JPS58173835A

JPS58173835A - レジストパタ−ンの欠陥修正方法

Info

Publication number: JPS58173835A
Application number: JP57056975A
Authority: JP
Inventors: Kozo Hosogai; 細貝　耕三
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1982-04-06
Filing date: 1982-04-06
Publication date: 1983-10-12
Also published as: US4623607A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は、主としてｒｃ、ＬＳＩなどの半導体デバイ
ス顎造工程に使用されているフォトエツチング方法にか
かり、特に現像されたレジストパターンの欠陥修正方法
（以下単に「パターン修正方法」という）に関する。

従来、半導体等の製造工程で行われるフォトエツチング
工程は、一般に第１図（Ａ）乃至（Ｇ）に示す如くであ
る。フォトエツチングの対象となる基板１０は、ベース
１１とパターン形成が行われるフィルム１２とから成っ
ており（同図（Ａ）参照）、まずポジ形の７オトレジス
ト（以下単に「レジスト」という）１３との密着性向上
ないしは吸着物除去のため熱処理が施される。次に同図
（Ｂ）の如くレジスト１３が塗布され、更にこのレジス
ト１３内に残存する溶剤除去のためブレベークが施され
る。

次に同図（Ｃ）に示すように適宜のマスク１４を介して
露光が行われる。なお、レジスト１３がネガ形の場合に
は、マスク１４Ｎを使用する（同図（［））参照）。こ
の露光の後、適宜の溶剤によつて現像が行われ、マスク
１４（又はマスク１４Ｎ）のパターンにレジスト１３が
形成される（同図（Ｅ）参照）。この後レジスト１３と
フィルム１２との密着性を向上させるため、ポストベー
クが行われ、更にエツチングが行われて同図（Ｆ−）の
状態となる。ここで残ったレジスト１３を除ムすると、
同図（Ｇ）の状態となり、マスク１４のパターンにフィ
ルム１２が成形されることとなる。

しかしながら、第１図（Ｅ）に示すレジストパターンに
、第２図（Ａ）のような欠陥Ｄｌ乃至Ｄ５が存在すると
、フィルム１２のパターンにし第２図（Ｂ＞に示すよう
な欠陥Ｅｌ乃至Ｅ５が現われることとなる。特に、サー
マルヘッドを具えた複写機等に使用される大面積のイメ
ージセン晋すに用いる基板においては、全体が１単位の
機能素子として働くデバイスとしての特徴からしてかか
る欠陥Ｅｌ乃至Ｅ５の存在は許□容しがたいものである
。

他方、デバイスの面積が大きくなればかかる欠陥Ｅｌ乃
至Ｅ５がいずれかに現われることとなり、歩留りを向上
させるためには何らかのレジストパターンの修正手段が
必要となる。

このような修正手段としては、レジストパターンの形成
工程を２度行う方法、あるいはポジ形レジストとネガ形
レジストを２層とする方法等が提案されているが、欠陥
Ｄｌ乃至Ｄ５の種類、存在間に何ら配慮することなく行
うため、満足するレジストパターンの修正を行うことが
できない。

この発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、レジ
ストパターンの修正工程における新たな欠陥の発生を防
止して良好なるエツチングパターンを得ることができ、
デバイスの歩留り向上を図ることができるパターン修正
方法を提供することをぞの目的とする。

すなわちこの発明は、レジストパターンに生ずる欠陥の
状態に着目し、一定のものについてはレシス１〜の滴下
・塗布を行うとともに、レジストパターンとして不要な
るレジストに対して選択的に露光を行ってレジストパタ
ーンを修正することによってエツチングパターンの精度
の向上等を図ることができるようにしたものである。

以下この発明にかかるパターン修正り法を添付図面に示
す実施例に従って詳細に説明する。

第３図はこの発明に使用するレジスト１３を欠陥部分に
選択的に塗布するレジスト塗布装置２０の一構成例を示
したものである。この図において、レジスト塗布装置２
０は、基台２１上に図の矢印ＦＸ、ＦＹの方向に移動可
能なステージ２２を具えており、ハンドル２３Ｘ、２３
Ｙの操作によって基台２１上を移動するようになってい
る。この移動の程度は、マイクロメータ２４Ｘ、２４Ｙ
によって各々測定され、適宜の表示装置２５に移動距離
が表示されるようになっている。

更に、前記ステージ２２上の略中央を視野とする顕微＠
４０が設けられており、その肉眼Ｍ　Ｅに接する接眼レ
ンズには十字状のスケール４１が設けられている。また
、ステージ２２の略中央上部には、レジスト１３の滴下
装置３０が設けられており、この滴下装置３０から滴下
するレジスト１３の滴下点が前記スケール４１のクロス
点に対応するように配置されている。

前記滴下装置３０は、図示しないノズル、ダイヤフラム
、圧電素子を有しており、パルス電圧印加による圧電素
子の振動を利用してレジスト１３を一定の鯖の粒子状態
として吐出する機能を有している。なお、この粒子状の
レジスト１３が基板１０上に滴下された場合の拡がり径
は、レジスト１３の粘度によって調整することができ、
最低５０μｍφの塗布が可能である。

次に、前記レジスト塗布装置２０によってレジスト１３
が選択的に塗布された部分を選択的に露光する露光手段
について説明する。第４図はかかる選択露光を行う修正
用マスク手段の一例を示すしのて゛、一定の領域のみ光
を通過させるマスク（以下「ポジ形マスク」という）５
０と、一定の領域のみ光を遮断するマスク（以下「ネガ
形マスク」という）６０とによって構成されている。ま
ヂ、ポジ形マスク５０は、略り字形の片から成る固定板
５１と、ハンドル５４Ｘの操作によって図の矢印ＧＸｈ
向に移動可能な移動板５２と、ハンドル５４Ｙの操作に
よって図の矢印ＧＹｈ向に移動可能な移動板５３とから
成っている。これら移動板５２．５３の一辺と、固定板
５１の凹部辺とによって開口部ＯＰが形成され、この開
口部ＯＰの大きさは、移動板５２．５３を移動させるこ
とによって適宜調整できるようになっている。

次に、ネガ形マスク６０は、露光に使用する光に対して
透明な部材で形成され、その略中央部分には適宜の大き
さの不透明なしゃ先部６１が形成されている。

次にこの発明にかかるパターン修正方法を第２図（Ａ）
に示した欠陥Ｄｌ乃至Ｄ５の修正を例として説明する。

なお、第６図に概略の修正手順をフローチャートとして
示す。この図のうら領１４１は、従来の７オートエツチ
ングエ程であり、領域■はこの発明にかかる修正工程で
ある。

まず、第２図（Ａ）の欠陥Ｄｌ乃至Ｄ５を再度平面的に
示すと、第５図（Ａ＞の如くである。この第５図（Ａ＞
の状態は、第１図（Ｅ）に対応するもので、すでにレジ
スト１３の塗布、プレベ−り、露光、現像の工程は終了
している（第６図参照）。

ここで基板１０は、図示しない欠陥検査装置にかけられ
、欠陥Ｄｌ乃至Ｄ５の有無、その位置がデータとして得
られる。このデータは例えばマスク合せに使用する基板
１０の合せマークＴＭ（第３図参照）を原点とする座標
（χ、ｙ）で現わされている。従って、前記レジスト塗
布装置のレジスト滴下装置３０の滴下点の座標（Ｘ、Ｙ
）の縮尺を前記（χ、ｙ）に対応せしめ、また座標（Ｘ
。

Ｙ）の原点を前記合せマークＴＭとし、且つ基板１０を
欠陥検査装置にかけた状態と同様の方向性をもってステ
ージ２２上に配置し平行度調整をすれば、レジスト１３
の修正塗布作業を容易に行うことがてきる。

このデータに基づいて基板１０は、レジスト１３の修正
塗布が行われることとなる。この修正後の状態を第５図
（Ｂ）に示す。図示の如く、欠陥Ｄｌ乃至Ｄ５のうち、
欠陥Ｄ１及びＤ３．（以下「ネガ形の欠陥」と総称する
）についてのみ選択的にレジスト１３を滴下づる。この
修正が行われた基板１０は、従来と同様にプレベークが
施される。

このプレベークの後、基板１０は、第４図に示した修正
用マスク手段によって選択的に露光が行われる。ポジ形
マスク５０及びネガ形マスク６０のうちいずれを使用す
るかは、欠陥の種類によって異なる。まず、欠陥Ｄ５あ
るいは欠陥Ｄ３の修正部８３（第５図（Ｂ）参照）につ
いては、第５図（Ｃ）に示すように、まずポジ形マスク
５０によって修正部Ｓ３を含む領域を選択し、更に、ネ
ガ形マスク６０によって本来の正しいレジストパターン
をマスクし、修正部Ｓ３を露出せしめ、露光を行う。

また、欠陥Ｄ４については、同様にポジ形マスク５０に
よって欠陥Ｄ４を含む領域を選択し、次にネガ形マスク
６０のじや先部６１のうらその隅部を利用して欠陥Ｄ４
を露出せしめ、露光を行う（第５図（Ｄ）参照）。

次に、欠陥Ｄ２については、ポジ形マスク５０のみを使
用し、欠陥Ｄ２を露出せしめ、露光を行う（第５図（Ｅ
）参照）。

更に、欠陥Ｄ１については、レジスト１３を塗布して修
正部Ｓ１とするので何ら露光を行う必要はない。

以上の選択露光を行った後、基板１０は現像が行われる
。これによって、欠陥Ｄ２、Ｄ４、Ｄ５及び修正部Ｓ３
（以下「ポジ形の欠陥」と総称する）は除去され、また
欠陥Ｄ１はすでに修正され（いるので、レジストパター
ンは第１図（Ｅ）に示すように良好に修正されることと
なる。

なお、以上の例は、ポジ形のレジスト１３を使用した場
合であるが、ネガ形のレジスト１３Ｎを使用づる場合も
同様である。現像液はポジ形とする。

まず、第５図（Ａ）に示づレジストパターンをネガ形の
レジスト１３Ｎを使用して形成したとする。欠陥Ｄ１に
ついては、ポジ形のレジスト１３を滴下すればよい。次
に欠陥Ｄ３についても同様にレジスト１３を滴下し、修
正部Ｓ３を上記と同様にして修正すればよい。ポジ形の
現像液にはネガ形のレジスト１３Ｎは不溶であるから他
のパターンに影響をあたえることはない。

欠陥Ｄ２、Ｄ４、Ｄ５については、これらが現像不良に
よって生じたものであるときは、再度ネガ形の現像液を
使用して現像を行うことにより修正できる。これらの欠
陥が露光不良例えばマスク１４Ｎの不良により誤って光
照射されたことによって生じたものであるときは、修正
は不可能であって再度レジストパターン全体を形成し直
す必要がある（第１図（Ｄ）参照）。別言すればネガ形
のレジスト１３Ｎによるレジストパターンの修正は、一
定の範囲内で可能であるが、修正のための露光による欠
陥の除去ができないため修正不可能な欠陥が存在する。

これに対し、ポジ形のレジスト１３によるレジストパタ
ーンの修正は、修１［のための露光を行うことによって
パターンの一部をいくらでも除去できるため、修正不可
能な欠陥は存在しない。すなわち、この発明は、ポジ形
レジスト１３によるレジストパターンの修正において特
にその効果を発揮するものであり、また修正に使用する
レジストもネガ形でもよいがポジ形を使用した方が修正
の失敗を招く危険もなく、良好な修正を行うことができ
る。

また、上記実施例においては、ネガ形マスク６０をポジ
形マスク５０の上に配置したが、所定の露光パターンを
得ることができれば逆の配置としてもよいし、いずれか
一方のみを使用してもよい。また種々の形状の開口部Ｏ
Ｐを有するポジ形マスクを用意し、神々の形状のしゃ先
部６１を有するネガ形マスクを用意し、これらを適宜組
合せて使用するようにしてもよいし、またこれらと第１
図（Ｃ）又は（Ｄ＞に示すマスク１４．１４Ｎとを組合
せて使用するようにして゛もよい。

以上説明したように、この発明にかかるパターン修正方
法によれば、レジストパターンの欠陥のうらネガ形の欠
陥に対してレジストを選択的に滴下塗布せしめるととも
に、ポジ形の欠陥に対して選択的に露光を行ってこれを
除去することとしたので、レジストパターンの修正■稈
における新たな欠陥の発生を低減して良好なるレジスト
パターンひいてはエツチングパターンを得ることができ
、デバイスの歩留り向上を図ることができるというすぐ
れた効果を奏する。

特に、修正対象のパターンがポジ形のレジストで形成さ
れ、また修正にポジ形のレジストを使用するようにすれ
ば一層すぐれた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）乃至（Ｇ）は、フォトエツチング工程にお
ける基板の様子を示す斜視図、第２図（Ａ）及び（Ｂ）
は欠陥の発生の様子を示す斜視図、第３図はこの発明で
使用するレジスト塗布装曽の一構成例を示す斜視図、第
４図はこの発明で使用する修正用マスク手段の一構成例
を示す斜視図、第５図（Ａ）乃至（Ｅ）はレジストパタ
ーンの修正と露光のマスク合せの例を示す平面図、第６
図はこの発明にかかるパターン修正方法の手順を示すフ
ローチャートである。１３・・・レジスト、１３Ｎ・・・ネガ形のレジスト、
２０・・・レジスト塗布装置、５０，６０・・・修正用
マスク手段、Ｄｌ、Ｄ３・・・ネガ形の欠陥、Ｄ２、Ｄ
４、Ｄ５、Ｓ３・・・ポジ形の欠陥。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）現像されたレジストパターンの欠陥のうちネガ形
の欠陥に対して選択的に修正用レジストを塗布せしめ、
この塗布後にブレベークを行い、次にこのブレベークさ
れたレジストパターンのうらポジ形の欠陥に対して選択
的に露光を行うとともにレジストパターンの現像を行う
ことを特徴とするレジストパターンの欠陥修正方法。
（２）前記修正用レジストをポジ形のレジストとした特
許請求の範囲第（１）項記載のレジストパターンの欠陥
修正方法。
（３）前記現像されたレジストパターンをポジ形のレジ
ストにより形成したレジストパターンとした特許請求の
範囲第（１）項又は第２項記載のレジストパターンの欠
陥修正方法。