JPH05200539A - 半導体基板接合方法 - Google Patents
半導体基板接合方法Info
- Publication number
- JPH05200539A JPH05200539A JP4051052A JP5105292A JPH05200539A JP H05200539 A JPH05200539 A JP H05200539A JP 4051052 A JP4051052 A JP 4051052A JP 5105292 A JP5105292 A JP 5105292A JP H05200539 A JPH05200539 A JP H05200539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- layer
- bonding
- substrates
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
- H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
- H10P90/1906—Preparing SOI wafers
- H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07336—Soldering or alloying
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
［目的］ １種類の半田材料によって接合部の共晶合金
化を図って半導体基板同士を強固に接合するとともに、
近傍に配設される素子に悪影響を与えることがないよう
に比較的低い加熱温度で接合部の共晶合金化を図ること
ができるようにする。 ［構成］ ２つのＳｉ半導体基板の少なくとも一方の接
合面にＡｕ層を形成したうえで、両者をつき合せた状態
で加熱することによって接合部分におけるＳｉとＡｕと
の合金化を図って両者を接合させる半導体基板の接合方
法。
化を図って半導体基板同士を強固に接合するとともに、
近傍に配設される素子に悪影響を与えることがないよう
に比較的低い加熱温度で接合部の共晶合金化を図ること
ができるようにする。 ［構成］ ２つのＳｉ半導体基板の少なくとも一方の接
合面にＡｕ層を形成したうえで、両者をつき合せた状態
で加熱することによって接合部分におけるＳｉとＡｕと
の合金化を図って両者を接合させる半導体基板の接合方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板同士を共晶
合金を用いた半田材料により接合させる半導体基板接合
方法に関する。
合金を用いた半田材料により接合させる半導体基板接合
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ポンプによってノズル孔からガス
通路内にガスを定常的に送りながら、センサ本体に角速
度が作用したときのガス通路内を流れるガス流の偏向状
態を、そのガス通路内にガス流の偏向方向に並設された
一対の感熱抵抗素子としてのヒートワイヤによって検出
するようにしたガスレートセンサとして、ガス通路およ
びそのガス通路内に設けられるヒートワイヤ対からなる
センサ本体部分が、ＩＣ製造技術を利用した半導体基板
のマイクロマシニング加工によって形成されたものが開
発されている（特開平３−２９８５８号公報参照）。
通路内にガスを定常的に送りながら、センサ本体に角速
度が作用したときのガス通路内を流れるガス流の偏向状
態を、そのガス通路内にガス流の偏向方向に並設された
一対の感熱抵抗素子としてのヒートワイヤによって検出
するようにしたガスレートセンサとして、ガス通路およ
びそのガス通路内に設けられるヒートワイヤ対からなる
センサ本体部分が、ＩＣ製造技術を利用した半導体基板
のマイクロマシニング加工によって形成されたものが開
発されている（特開平３−２９８５８号公報参照）。
【０００３】この種のガスレートセンサにおけるセンサ
本体としては、図３ないし図５に示すように、半孔７１
および半溝８１がエッチングによって形成された下側半
導体基板５と上側半導体基板６とを、それぞれの半孔７
１および半溝８１をつき合せるように重ねて、両者を接
合させることによってノズル孔７およびガス通路８を構
成するようにしている。
本体としては、図３ないし図５に示すように、半孔７１
および半溝８１がエッチングによって形成された下側半
導体基板５と上側半導体基板６とを、それぞれの半孔７
１および半溝８１をつき合せるように重ねて、両者を接
合させることによってノズル孔７およびガス通路８を構
成するようにしている。
【０００４】なお、図中、９１，９２はガス通路８内に
一対に設けられた各ヒートワイヤで、下側半導体基板５
をエッチングしてガス通路８にかかるように形成された
ブリッジ部１０の上面にそれぞれパターン成形されてい
る。
一対に設けられた各ヒートワイヤで、下側半導体基板５
をエッチングしてガス通路８にかかるように形成された
ブリッジ部１０の上面にそれぞれパターン成形されてい
る。
【０００５】しかして、このように構成されたガスレー
トセンサでは、下側半導体基板５と上側半導体基板６と
を接合する際に、その接合を強固にするとともに、その
接合部からガスが漏れることがないように気密性を確保
する必要がある。
トセンサでは、下側半導体基板５と上側半導体基板６と
を接合する際に、その接合を強固にするとともに、その
接合部からガスが漏れることがないように気密性を確保
する必要がある。
【０００６】従来、半導体基板を接合する技術として、
圧力センサを構成するべくマイクロマシニング加工され
た２つの半導体基板を接合するに際して、その接合を強
固に、かつ気密性をもって密着性良く行わせるための半
田材料としてガラスを用いて、２つの半導体基板を重ね
合せて加圧した状態で約４７０℃まで加熱して両者を接
合させるようにしたものがある（特開昭５８−５６４７
６号公報参照）。
圧力センサを構成するべくマイクロマシニング加工され
た２つの半導体基板を接合するに際して、その接合を強
固に、かつ気密性をもって密着性良く行わせるための半
田材料としてガラスを用いて、２つの半導体基板を重ね
合せて加圧した状態で約４７０℃まで加熱して両者を接
合させるようにしたものがある（特開昭５８−５６４７
６号公報参照）。
【０００７】しかし、そのような接合方法によれば、圧
力センサを構成する２つの半導体基板を接合する場合に
は特に問題ないが、ガス通路内に感熱抵抗素子が配設さ
れているガスレートセンサの場合、２つの半導体基板を
接合するための半田材料としてガラスを用いて高温で加
熱すると、その感熱抵抗素子の特性が損なわれてしまう
という問題がある。
力センサを構成する２つの半導体基板を接合する場合に
は特に問題ないが、ガス通路内に感熱抵抗素子が配設さ
れているガスレートセンサの場合、２つの半導体基板を
接合するための半田材料としてガラスを用いて高温で加
熱すると、その感熱抵抗素子の特性が損なわれてしまう
という問題がある。
【０００８】また、パイレックスガラスを用いた陽極接
合技術や、熱酸化膜を利用したＳｉ直接接合技術が発表
されているが、高電圧が必要であったり、ボイドフリー
化のため接合面を原子レベルに近い清浄な鏡面にする必
要があるものとなっている。
合技術や、熱酸化膜を利用したＳｉ直接接合技術が発表
されているが、高電圧が必要であったり、ボイドフリー
化のため接合面を原子レベルに近い清浄な鏡面にする必
要があるものとなっている。
【０００９】また、従来、図７に示すように、２つのＳ
ｉ半導体基板１，２を接合する場合、一方の半導体基板
１の接合面にＳｉＳｎ層を形成するとともに、他方の半
導体基板２の接合面にＳｉＰｄ層を形成して、加圧した
状態で加熱することによって両半導体基板１，２の接合
部分におけるＳｉＳｎ層とＳｉＰｄ層との合金化を図っ
て両者を接合させるようにしている。
ｉ半導体基板１，２を接合する場合、一方の半導体基板
１の接合面にＳｉＳｎ層を形成するとともに、他方の半
導体基板２の接合面にＳｉＰｄ層を形成して、加圧した
状態で加熱することによって両半導体基板１，２の接合
部分におけるＳｉＳｎ層とＳｉＰｄ層との合金化を図っ
て両者を接合させるようにしている。
【００１０】しかし、このようなものでは、半田材料と
してＳｉＳｎとＳｉＰｄとの２種類のものを必要とする
とともに、それらを各半導体基板１，２の接合面にそれ
ぞれ層形成させる必要があり、半田材料の管理および接
合作業性の面で複雑になっている。
してＳｉＳｎとＳｉＰｄとの２種類のものを必要とする
とともに、それらを各半導体基板１，２の接合面にそれ
ぞれ層形成させる必要があり、半田材料の管理および接
合作業性の面で複雑になっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、２つの基板を半田材料を用いて圧力を加えながら
加熱することにより接合する場合、その半田材料の加熱
温度が高くて、例えば半導体基板を接合させることによ
って形成されるガスレートセンサのガス通路の内部に配
設される感熱抵抗素子などの近傍に存在する素子に悪影
響を与えてしまうことである。
点は、２つの基板を半田材料を用いて圧力を加えながら
加熱することにより接合する場合、その半田材料の加熱
温度が高くて、例えば半導体基板を接合させることによ
って形成されるガスレートセンサのガス通路の内部に配
設される感熱抵抗素子などの近傍に存在する素子に悪影
響を与えてしまうことである。
【００１２】また、２つの基板の各接合面に半田材料と
してそれぞれ異種の金属を層形成して、圧力を加えなが
ら加熱することにより半田材料の合金化を図って両者を
接合する場合、２種類の半田材料の管理および接合の作
業性が複雑になることである。
してそれぞれ異種の金属を層形成して、圧力を加えなが
ら加熱することにより半田材料の合金化を図って両者を
接合する場合、２種類の半田材料の管理および接合の作
業性が複雑になることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、１種類の半田
材料をもって基板同士を強固にかつ密着性良く接合する
ことができるように、また、接合のための半田材料の加
熱温度が近傍に配設される素子に悪影響を与えることが
ないように比較的低い加熱温度で接合することができる
ように、ハードソルダとして用いられるＡｕ−Ｓｉ系合
金を基板接合に応用し、２つのＳｉ半導体基板のうちの
少なくとも一方の接合面にＡｕ（金）層を形成したうえ
で、加圧した状態で加熱することによって両半導体基板
の接合部分におけるＳｉとＡｕとの合金化を図って両者
を接合させるようにしている。
材料をもって基板同士を強固にかつ密着性良く接合する
ことができるように、また、接合のための半田材料の加
熱温度が近傍に配設される素子に悪影響を与えることが
ないように比較的低い加熱温度で接合することができる
ように、ハードソルダとして用いられるＡｕ−Ｓｉ系合
金を基板接合に応用し、２つのＳｉ半導体基板のうちの
少なくとも一方の接合面にＡｕ（金）層を形成したうえ
で、加圧した状態で加熱することによって両半導体基板
の接合部分におけるＳｉとＡｕとの合金化を図って両者
を接合させるようにしている。
【００１４】
【実施例】本発明による半導体基板接合方法にあって
は、図１に示すように、２つのＳｉ半導体基板１，２を
接合する際、一方の半導体基板１の接合面にＡｕ層を１
μｍ程度の厚さとなるように、また他方の半導体基板２
の接合面にＡｕ層を０．０５μｍ程度の厚さとなるよう
に蒸着またはスパッタリングなどの手段によってそれぞ
れ形成したうえで、その各接合面をある程度の加重をか
けた状態でつき合せて、Ａｕが９４％，Ｓｉが６％の合
金となるように共晶温度３７０℃の条件をもって加熱し
て、接合部分の合金化を図って両者を接合させるように
している。
は、図１に示すように、２つのＳｉ半導体基板１，２を
接合する際、一方の半導体基板１の接合面にＡｕ層を１
μｍ程度の厚さとなるように、また他方の半導体基板２
の接合面にＡｕ層を０．０５μｍ程度の厚さとなるよう
に蒸着またはスパッタリングなどの手段によってそれぞ
れ形成したうえで、その各接合面をある程度の加重をか
けた状態でつき合せて、Ａｕが９４％，Ｓｉが６％の合
金となるように共晶温度３７０℃の条件をもって加熱し
て、接合部分の合金化を図って両者を接合させるように
している。
【００１５】その際、加熱合金時に組成の偏りを生じな
いように、Ａｕ層を薄く形成するのが有効である。
いように、Ａｕ層を薄く形成するのが有効である。
【００１６】加熱条件としては、加熱が不充分で接合不
良になるような事態の発生を避けるために、接合部分で
の温度が共晶温度よりも数１０度高くなるような加熱を
行って合金化を充分に進めるようにする。具体的には、
例えば、４３０℃で１時間の加熱を行う。
良になるような事態の発生を避けるために、接合部分で
の温度が共晶温度よりも数１０度高くなるような加熱を
行って合金化を充分に進めるようにする。具体的には、
例えば、４３０℃で１時間の加熱を行う。
【００１７】また、空気中で加熱を行うと接着面の表面
酸化が起こり、接着不良を起こす原因となるので、酸化
防止のために窒素ガス中で加熱を行わせるようにする。
酸化が起こり、接着不良を起こす原因となるので、酸化
防止のために窒素ガス中で加熱を行わせるようにする。
【００１８】さらに、各半導体基板１，２の接合面にＡ
ｕ層を形成する際、その接合面が自然に酸化したり、不
純物として炭素が生成されたりするのを防止するため、
各半導体基板１，２の接合面をエッチング液で洗浄した
直後にＡｕ層を形成させるのが有効である。
ｕ層を形成する際、その接合面が自然に酸化したり、不
純物として炭素が生成されたりするのを防止するため、
各半導体基板１，２の接合面をエッチング液で洗浄した
直後にＡｕ層を形成させるのが有効である。
【００１９】また、本発明によれば、厚さ１μｍのＡｕ
層を一方の半導体基板１側に形成すれば、他方の半導体
基板２側にはＡｕ層を形成しなくとも、半導体基板１，
２の接合部分の合金化を図って両者の接合を行わせるこ
とができる。
層を一方の半導体基板１側に形成すれば、他方の半導体
基板２側にはＡｕ層を形成しなくとも、半導体基板１，
２の接合部分の合金化を図って両者の接合を行わせるこ
とができる。
【００２０】Ａｕ−Ｓｉ共晶合金としては、電気・化学
的に耐食性や濡れ性に優れていて信頼性の高いものとな
り、かつ硬い合金となり、半導体基板１，２の接合部分
は共晶温度以下で安定であり、結合強度の高いものとな
る。
的に耐食性や濡れ性に優れていて信頼性の高いものとな
り、かつ硬い合金となり、半導体基板１，２の接合部分
は共晶温度以下で安定であり、結合強度の高いものとな
る。
【００２１】いま、一方の半導体基板１の接合面に１μ
ｍのＡｕ層を、他方の半導体基板２の接合面に０．０５
μｍのＡｕ層をそれぞれ形成したものをつき合せて、窒
素ガス中で４３０℃の加熱を１時間行うことにより両者
を接合させたものを６ｍｍ角に切断したウエハを治具に
接着して引っ張り試験を行ったところ、治具との接着が
はがれない測定可能範囲（１０Ｋｇ以上）にあって、接
合部分でのはがれはみられなかった。
ｍのＡｕ層を、他方の半導体基板２の接合面に０．０５
μｍのＡｕ層をそれぞれ形成したものをつき合せて、窒
素ガス中で４３０℃の加熱を１時間行うことにより両者
を接合させたものを６ｍｍ角に切断したウエハを治具に
接着して引っ張り試験を行ったところ、治具との接着が
はがれない測定可能範囲（１０Ｋｇ以上）にあって、接
合部分でのはがれはみられなかった。
【００２２】また、同一のウエハを用いて、サーマルシ
ョックにより−３０度と＋８５度とを１０分ずつ１００
回の熱疲労を加えて引っ張り試験を行ったところ、測定
可能範囲での接合部分のはがれはみられなかった。
ョックにより−３０度と＋８５度とを１０分ずつ１００
回の熱疲労を加えて引っ張り試験を行ったところ、測定
可能範囲での接合部分のはがれはみられなかった。
【００２３】このように本発明によれば、半田材料とし
てＡｕのみを用いて半導体基板３，４を強固に密着性良
く接合させることができるようになり、半田材料が１種
類となってその管理が容易になるとともに、各半導体基
板３，４の接合面の少なくとも一方にＡｕ層を形成させ
るだけでよく、接合の作業性が向上する。
てＡｕのみを用いて半導体基板３，４を強固に密着性良
く接合させることができるようになり、半田材料が１種
類となってその管理が容易になるとともに、各半導体基
板３，４の接合面の少なくとも一方にＡｕ層を形成させ
るだけでよく、接合の作業性が向上する。
【００２４】また、比較的低い加熱温度で接合部分の共
晶合金化を図ることができるため、近傍に配設される素
子、例えばガスレートセンサ本体における一方の半導体
基板に配設されるヒートワイヤなどに熱的な悪影響を与
えるようなことが有効に抑制される。
晶合金化を図ることができるため、近傍に配設される素
子、例えばガスレートセンサ本体における一方の半導体
基板に配設されるヒートワイヤなどに熱的な悪影響を与
えるようなことが有効に抑制される。
【００２５】また、本発明では、図２に示すように、２
つの基板３，４がＳｉ半導体基板以外からなる場合、そ
の各基板３，４の接合面に、密着性を向上させるために
チタンＴｉからなる接合基材の層をそれぞれ０．１μｍ
程度の厚さに形成したうえで、一方の基板３の接合基材
Ｔｉ上にＡｕ層を１μｍ程度の厚さに形成するととも
に、他方の基板４の接合基材Ｔｉ上にＳｉ層を０．５μ
ｍ程度の厚さに形成し、さらにその上からＡｕ層を０．
０５μｍ程度の厚さに形成して、加圧した状態で加熱す
ることによって両基板３，４の接合部分におけるＳｉと
Ａｕとの合金化を図って両者を接合させるようにする。
つの基板３，４がＳｉ半導体基板以外からなる場合、そ
の各基板３，４の接合面に、密着性を向上させるために
チタンＴｉからなる接合基材の層をそれぞれ０．１μｍ
程度の厚さに形成したうえで、一方の基板３の接合基材
Ｔｉ上にＡｕ層を１μｍ程度の厚さに形成するととも
に、他方の基板４の接合基材Ｔｉ上にＳｉ層を０．５μ
ｍ程度の厚さに形成し、さらにその上からＡｕ層を０．
０５μｍ程度の厚さに形成して、加圧した状態で加熱す
ることによって両基板３，４の接合部分におけるＳｉと
Ａｕとの合金化を図って両者を接合させるようにする。
【００２６】なお、この場合にあっても、基板４側のＳ
ｉ層の上にＡｕ層を設けることなく、基板３側のＡｕ層
と基板４側のＳｉ層とを直接つき合せて、その接合部分
の加熱による合金化を図るようにしてもよい。
ｉ層の上にＡｕ層を設けることなく、基板３側のＡｕ層
と基板４側のＳｉ層とを直接つき合せて、その接合部分
の加熱による合金化を図るようにしてもよい。
【００２７】基板３，４の密着性を向上させるための接
合基材としては、チタンＴｉ以外に、ニッケル，白金な
どが用いられる。
合基材としては、チタンＴｉ以外に、ニッケル，白金な
どが用いられる。
【００２８】図６に、ガスレートセンサのセンサ本体に
おける下側半導体基板５と上側半導体基板６とを本発明
によって接合させる場合の一例を示している。
おける下側半導体基板５と上側半導体基板６とを本発明
によって接合させる場合の一例を示している。
【００２９】ここでは、Ｓｉ基板の所定箇所にＳｉＮか
らなるマスクパターン１１を形成したうえでＫＯＨ水溶
液を用いて異方性エッチングにより溝形成した上側半導
体基板５の接合面におけるマスクパターン１１上にチタ
ンＴｉなどの接合基材の層を介して１μｍ程度の厚さの
Ａｕ層を形成するようにしている。
らなるマスクパターン１１を形成したうえでＫＯＨ水溶
液を用いて異方性エッチングにより溝形成した上側半導
体基板５の接合面におけるマスクパターン１１上にチタ
ンＴｉなどの接合基材の層を介して１μｍ程度の厚さの
Ａｕ層を形成するようにしている。
【００３０】そして、同じく、Ｓｉ基板の所定箇所にＳ
ｉＮからなるマスクパターンを形成したうえでＫＯＨ水
溶液を用いて異方性エッチングにより溝形成した上側半
導体基板６におけるマスクパターンをエッチング処理に
よって除去してＳｉ基板を裸出させたうえで、直後にそ
の接合面に０．０５μｍ程度の厚さのＡｕ層を形成する
ようにしている。
ｉＮからなるマスクパターンを形成したうえでＫＯＨ水
溶液を用いて異方性エッチングにより溝形成した上側半
導体基板６におけるマスクパターンをエッチング処理に
よって除去してＳｉ基板を裸出させたうえで、直後にそ
の接合面に０．０５μｍ程度の厚さのＡｕ層を形成する
ようにしている。
【００３１】このように本発明によれば、マイクロマシ
ニング加工された下側半導体基板５と上側半導体基板６
との接合を、薄膜形成技術を用いて、容易かつ確実に行
わせることができるようになる。
ニング加工された下側半導体基板５と上側半導体基板６
との接合を、薄膜形成技術を用いて、容易かつ確実に行
わせることができるようになる。
【００３２】なお、下側半導体基板５には図４に示すよ
うにヒートワイヤ９１，９２が形成されているために、
エッチング液を用いて下側半導体基板５におけるマスク
パターンの除去を行わせるとヒートワイヤ９１，９２が
損なわれてしまうおそれがあるので、下側半導体基板５
のマスクパターン１１をそのままとしている。
うにヒートワイヤ９１，９２が形成されているために、
エッチング液を用いて下側半導体基板５におけるマスク
パターンの除去を行わせるとヒートワイヤ９１，９２が
損なわれてしまうおそれがあるので、下側半導体基板５
のマスクパターン１１をそのままとしている。
【００３３】
【発明の効果】以上、本発明による半導体基板接合方法
にあっては、１種類の半田材料Ａｕを用いて半導体基板
同士の接合を強固に、かつ熱的および化学的安定性をも
って行わせることができ、また、比較的低い加熱温度で
接合部分の共晶合金化を図ることができて、近傍に配設
される素子に熱的な悪影響を与えるようなことを有効に
抑制することができるという利点を有している。
にあっては、１種類の半田材料Ａｕを用いて半導体基板
同士の接合を強固に、かつ熱的および化学的安定性をも
って行わせることができ、また、比較的低い加熱温度で
接合部分の共晶合金化を図ることができて、近傍に配設
される素子に熱的な悪影響を与えるようなことを有効に
抑制することができるという利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による２つの半導体基板の接
合状態を示す正面図である。
合状態を示す正面図である。
【図２】本発明の他の実施例による２つの半導体基板の
接合状態を示す正面図である。
接合状態を示す正面図である。
【図３】半導体基板のマイクロマシニング加工により形
成されるガスフローセンサのセンサ本体の一構成例を示
す斜視図である。
成されるガスフローセンサのセンサ本体の一構成例を示
す斜視図である。
【図４】図３に示したセンサ本体における下側半導体基
板の平面図である。
板の平面図である。
【図５】図３に示すセンサ本体の正断面図である。
【図６】ガスレートセンサのセンサ本体における下側半
導体基板と上側半導体基板とを本発明によって接合させ
る場合の接合状態の一例を示す正面図である。
導体基板と上側半導体基板とを本発明によって接合させ
る場合の接合状態の一例を示す正面図である。
【図７】従来の２つの半導体基板の接合状態を示す正面
図である。
図である。
１ Ｓｉ半導体基板 ２ Ｓｉ半導体基板 ３ 一般的な半導体基板 ４ 一般的な半導体基板 ５ 下側半導体基板 ６ 上側半導体基板 ７ ノズル孔 ８ ガス通路 ９１ ヒートワイヤ ９２ ヒートワイヤ
Claims (5)
- 【請求項１】 ２つのＳｉ（シリコン）半導体基板を接
合させる際、少なくとも一方の半導体基板の接合面にＡ
ｕ（金）層を形成したうえで、加圧した状態で加熱する
ことによって両半導体基板の接合部分におけるＳｉとＡ
ｕとの合金化を図って両者を接合させるようにした半導
体基板接合方法。 - 【請求項２】 半導体基板の接合面をエッチング処理し
たうえでＡｕ層を形成するようにしたことを特徴とする
前記第１項の記載による半導体基板接合方法。 - 【請求項３】 ＳｉとＡｕとの共晶温度よりも高い温度
で、窒素ガス中で加熱するようにしたことを特徴とする
前記第１項の記載による半導体基板接合方法。 - 【請求項４】 ２つの半導体基板の各接合面に、チタ
ン，ニッケル，白金などの接合基材の層をそれぞれ形成
したうえで、一方の半導体基板の接合基材上にＡｕ層を
形成するとともに、他方の半導体基板の接合基材上にＳ
ｉ層を形成し、加圧した状態で加熱することによって両
半導体基板の接合部分におけるＳｉとＡｕとの合金化を
図って両者を接合させるようにした半導体基板接合方
法。 - 【請求項５】 他方の半導体基板のＳｉ層上にさらにＡ
ｕ層を形成したことを特徴とする前記第４項の記載によ
る半導体基板接合方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051052A JPH05200539A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体基板接合方法 |
| EP92121262A EP0552466A3 (en) | 1992-01-24 | 1992-12-14 | Method for joining semiconductor substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051052A JPH05200539A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体基板接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05200539A true JPH05200539A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=12876038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4051052A Pending JPH05200539A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体基板接合方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0552466A3 (ja) |
| JP (1) | JPH05200539A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730990B2 (en) | 2000-06-30 | 2004-05-04 | Seiko Epson Corporation | Mountable microstructure and optical transmission apparatus |
| JP2017218360A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 日本新工芯技株式会社 | 再生シリコン部材の製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3613838B2 (ja) * | 1995-05-18 | 2005-01-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| EP0895282A3 (en) * | 1997-07-30 | 2000-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of preparing a SOI substrate by using a bonding process, and SOI substrate produced by the same |
| US5993414A (en) * | 1998-04-23 | 1999-11-30 | Medtronic, Inc. | Implantable device |
| FR2834283B1 (fr) | 2001-12-28 | 2005-06-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede et zone de scellement entre deux substrats d'une microstructure |
| AU2003206552A1 (en) | 2002-02-14 | 2003-09-04 | Silex Microsystems Ab | Deflectable microstructure and method of manufacturing the same through bonding of wafers |
| US7538401B2 (en) | 2005-05-03 | 2009-05-26 | Rosemount Aerospace Inc. | Transducer for use in harsh environments |
| US7400042B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-07-15 | Rosemount Aerospace Inc. | Substrate with adhesive bonding metallization with diffusion barrier |
| US7628309B1 (en) * | 2005-05-03 | 2009-12-08 | Rosemount Aerospace Inc. | Transient liquid phase eutectic bonding |
| DE102007048332A1 (de) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Robert Bosch Gmbh | Verbund aus mindestens zwei Halbleitersubstraten sowie Herstellungsverfahren |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1374626A (en) * | 1970-10-30 | 1974-11-20 | Matsushita Electronics Corp | Method of making a semiconductor device |
| US3921885A (en) * | 1973-06-28 | 1975-11-25 | Rca Corp | Method of bonding two bodies together |
| DE2742922C2 (de) * | 1977-09-23 | 1984-03-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum mittelbaren Verbinden zweier Teile |
| JPS5817421B2 (ja) * | 1979-02-02 | 1983-04-07 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力センサ |
| JPS62147736A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-01 | Nec Corp | 半導体素子の搭載方法 |
| EP0255644B1 (de) * | 1986-08-08 | 1992-06-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors |
-
1992
- 1992-01-24 JP JP4051052A patent/JPH05200539A/ja active Pending
- 1992-12-14 EP EP92121262A patent/EP0552466A3/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730990B2 (en) | 2000-06-30 | 2004-05-04 | Seiko Epson Corporation | Mountable microstructure and optical transmission apparatus |
| JP2017218360A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 日本新工芯技株式会社 | 再生シリコン部材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0552466A3 (en) | 1996-08-07 |
| EP0552466A2 (en) | 1993-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0253691A2 (en) | Silicon die bonding process | |
| JPH05200539A (ja) | 半導体基板接合方法 | |
| EP0265090B1 (en) | Method for making multisensor piezoelectric elements | |
| CN104973564A (zh) | 用于共晶键合两个载体装置的方法 | |
| KR20140017446A (ko) | 열 압착 본딩용 본딩 패드, 본딩 패드 제조 방법, 및 소자 | |
| KR20140017445A (ko) | 열압착 본딩을 위한 본딩 패드의 제조 방법 및 본딩 패드 | |
| US4112196A (en) | Beam lead arrangement for microelectronic devices | |
| JPH0552863A (ja) | 半導体ガスフローセンサ | |
| JP3870637B2 (ja) | シリコンウェハの接合方法 | |
| JPS62259475A (ja) | 半導体圧力変換器及びその製造方法 | |
| JP2000214028A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2000340804A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JP2000180282A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2001150398A (ja) | シリコンウェハの接合方法 | |
| JPH06273441A (ja) | 半導体式加速度センサの製造方法 | |
| JP3375533B2 (ja) | 半導体圧力変換器 | |
| JPS61230383A (ja) | 半導体センサ | |
| JP2000241274A (ja) | 半導体圧力センサの部品、半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPS63148136A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP3387345B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPS62260371A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP2007266294A (ja) | 半導体素子集積デバイス、半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH102821A (ja) | 半導体チップの接合構造及びその接合方法 | |
| JPH03191527A (ja) | 半導体素子の電極構造 | |
| JPH01206228A (ja) | 半導体歪ゲージ式圧力センサの製造方法 |