネガ型のレジ
スト（即ち未篇九部が除去されレジスト）を用いてもよ
いし、ｌ九、パターン形成には必簀に応じて、エツチン
グ法による湿風エツチングやドライエツチンクを使トは
従来一般に使用される物質を任意に使用できる０例えは
市販のものとして、東京応化工業（株）、０ＦＰＲシリ
ーズ（２、７７、７８、８００）、０ＤＵＲシリーズ（
１０００、１００１、１０１３、１０１４）、コダック
製、ＫＭＰＲ−８０９、ハント灸ＷＡ ＹＣＯＡ ＴＬ
ＳＩ ＲＥＳＩＳＴ、Ｉ（ＰＲＰＯ８ＩＴＩＶＥ ｌ５
ＩｓＴ （１０４゜１０６）、シブレー製ＡＺ シ１７
−ス（１１１、１３５０。
１３５０Ｊ 、 １３７０ 、２４００ ）、ミクロイ
メージ負５Ｒ−３０、ＰＣ−２２２、ＩＣ−５２８、Ｐ
Ｏ８ＩＴＩＶＥＲＥＳＩ８Ｔ 、 カブ製ＰＲ−３０
１．ポリクローム製ＰＣ−１２９、ＰＣ−１２９ＳＦ
、 ｅどが用いられゐ。
メージ負５Ｒ−３０、ＰＣ−２２２、ＩＣ−５２８、Ｐ
Ｏ８ＩＴＩＶＥＲＥＳＩ８Ｔ 、 カブ製ＰＲ−３０
１．ポリクローム製ＰＣ−１２９、ＰＣ−１２９ＳＦ
、 ｅどが用いられゐ。
遮光層は下層レジストの側光マスクとしての性質、すな
わち下層レジストの感光波長を吸収もしくは反射する漏
光の性質を有するものであればよい、たとえばＣｒ ｅ
Ｚｒ ＊ Ｔｌ ＋ Ｔａ 、Ａｊ等の金属薄膜、Ｐ
６Ｓ 、 ＳｎＳ −Ｃｕ８ ＊ Ｆ＠Ｏ５ｃｕＯ等の
無機質薄膜多層干渉薄膜等が用いられる。
わち下層レジストの感光波長を吸収もしくは反射する漏
光の性質を有するものであればよい、たとえばＣｒ ｅ
Ｚｒ ＊ Ｔｌ ＋ Ｔａ 、Ａｊ等の金属薄膜、Ｐ
６Ｓ 、 ＳｎＳ −Ｃｕ８ ＊ Ｆ＠Ｏ５ｃｕＯ等の
無機質薄膜多層干渉薄膜等が用いられる。
ま九、色素層の形成に用いられる色素としては、各種染
料や顔料が用いられる。
料や顔料が用いられる。
いくつかの具体例（曲品名）を挙げると、黄色色素とし
ては、 リオノゲン・ブルーＲ＠洋インキ製：Ｃ・Ｉ−Ａ６９８
００）Ｎｉ・フタロシアニン 黄色色素としては、 リオノゲン・イエローＲＸＯ［洋インキ製）シコ拳イエ
ローＤ １２５０ （ＢＡＳＦ製：Ｃ・工・Ａ １１
６８０）シコ・イエローＬ ０９５０ （ＩＩＡｓ
Ｆ製：Ｃ＠Ｉ−４１１７１０）パーマネント・イエロー
ＧＪＲ製：Ｃ−Ｉ−Ａ ２１０＠５）赤色色素としては
、 リオノゲン・マゼンタ・Ｒ凍洋インキ製）ファースト・
レッドＡ６ニユー （東洋インキｌ！：Ｃ＠Ｉｎ １２３５５）シコ拳ファ
ースト・レッドＬ３８５５ （ＢＡＳＦ製：Ｃ＠ＩＩＩ雇１２３７０）ダイ；ニチ・
７アースト・スカーレットＧ（大日精化製：Ｃ−１−４
１２３１５）シコφレッド・Ｌａ２Ｓ３ （ＢＡＳＦ
製：Ｃ・ｌ・Ａ １２１２０）などが挙げられる。
ては、 リオノゲン・ブルーＲ＠洋インキ製：Ｃ・Ｉ−Ａ６９８
００）Ｎｉ・フタロシアニン 黄色色素としては、 リオノゲン・イエローＲＸＯ［洋インキ製）シコ拳イエ
ローＤ １２５０ （ＢＡＳＦ製：Ｃ・工・Ａ １１
６８０）シコ・イエローＬ ０９５０ （ＩＩＡｓ
Ｆ製：Ｃ＠Ｉ−４１１７１０）パーマネント・イエロー
ＧＪＲ製：Ｃ−Ｉ−Ａ ２１０＠５）赤色色素としては
、 リオノゲン・マゼンタ・Ｒ凍洋インキ製）ファースト・
レッドＡ６ニユー （東洋インキｌ！：Ｃ＠Ｉｎ １２３５５）シコ拳ファ
ースト・レッドＬ３８５５ （ＢＡＳＦ製：Ｃ＠ＩＩＩ雇１２３７０）ダイ；ニチ・
７アースト・スカーレットＧ（大日精化製：Ｃ−１−４
１２３１５）シコφレッド・Ｌａ２Ｓ３ （ＢＡＳＦ
製：Ｃ・ｌ・Ａ １２１２０）などが挙げられる。
本発明は特にカラーテレビジョンカメラ、インテリジェ
ントカラー複写機、カラー電子ファイル、カラーファク
シミリ、電子カメラ、郷に使用される色分解フィルター
の製造に有効である。基板として祉、透明基板、ＣＣＤ
、（チャージカップルドデバイス）等の撮像素子板イそ
の他のシリコン基板等である。
ントカラー複写機、カラー電子ファイル、カラーファク
シミリ、電子カメラ、郷に使用される色分解フィルター
の製造に有効である。基板として祉、透明基板、ＣＣＤ
、（チャージカップルドデバイス）等の撮像素子板イそ
の他のシリコン基板等である。
実施例
固体撮像素子が、１０個形成されたウエノ１−上にスビ
／ナー塗布法により、ポジ型レジスト（商品名： ０Ｄ
ＵＲ１０００，東京応化製）を０．５〜１μ罵の厚みで
塗布した。この上にＡ４を真空１ｊ ４Ｘ１０→ｔｏ
ｒｒで膜厚５０ （）−１０００人に蒸着する。更に
この上に０ＤＵＲ−１０００レジストを０．３〜０．６
μ肩の厚みで塗布する。この上より４層ｍｍの２色スト
ライフ状のパターンを無光照射し、 ０ＤＵＲ−１００
０用の専用現像液にて篇光部をスプレー現像によシ溶解
除去しマスクパターンを得、更にこのマスクパターンを
エツチング用マスクとして＋Ｕ用し、１層のＡｊ場をＣ
Ｃｊｍ を用いたプラズマエツチングによりエツチング
し、Ａ１のマスクパターンを形成した。次にこの上より
無光照射を行い０ＤＯＲ−１０００シリーズ用現像液に
て露光部をスプレー機像によシ溶解除去する事によシ上
層にアルミのひさしをもつアンダーカット形状のレジス
トパターン（レジストパターンの１Ｉｌｌ形状のＩｌ−
が内軸に、やや′Ｉ！シ込んでいる形状）を得た。
／ナー塗布法により、ポジ型レジスト（商品名： ０Ｄ
ＵＲ１０００，東京応化製）を０．５〜１μ罵の厚みで
塗布した。この上にＡ４を真空１ｊ ４Ｘ１０→ｔｏ
ｒｒで膜厚５０ （）−１０００人に蒸着する。更に
この上に０ＤＵＲ−１０００レジストを０．３〜０．６
μ肩の厚みで塗布する。この上より４層ｍｍの２色スト
ライフ状のパターンを無光照射し、 ０ＤＵＲ−１００
０用の専用現像液にて篇光部をスプレー現像によシ溶解
除去しマスクパターンを得、更にこのマスクパターンを
エツチング用マスクとして＋Ｕ用し、１層のＡｊ場をＣ
Ｃｊｍ を用いたプラズマエツチングによりエツチング
し、Ａ１のマスクパターンを形成した。次にこの上より
無光照射を行い０ＤＯＲ−１０００シリーズ用現像液に
て露光部をスプレー機像によシ溶解除去する事によシ上
層にアルミのひさしをもつアンダーカット形状のレジス
トパターン（レジストパターンの１Ｉｌｌ形状のＩｌ−
が内軸に、やや′Ｉ！シ込んでいる形状）を得た。
次いで゛こＯ上にシアン−科である銅フタｐシア＝ ン
（Ｃｌ７４１６０ ）を真空に８ｘｌＯ″ｔｏｒｒＪｋ
着温度４０ トロ ０ （Ｊ−０で膜厚２０００λに蒸
着した＠ ０ＤＵＲ−１０００用のレジスト溶媒である
ＥＣＡ（エチルセルソルブアセテート）を用いレジスト
を溶解除去すること−によって、その上層にあるＡ１膜
と色素蒸着膜を遊離除去した。この結果パターンロスの
ない非常にきれいな精度の為いグリーンの色要素が形成
できた。
（Ｃｌ７４１６０ ）を真空に８ｘｌＯ″ｔｏｒｒＪｋ
着温度４０ トロ ０ （Ｊ−０で膜厚２０００λに蒸
着した＠ ０ＤＵＲ−１０００用のレジスト溶媒である
ＥＣＡ（エチルセルソルブアセテート）を用いレジスト
を溶解除去すること−によって、その上層にあるＡ１膜
と色素蒸着膜を遊離除去した。この結果パターンロスの
ない非常にきれいな精度の為いグリーンの色要素が形成
できた。
同様にこの上Ｋ ０ＤＵＲ−１０００−Ａｊ−（）ＤＵ
Ｒ−１０００のサンドイッチ構造を形成し、上層レジス
トのパターン二ン久次いてＡ４層への転写、中間層ＯＡ
ｊ膜をひさしとするレジストパターンの形成を行なった
後グリーン顔料である鉛フタロシアニンを真空度８×１
０→ｔｏｒｒ、蒸着温度４００〜６００℃で膜厚２５０
０ムに蒸着する。このｉｌ ０ＤＯＲ−１０００のレジ
スト溶媒であるＥ＠Ｃ−Ａでレジストパターンを溶解除
去し、その上層のＡｊ膜と色し 素蒸着膜を遊離除去シアンの色要素を形成し友〇〆＼ このようＫしてグリーン、シアンのストライフ プフィルターが非常にあざやかＫかつ、パターンｐスを
生ずる事なく高糖ＩＮＫ形成できた。
Ｒ−１０００のサンドイッチ構造を形成し、上層レジス
トのパターン二ン久次いてＡ４層への転写、中間層ＯＡ
ｊ膜をひさしとするレジストパターンの形成を行なった
後グリーン顔料である鉛フタロシアニンを真空度８×１
０→ｔｏｒｒ、蒸着温度４００〜６００℃で膜厚２５０
０ムに蒸着する。このｉｌ ０ＤＯＲ−１０００のレジ
スト溶媒であるＥ＠Ｃ−Ａでレジストパターンを溶解除
去し、その上層のＡｊ膜と色し 素蒸着膜を遊離除去シアンの色要素を形成し友〇〆＼ このようＫしてグリーン、シアンのストライフ プフィルターが非常にあざやかＫかつ、パターンｐスを
生ずる事なく高糖ＩＮＫ形成できた。
第１図〜第５図は従来の色分解フィルター形成工程の説
明図であシ、第１図はレジスト層の形成工程、第２図は
パターン無光工程、第３図はレジストパターンの形成工
程、第４図り色素層の形成工程、および第５図は色Ｊ＆
素形成工程をそれぞれ示す。第６図〜第１５図は本発明
による色分解フィル−形成工程の１態様の説明図であシ
、第６図はレジスト層の形成工程、第７図は嬉光層の形
成工程、第８図は上層レジスト層の形成工程、第９図は
パターン旅先工程、第１０図はマスクパターン形成工程
、９１１図り透光層によるマスクパターン形成工程、２
．１２図は無光工程、第１３図は、レジストパターン形
成工程、第１４図は色素層形成工程、第１５図は色要素
形成工程をそれぞれ示Ｊ０ ８・・・基板 ９・・・レジスト層１０・・
・透光層 １１・・・レジスト層１２・・・マ
スク １３・・・パルーン露光１４・・・マス
クパターン １５・・・マスクパターン１６・・・無光
１７・・・レジストパターン１８・・・％
色素層 １９・・・色要素出願人 キャノン株
式会社 一″″ｉ
明図であシ、第１図はレジスト層の形成工程、第２図は
パターン無光工程、第３図はレジストパターンの形成工
程、第４図り色素層の形成工程、および第５図は色Ｊ＆
素形成工程をそれぞれ示す。第６図〜第１５図は本発明
による色分解フィル−形成工程の１態様の説明図であシ
、第６図はレジスト層の形成工程、第７図は嬉光層の形
成工程、第８図は上層レジスト層の形成工程、第９図は
パターン旅先工程、第１０図はマスクパターン形成工程
、９１１図り透光層によるマスクパターン形成工程、２
．１２図は無光工程、第１３図は、レジストパターン形
成工程、第１４図は色素層形成工程、第１５図は色要素
形成工程をそれぞれ示Ｊ０ ８・・・基板 ９・・・レジスト層１０・・
・透光層 １１・・・レジスト層１２・・・マ
スク １３・・・パルーン露光１４・・・マス
クパターン １５・・・マスクパターン１６・・・無光
１７・・・レジストパターン１８・・・％
色素層 １９・・・色要素出願人 キャノン株
式会社 一″″ｉ
Claims (1)
- （１）基板上に中間Ｋｊｌ光層を挾んだ構成のレジスト
層を形成する工程、清光層の上のレジスト層でマスクパ
ターンを形成する工程、＃マスクパターンで被覆されて
いない遮光層をエツチングして遮光層でマスクパターン
を形成する工程、遮光層のマスクパターンで被覆されて
いない下部のレジスト層をエツチングして、レジストパ
ターンを形成する工程１色素層を形成する工程および骸
レジストパターンをその上に形成されている色素層と共
に除去する工程を有することを特徴とする色分解フィル
ターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053538A JPS58169108A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 色分解フイルタ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053538A JPS58169108A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 色分解フイルタ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169108A true JPS58169108A (ja) | 1983-10-05 |
Family
ID=12945577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053538A Pending JPS58169108A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 色分解フイルタ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169108A (ja) |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP57053538A patent/JPS58169108A/ja active Pending
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