JPS58171106A - 温度補償回路 - Google Patents
温度補償回路Info
- Publication number
- JPS58171106A JPS58171106A JP57053311A JP5331182A JPS58171106A JP S58171106 A JPS58171106 A JP S58171106A JP 57053311 A JP57053311 A JP 57053311A JP 5331182 A JP5331182 A JP 5331182A JP S58171106 A JPS58171106 A JP S58171106A
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- JP
- Japan
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- diode
- resistor
- potential
- temperature
- circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、温度特性を有する素子に対してノくイアス亀
流を供給する際、バイアス供給点の電位とその電位の温
度特性と、バイアス電流とをそれぞれ独立に選択するこ
とができる温度補償回路に関するものでおる。
流を供給する際、バイアス供給点の電位とその電位の温
度特性と、バイアス電流とをそれぞれ独立に選択するこ
とができる温度補償回路に関するものでおる。
（従来技術と問題点）
ダイオード、トランジスタ、 ＩＣ等の半導体素子は
一般に温度特性を有し、温度補償をしないと、利得変動
や発振等の現象を生じるおそれがあるため、通常、温度
補償回路とともに用いられる。このような温度補償回路
としては、従来、ダイオードの順方向電圧降下の温渡特
性（−２ｓＦ／Ｃ）を利用したものが広く用いられてい
る。
一般に温度特性を有し、温度補償をしないと、利得変動
や発振等の現象を生じるおそれがあるため、通常、温度
補償回路とともに用いられる。このような温度補償回路
としては、従来、ダイオードの順方向電圧降下の温渡特
性（−２ｓＦ／Ｃ）を利用したものが広く用いられてい
る。
第１図Ｃａ）および第１図（６）は従来の温度補償回路
を示している。第１図（σ）においてＤはダイオード°
、Ｒｌｓ Ｒ＊は抵抗でおって、抵抗Ｒ１，ダイオード
Ｄおよび抵抗Ｒ宜の直列回路の両端にそれぞれ箋、圧Ｖ
Ａ。
を示している。第１図（σ）においてＤはダイオード°
、Ｒｌｓ Ｒ＊は抵抗でおって、抵抗Ｒ１，ダイオード
Ｄおよび抵抗Ｒ宜の直列回路の両端にそれぞれ箋、圧Ｖ
Ａ。
ＶＢを印加して、ダイオードＤに順方向電流〃（流れる
ようにすることによって、抵抗Ｒ２とダイオードＤの接
続点Ａに温度補償用の電圧が得られる。なお第１図−）
においてダイオードＤと抵抗Ｒ２の接続順序を逆にして
も同じ結果が得られる。第１図（６）は、抵抗ＲＩＩダ
イオードＤ、抵抗Ｒ１を直列に接続してなる直列回路の
両端にそれぞれ電圧’Ａ、 Ｆｌを印加してダイオード
Ｄに順方向電流が流れるようにして、ダイオードＤと抵
抗Ｒ２の接続点Ｂに温度補償用電圧を得るものであシ、
この場合も抵抗Ｒ１とダイオードＤの接続順序を逆にし
ても同じ結果が得られる。
ようにすることによって、抵抗Ｒ２とダイオードＤの接
続点Ａに温度補償用の電圧が得られる。なお第１図−）
においてダイオードＤと抵抗Ｒ２の接続順序を逆にして
も同じ結果が得られる。第１図（６）は、抵抗ＲＩＩダ
イオードＤ、抵抗Ｒ１を直列に接続してなる直列回路の
両端にそれぞれ電圧’Ａ、 Ｆｌを印加してダイオード
Ｄに順方向電流が流れるようにして、ダイオードＤと抵
抗Ｒ２の接続点Ｂに温度補償用電圧を得るものであシ、
この場合も抵抗Ｒ１とダイオードＤの接続順序を逆にし
ても同じ結果が得られる。
第２図は従来の温度補償回路の実際の使用例を示してい
る。同図において、抵抗Ｒ１９ＲＲおよびダイオードＤ
からなる回路は温度補償回路であシ、抵抗Ｒ３，トラン
ジスタＴＲおよび抵抗Ｒ４を直列に接続した回路は温度
補償されるべき回路を示している。第２図においては、
抵抗Ｒ□、Ｒ３の接続点をトランジスタＴＲのペースに
接続し、この点と入力端子Ｃとの間にコンデンサＣ８を
接続して端子Ｃに交流入力を加えることによって、トラ
ンジスタのコレクタに接続した出力端子りに増幅された
交流出力を得る、トランジスタ増幅器が例示されている
。
る。同図において、抵抗Ｒ１９ＲＲおよびダイオードＤ
からなる回路は温度補償回路であシ、抵抗Ｒ３，トラン
ジスタＴＲおよび抵抗Ｒ４を直列に接続した回路は温度
補償されるべき回路を示している。第２図においては、
抵抗Ｒ□、Ｒ３の接続点をトランジスタＴＲのペースに
接続し、この点と入力端子Ｃとの間にコンデンサＣ８を
接続して端子Ｃに交流入力を加えることによって、トラ
ンジスタのコレクタに接続した出力端子りに増幅された
交流出力を得る、トランジスタ増幅器が例示されている
。
第２図の回路においては、トランジスタＴＲのペースエ
ミッタ電圧Ｖ１ｍが温度特性を持つため、ベースバイア
ス電位Ｖ。を、電圧Ｖ□の変化を打ち消すように変化さ
せることによって、トランジスタ増幅器の温度補償が行
われる。今、第２図の回路の電源電圧をＶとしたとき、
バイアス１位ｒ０は次式によって示される。
ミッタ電圧Ｖ１ｍが温度特性を持つため、ベースバイア
ス電位Ｖ。を、電圧Ｖ□の変化を打ち消すように変化さ
せることによって、トランジスタ増幅器の温度補償が行
われる。今、第２図の回路の電源電圧をＶとしたとき、
バイアス１位ｒ０は次式によって示される。
ここでＥはダイオードＤにおける順方向電圧降下を示し
ている。（１）式において電圧Ｅは温度によって変化す
るので、バイアス電位Ｖ０も温度特性を持ち、次式の関
係が成立する。
ている。（１）式において電圧Ｅは温度によって変化す
るので、バイアス電位Ｖ０も温度特性を持ち、次式の関
係が成立する。
（２）式の関係から、バイアス電位Ｖ。の温度係数は、
抵抗Ｒ，、Ｒ，の値を適当に選ぶことによって自由に変
化させることができ、従ってトランジスタＴＲのペース
エミッタ電圧’１ｍの温度係数に合わせることができる
。
抵抗Ｒ，、Ｒ，の値を適当に選ぶことによって自由に変
化させることができ、従ってトランジスタＴＲのペース
エミッタ電圧’１ｍの温度係数に合わせることができる
。
しかしながら、このような温度補償回路によった場合、
電源から抵抗Ｒ１＊ ＲＲおよびダイオードＤを経て流
れる電流、すなわちバイアス電流を自由に選ぶことはで
きない。逆に温度補償回路のバイアス電流を先に決定す
ると、バイアス電位ｒ０の温度係数を自由に選ぶことは
できない。これは決定すべき条件がバイアス電位Ｖ０．
バイアス電位Ｖ。
電源から抵抗Ｒ１＊ ＲＲおよびダイオードＤを経て流
れる電流、すなわちバイアス電流を自由に選ぶことはで
きない。逆に温度補償回路のバイアス電流を先に決定す
ると、バイアス電位ｒ０の温度係数を自由に選ぶことは
できない。これは決定すべき条件がバイアス電位Ｖ０．
バイアス電位Ｖ。
の温度係数およびバイアス電流の３つであるのに対し、
変化し得る要素が抵抗Ｒ１およびＲ，の２つだけなので
、偶然の一致の場合を除いて、６つの条件のすべてを満
足させることができないからである。
変化し得る要素が抵抗Ｒ１およびＲ，の２つだけなので
、偶然の一致の場合を除いて、６つの条件のすべてを満
足させることができないからである。
（発明の目的）
本発明は、このような従来技術の問題点を解決しようと
するものであって、その目的は、２個の抵抗と最低１個
のダイオードとを直列に組み合わせてなる従来の温度補
償回路において、１個の抵抗の片側の端子と１個の抵抗
と最低１個のダイオードの直列回路の片側の端子とを接
続し、この接点に第６の抵抗を接続してこれに別の電源
から電流を流すことによって、温度補償回路において定
数を変化し得る要素を６つにして、温度補償を行うべき
回路のバイアス電位とその温度特性およびバイアス電流
をそれぞれ独立に選定することができる回路形式を提供
することにある。
するものであって、その目的は、２個の抵抗と最低１個
のダイオードとを直列に組み合わせてなる従来の温度補
償回路において、１個の抵抗の片側の端子と１個の抵抗
と最低１個のダイオードの直列回路の片側の端子とを接
続し、この接点に第６の抵抗を接続してこれに別の電源
から電流を流すことによって、温度補償回路において定
数を変化し得る要素を６つにして、温度補償を行うべき
回路のバイアス電位とその温度特性およびバイアス電流
をそれぞれ独立に選定することができる回路形式を提供
することにある。
（発明の実施例）
第３図（−および第３図（６）は、それぞれ本発明の温
度補償回路の一実施例の構成を示している。第３図（α
）は、抵抗Ｒ１□、ダイオードＤ１および抵抗ＲＩｌｌ
を順次直列に接続してその両端にそれぞれ電源電圧’１
ｔ ’ｌを印加した回路において、抵抗Ｒ８□とダイ
オードＤ、の接続点χｍに抵抗Ｒ饋の一端を接続し他端
に電源電圧Ｖ、を印加したものであって、接続点石の電
位Ｖ０をトランジスタ増幅器の、温度補償されたペース
バイアス電圧として用いるものである。第３図（α）の
回路において、ｘ１点の電位Ｖ０は次式によって示され
る。
度補償回路の一実施例の構成を示している。第３図（α
）は、抵抗Ｒ１□、ダイオードＤ１および抵抗ＲＩｌｌ
を順次直列に接続してその両端にそれぞれ電源電圧’１
ｔ ’ｌを印加した回路において、抵抗Ｒ８□とダイ
オードＤ、の接続点χｍに抵抗Ｒ饋の一端を接続し他端
に電源電圧Ｖ、を印加したものであって、接続点石の電
位Ｖ０をトランジスタ増幅器の、温度補償されたペース
バイアス電圧として用いるものである。第３図（α）の
回路において、ｘ１点の電位Ｖ０は次式によって示され
る。
（３）
ここでＥｌはダイオードＤ１の＋１方向電圧降下であ多
温度によって変化するので、電位Ｖ０も温度特性微分す
ることによって次のように求められる。
温度によって変化するので、電位Ｖ０も温度特性微分す
ることによって次のように求められる。
降下Ｅ、の温度特性を示し、（４）式から電位Ｖ０の温
度係数は、抵抗ＲＩＩ ＋ Ｒ，、ｌ Ｒ１８およびダ
イオードＤ、のによって、変化し得ることがわかる。ダ
イオードの個数と種類を選ぶことによって変化させるこ
とができる。なお第６図（α）においてダイオードＤ、
と抵抗ＲＩｇ の位置を入れかえても、（３）式および
（４）式の関係がそのまま成立することは明らかである
。
度係数は、抵抗ＲＩＩ ＋ Ｒ，、ｌ Ｒ１８およびダ
イオードＤ、のによって、変化し得ることがわかる。ダ
イオードの個数と種類を選ぶことによって変化させるこ
とができる。なお第６図（α）においてダイオードＤ、
と抵抗ＲＩｇ の位置を入れかえても、（３）式および
（４）式の関係がそのまま成立することは明らかである
。
また第５図（ｔＬ）の回路におけるバイアス電流は、キ
ルヒホッフの法則よシ、２８点に流れこむ電流か、流れ
出る電、流の総和で表わされる。’ｒ＋Ｉｔ＋Ｉｍ＞０
の時は１ｍかＪ、 ＋１． がバイアス電流となり、１
１は次式で表わされる。
ルヒホッフの法則よシ、２８点に流れこむ電流か、流れ
出る電、流の総和で表わされる。’ｒ＋Ｉｔ＋Ｉｍ＞０
の時は１ｍかＪ、 ＋１． がバイアス電流となり、１
１は次式で表わされる。
従って第６図（α）の温度補償回路によれは、バイアス
電位は（３）式の関係から定まり、バイアス電位の温度
係数は（４）式の関係から定まシ、またバイアス電流は
（５）式から定められる。そしてこの３つの条件式にお
いて、バイアス電位Ｖ０．バイアス電位られれば、電源
電圧’１ ＋Ｖｔ ＊ ｒａ とダイオードの順して
、５つの変数Ｒ□＋ Ｒｌｍ ＋ Ｒ１１は５連５元１
次方程式の解として求められる。
電位は（３）式の関係から定まり、バイアス電位の温度
係数は（４）式の関係から定まシ、またバイアス電流は
（５）式から定められる。そしてこの３つの条件式にお
いて、バイアス電位Ｖ０．バイアス電位られれば、電源
電圧’１ ＋Ｖｔ ＊ ｒａ とダイオードの順して
、５つの変数Ｒ□＋ Ｒｌｍ ＋ Ｒ１１は５連５元１
次方程式の解として求められる。
第５図（６）は、抵抗Ｒ□、ダイオードＤ、および抵抗
Ｒ４を順次直列に接続してその両端にそれぞれ電源電圧
Ｖ、、Ｖ、を印加した回路において、ダイオードＤ、と
抵抗Ｒ１８の接続点Ｘ、に抵抗Ｒ４の一端を接続し他端
に電源電圧Ｖ、を印加したものであって、接続点χ、の
電位Ｖ。をトランジスタ増幅器の、温度補償されたベー
スバイアス電圧として用いるものである。第５図（ｂ）
の回路においてＸ２点の電位Ｖ０は次式によって示され
る。
Ｒ４を順次直列に接続してその両端にそれぞれ電源電圧
Ｖ、、Ｖ、を印加した回路において、ダイオードＤ、と
抵抗Ｒ１８の接続点Ｘ、に抵抗Ｒ４の一端を接続し他端
に電源電圧Ｖ、を印加したものであって、接続点χ、の
電位Ｖ。をトランジスタ増幅器の、温度補償されたベー
スバイアス電圧として用いるものである。第５図（ｂ）
の回路においてＸ２点の電位Ｖ０は次式によって示され
る。
（６）
ここでＥｌはダイオードＤ８の順方向電圧降下であよう
に表わされる。
に表わされる。
（６）式から電位Ｖ０の温度係数は、抵抗Ｒ１ｆ、Ｒ１
！、ＲＩ。
！、ＲＩ。
およびダイオードＤ１のｊ社方向電圧降下Ｅ１を変化さ
せることによって、変化させ得ることが明らかである。
せることによって、変化させ得ることが明らかである。
なお第６図（６）の場合も、抵抗Ｒ１１とダイオードＤ
、の位置を入れかえても、（５）式および（６）式の関
係は変らない。また第６図ωの回路におけるバイアス電
流も、キルヒホッフの法則によ’ｔ、ｒ。
、の位置を入れかえても、（５）式および（６）式の関
係は変らない。また第６図ωの回路におけるバイアス電
流も、キルヒホッフの法則によ’ｔ、ｒ。
点に流れ込む電流か、流れ出す電流の総和で表わされる
。Ｉ、、Ｉ、、Ｉ、＞０の時は、Ｉ、＋Ｉ、かＩｓがバ
イアス電流になシ、Ｉ、は次式で表わされる。
。Ｉ、、Ｉ、、Ｉ、＞０の時は、Ｉ、＋Ｉ、かＩｓがバ
イアス電流になシ、Ｉ、は次式で表わされる。
従って第６図（６）の回路においても、バイアス電位Ｖ
０．バイアス電位Ｖ０の温度特性およびバイアス電流が
与えられることによって、ダイオードの順あれば、３つ
の変数Ｒ１１＋ Ｒ１１＊ ＲｌＢが３連３元１次方程
式の解として求められる。
０．バイアス電位Ｖ０の温度特性およびバイアス電流が
与えられることによって、ダイオードの順あれば、３つ
の変数Ｒ１１＋ Ｒ１１＊ ＲｌＢが３連３元１次方程
式の解として求められる。
第４図は本発明の温度補償回路の一応用例を示である。
第４図の回路は第５図（ｂ）の回路において、抵抗Ｒ１
１とダイオードＤ、の位置を入れかえ、電源電圧Ｖ１と
Ｖ、を等しくして両電源端子を接続したものに、ダイオ
ードＤ２ ＋ Ｄ３ ＋ Ｄ４ を直列に接続して電
源電圧Ｖ、を印加するようにしたものであシ、従つて、
接続点Ｘ、におけるバイアス電位’Ｏｒバイアえられた
とき、第５図（ｂ）の揚台と同様にして抵抗Ｒ□ｐ Ｒ
Ｉｆｆ ＋ Ｒ１３の値を定めることができる。
１とダイオードＤ、の位置を入れかえ、電源電圧Ｖ１と
Ｖ、を等しくして両電源端子を接続したものに、ダイオ
ードＤ２ ＋ Ｄ３ ＋ Ｄ４ を直列に接続して電
源電圧Ｖ、を印加するようにしたものであシ、従つて、
接続点Ｘ、におけるバイアス電位’Ｏｒバイアえられた
とき、第５図（ｂ）の揚台と同様にして抵抗Ｒ□ｐ Ｒ
Ｉｆｆ ＋ Ｒ１３の値を定めることができる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明の温度補償回路によれば、温
度補償すべき回路に与えるバイアス電位の温度特性およ
びバイアス電流を独立に与えて温度補償回路を決定する
ことができるので、甚だ効果的である。
度補償すべき回路に与えるバイアス電位の温度特性およ
びバイアス電流を独立に与えて温度補償回路を決定する
ことができるので、甚だ効果的である。
第１図（α）および第１図（６）はそれぞれ譚従来の温
度補償回路の構成を示す回路図、第２図は従来の温度補
償回路の使用例を示す説明図、第３図（ａ）および第３
図（６）はそれぞれ本発明の温度補償回路の一実施例の
構成を示す回路図、第４図は本発明の温度補償回路の一
応用例を示す回路図である。 Ｄｔ ＤＩ ＋ Ｄ２ｔ ＤＢ ＋ Ｚ’４・・・ダイ
オード、ＴＲ・・・トランジスタ、’？１ ＋ Ｒ＊
ｒ ｌ ｖ Ｒ１１ｖ Ｒ１１ｔ Ｒ１１・・・抵抗、
ＣＩ・−・コンデンサ。
度補償回路の構成を示す回路図、第２図は従来の温度補
償回路の使用例を示す説明図、第３図（ａ）および第３
図（６）はそれぞれ本発明の温度補償回路の一実施例の
構成を示す回路図、第４図は本発明の温度補償回路の一
応用例を示す回路図である。 Ｄｔ ＤＩ ＋ Ｄ２ｔ ＤＢ ＋ Ｚ’４・・・ダイ
オード、ＴＲ・・・トランジスタ、’？１ ＋ Ｒ＊
ｒ ｌ ｖ Ｒ１１ｖ Ｒ１１ｔ Ｒ１１・・・抵抗、
ＣＩ・−・コンデンサ。
Claims (1)
- 第１の抵抗と、第２の抵抗およびダイオードを任意の順
序に接続した回路とを任意の順序に直列に接続してなる
６個の素子からなる直列回路の両端に前記ダイオードに
順方向電流が流れるようにそれぞれ第１および第２の電
圧を印加して該６個の素子のうちの中央の素子の高電位
側またＬ低電位側の接続点から温度補償用の電圧を得る
温度補償回路において、前記接続点に第３の抵抗を接続
するとともに該第６の抵抗の地声に第３の電、源を接続
し、前記第１．第２および第６の抵抗の値および前記ダ
イオードの順方向降下電圧の温度特性と直列個数を選択
することによって前記接続点の電位および該接続点電位
の温度特性ならびに該接続点に流れる電流をそれぞれ独
立に設定し得るようにしたことを特徴とする温度補償回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053311A JPS58171106A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053311A JPS58171106A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 温度補償回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171106A true JPS58171106A (ja) | 1983-10-07 |
Family
ID=12939168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053311A Pending JPS58171106A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171106A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622706A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Toshiba Corp | 並列帰環形増幅回路 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053311A patent/JPS58171106A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622706A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Toshiba Corp | 並列帰環形増幅回路 |
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