JPS5817421A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS5817421A JPS5817421A JP56116739A JP11673981A JPS5817421A JP S5817421 A JPS5817421 A JP S5817421A JP 56116739 A JP56116739 A JP 56116739A JP 11673981 A JP11673981 A JP 11673981A JP S5817421 A JPS5817421 A JP S5817421A
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- thin film
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133528—Polarisers
- G02F1/133533—Colour selective polarisers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカラー表示可能な液晶表示素子に関し、特に印
加電圧の変化による透過率の変化量が大きく、また視差
の小さ一液晶表示素子を提案するものである。
加電圧の変化による透過率の変化量が大きく、また視差
の小さ一液晶表示素子を提案するものである。
カラー表示可能な液晶表示素子の開発が活発に行わｎで
おり、表示像の鮮明化１分解能の向上部に種々の提案が
行わｎている。特開昭５６−２１１８２号の多色液晶表
示素子は色ずれが少く、微細パターンの表示を可能とす
るなめに［透明電極上ないしは少なくとも透明電極を含
む基板面上に有色の光透過性膜を形成」する構成きした
ものであるが、液晶を挾んで対設される電極間に上記有
色の光透過性膜、即ち色）１ルタ鳥を介在させであるた
めに電極間に印加した電圧の一部が色フィルタ層に印加
されることになる。このため液晶の透過率−電極間印加
電圧特性が緩慢な（単位電圧変化ｔに対する透過率の変
化量が小さい）ものとなり、即ち駆動特性が悪く、鮮明
な表示１に得るには印加電圧を高くすることが必要にな
る。ところがマトリックス表示を行わせる場合Ｔ／ｃハ
、高い電ＥＥ１に印加すると隣接する部分にもその影響
が現れて像が不明瞭になるという難点がある０こｆ′Ｌ
ｔ−避けるために色フィルタ層を薄くする場合は十分な
色の濃度が得らｎないことになる０ 本発明は斯かる技術的背景の下になさｎたものであって
、微細な像を視差による色ずれなく鮮明に表示し得るカ
ラー表示用の液晶表示素子を提供することを目的とする
。以下本発明分その実施例ケ示す図面に基き詳述する。
おり、表示像の鮮明化１分解能の向上部に種々の提案が
行わｎている。特開昭５６−２１１８２号の多色液晶表
示素子は色ずれが少く、微細パターンの表示を可能とす
るなめに［透明電極上ないしは少なくとも透明電極を含
む基板面上に有色の光透過性膜を形成」する構成きした
ものであるが、液晶を挾んで対設される電極間に上記有
色の光透過性膜、即ち色）１ルタ鳥を介在させであるた
めに電極間に印加した電圧の一部が色フィルタ層に印加
されることになる。このため液晶の透過率−電極間印加
電圧特性が緩慢な（単位電圧変化ｔに対する透過率の変
化量が小さい）ものとなり、即ち駆動特性が悪く、鮮明
な表示１に得るには印加電圧を高くすることが必要にな
る。ところがマトリックス表示を行わせる場合Ｔ／ｃハ
、高い電ＥＥ１に印加すると隣接する部分にもその影響
が現れて像が不明瞭になるという難点がある０こｆ′Ｌ
ｔ−避けるために色フィルタ層を薄くする場合は十分な
色の濃度が得らｎないことになる０ 本発明は斯かる技術的背景の下になさｎたものであって
、微細な像を視差による色ずれなく鮮明に表示し得るカ
ラー表示用の液晶表示素子を提供することを目的とする
。以下本発明分その実施例ケ示す図面に基き詳述する。
第１図に本発明に係る液晶表示素子の断面構造図であり
、ガラス等からなる透明基板ｌ上には〕０μｍ厚程ポリ
着色偏光膜２が形成されている。
、ガラス等からなる透明基板ｌ上には〕０μｍ厚程ポリ
着色偏光膜２が形成されている。
コ（１’）着色偏光膜２はポリビニルアルコール（ＰＶ
Ａ）等の高分子フィルムを一方向に延伸したものを基材
として、その−面に沃素、染料等よりなる偏光性インク
にて着色したものであり、微細な幅寸法の赤色膜条２１
．緑色膜条２２及び青色膜条２３を第２図に示すように
一方向に規則正しく配して縞模様のパターンを形成する
ようにしである。斯かるパターンを形成した着色偏光膜
の製造は、例えば特開昭５５−１８６８５号のように感
光性樹脂を利用して色の数の回数に分けて行われる０斯
かる着色偏ｆｔ幌２の上層にはその保護のためにアクリ
ル系樹脂等により数百Ａ厚の透明薄膜３が被着形成され
ている０該蓬明薄膜３の上層にはその全面を徨うように
透明電極４が被着形成されている。この透明電極４は第
３図に示すようにマトリックス配置された透明な画素電
極Ｅｌｌ Ｉ Ｅ’１！・・・Ｂｍｎと対をかし、これ
らの間に介装したネマチック液晶よりなる液晶層６に対
してＩｔ宣するためのものである。液晶層６を挾む配向
層５，７は液晶分子が相互に直交する方向に整列するよ
うに液晶層側表面が表面処理さａたものであり、公知の
ツィスティッド効果が得られるようにしている。
Ａ）等の高分子フィルムを一方向に延伸したものを基材
として、その−面に沃素、染料等よりなる偏光性インク
にて着色したものであり、微細な幅寸法の赤色膜条２１
．緑色膜条２２及び青色膜条２３を第２図に示すように
一方向に規則正しく配して縞模様のパターンを形成する
ようにしである。斯かるパターンを形成した着色偏光膜
の製造は、例えば特開昭５５−１８６８５号のように感
光性樹脂を利用して色の数の回数に分けて行われる０斯
かる着色偏ｆｔ幌２の上層にはその保護のためにアクリ
ル系樹脂等により数百Ａ厚の透明薄膜３が被着形成され
ている０該蓬明薄膜３の上層にはその全面を徨うように
透明電極４が被着形成されている。この透明電極４は第
３図に示すようにマトリックス配置された透明な画素電
極Ｅｌｌ Ｉ Ｅ’１！・・・Ｂｍｎと対をかし、これ
らの間に介装したネマチック液晶よりなる液晶層６に対
してＩｔ宣するためのものである。液晶層６を挾む配向
層５，７は液晶分子が相互に直交する方向に整列するよ
うに液晶層側表面が表面処理さａたものであり、公知の
ツィスティッド効果が得られるようにしている。
前記画素電極ＥＩＩＩＥＩ！・・・Ｅｍｎ ｔｉガラス
等の透明基板８上に、各画素電極Ｅｌｌ Ｉ ”Ｈ・・
・Ｅｍｎに対する選択的課電制御のための微小面積の薄
膜トラン’） スタＴ １１ ＊ Ｔ１！ ”・Ｔｍｎ
と連接形成してあり、この画素電、極” Ｉｔ ＋ ”
Ｉｔ・・・Ｅｍｎは第３図に示すようにその水平方向
位置が着色偏光膜２の各色の条と整合するようにｎ列に
配さｎ、垂直方向にも略同ピッチで規則正しくｍ行に整
列配置されている０透明基板１〜８の部分は後述するよ
うにして一体的に構成されるが、これらとけ別体とした
ニュートラル少光板９が透明基板８側に配され、着色偏
光膜２と直交ニコルを構成するようにしである○このニ
ュートラル０４光板９ケ透明基板８に付着する構成とし
てもよいこさは勿論である。
等の透明基板８上に、各画素電極Ｅｌｌ Ｉ ”Ｈ・・
・Ｅｍｎに対する選択的課電制御のための微小面積の薄
膜トラン’） スタＴ １１ ＊ Ｔ１！ ”・Ｔｍｎ
と連接形成してあり、この画素電、極” Ｉｔ ＋ ”
Ｉｔ・・・Ｅｍｎは第３図に示すようにその水平方向
位置が着色偏光膜２の各色の条と整合するようにｎ列に
配さｎ、垂直方向にも略同ピッチで規則正しくｍ行に整
列配置されている０透明基板１〜８の部分は後述するよ
うにして一体的に構成されるが、これらとけ別体とした
ニュートラル少光板９が透明基板８側に配され、着色偏
光膜２と直交ニコルを構成するようにしである○このニ
ュートラル０４光板９ケ透明基板８に付着する構成とし
てもよいこさは勿論である。
第４Ｆ！？’ｌ薄暎トランジスタＴｌｌ 、 Ｔ、！−
Ｔｍｎと、画素電極Ｅｎ ＊ ＥＩ２・・・Ｅｍｎと全
面の透明電極番ととの結線杖態？示している。各薄膜ト
ランジスタＴ １１ 、 Ｔ 、、 ・・−Ｔｍｎのソ
ースが画素電、極Ｅｌｌ ＃ Ｅｌ！・・・Ｅｍｎに接
続しである。水平方向の同行に配置された薄膜トランジ
スタ、例えばＴ１１＋Ｔｌｌ・・・Ｔｌｎのゲートσ一
括さｎ″′ｒ１Ｍ′ｒ１Ｍ極Ｙ糾しである。また垂直方
向の同列に配置された薄膜トランジスタ、例えばＴＩＩ
＊ Ｔ ！Ｉ・・・Ｔｍ、のドレインは一括されて、
電極ｘ１に接続しである。従って１竹目の薄膜トランジ
スタのケートを一括接続した電極Ｙ１と、ｊ列目の薄膜
トランジスタのドレイン會一括接続し念電極Ｘｊ と、
透明電極４とに所定電位を与えると薄膜トランジスタＴ
１ｊがオンして画素′ａＬ極ｘ１ｊと透明電極４との間
に選択的！！電が行われ、この領域にある液晶が両電極
面に対して垂直に整列され１画素電極Ｘｉｊ 、！−整
合配置されている赤（緑又は青）色の膜条の１竹目の部
分が外部から視認されることになり、勢するにこの部分
が赤（緑又は青）色に表示されることになる。
Ｔｍｎと、画素電極Ｅｎ ＊ ＥＩ２・・・Ｅｍｎと全
面の透明電極番ととの結線杖態？示している。各薄膜ト
ランジスタＴ １１ 、 Ｔ 、、 ・・−Ｔｍｎのソ
ースが画素電、極Ｅｌｌ ＃ Ｅｌ！・・・Ｅｍｎに接
続しである。水平方向の同行に配置された薄膜トランジ
スタ、例えばＴ１１＋Ｔｌｌ・・・Ｔｌｎのゲートσ一
括さｎ″′ｒ１Ｍ′ｒ１Ｍ極Ｙ糾しである。また垂直方
向の同列に配置された薄膜トランジスタ、例えばＴＩＩ
＊ Ｔ ！Ｉ・・・Ｔｍ、のドレインは一括されて、
電極ｘ１に接続しである。従って１竹目の薄膜トランジ
スタのケートを一括接続した電極Ｙ１と、ｊ列目の薄膜
トランジスタのドレイン會一括接続し念電極Ｘｊ と、
透明電極４とに所定電位を与えると薄膜トランジスタＴ
１ｊがオンして画素′ａＬ極ｘ１ｊと透明電極４との間
に選択的！！電が行われ、この領域にある液晶が両電極
面に対して垂直に整列され１画素電極Ｘｉｊ 、！−整
合配置されている赤（緑又は青）色の膜条の１竹目の部
分が外部から視認されることになり、勢するにこの部分
が赤（緑又は青）色に表示されることになる。
次に上述の如き構ＦＭ、を有する液晶表示素子の製造方
法の一例につき説明する。まずＰＶＡＷ！を２〜５倍に
延伸したものをＰＶＡ系接着剤を用いてガラス製の透明
基板］の一面に接着する。次に第５図（イ）に示すよう
に着色偏光膜２の基材となる延伸ＰＶＡ＃２′上には感
、光性樹脂、つまりフォトレジスト９を適厚に塗着し、
緑色膜条２２．青色膜条２３を形成する部分が露光する
ようにしたパターンのマスクを用いて無光して、無光部
分を硬化し、非犀光の未硬化部分を現像処理にて溶解除
去し、ＰＴＡ膜２′の一部を露出させる。そして第５図
１（ロ）に示すように沃素、赤色の染料よりなる赤色偏
光インクにて露出部分を選択的に着色し、赤色膜条２１
を得る。このような工程を反復することにより緑色膜条
２２．青色膜条２３を順次形成する。
法の一例につき説明する。まずＰＶＡＷ！を２〜５倍に
延伸したものをＰＶＡ系接着剤を用いてガラス製の透明
基板］の一面に接着する。次に第５図（イ）に示すよう
に着色偏光膜２の基材となる延伸ＰＶＡ＃２′上には感
、光性樹脂、つまりフォトレジスト９を適厚に塗着し、
緑色膜条２２．青色膜条２３を形成する部分が露光する
ようにしたパターンのマスクを用いて無光して、無光部
分を硬化し、非犀光の未硬化部分を現像処理にて溶解除
去し、ＰＴＡ膜２′の一部を露出させる。そして第５図
１（ロ）に示すように沃素、赤色の染料よりなる赤色偏
光インクにて露出部分を選択的に着色し、赤色膜条２１
を得る。このような工程を反復することにより緑色膜条
２２．青色膜条２３を順次形成する。
このようにして着色偏光Ｗｉ！２を形成したあとはアク
リル系樹脂又１ｊＰＶＡ溶液をスピンナ塗布するか又は
ディッピングの方法により数百ス厚の透明薄膜３を形成
する。
リル系樹脂又１ｊＰＶＡ溶液をスピンナ塗布するか又は
ディッピングの方法により数百ス厚の透明薄膜３を形成
する。
次いで着色偏光膜２及び透明薄膜３１に積層゛形成した
透明基板１ケ百数十℃に加熱しての低温スパッタリング
法又は低温蒸着法により第５図（ハ）に示すように酸化
インジウム膜を２００〜８００Ａ程度の厚さに被着形成
してこｔ″Ｌヶ透明電極４とする。
透明基板１ケ百数十℃に加熱しての低温スパッタリング
法又は低温蒸着法により第５図（ハ）に示すように酸化
インジウム膜を２００〜８００Ａ程度の厚さに被着形成
してこｔ″Ｌヶ透明電極４とする。
このような工程においては前述のように低温スパッタリ
ング法又は低温蒸着法を用いるのでＰＶＡからなる着色
偵光＠２が熱により押傷されることがない。
ング法又は低温蒸着法を用いるのでＰＶＡからなる着色
偵光＠２が熱により押傷されることがない。
次いで透明電極４上にスピンナ法又はディッピング法に
よりＰＶＡ若しくはポリイミドの膜全形成し、一方向に
ラビングすることにより配向層５とする。
よりＰＶＡ若しくはポリイミドの膜全形成し、一方向に
ラビングすることにより配向層５とする。
一方こｎに対向する画素電極Ｅ１１ ＊ Ｅ １！・・
・Ｆｉｍｎ＠ｒｘ、、ガラス製の透明基板８上に公知の
方法にて画素電極ＥＩＩ ｖ Ｅ＋２・・・Ｅｍｎ及び
薄膜トランジスタＴ’＋＋＋Ｔ’ｔｔ・・・Ｔｍｎ ’
に形成して、その上層に上述したところと同様の方法に
て配向層７を形成するＯこのように対向電極を夫々別個
に構成した後、両者を夫々の配向層５．７が向き合い、
また画素電極Ｋｎ＊ Ｋｎ・・・Ｅｍｎが着色偏光膜２
のパターンと整合するように位置合せして、所要のスペ
ーサＣ示せず）を介在させて１０μｍ程度離隔対向させ
て周縁部をエポキシ樹脂にて封着する。使用エポキシ樹
脂としてＶｉ１２０℃〜１５０℃程度の硬化温度を有す
るものが望ツしい。そして前記スペーサにより形成され
た間隙に、例えば透明基板８にこれを貫通させて取付け
ておいた液晶層入管から、液晶を注入し、液晶層６とす
る。
・Ｆｉｍｎ＠ｒｘ、、ガラス製の透明基板８上に公知の
方法にて画素電極ＥＩＩ ｖ Ｅ＋２・・・Ｅｍｎ及び
薄膜トランジスタＴ’＋＋＋Ｔ’ｔｔ・・・Ｔｍｎ ’
に形成して、その上層に上述したところと同様の方法に
て配向層７を形成するＯこのように対向電極を夫々別個
に構成した後、両者を夫々の配向層５．７が向き合い、
また画素電極Ｋｎ＊ Ｋｎ・・・Ｅｍｎが着色偏光膜２
のパターンと整合するように位置合せして、所要のスペ
ーサＣ示せず）を介在させて１０μｍ程度離隔対向させ
て周縁部をエポキシ樹脂にて封着する。使用エポキシ樹
脂としてＶｉ１２０℃〜１５０℃程度の硬化温度を有す
るものが望ツしい。そして前記スペーサにより形成され
た間隙に、例えば透明基板８にこれを貫通させて取付け
ておいた液晶層入管から、液晶を注入し、液晶層６とす
る。
叙上の如く構成された本発明の表示素子は前述したよう
ＶｃＹｉ、Ｘｊへの選択的課電により薄膜トランジスタ
Ｔｉｊ ｉオンさせて、画素電極Ｋｉｊと透明電極４と
の開への選択的課電を可能として、この領＃２を例えば
赤に発色表示させる。そして電極Ｙｉ、Ｘｊ＋ｘ （又
はＸｊ−ｔ ）への選択的課電を併せて行う場合に、ト
ランジスタＴｉ’、ｊ＋＋ （又にＴｉ、ｊ−ｔ ）も
オンして画素電極Ｅｉ、ｊ＋１（又はＥｉ、ｊ−＋ ）
と透明電極４との間へも課電が行われて、前述の赤色に
発色した領域に相隣する領域が緑色（又は青色）に発色
表示さｎ１見かけ上の混色表示が可能となるみ而して本
発明の液晶表示素子においては画素電極” ＋１ ｔ
Ｅｌｌ・・・Ｅｍｎと透明１１′極４との間には単色の
液晶表示素子同様、配向層と液晶層しか存在せず、印加
電圧は殆んどすべてが分子の垂直整列に関与し、鮮明な
表示を低い印加電圧で実ザ、できる。また画素電極Ｅｌ
ｌｓＥｌ！・・・Ｅｍｎの夫々にスイッチ用の薄膜トラ
ンジスタを設けているのでクロストークが皆無であり鮮
明な表示が可能である。更に各画素電極Ｊ、、に□・・
・Ｆｉｍｎと着色偏光膜のパターンとけ整合配置させて
あり、両者の間には配向層５，７、液晶層６、透明電極
４の外には数百Ａの透明薄膜３しか介在させていないの
で視差の極めて小さい色ずれのなり鮮明なカラー表示が
可能になる。
ＶｃＹｉ、Ｘｊへの選択的課電により薄膜トランジスタ
Ｔｉｊ ｉオンさせて、画素電極Ｋｉｊと透明電極４と
の開への選択的課電を可能として、この領＃２を例えば
赤に発色表示させる。そして電極Ｙｉ、Ｘｊ＋ｘ （又
はＸｊ−ｔ ）への選択的課電を併せて行う場合に、ト
ランジスタＴｉ’、ｊ＋＋ （又にＴｉ、ｊ−ｔ ）も
オンして画素電極Ｅｉ、ｊ＋１（又はＥｉ、ｊ−＋ ）
と透明電極４との間へも課電が行われて、前述の赤色に
発色した領域に相隣する領域が緑色（又は青色）に発色
表示さｎ１見かけ上の混色表示が可能となるみ而して本
発明の液晶表示素子においては画素電極” ＋１ ｔ
Ｅｌｌ・・・Ｅｍｎと透明１１′極４との間には単色の
液晶表示素子同様、配向層と液晶層しか存在せず、印加
電圧は殆んどすべてが分子の垂直整列に関与し、鮮明な
表示を低い印加電圧で実ザ、できる。また画素電極Ｅｌ
ｌｓＥｌ！・・・Ｅｍｎの夫々にスイッチ用の薄膜トラ
ンジスタを設けているのでクロストークが皆無であり鮮
明な表示が可能である。更に各画素電極Ｊ、、に□・・
・Ｆｉｍｎと着色偏光膜のパターンとけ整合配置させて
あり、両者の間には配向層５，７、液晶層６、透明電極
４の外には数百Ａの透明薄膜３しか介在させていないの
で視差の極めて小さい色ずれのなり鮮明なカラー表示が
可能になる。
第６図は本発明の他の実施例を示している０この実施例
のものは透明基板ｌ上に着色偏光膜２を被着し、その上
層に保農用の透明薄膜３を形成したものと、１００μｍ
厚程度のポリエステルフィルムからなる透明基材１２上
の全面に透明電極４を形成し、対向する画素電極”１１
＋ Ｅｌｌ・・・Ｅｍｎとの間に配向層５．液晶層６
及び配向層７を設けてなるものとを透明なＰＶＡ系接着
剤にて画素電極Ｅ１１゜ＥＨ・・・Ｅｍｎと着色偏光膜
２の各色の条パターンとを整合させるように接着して一
体化してなるものである。その他８１ｊ対向側の透明基
板、９は同じく偏光板であり、薄膜トランジスタＴｌ１
ｓＴｌｌ・・・等第１図に示すものと・同様のものには
同符号を付しである。この実施例のものけ透明基材１２
の分だけ先の実施例よりも視差が少し大となるが、その
反面、２つの部分を別途製造し、後に一体化する方法を
とるので製造上の自由度が増すという利点がある。
のものは透明基板ｌ上に着色偏光膜２を被着し、その上
層に保農用の透明薄膜３を形成したものと、１００μｍ
厚程度のポリエステルフィルムからなる透明基材１２上
の全面に透明電極４を形成し、対向する画素電極”１１
＋ Ｅｌｌ・・・Ｅｍｎとの間に配向層５．液晶層６
及び配向層７を設けてなるものとを透明なＰＶＡ系接着
剤にて画素電極Ｅ１１゜ＥＨ・・・Ｅｍｎと着色偏光膜
２の各色の条パターンとを整合させるように接着して一
体化してなるものである。その他８１ｊ対向側の透明基
板、９は同じく偏光板であり、薄膜トランジスタＴｌ１
ｓＴｌｌ・・・等第１図に示すものと・同様のものには
同符号を付しである。この実施例のものけ透明基材１２
の分だけ先の実施例よりも視差が少し大となるが、その
反面、２つの部分を別途製造し、後に一体化する方法を
とるので製造上の自由度が増すという利点がある。
なお上述の実施例ではいずれも画素電極をニュートラル
偏光膜−１Ｉｌｌに設けたが着色偏光膜側に設けてもよ
く、この場合は視差が一層小さくなる利点がある。
偏光膜−１Ｉｌｌに設けたが着色偏光膜側に設けてもよ
く、この場合は視差が一層小さくなる利点がある。
また着色偏光膜２のパターンは前述の如き平行縞に限ら
ず、第７図に示すようにカラーブラウン管の３色の螢光
体の塗布パターンの如く、赤、緑。
ず、第７図に示すようにカラーブラウン管の３色の螢光
体の塗布パターンの如く、赤、緑。
青の３色のドツトを配置したパターンでもよい。
以上のように本発明による場合は表示のた′めの印加電
圧が低く、また表示部と非表示部との差が鮮明であり、
視差が小さく色ずれの殆んどない鮮明なカラー表示が可
能となり、課１１１１極に応じたカラーパターンの表示
装置が実理できる等、本発明は優れた効果を奏する。
圧が低く、また表示部と非表示部との差が鮮明であり、
視差が小さく色ずれの殆んどない鮮明なカラー表示が可
能となり、課１１１１極に応じたカラーパターンの表示
装置が実理できる等、本発明は優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る液晶表示素子の断面構造図、第２
図Ｖ１着色偏光暎のパターン図、第３図は画素電極と着
色偏光膜との配置を示すパターン図、第４図は薄膜トラ
ンジスタと画素電極との接続図、第５図（イ）〜ｅ→は
その製造工程の一部を示す説明図、第６図に本発明の他
の実施例を示す断面構造図、第７図は着色偏光膜の他の
パターンを示すパターン図である。 １．８・・・透明基板 ２・・・着色偏光膜 ３・・・
透明薄膜 ４・・・透明電極 ５，７・・・配向層 ６
・・・液晶層９・・・偏光板 Ｅｌｌ ＋ ”１！・・
・Ｅｍｎ・・・画素電極Ｔ＋＋ ｅ ＴＨ・−Ｔｍｎ
＊ ＊ ｅ薄膜トランジスタ代理人弁理士 河 野 登
夫 答 １ 回 算 ２ 区 尊 ３ 図 ４ 薯４図 算５目
図Ｖ１着色偏光暎のパターン図、第３図は画素電極と着
色偏光膜との配置を示すパターン図、第４図は薄膜トラ
ンジスタと画素電極との接続図、第５図（イ）〜ｅ→は
その製造工程の一部を示す説明図、第６図に本発明の他
の実施例を示す断面構造図、第７図は着色偏光膜の他の
パターンを示すパターン図である。 １．８・・・透明基板 ２・・・着色偏光膜 ３・・・
透明薄膜 ４・・・透明電極 ５，７・・・配向層 ６
・・・液晶層９・・・偏光板 Ｅｌｌ ＋ ”１！・・
・Ｅｍｎ・・・画素電極Ｔ＋＋ ｅ ＴＨ・−Ｔｍｎ
＊ ＊ ｅ薄膜トランジスタ代理人弁理士 河 野 登
夫 答 １ 回 算 ２ 区 尊 ３ 図 ４ 薯４図 算５目
Claims (1)
- ｌ・所定パターンを構成するように基板上に形成された
着色偏光膜と、液晶層を挾んで対設した透明電極とを具
備し、一方の透明電極は着色偏光膜のパターンと関連づ
けた画素電極として分割形成されており、画素電極の夫
々けこｔ’ｌに連設さｎ７’５薄膜トランジスタにて液
晶層に対する課電を制御すべくなしてあり、更にいずれ
か一方の電極と着色偏光膜との間に透明薄膜層を介在せ
しめであることを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116739A JPS5817421A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116739A JPS5817421A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817421A true JPS5817421A (ja) | 1983-02-01 |
| JPH0338574B2 JPH0338574B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=14694583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116739A Granted JPS5817421A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817421A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59210417A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPS6048021A (ja) * | 1983-08-27 | 1985-03-15 | Alps Electric Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
| JPS60130719A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体装置 |
| JPS60244932A (ja) * | 1984-05-19 | 1985-12-04 | Ricoh Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
| JPS6461640A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
| JPH0569647U (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | 沖電気工業株式会社 | 絶対圧型圧力検出器 |
| WO2006104052A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | In-Cell型偏光子用組成物、In-Cell型偏光子及びIn-Cell型積層偏光子、並びにそれらを用いた液晶素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570816A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-28 | Seiko Epson Corp | Production of liquid crystal panel |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56116739A patent/JPS5817421A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570816A (en) * | 1978-11-22 | 1980-05-28 | Seiko Epson Corp | Production of liquid crystal panel |
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| JPS60130719A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体装置 |
| JPS60244932A (ja) * | 1984-05-19 | 1985-12-04 | Ricoh Co Ltd | カラ−液晶表示装置 |
| JPS6461640A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
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| WO2006104052A1 (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | In-Cell型偏光子用組成物、In-Cell型偏光子及びIn-Cell型積層偏光子、並びにそれらを用いた液晶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338574B2 (ja) | 1991-06-11 |
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