JPS60114807A - 微細色フイルタ−作製法 - Google Patents
微細色フイルタ−作製法Info
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- JPS60114807A JPS60114807A JP58221993A JP22199383A JPS60114807A JP S60114807 A JPS60114807 A JP S60114807A JP 58221993 A JP58221993 A JP 58221993A JP 22199383 A JP22199383 A JP 22199383A JP S60114807 A JPS60114807 A JP S60114807A
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- resist
- substrate
- film
- color filter
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、COD (チャージ、カップルド、デバイス
)、BBD (パケット、ブリゲート、デバイス)、C
,ID(チャージ、インジェクション。
)、BBD (パケット、ブリゲート、デバイス)、C
,ID(チャージ、インジェクション。
デバイス)等のカラー固体撮像素子及びカラーディスプ
レイ用等に用いられる微細色フィルターの製造方法に関
する。
レイ用等に用いられる微細色フィルターの製造方法に関
する。
従来、微細色フィルター等の製法に於いて、色素層を真
空蒸着によって色素の蒸着薄11りとして形成する方法
が、例えば特開昭55−148406号公報等に提案さ
れている。この方法によれば、色素そのもので着色層が
形成でき、染色法に於ける媒染層が不要なので、きわめ
て薄膜化され、かつ算木工程によって色素層が形成でき
るという利点を有している。こうして蒸着により形成さ
れた色素層をパターンニングする方法としては、従来ド
ライエツチング法が使用されてきた。これは、色素層上
にレジストマスクパターンを形成した後、これをエツチ
ング用マスクとして非レジスト部分の色素層をイオンな
いしプラズマ雰囲気中で蒸発させて除去し、所望の形状
の微細色フィルター上ターするものである。しかしなが
ら、このような方法では、色素層上に色素層を損なうこ
となくパターンの形成が可能で、かつ耐ドライエツング
性の良いレジストの選択が容易ではなく、またレジスト
マスクがフィルター上に残存するために構成が複雑にな
るという問題点を有していた。
空蒸着によって色素の蒸着薄11りとして形成する方法
が、例えば特開昭55−148406号公報等に提案さ
れている。この方法によれば、色素そのもので着色層が
形成でき、染色法に於ける媒染層が不要なので、きわめ
て薄膜化され、かつ算木工程によって色素層が形成でき
るという利点を有している。こうして蒸着により形成さ
れた色素層をパターンニングする方法としては、従来ド
ライエツチング法が使用されてきた。これは、色素層上
にレジストマスクパターンを形成した後、これをエツチ
ング用マスクとして非レジスト部分の色素層をイオンな
いしプラズマ雰囲気中で蒸発させて除去し、所望の形状
の微細色フィルター上ターするものである。しかしなが
ら、このような方法では、色素層上に色素層を損なうこ
となくパターンの形成が可能で、かつ耐ドライエツング
性の良いレジストの選択が容易ではなく、またレジスト
マスクがフィルター上に残存するために構成が複雑にな
るという問題点を有していた。
一方、基板上に溶解可能なレジストパターンを形成し、
しかる後に色素層を形成し、次いで下部の溶解可能なレ
ジストパターンを溶解除去することによってその上層に
形成された不要な色素層をも同時に遊離除去させる、い
わゆるリバースエツチング法(又はリフトオフ法)が、
例えば特公昭47−16815号公報等により知られて
いる。このリフトオフ法によれば、後で溶解可能な物質
、主にポジ型レジストを用いて所望形状の色素層に対し
てネガティブな関係にあるパターンレジストを設けた後
に基板上全体に色素層を設け、しかる後に下層のレジス
トパターンを溶解することによって所望形状の着色パタ
ーンが得られる。この方法と色素層の真空蒸着法とを併
用すれば、基板上に色素層のみの着色パターンが得られ
るためシンプルな構成の微細色フィルターが製造される
という長所を有する。
しかる後に色素層を形成し、次いで下部の溶解可能なレ
ジストパターンを溶解除去することによってその上層に
形成された不要な色素層をも同時に遊離除去させる、い
わゆるリバースエツチング法(又はリフトオフ法)が、
例えば特公昭47−16815号公報等により知られて
いる。このリフトオフ法によれば、後で溶解可能な物質
、主にポジ型レジストを用いて所望形状の色素層に対し
てネガティブな関係にあるパターンレジストを設けた後
に基板上全体に色素層を設け、しかる後に下層のレジス
トパターンを溶解することによって所望形状の着色パタ
ーンが得られる。この方法と色素層の真空蒸着法とを併
用すれば、基板上に色素層のみの着色パターンが得られ
るためシンプルな構成の微細色フィルターが製造される
という長所を有する。
しかし、このリフトオフ法に於いては、所定の露光マス
クを介して、紫外光等によりフォトレジストに対して光
露光を行う露光工程が必須であるり、露光マスクのパタ
ーンの位置を色素膜を形成する基板に対して高精度に再
現させるために、アライメント(位置合わせ)工程が必
要となる。しかし、アライメント工程は、露光マスクと
基板との位置関係を高精度に合わせるためには多くの作
業時間を要するという欠点があった。また、このアライ
メント工程は熟練を要し、誰でもが容易に実施できるも
のではないことも問題点として指摘されていた。更にこ
の露光工程に於いては、紫外光等の拡散を防止し、形成
されるフォトレジストパターンの断面形状を望ましいも
のにするために、露光マスクと基板とを密着させる必要
がある。しかし、この密着工程には、色素膜パターンの
剥離、色素膜への傷の生成、ゴミの付着といった、得ら
れる微細色フィルターの製造歩留りを低下させる要因が
潜んでいる。
クを介して、紫外光等によりフォトレジストに対して光
露光を行う露光工程が必須であるり、露光マスクのパタ
ーンの位置を色素膜を形成する基板に対して高精度に再
現させるために、アライメント(位置合わせ)工程が必
要となる。しかし、アライメント工程は、露光マスクと
基板との位置関係を高精度に合わせるためには多くの作
業時間を要するという欠点があった。また、このアライ
メント工程は熟練を要し、誰でもが容易に実施できるも
のではないことも問題点として指摘されていた。更にこ
の露光工程に於いては、紫外光等の拡散を防止し、形成
されるフォトレジストパターンの断面形状を望ましいも
のにするために、露光マスクと基板とを密着させる必要
がある。しかし、この密着工程には、色素膜パターンの
剥離、色素膜への傷の生成、ゴミの付着といった、得ら
れる微細色フィルターの製造歩留りを低下させる要因が
潜んでいる。
本発明者らは、リフトオフ法による微細色フィルターの
製造方法につき鋭意検討した結果、最後の色素層を形成
する際に、既に基板上に形成されている一色以上の色素
層を露光マスクの代用として使用し、透明基板の色素層
の形成されていない方の面側から7オトレジストの光露
光を実施することにより、最後の色素層の形成に際して
は露光マスクの7ライメント操作が不要になることを見
い出し本発明を完成するに至った。
製造方法につき鋭意検討した結果、最後の色素層を形成
する際に、既に基板上に形成されている一色以上の色素
層を露光マスクの代用として使用し、透明基板の色素層
の形成されていない方の面側から7オトレジストの光露
光を実施することにより、最後の色素層の形成に際して
は露光マスクの7ライメント操作が不要になることを見
い出し本発明を完成するに至った。
本発明の目的は、ポジ型フォトレジストを用いた蒸着色
素膜のリバースエツチング法による欠点、即ち、前記の
露光工程の有する欠点を解消し、工程の簡略化、熟練作
業の軽減を可能にする新規な微細色フィルターの製造方
法を提供することを目的とする。
素膜のリバースエツチング法による欠点、即ち、前記の
露光工程の有する欠点を解消し、工程の簡略化、熟練作
業の軽減を可能にする新規な微細色フィルターの製造方
法を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、作業ミス等による製造歩留りの低
下を防止することのできる多色微細色フィルターの製造
方法を提供することを目的とする。
下を防止することのできる多色微細色フィルターの製造
方法を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、密着露光工程の有する露光マスク
と基板の密着による色素層、レジスト層の剥離を防止す
ることのできる多色微細色フィルターの製造方法を提供
することを目的乏する。
と基板の密着による色素層、レジスト層の剥離を防止す
ることのできる多色微細色フィルターの製造方法を提供
することを目的乏する。
すなわち、本発明の微細色フィルターの製造方法は、透
明基板上に所望の形状の複数色の色素膜が形成された微
細色フィルターを製造する方法に於いて、−色量上の色
素膜が形成された該基板−Lに最後の色素層を形成する
に際して、 (1)ポジ型フォトレジストを使用して、該色素IIり
が形成された基板上にレジスト被膜を形成する工程と、 (2)該透明基板の該レジスト被膜の形成されていない
方の面側から、該レジスト被膜に対して光露光を実施す
る工程と。
明基板上に所望の形状の複数色の色素膜が形成された微
細色フィルターを製造する方法に於いて、−色量上の色
素膜が形成された該基板−Lに最後の色素層を形成する
に際して、 (1)ポジ型フォトレジストを使用して、該色素IIり
が形成された基板上にレジスト被膜を形成する工程と、 (2)該透明基板の該レジスト被膜の形成されていない
方の面側から、該レジスト被膜に対して光露光を実施す
る工程と。
(3)該レジスト被膜の現像処理を行い、レジストパタ
ーンを形成する工程と。
ーンを形成する工程と。
(4)該基板上に最後の色素層の蒸着を実施し 次いで
該レジストパターンを除去する工程と、を有することを
特徴とする。
該レジストパターンを除去する工程と、を有することを
特徴とする。
以下、本発明による微細色フィルターの製造方法につき
図面に基づいて説明するが、代表的な態様は第1図から
第5図により示される。
図面に基づいて説明するが、代表的な態様は第1図から
第5図により示される。
第1図に示されるように、基板l上に少なくとも一色以
上(本図に於いては二色)からなる色素膜2.3を形成
する。このような色素膜は種々の方法によって形成する
ことができるが、特にリフトオフ法と色素の蒸着法とを
併用することによって形成するのが有利である。まず、
本発明の方法が適用される第1図に示された一色以上の
色素膜が形成された基板を製造するまでの代表的製造方
法につき簡略に説明する。透明基板1上に、例えばポジ
型フォトレジストを使用して、レジスト被膜を形成する
0次いで所望の色素膜パターンに応じた露光マスクをこ
のレジスト被膜上に位置合わせを行いつつ密着設置、あ
るいは極めて接近させて設置し、該露光マスクを介して
紫外光、遠紫外光等による光露光を−行い、露光部分の
レジストを現像液を用い、て選択的に溶解することによ
ってレジストパターンを得る。次にこのレジスト層くタ
ーンの形成された基板上に色素の蒸着を実施し、基板上
全体に色素層を形成する0次いで該レジストパターンを
溶解除去することによって不要な色素層もレジストパタ
ーンとともに除去され、第一色目の色素膜パターン2が
形成される。上記に例示したリフトオフ法は、極めて代
表的な態様であり、もちろん従来知られている種々の改
良法が併用されてもさしつかえない。必要に応じ、以上
の工程を繰り返して実施することにメリニ色以上の色素
膜パターン2.3を有する基板が形成される。上記工程
は、最後の色素層を形成する前の段階まで繰り返し実施
される。すなわち、三色からなる色素膜パターンを基板
上に形成する場合には、第二色目迄の色素膜パターン2
.3を上記の方法等によって形成する。
上(本図に於いては二色)からなる色素膜2.3を形成
する。このような色素膜は種々の方法によって形成する
ことができるが、特にリフトオフ法と色素の蒸着法とを
併用することによって形成するのが有利である。まず、
本発明の方法が適用される第1図に示された一色以上の
色素膜が形成された基板を製造するまでの代表的製造方
法につき簡略に説明する。透明基板1上に、例えばポジ
型フォトレジストを使用して、レジスト被膜を形成する
0次いで所望の色素膜パターンに応じた露光マスクをこ
のレジスト被膜上に位置合わせを行いつつ密着設置、あ
るいは極めて接近させて設置し、該露光マスクを介して
紫外光、遠紫外光等による光露光を−行い、露光部分の
レジストを現像液を用い、て選択的に溶解することによ
ってレジストパターンを得る。次にこのレジスト層くタ
ーンの形成された基板上に色素の蒸着を実施し、基板上
全体に色素層を形成する0次いで該レジストパターンを
溶解除去することによって不要な色素層もレジストパタ
ーンとともに除去され、第一色目の色素膜パターン2が
形成される。上記に例示したリフトオフ法は、極めて代
表的な態様であり、もちろん従来知られている種々の改
良法が併用されてもさしつかえない。必要に応じ、以上
の工程を繰り返して実施することにメリニ色以上の色素
膜パターン2.3を有する基板が形成される。上記工程
は、最後の色素層を形成する前の段階まで繰り返し実施
される。すなわち、三色からなる色素膜パターンを基板
上に形成する場合には、第二色目迄の色素膜パターン2
.3を上記の方法等によって形成する。
このようにして形成された一色以上の色素膜が形成され
た該基板l上に、次に第2図に示されるように、ポジ型
フォトレジスト層4を1例えばスピンナー等°の塗布手
〜段等により形成する。レジスト層4は、乾燥後、適当
な温度条件下でプリベークされる0次いで、この透明基
板lのレジスト被膜4の形成されていない方の面側から
、レジスト被膜に対して紫外光、遠紫外光等による光露
光5を実施する。この際、既に基板上に形成されている
一色以上の色素層がポジ型フォトレジストの感光波長域
に吸収特性を有しており、この層が露光マスクの代用と
し機能し、最後の色素層を形成する部分のポジ型フオト
レ゛シストに対してのみ光露光が行われる。
た該基板l上に、次に第2図に示されるように、ポジ型
フォトレジスト層4を1例えばスピンナー等°の塗布手
〜段等により形成する。レジスト層4は、乾燥後、適当
な温度条件下でプリベークされる0次いで、この透明基
板lのレジスト被膜4の形成されていない方の面側から
、レジスト被膜に対して紫外光、遠紫外光等による光露
光5を実施する。この際、既に基板上に形成されている
一色以上の色素層がポジ型フォトレジストの感光波長域
に吸収特性を有しており、この層が露光マスクの代用と
し機能し、最後の色素層を形成する部分のポジ型フオト
レ゛シストに対してのみ光露光が行われる。
次に第3図に示されるように、露光部分のレジスト被膜
を現像液を用いて選択的に溶解し、色素層の上部にのみ
にレジストが残存するレジスト層くターン4′が得られ
る。
を現像液を用いて選択的に溶解し、色素層の上部にのみ
にレジストが残存するレジスト層くターン4′が得られ
る。
次に第4図に示されるように、該基板l上に最後の色素
層(図においては第三色目)6の蒸着を実施する。
層(図においては第三色目)6の蒸着を実施する。
最後にレジストパターンをレジスト現像液等の手段によ
って除去することによって不要な色素層もレジストパタ
ーンとともに除去され、目的とする第5図に示される微
細色フィルターが形成される。
って除去することによって不要な色素層もレジストパタ
ーンとともに除去され、目的とする第5図に示される微
細色フィルターが形成される。
以上、第2図から第5図に示した微細色フィルターの製
造工程は、本発明の方法を実施するのに必須の工程のみ
を説明したものであり、もちろん上記以外に種々の改良
工程が伺加されてさしつかえない。
造工程は、本発明の方法を実施するのに必須の工程のみ
を説明したものであり、もちろん上記以外に種々の改良
工程が伺加されてさしつかえない。
本発明の微細色フィルターに用いられる透明基板として
は、ポジ型フォトレジストの紫外光、遠紫外光等による
光露光を妨げないものであれば、その使用目的により、
特に限定されずに種々のものが使用でき1例えば、ガラ
ス板;光学用樹脂板;ゼラチン、ポリビニルアルコール
、ヒドロキシルエチルセルロース、メチルメタクリレー
ト、ポリエステル、ポリブチラール、ポリアミド等の樹
脂フィルム等が使用できる。
は、ポジ型フォトレジストの紫外光、遠紫外光等による
光露光を妨げないものであれば、その使用目的により、
特に限定されずに種々のものが使用でき1例えば、ガラ
ス板;光学用樹脂板;ゼラチン、ポリビニルアルコール
、ヒドロキシルエチルセルロース、メチルメタクリレー
ト、ポリエステル、ポリブチラール、ポリアミド等の樹
脂フィルム等が使用できる。
本発明の方法に用いるレジスト樹脂材料としては、ポジ
型のフォトレジストを使用する。このようなポジ型のフ
ォトレジストの具体例としては、例えば、東京応化工業
製0FPRシリーズ(2,77,78,800) 、
0DURシIJ−ズ(1000,1001,1010,
1013,1014) 、富士薬品製FSR;コダック
製Waycoat LSI Re5ist;ミクロイメ
ージ製PBS ;カブ製PR−301;シブレイ製AZ
シリーズ(ill、 1350.1350J 、 13
70.2400.2400−DUW) ;ダイキン酸F
PM210、FBM120等を挙げることができる。
型のフォトレジストを使用する。このようなポジ型のフ
ォトレジストの具体例としては、例えば、東京応化工業
製0FPRシリーズ(2,77,78,800) 、
0DURシIJ−ズ(1000,1001,1010,
1013,1014) 、富士薬品製FSR;コダック
製Waycoat LSI Re5ist;ミクロイメ
ージ製PBS ;カブ製PR−301;シブレイ製AZ
シリーズ(ill、 1350.1350J 、 13
70.2400.2400−DUW) ;ダイキン酸F
PM210、FBM120等を挙げることができる。
本発明の方法に用いる色素としては、蒸着可能な種々の
色素が、微細色フィルターとしての目的に沿った分光特
性を有するものから適宜選択され使用される。なお、最
後の色素層を形成する際には、色素層自体を露光マスク
として機能させるため、それまでに形成される色素層は
、ポジ型のフォトレジストの光露光源である紫外光、遠
紫外光等に対して遮光性を有するものであることが要請
される。
色素が、微細色フィルターとしての目的に沿った分光特
性を有するものから適宜選択され使用される。なお、最
後の色素層を形成する際には、色素層自体を露光マスク
として機能させるため、それまでに形成される色素層は
、ポジ型のフォトレジストの光露光源である紫外光、遠
紫外光等に対して遮光性を有するものであることが要請
される。
本発明の方法に従って形成された微細色フィルターは、
その色素層上に、更に透明保m膜を被覆してもよい、透
明保護膜としては、 SiO、MgO2、PbF2、M
gF2 、 Al2O3、5n02等を真空蒸着若しく
はCVD法により成膜するか、ポリウレタン樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、シリコン樹脂、ガラスレジン、ポリ
バラキシレン樹脂等をスピンナー塗布したものが代表的
なものとして挙げられる。
その色素層上に、更に透明保m膜を被覆してもよい、透
明保護膜としては、 SiO、MgO2、PbF2、M
gF2 、 Al2O3、5n02等を真空蒸着若しく
はCVD法により成膜するか、ポリウレタン樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、シリコン樹脂、ガラスレジン、ポリ
バラキシレン樹脂等をスピンナー塗布したものが代表的
なものとして挙げられる。
本発明の方法によれば、最終の色素膜ノくターン形成時
に露光マスクのアライメント工程が不要になり、かつ基
板と色素膜が無機物膜により保護されているため、色素
膜と露光マスクとの密着工程が省略されたことにより、
微細色フィルターの製造工程が短縮されたと同時に、得
られる微細色フィルターの外観不良、例えばノくターン
ずれ等による歩留りの低下が減少した。
に露光マスクのアライメント工程が不要になり、かつ基
板と色素膜が無機物膜により保護されているため、色素
膜と露光マスクとの密着工程が省略されたことにより、
微細色フィルターの製造工程が短縮されたと同時に、得
られる微細色フィルターの外観不良、例えばノくターン
ずれ等による歩留りの低下が減少した。
また、本発明の方法は、例えば薄膜トランジスターをス
イッチング素子として用いた回路基板上にカラーモザイ
クフィルターを形成する上で好適なもので、特にこのカ
ラーモザイクフィルターを有する回路基板は、液晶カラ
ーディスプレイノくネルの基板に有効なものである。
イッチング素子として用いた回路基板上にカラーモザイ
クフィルターを形成する上で好適なもので、特にこのカ
ラーモザイクフィルターを有する回路基板は、液晶カラ
ーディスプレイノくネルの基板に有効なものである。
以下1本発明を実施例に基づき、より具体的に説明する
。
。
実施例1
ガラス板上にポジ型フォトレジスト、FMP−210(
商品名、ダイキン工業■製)をスピナーにより1.24
a゛の膜厚に塗布したンこのレジスト被膜を乾燥させ、
180℃で30分間プリベークした。次いで、露光部
の形状が所望の色素膜パターンと同一の露光マスクをこ
のレジスト被膜上に位置合わせを行いつつ密着設置し、
該露光マスクを介して遠紫外光により 3分間の光露光
を行った。次に、露光部分のレジストを現像液(FMP
−2100、商品名、ダイキン工業銖製)を用いて選択
的に溶解することによってレジストパターンを基板上に
形成した。このレジストパターンの形成された基板を、
真空容器内に設置し、真空度10−6〜lO″5Tar
tに於てフルオレセイン(c、 r、N6.45350
)を抵抗加熱法により 250〜350℃に加熱し、蒸
着により約4000A厚の色素層を基板上全体に形成し
た。次いで該基板をレジスト現像液中に浸漬し、レジス
トパターンを溶解除去することによってレジストパター
ン上に形成された不要な色素層もレジストパターンとと
もに除去され、第一色目の色素膜パターンが基板上に形
成された。
商品名、ダイキン工業■製)をスピナーにより1.24
a゛の膜厚に塗布したンこのレジスト被膜を乾燥させ、
180℃で30分間プリベークした。次いで、露光部
の形状が所望の色素膜パターンと同一の露光マスクをこ
のレジスト被膜上に位置合わせを行いつつ密着設置し、
該露光マスクを介して遠紫外光により 3分間の光露光
を行った。次に、露光部分のレジストを現像液(FMP
−2100、商品名、ダイキン工業銖製)を用いて選択
的に溶解することによってレジストパターンを基板上に
形成した。このレジストパターンの形成された基板を、
真空容器内に設置し、真空度10−6〜lO″5Tar
tに於てフルオレセイン(c、 r、N6.45350
)を抵抗加熱法により 250〜350℃に加熱し、蒸
着により約4000A厚の色素層を基板上全体に形成し
た。次いで該基板をレジスト現像液中に浸漬し、レジス
トパターンを溶解除去することによってレジストパター
ン上に形成された不要な色素層もレジストパターンとと
もに除去され、第一色目の色素膜パターンが基板上に形
成された。
次に、フルオレセインの代わりに銅フタロシアニンを用
いたことを除き、第一色目の色素膜パターンの形成され
た基板に対して上記と同一の工程を繰り返し実施す・る
ことにより、第二色目の色素膜パターンを該基板上に形
成した。
いたことを除き、第一色目の色素膜パターンの形成され
た基板に対して上記と同一の工程を繰り返し実施す・る
ことにより、第二色目の色素膜パターンを該基板上に形
成した。
更に、このようにして二色の色素膜が形成された基板上
に1、第一色目の場合と同様にしてFMP−210のレ
ジスト被膜を形成した。次いで、透明基板の色素膜パタ
ーン及びレジスト被膜の形成されていない方の面から、
レジスト被膜に対して遠紫外光により光露光を行った。
に1、第一色目の場合と同様にしてFMP−210のレ
ジスト被膜を形成した。次いで、透明基板の色素膜パタ
ーン及びレジスト被膜の形成されていない方の面から、
レジスト被膜に対して遠紫外光により光露光を行った。
以下は第一色目の場合と同様にして、レジストの現像、
鉛フタロシアニンを用いた蒸着による第三色目の色素膜
の形成、レジストパターンの溶解除去、を実施すること
により、透明基板上に三色の色素膜が形成された微細色
フィルターが製造された。
鉛フタロシアニンを用いた蒸着による第三色目の色素膜
の形成、レジストパターンの溶解除去、を実施すること
により、透明基板上に三色の色素膜が形成された微細色
フィルターが製造された。
本方法に基づき微細色フィルターを製造すると、第三色
目の色素膜の形成時に7ライメントエ程が省略できたこ
とにより、従来法に比較し数分間の工程短縮が計れた。
目の色素膜の形成時に7ライメントエ程が省略できたこ
とにより、従来法に比較し数分間の工程短縮が計れた。
また、形成された微細色フィルターの製造歩留りも幾分
向上した。
向上した。
第1図乃至第5図は、本発明の微細色フィルターの製造
方法の基本的な工程を示すための模式%式%: 4:ポジ型フォトレジスト 5:光露光特許出願人 キ
ャノン株式i社
方法の基本的な工程を示すための模式%式%: 4:ポジ型フォトレジスト 5:光露光特許出願人 キ
ャノン株式i社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基板上に所望の形状の複数色の色素膜が形成された
微細色フィルターを製造する方法に於いて、−色量上の
色素膜が形成された該基板上に最後の色素層を形成する
に際して、 (1)ポジ型フォトレジストを使用して、該色素膜が形
成された基板上にレジスト被膜を形成する工程と、 (2)該透明基板の該レジスト被膜の形成されていない
方の面側から、該レジスト被膜に対して光露光を実施す
る工程と、 (3)該レジスト被膜の現像処理を行い、レジストパタ
ーンを形成する工程と、 (4)該基板上に最後の色素層の蒸着を実施し、次いで
該レジストパターンを除去する工程と、を有することを
特徴とする微細色フィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221993A JPS60114807A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 微細色フイルタ−作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221993A JPS60114807A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 微細色フイルタ−作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60114807A true JPS60114807A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16775399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221993A Pending JPS60114807A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 微細色フイルタ−作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60114807A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242104A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Seikosha Co Ltd | カラ−フイルタの製造方法 |
| US4812387A (en) * | 1986-04-21 | 1989-03-14 | Shinto Paint Co., Ltd. | Method of forming functional films on fine transparent electric conductive circuit pattern and spaces thereof |
| US4873175A (en) * | 1986-01-08 | 1989-10-10 | Shinto Paint Co., Ltd. | Method of forming functional coating film between fine electric conductive circuits |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58221993A patent/JPS60114807A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242104A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Seikosha Co Ltd | カラ−フイルタの製造方法 |
| US4873175A (en) * | 1986-01-08 | 1989-10-10 | Shinto Paint Co., Ltd. | Method of forming functional coating film between fine electric conductive circuits |
| US4812387A (en) * | 1986-04-21 | 1989-03-14 | Shinto Paint Co., Ltd. | Method of forming functional films on fine transparent electric conductive circuit pattern and spaces thereof |
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