JPS5817256B2 - 金の無電解析出用安定化水性酸性金浴 - Google Patents
金の無電解析出用安定化水性酸性金浴Info
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- JPS5817256B2 JPS5817256B2 JP56120796A JP12079681A JPS5817256B2 JP S5817256 B2 JPS5817256 B2 JP S5817256B2 JP 56120796 A JP56120796 A JP 56120796A JP 12079681 A JP12079681 A JP 12079681A JP S5817256 B2 JPS5817256 B2 JP S5817256B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金及び金より卑なる金属上並びにこれら金属の
合金上に金を無電解析出させるためのジシアノ金(1)
−錯体、錯形成剤、還元剤及び常用の添加剤を含有する
安定化水性酸性金浴に関する。
合金上に金を無電解析出させるためのジシアノ金(1)
−錯体、錯形成剤、還元剤及び常用の添加剤を含有する
安定化水性酸性金浴に関する。
金の無電解析出用金浴はすでに公知である。
これは特にジシアノ金1)酸アルカリ、錯形成剤、還元
剤並びに析出速度の調節並びに接着性の改良のための添
加物を含有するアルカリ性又は酸性金浴に関する(米国
特許第4091128号、同第3300328号、同第
4154877号、同第3032436号明細書、西ド
イツ国特許公開第2052787号公報、同第2518
559号公報)。
剤並びに析出速度の調節並びに接着性の改良のための添
加物を含有するアルカリ性又は酸性金浴に関する(米国
特許第4091128号、同第3300328号、同第
4154877号、同第3032436号明細書、西ド
イツ国特許公開第2052787号公報、同第2518
559号公報)。
すべてのこれらの浴は一般に不十分な安定性を有し、金
属性金の析出下に分解する。
属性金の析出下に分解する。
これらの浴は更に、pH値が3より小さい場合、ジシア
ノ金(1)酸−錯体が分解し難溶性シアン化金(1)及
び青酸が生じる。
ノ金(1)酸−錯体が分解し難溶性シアン化金(1)及
び青酸が生じる。
更に、これらの金浴は金より卑なる金属の金メッキにと
ってのみ好適である。
ってのみ好適である。
それに対して全土への金の最適な無電解析出はこの浴を
用いては不可能である。
用いては不可能である。
本発明は金及び金より卑なる金属並びにその合全土に金
を無電解析出させることを可能とする安定化水性酸性全
桁をつくり出すことである。
を無電解析出させることを可能とする安定化水性酸性全
桁をつくり出すことである。
この課題は前記種類の全桁により解決し、これは還元剤
としてヒドロキシルアミンの塩又はヒドロキシルアミン
誘導体の塩及び安定化剤として弗化物又は弗化水素を含
有することを特徴とする特別な実施形式としては、ジシ
アノ金(1)−錯体としてジシアノ金■)酸アルカリ又
はジシアノ金1)酸アンモニウムを含有すること、更に
還元剤として一般式 〔式中、R1及びR2は同−又は異なっており、それぞ
れ水素又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表わし、X
は無機酸、有利に塩酸又は硫酸の残基を表わす〕のヒド
ロキシルアミンの塩又はヒドロキシルアミン誘導体の塩
を含有すること、付加的にアルカリ金属塩化物及び/又
はアルカリ金属臭化物並びに場合により不飽和カルボン
酸を含有すること、及び3より小さいpH−値、有利に
0.5〜2.8であることである。
としてヒドロキシルアミンの塩又はヒドロキシルアミン
誘導体の塩及び安定化剤として弗化物又は弗化水素を含
有することを特徴とする特別な実施形式としては、ジシ
アノ金(1)−錯体としてジシアノ金■)酸アルカリ又
はジシアノ金1)酸アンモニウムを含有すること、更に
還元剤として一般式 〔式中、R1及びR2は同−又は異なっており、それぞ
れ水素又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表わし、X
は無機酸、有利に塩酸又は硫酸の残基を表わす〕のヒド
ロキシルアミンの塩又はヒドロキシルアミン誘導体の塩
を含有すること、付加的にアルカリ金属塩化物及び/又
はアルカリ金属臭化物並びに場合により不飽和カルボン
酸を含有すること、及び3より小さいpH−値、有利に
0.5〜2.8であることである。
本発明による浴の特に有利な点は安定な浴から全表面上
に無電解で金が析出することである。
に無電解で金が析出することである。
こうして、すでに存在する薄すぎる金層を本発明による
浴を用いて任意に強化することができる。
浴を用いて任意に強化することができる。
更にこの浴は半導体産業において常用である合金、例え
ば鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケルーコバルト合金の金
メッキも可能とする。
ば鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケルーコバルト合金の金
メッキも可能とする。
更に本発明による浴は金より卑なる金属、例えば銅及び
ニッケルのような金属上に金がセメンチージョンするの
を回避する;すなわちpH3より低い値で、更に浴の沸
点でジシアノ金(I)−錯体の安定化により回避すると
いう利点を有する。
ニッケルのような金属上に金がセメンチージョンするの
を回避する;すなわちpH3より低い値で、更に浴の沸
点でジシアノ金(I)−錯体の安定化により回避すると
いう利点を有する。
ジシアノ金(1)−錯体としてすべてのジシアノ金(I
)酸アルカリ、例えばナトリウム錯塩及びカリウム錯塩
及びジシアノ靭I)酸アンモニウムが好適である。
)酸アルカリ、例えばナトリウム錯塩及びカリウム錯塩
及びジシアノ靭I)酸アンモニウムが好適である。
濃度は有利に金0.05g/V〜30j;I/lであっ
てよい。
てよい。
還元剤としては一般式
〔式中、R1及びR2は同−又は異なっていてよく、そ
れぞれ水素又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表わし
、Xは無機酸、有利に塩酸又は硫酸の残基を表わす〕の
ヒドロキシルアミンの塩又はヒドロキシルアミン誘導体
の塩を使用し、この際アルキル基としては例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基及びn−ペン
チル基をあげることができる。
れぞれ水素又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表わし
、Xは無機酸、有利に塩酸又は硫酸の残基を表わす〕の
ヒドロキシルアミンの塩又はヒドロキシルアミン誘導体
の塩を使用し、この際アルキル基としては例えばメチル
基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基及びn−ペン
チル基をあげることができる。
この塩の安定性は本発明による浴の酸性媒体中で非常に
犬であり、アンモニア及び亜酸化窒素への分解はほとん
ど起らない。
犬であり、アンモニア及び亜酸化窒素への分解はほとん
ど起らない。
安定化剤として、本発明による浴は弗化物又は弗化水素
、有利にアルカリ金属弗化物又は弗化水素アルカリ、例
えはにれらの化合物のナトリウム塩又はカリウム塩を含
有する。
、有利にアルカリ金属弗化物又は弗化水素アルカリ、例
えはにれらの化合物のナトリウム塩又はカリウム塩を含
有する。
析出速度を上昇させるためにアルカリ金属塩化物及び/
又は臭化物、例えば塩化ナトリウム、塩化カリウム又は
臭化ナトリウム、並びに場合により不飽和カルボン酸を
浴に添加することが有利であることが判明した。
又は臭化物、例えば塩化ナトリウム、塩化カリウム又は
臭化ナトリウム、並びに場合により不飽和カルボン酸を
浴に添加することが有利であることが判明した。
この種の好適なカルボン酸は例えばプロピオン酸、アリ
ール酸及びクロトン酸である。
ール酸及びクロトン酸である。
更に、ポリヒドロキシカルボン酸、ジカルボン酸及び他
の錯化剤、例えばコハク酸、クエン酸、ニトリロトリ酢
酸又はエチレンジアミン四酢酸を添加することもできる
、というのはこれらは金属析出の増進に作用する。
の錯化剤、例えばコハク酸、クエン酸、ニトリロトリ酢
酸又はエチレンジアミン四酢酸を添加することもできる
、というのはこれらは金属析出の増進に作用する。
3より小さいpH値、有利に0.5〜2.8の調節のた
めには希硫酸を使用し、これを浴に必要な量だけ添加す
る。
めには希硫酸を使用し、これを浴に必要な量だけ添加す
る。
本発明による浴はより高いpH値でも安定であり、有利
な作用を示すということは自明である。
な作用を示すということは自明である。
本発明による浴の基礎組成は次のようである:金(金属
として) 0.05〜30g/l還元剤
0.5〜25E171弗化物
1.0〜30g/l添加物 1.0
〜150 g/l金の弗化物に対する比を1:1より犬
であるように選択することは特に有利である。
として) 0.05〜30g/l還元剤
0.5〜25E171弗化物
1.0〜30g/l添加物 1.0
〜150 g/l金の弗化物に対する比を1:1より犬
であるように選択することは特に有利である。
浴の作業温度を室温〜沸騰点、有利に60〜85°Cで
選択することができる。
選択することができる。
本発明による浴の使用は自体公知法で行なわれるが、こ
こで有利に基材に相応して予処理した部材を浴溶液中に
浸漬するのがよい。
こで有利に基材に相応して予処理した部材を浴溶液中に
浸漬するのがよい。
均質で平滑な表面を得るためには浴溶液を攪拌するか、
又は製品を揺動するのが有利である。
又は製品を揺動するのが有利である。
本発明による浴は特に金属表面、例えば金、及び金より
卑なる金属、例えば銅、含銀自然金又はニッケル及びこ
れらの金属の合金の金メッキのために使用することがで
きる。
卑なる金属、例えば銅、含銀自然金又はニッケル及びこ
れらの金属の合金の金メッキのために使用することがで
きる。
相応した予処理後、非金属性材料、例えばプラスチック
、ガラス又はセラミックからのものを金メッキすること
もできるO 本発明による浴は3.0μm/hまでの均一な析出速度
で作動するという特別な技術上の利点を有する。
、ガラス又はセラミックからのものを金メッキすること
もできるO 本発明による浴は3.0μm/hまでの均一な析出速度
で作動するという特別な技術上の利点を有する。
更に数ケ月の放置時間後も析出速度が一定に保持される
ことも本発明による浴の利点である。
ことも本発明による浴の利点である。
本発明による浴は任意の厚さの箔を製造することを可能
とする。
とする。
析出物の多孔性は0.2μmの層厚からもはや基材が1
:1希硝酸で腐蝕されない程小さい。
:1希硝酸で腐蝕されない程小さい。
次に記載した浴組成から記載した作業条件下に非常に均
一で、良好な接着性及び延展性の被膜が析出する。
一で、良好な接着性及び延展性の被膜が析出する。
例1
ジシアノ金(1)酸カリウム 0.02モル/lク
エン酸 0.10モル/lカリウム
ヒドロゲンジフルオリド0.12モル/l塩化カリウム
2.00モル/l塩酸ヒドロキシル
アミン 0.06モル11pH値 2.8 温度 70°C 析出速度:0,8μm / h 例2 ジシアノ金(1)酸アンモニウム0.015モル/lコ
ハク酸 0.250モル/l弗化カリ
ウム 0.120モル/lアクリル酸
0.125モル/lエチレンジニトリロテ
トラ 酢酸のニナトリウム塩 0.010モル/l塩化ア
ンモニウム 1.200モル/l硫酸ヒドロキ
シルアミン 0.025モル/1pH値:2.3 温度:85°C 析出速度:1.2μm / h 例3 ジシアノ金(1)酸カリウム 0.03モル/lク
エン酸 0.23モル/l弗化力1
fウム 0.15モル/l塩化カリウム
1.50モル/l塩酸ジメチルヒドロ
キシルアミン 0.05モル/lpH値:2.8 温度:85°C 析出速度:0.5μm / h
エン酸 0.10モル/lカリウム
ヒドロゲンジフルオリド0.12モル/l塩化カリウム
2.00モル/l塩酸ヒドロキシル
アミン 0.06モル11pH値 2.8 温度 70°C 析出速度:0,8μm / h 例2 ジシアノ金(1)酸アンモニウム0.015モル/lコ
ハク酸 0.250モル/l弗化カリ
ウム 0.120モル/lアクリル酸
0.125モル/lエチレンジニトリロテ
トラ 酢酸のニナトリウム塩 0.010モル/l塩化ア
ンモニウム 1.200モル/l硫酸ヒドロキ
シルアミン 0.025モル/1pH値:2.3 温度:85°C 析出速度:1.2μm / h 例3 ジシアノ金(1)酸カリウム 0.03モル/lク
エン酸 0.23モル/l弗化力1
fウム 0.15モル/l塩化カリウム
1.50モル/l塩酸ジメチルヒドロ
キシルアミン 0.05モル/lpH値:2.8 温度:85°C 析出速度:0.5μm / h
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金及び金より卑なる金属上並びにこれら金属の合金
上に金を無電解析出させるためのジシアノ金(1)−錯
体、錯形成剤、還元剤及び常用の添加剤を含有する安定
化水性酸性金浴において、還元剤としてヒドロキシルア
ミンの塩又はヒドロキシルアミン誘導体の塩及び安定化
剤として弗化水素を含有することを特徴とする金の無電
解析出用安定化水性酸性金浴。 2 ジシアノ金(1)−錯体としてジシアノ金1)酸ア
ルカリ又はジシアノ金(1)酸アンモニウムを含有する
特許請求の範囲第1項記載の金浴。 3 還元剤として、一般式 〔式中、R1及びR2は同−又は異なっていてよく、そ
れぞれ水素又は炭素原子数1〜5のアルキル基及びXは
無機酸、有利に塩酸又は硫酸の残基を表わす〕のヒドロ
キシルアミンの塩又はヒドロキシルアミン誘導体の塩を
含有する特許請求の範囲第1項記載の金浴0 4 安定化剤としてアルカリ金属弗化物又は弗化水素ア
ルカリを含有する特許請求の範囲第1項記載の金浴。 5 付加的にアルカリ金属塩化物及び/又は臭化物並び
に塙合により不飽和カルボン酸を含有する特許請求の範
囲第1項記載の金浴0 63より小さいpH値、有利に0.5〜2.8である特
許請求の範囲第1項記載の金浴。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803029785 DE3029785A1 (de) | 1980-08-04 | 1980-08-04 | Saures goldbad zur stromlosen abscheidung von gold |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5754264A JPS5754264A (ja) | 1982-03-31 |
| JPS5817256B2 true JPS5817256B2 (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=6109021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56120796A Expired JPS5817256B2 (ja) | 1980-08-04 | 1981-08-03 | 金の無電解析出用安定化水性酸性金浴 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4352690A (ja) |
| JP (1) | JPS5817256B2 (ja) |
| DE (1) | DE3029785A1 (ja) |
| ES (1) | ES504026A0 (ja) |
| FR (1) | FR2487858B1 (ja) |
| GB (1) | GB2081309B (ja) |
| IE (1) | IE51459B1 (ja) |
| IT (1) | IT1137297B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3237394A1 (de) * | 1982-10-08 | 1984-04-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Chemisches vergoldungsbad |
| US4474838A (en) * | 1982-12-01 | 1984-10-02 | Omi International Corporation | Electroless direct deposition of gold on metallized ceramics |
| US5178918A (en) * | 1986-07-14 | 1993-01-12 | Robert Duva | Electroless plating process |
| DE3640028C1 (de) * | 1986-11-24 | 1987-10-01 | Heraeus Gmbh W C | Saures Bad fuer das stromlose Abscheiden von Goldschichten |
| US4832743A (en) * | 1986-12-19 | 1989-05-23 | Lamerie, N.V. | Gold plating solutions, creams and baths |
| JP2866676B2 (ja) * | 1989-09-18 | 1999-03-08 | 株式会社日立製作所 | 無電解金めっき液及びそれを用いた金めっき方法 |
| JPH0596423A (ja) * | 1991-06-17 | 1993-04-20 | Fanuc Ltd | 放電加工方法と放電加工装置 |
| US6383269B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-05-07 | Shipley Company, L.L.C. | Electroless gold plating solution and process |
| SG94721A1 (en) * | 1999-12-01 | 2003-03-18 | Gul Technologies Singapore Ltd | Electroless gold plated electronic components and method of producing the same |
| EP1308541A1 (en) * | 2001-10-04 | 2003-05-07 | Shipley Company LLC | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
| JP5116956B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2013-01-09 | 関東化学株式会社 | 無電解硬質金めっき液 |
| KR101444687B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2014-09-26 | (주)엠케이켐앤텍 | 무전해 금도금액 |
| JP6521553B1 (ja) * | 2018-12-26 | 2019-05-29 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 置換金めっき液および置換金めっき方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US3300328A (en) * | 1963-11-12 | 1967-01-24 | Clevite Corp | Electroless plating of gold |
| SE361056B (ja) * | 1969-10-30 | 1973-10-15 | Western Electric Co | |
| US3917885A (en) * | 1974-04-26 | 1975-11-04 | Engelhard Min & Chem | Electroless gold plating process |
| US4091128A (en) * | 1976-10-08 | 1978-05-23 | Ppg Industries, Inc. | Electroless gold plating bath |
| US4122215A (en) * | 1976-12-27 | 1978-10-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electroless deposition of nickel on a masked aluminum surface |
| FR2441666A1 (fr) * | 1978-11-16 | 1980-06-13 | Prost Tournier Patrick | Procede de depot chimique d'or par reduction autocatalytique |
-
1980
- 1980-08-04 DE DE19803029785 patent/DE3029785A1/de active Granted
-
1981
- 1981-07-16 ES ES504026A patent/ES504026A0/es active Granted
- 1981-07-17 IT IT22983/81A patent/IT1137297B/it active
- 1981-07-17 US US06/284,450 patent/US4352690A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-07-27 GB GB8123068A patent/GB2081309B/en not_active Expired
- 1981-07-30 FR FR8114838A patent/FR2487858B1/fr not_active Expired
- 1981-07-31 IE IE1748/81A patent/IE51459B1/en not_active IP Right Cessation
- 1981-08-03 JP JP56120796A patent/JPS5817256B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4352690A (en) | 1982-10-05 |
| FR2487858A1 (fr) | 1982-02-05 |
| FR2487858B1 (fr) | 1985-06-28 |
| ES8205875A1 (es) | 1982-08-16 |
| IE811748L (en) | 1982-02-04 |
| GB2081309B (en) | 1983-10-26 |
| IT1137297B (it) | 1986-09-03 |
| IT8122983A0 (it) | 1981-07-17 |
| DE3029785A1 (de) | 1982-03-25 |
| IE51459B1 (en) | 1986-12-24 |
| ES504026A0 (es) | 1982-08-16 |
| GB2081309A (en) | 1982-02-17 |
| DE3029785C2 (ja) | 1988-07-14 |
| JPS5754264A (ja) | 1982-03-31 |
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