JPS5817589A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS5817589A JPS5817589A JP56113723A JP11372381A JPS5817589A JP S5817589 A JPS5817589 A JP S5817589A JP 56113723 A JP56113723 A JP 56113723A JP 11372381 A JP11372381 A JP 11372381A JP S5817589 A JPS5817589 A JP S5817589A
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- Japan
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- pattern
- conductor pattern
- permalloy
- magnetic bubble
- magnetic
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子、特にファンクシヨン部
のパルス電磁特性を改善したコンダクタパターンＯ形状
に関するものである一 −ｆＲにｍ気バプルメ篭り素子は、チップ上に浄虞され
九パーマーイＡターνを外部から印加するａ＠磁昇によ
り磁化することによって磁気バブルを転送させている。
のパルス電磁特性を改善したコンダクタパターンＯ形状
に関するものである一 −ｆＲにｍ気バプルメ篭り素子は、チップ上に浄虞され
九パーマーイＡターνを外部から印加するａ＠磁昇によ
り磁化することによって磁気バブルを転送させている。
まえ、この磁気パプルメ４９素子は、磁気パズルの転送
以外にも磁気バブルの＊＊、消去、トランス７アインシ
よびトラシス７アアウトなどの機能を有している。そし
て、これら機能はコンダクタと称するアル電二りム中金
などの導体パターンに電流を流し、これによって生じる
局部磁界により磁気バブルを制御することによってそれ
すれの機能を実現させて−る。
以外にも磁気バブルの＊＊、消去、トランス７アインシ
よびトラシス７アアウトなどの機能を有している。そし
て、これら機能はコンダクタと称するアル電二りム中金
などの導体パターンに電流を流し、これによって生じる
局部磁界により磁気バブルを制御することによってそれ
すれの機能を実現させて−る。
これらの機能部において線、パーマ四イパターンとコン
ダクタパターンとの位置関係が極めて重要でｈＭ％特に
トランス７アイシおよびトツシス７アアウト部のように
磁気バブルを移動すゐことを目的とし九横能部にお―で
は、パーマ四イノ（ターンの先端部とコンダクタパター
ンの端部との位置関係が極めて重要となる。一方、−（
−マロイノターンおよびコンダクタパターンのバターｙ
ｆ／ｉ虞には、本トマスクを利用してＡｙ−ンＯ露光訃
よび現像を′行な−、その後エツチングによ為方法が一
般的に用いられてい為。壕九、パーマ關イパタ−ｙとコ
ンダクタパターンとの位置関係は露光時のマスク合わせ
が極めて重要な要因である。しかしながら、前遠しえよ
うにパーマロイパターンの先端部とコンダクタパターン
の端部との位置合わせが重要であるにもかかわらず、パ
ーマロイパターン先端部とコンダクタパターン増部の重
なリニヨ夛、パーマロイパターンがホトマスクを正確に
再現で自ず、その九めに位置関係が大きくずれるという
側照があった。
ダクタパターンとの位置関係が極めて重要でｈＭ％特に
トランス７アイシおよびトツシス７アアウト部のように
磁気バブルを移動すゐことを目的とし九横能部にお―で
は、パーマ四イノ（ターンの先端部とコンダクタパター
ンの端部との位置関係が極めて重要となる。一方、−（
−マロイノターンおよびコンダクタパターンのバターｙ
ｆ／ｉ虞には、本トマスクを利用してＡｙ−ンＯ露光訃
よび現像を′行な−、その後エツチングによ為方法が一
般的に用いられてい為。壕九、パーマ關イパタ−ｙとコ
ンダクタパターンとの位置関係は露光時のマスク合わせ
が極めて重要な要因である。しかしながら、前遠しえよ
うにパーマロイパターンの先端部とコンダクタパターン
の端部との位置合わせが重要であるにもかかわらず、パ
ーマロイパターン先端部とコンダクタパターン増部の重
なリニヨ夛、パーマロイパターンがホトマスクを正確に
再現で自ず、その九めに位置関係が大きくずれるという
側照があった。
第１１！Ｉｍは従来よ）用いられているトランス７アイ
ｙゲート部のパターン配置を示す千画図である。
ｙゲート部のパターン配置を示す千画図である。
同図ＫＴｈいてｈ １ ａ〜１４ ｍ ２ ｍ−２ｔ
＠ ３ ｈ〜３ ｍはパーマロイパターンであり、４
杜上記パーマロイパメ−ｙ ｌ ａ〜１櫨、２ａ−２＃
、３ａ〜３・形成面に層間絶縁属を介して形成されたコ
ンダクタパターンである。
＠ ３ ｈ〜３ ｍはパーマロイパターンであり、４
杜上記パーマロイパメ−ｙ ｌ ａ〜１櫨、２ａ−２＃
、３ａ〜３・形成面に層間絶縁属を介して形成されたコ
ンダクタパターンである。
−ｔｔ、て、上記パーマロイパターン１ａｍ１ｂｓｌ・
。
。
１−はメジャループ１の一部を形６、成し、パーマ回イ
パターン２ｍ、２ｂ、２＊＊２シ、１ｍ、ｌＫはマイナ
ループ２の一部を形成している。また、パーマロイパタ
ーンＳａ１８ｋｍｌ［相］線磁気バブルをメジヤループ
１かもマイナループ宜へ移す転送補助ループ３を形成し
、この中でパーマロイバターｙ３＠はマイナループ２の
一部も形成している。
パターン２ｍ、２ｂ、２＊＊２シ、１ｍ、ｌＫはマイナ
ループ２の一部を形成している。また、パーマロイパタ
ーンＳａ１８ｋｍｌ［相］線磁気バブルをメジヤループ
１かもマイナループ宜へ移す転送補助ループ３を形成し
、この中でパーマロイバターｙ３＠はマイナループ２の
一部も形成している。
このように構成されたトランスファインダート部にかい
て、トランスファイン動作を行なうときには、回転磁界
ＩＸｌによ１磁気バブルがノく−マロイパターン１ｂＫ
きたときにコンダクタ・（ターン４に所定のパルス電流
を流し、この磁気バブルをパーマロイパターン３番へ移
す。このトｌ、）ｆｆンスファインの動作特性でコンダ
クタノ（ターン４とパーマロイパターン３ａ間のギャッ
プ１が極めて重要であり、製造上のギャップ１の偏差（
／（ラツ午）を小さく抑える必要がある。
て、トランスファイン動作を行なうときには、回転磁界
ＩＸｌによ１磁気バブルがノく−マロイパターン１ｂＫ
きたときにコンダクタ・（ターン４に所定のパルス電流
を流し、この磁気バブルをパーマロイパターン３番へ移
す。このトｌ、）ｆｆンスファインの動作特性でコンダ
クタノ（ターン４とパーマロイパターン３ａ間のギャッ
プ１が極めて重要であり、製造上のギャップ１の偏差（
／（ラツ午）を小さく抑える必要がある。
と仁ろ−１このギャップ１寸法は、ノ（−マロイパター
ンを作製するときのホトマスクのコンダクタパターン４
に対する位置の間係上あ〉、ホトマスタの位置合わせ寸
法１′と直線関係になら１％／％ことボわかつ九。すな
わち、コンダクタノ（ターν、′１・ −・ ４に／（−１１ａイパターン用のホトマスクな食わせ九
と亀、パーマロイパターン３１の先端部がコンダクタパ
ターン４と重なる場合、つ１１１７≦Ｏの場合％１０値
はホトマスクの値とパーマロイパターｙｏ寸法ボ等しい
よ５に露光される。しかしながら、コンダクタパターン
４に対してパーマロイパターンｓｂ ｏ＊ｊｌｌｌが噛
れるように、つま９１〉・とな為ようにマスク合わせ一
行なわれ丸場合。
ンを作製するときのホトマスクのコンダクタパターン４
に対する位置の間係上あ〉、ホトマスタの位置合わせ寸
法１′と直線関係になら１％／％ことボわかつ九。すな
わち、コンダクタノ（ターν、′１・ −・ ４に／（−１１ａイパターン用のホトマスクな食わせ九
と亀、パーマロイパターン３１の先端部がコンダクタパ
ターン４と重なる場合、つ１１１７≦Ｏの場合％１０値
はホトマスクの値とパーマロイパターｙｏ寸法ボ等しい
よ５に露光される。しかしながら、コンダクタパターン
４に対してパーマロイパターンｓｂ ｏ＊ｊｌｌｌが噛
れるように、つま９１〉・とな為ようにマスク合わせ一
行なわれ丸場合。
パーマロイパターンｓＩＩの先端部はホトマスクのパタ
ーンよｐ％０．５〜ＬＯＪＩ■Ｓ＊小さくなる。この丸
めＫｊＯ値はホトマスタ合わせ精変以上に、変動するこ
とにｅｌｌ、 ｔ、たがってホトマスク合わせ０＠１１
１ｉＫ対してトランスファイン特性の偏差が大―（１に
為というＭｌｌがあった。
ーンよｐ％０．５〜ＬＯＪＩ■Ｓ＊小さくなる。この丸
めＫｊＯ値はホトマスタ合わせ精変以上に、変動するこ
とにｅｌｌ、 ｔ、たがってホトマスク合わせ０＠１１
１ｉＫ対してトランスファイン特性の偏差が大―（１に
為というＭｌｌがあった。
し−ＩＩＬ−りτ本発明は、ホトマスク合わせのずれに
対してチップ上のパーマロイパターンとコンダクタパタ
ーンとＯ位置ずれ、すなわちパーマ費イパターシ先端Ｉ
ＩＯ寸法変化が少なく、＊性優鶴Ｏ少愈ＨＡターンｌｌ
状を備え電磁気バプルメ４９素子をＩＩ償す為ことを１
的としている。
対してチップ上のパーマロイパターンとコンダクタパタ
ーンとＯ位置ずれ、すなわちパーマ費イパターシ先端Ｉ
ＩＯ寸法変化が少なく、＊性優鶴Ｏ少愈ＨＡターンｌｌ
状を備え電磁気バプルメ４９素子をＩＩ償す為ことを１
的としている。
以下■爾を用いて本発明の実権例を詳細Ｋ１１ｌｌす為
。
。
まず１本発明の実検ｆ１４ｔ−説明する以前に本発―の
理解を害鳥にする九めにパーマロイパターンとコンダク
タパターンとの位置ずれの発生層１１について説明する
。゛すなわち、前述しえようにパーｉ目イパターｙの先
端部がコンダクタパターンから離れてマスク合わせされ
た場合、チップ上のパーマロイパターンの先端部よりも
（Ｌ５〜１．ＯｊｍｌｉｌＦ小さくなるということＫあ
る。この原因は、コンダクタパターンが層間絶縁属を介
して形成されていることからパーマロイパターｙＫ段差
が生じてい為ことＫｍ係している。すなわち第１図に示
し九トツシスファインゲート部の新面は％まずコンダク
タパターン４があシ、この上１１に図示しない８１０３
などの層間絶縁属をスベーナとして形威し。
理解を害鳥にする九めにパーマロイパターンとコンダク
タパターンとの位置ずれの発生層１１について説明する
。゛すなわち、前述しえようにパーｉ目イパターｙの先
端部がコンダクタパターンから離れてマスク合わせされ
た場合、チップ上のパーマロイパターンの先端部よりも
（Ｌ５〜１．ＯｊｍｌｉｌＦ小さくなるということＫあ
る。この原因は、コンダクタパターンが層間絶縁属を介
して形成されていることからパーマロイパターｙＫ段差
が生じてい為ことＫｍ係している。すなわち第１図に示
し九トツシスファインゲート部の新面は％まずコンダク
タパターン４があシ、この上１１に図示しない８１０３
などの層間絶縁属をスベーナとして形威し。
さらにこＯ上面にパーマロイ属を菖蕾などによ）形威す
為。そして、乙のパーマ田イ膜にホトレジストを塗布し
、マスクを用いて露光す為。ところが、コンダタタパタ
ー７４０属厚はｌ１０．４ａｍ＠吹でｈ為ので、し九が
って、コン〆タタパターν４が形成されている部分と、
コνダタタノ（！−ν４が形成されて％Ａ″＆い部分と
で段差が生じることになる。そして、この段差はそのま
まパーマロイ膜に％残り、壜た、ホトレジストにも残る
。コノ九め、ホトマスクをホトレジスト材に書着させ九
場舎、ツンダタタＡターν４０あゐ部分はホトレジスト
とホトマスクとが密菅すゐが、コンダクタパター７４Ｍ
１に％／％部分は上記段差のために間隙が生ずる。そし
て、このパーマロイ膜を露光すると亀、ツンダ、タタＡ
ターｙ４の壜い部分では、この陽隙〇九め、光０１ｌ）
迅みが生じ、ホトレジストへのパターンの領写が不十分
とをヤ、その結果、形成され九パターンが細（なるとい
う現象が生じる。
為。そして、乙のパーマ田イ膜にホトレジストを塗布し
、マスクを用いて露光す為。ところが、コンダタタパタ
ー７４０属厚はｌ１０．４ａｍ＠吹でｈ為ので、し九が
って、コン〆タタパターν４が形成されている部分と、
コνダタタノ（！−ν４が形成されて％Ａ″＆い部分と
で段差が生じることになる。そして、この段差はそのま
まパーマロイ膜に％残り、壜た、ホトレジストにも残る
。コノ九め、ホトマスクをホトレジスト材に書着させ九
場舎、ツンダタタＡターν４０あゐ部分はホトレジスト
とホトマスクとが密菅すゐが、コンダクタパター７４Ｍ
１に％／％部分は上記段差のために間隙が生ずる。そし
て、このパーマロイ膜を露光すると亀、ツンダ、タタＡ
ターｙ４の壜い部分では、この陽隙〇九め、光０１ｌ）
迅みが生じ、ホトレジストへのパターンの領写が不十分
とをヤ、その結果、形成され九パターンが細（なるとい
う現象が生じる。
し丸がって１本発明はこのよう壜欠点く対処す為丸めｇ
：ｌｙダタタパターンの形状に改善を行なり九％Ｏ″Ｉ
Ｆある。
：ｌｙダタタパターンの形状に改善を行なり九％Ｏ″Ｉ
Ｆある。
嬉意園は本実＠によ為磁気パプルメ篭り素子の一例を讃
−す１九めＯトランスファインゲート部の第１−Ｋｌｌ
！ｌす為平面図であり、第１図と同葡号は同一要素とな
為Ｏでその説明は省略する。第１−Ｋかいて、Ｓａ第ｉ
ｌｌに示し九コｙダタタパターｙ４と同等０横能を有す
るコンダクタパターンでアｌｌ、このコンダクタノ（タ
ーンｓＫは、パーマ田イノ（ターン３ａＯ長さ方向に延
在する方向にこの／（Ｙロイパターン３ａのパターン幅
よ）％幅が広い突出部５ａが形成され、この突出部５ａ
はパーマ四イパターン３ａの先端部に図示しない層間絶
縁膜を介して重畳して構成されている。
−す１九めＯトランスファインゲート部の第１−Ｋｌｌ
！ｌす為平面図であり、第１図と同葡号は同一要素とな
為Ｏでその説明は省略する。第１−Ｋかいて、Ｓａ第ｉ
ｌｌに示し九コｙダタタパターｙ４と同等０横能を有す
るコンダクタパターンでアｌｌ、このコンダクタノ（タ
ーンｓＫは、パーマ田イノ（ターン３ａＯ長さ方向に延
在する方向にこの／（Ｙロイパターン３ａのパターン幅
よ）％幅が広い突出部５ａが形成され、この突出部５ａ
はパーマ四イパターン３ａの先端部に図示しない層間絶
縁膜を介して重畳して構成されている。
このような構成によれば、コンダクタパターンｉとＯ位
置関係が重要なパーｆｆｔ１イノ（ターン３１の先端部
は、マスク合わせがずれても常にコンダクタパターン箇
の突出部５ａと重なってかり、前述しえようにコンダク
タパターン＠Ｏ段差によるホトマスクの密着下風による
）（−マロイパターν３＆の先端部が小さく壜るという
間ＷＲが改善されるととになゐ。
置関係が重要なパーｆｆｔ１イノ（ターン３１の先端部
は、マスク合わせがずれても常にコンダクタパターン箇
の突出部５ａと重なってかり、前述しえようにコンダク
タパターン＠Ｏ段差によるホトマスクの密着下風による
）（−マロイパターν３＆の先端部が小さく壜るという
間ＷＲが改善されるととになゐ。
一方、トランスファインゲート０１１ｆＩＩＫついて考
慮すると、このコンダクタパターン蕩０＠崗郁Ｓａは特
性に与えゐ彰響は極めて小１！ｉ匹。このトランスファ
インゲートは、 ＷｆｆｌｏＡルス電謔によ）Ｉｌｆｉ
バブルをパーマ四イパターｙ１ｂの位置からパー！璽イ
パターン３ａＫ移すのに必要なことは、コンダクタパタ
ーンＩＫ流したパルス電ＩＩの作為磁界である。このた
め、同図に示しえように＝＊ｙダタタパターンＳＫ突出
部Ｓａを設けて ′％、ｉｉもＫｍパーマーイパター
ン３１０食長の長さまで置けてもζＯＸ出部５ａＫｓｉ
れゐ電流はほとんど會（、第１ＩＩのコンダクタパター
ン４と。
慮すると、このコンダクタパターン蕩０＠崗郁Ｓａは特
性に与えゐ彰響は極めて小１！ｉ匹。このトランスファ
インゲートは、 ＷｆｆｌｏＡルス電謔によ）Ｉｌｆｉ
バブルをパーマ四イパターｙ１ｂの位置からパー！璽イ
パターン３ａＫ移すのに必要なことは、コンダクタパタ
ーンＩＫ流したパルス電ＩＩの作為磁界である。このた
め、同図に示しえように＝＊ｙダタタパターンＳＫ突出
部Ｓａを設けて ′％、ｉｉもＫｍパーマーイパター
ン３１０食長の長さまで置けてもζＯＸ出部５ａＫｓｉ
れゐ電流はほとんど會（、第１ＩＩのコンダクタパター
ン４と。
第雪−で示し大事発明のコンダクタパターンＳＫ
ｌ電流を、滝し丸場舎に生じる磁界分布は燻ぼ同等とな
る。し九−って、トランスファインダー電流滝４１１１
１ＥＫ与えゐ―響は無視することがで自ることに１＆為
。
ｌ電流を、滝し丸場舎に生じる磁界分布は燻ぼ同等とな
る。し九−って、トランスファインダー電流滝４１１１
１ＥＫ与えゐ―響は無視することがで自ることに１＆為
。
１にシ、上記夷總飼においては、トランスファインゲー
ト部に本発明を適用し丸場合について説―し九が１本尭
ｆＩ紘これＩＩＣＩＩＩ定され為ものではなく、 ・
：１ｙ〆タタパターンに電流を流し、磁気バブルを
１パー！胃イパターンの先端部へ移す横−を有す為部分
１例え式トランスファアウトゲート、レプリケートダー
ト、スフツブゲートなどに適用してもそｏｗｎ作原職か
らして前述と愈〈閂ＶＳＯ効果−ＩＩＡ４られることは
明らかである。
ト部に本発明を適用し丸場合について説―し九が１本尭
ｆＩ紘これＩＩＣＩＩＩ定され為ものではなく、 ・
：１ｙ〆タタパターンに電流を流し、磁気バブルを
１パー！胃イパターンの先端部へ移す横−を有す為部分
１例え式トランスファアウトゲート、レプリケートダー
ト、スフツブゲートなどに適用してもそｏｗｎ作原職か
らして前述と愈〈閂ＶＳＯ効果−ＩＩＡ４られることは
明らかである。
以上説明したように本発明によれば、コンダクタパター
ンにパーマロイパターンの先端部と重畳する突出部を設
けたことによって、マスク合わせずれが生じても特性偏
差の極めて少ない磁気バブルメモリ素子を生産性良く得
られるという極めて優れた効果を有する。
ンにパーマロイパターンの先端部と重畳する突出部を設
けたことによって、マスク合わせずれが生じても特性偏
差の極めて少ない磁気バブルメモリ素子を生産性良く得
られるという極めて優れた効果を有する。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子のトランスファイ
ゲート部を示す平面図、第２図は本発明による磁気バブ
ルメモリ素子の一例を示すトランスファインゲート部の
平面図である。 １＠・・・メジャループｈ ｌａ〜１ｄ・・−・パーマ
四イパターン、２・・・・マイナル−ニア’、２ａ〜２
ｆ ・−−φパ＋＋ｆ四４ パターン、３・・・・＠ａ
ｔｗｍループ％３ａ〜３・ｅ＠・・パーマＷ（パターン
、５・・・・コンダクタパターン、ｓａ ・−・・突出
部。 第１ＷＡ 第２図
ゲート部を示す平面図、第２図は本発明による磁気バブ
ルメモリ素子の一例を示すトランスファインゲート部の
平面図である。 １＠・・・メジャループｈ ｌａ〜１ｄ・・−・パーマ
四イパターン、２・・・・マイナル−ニア’、２ａ〜２
ｆ ・−−φパ＋＋ｆ四４ パターン、３・・・・＠ａ
ｔｗｍループ％３ａ〜３・ｅ＠・・パーマＷ（パターン
、５・・・・コンダクタパターン、ｓａ ・−・・突出
部。 第１ＷＡ 第２図
Claims (1)
- （１）パーマロイパターンからなる磁気バブル転送路に
コンダタタパターンを縮合させ、該コンダクタパターν
に電流を流すことによって磁気バブル會制御す為礁気バ
プルメ鳴り素子において、餉記コνダタタパターンに、
鉤１ｌＩｉ５磁気バブル転通補助用パーマ璽イパターン
の長さ方向と重畳する央出部を設けえことを特徴とする
磁気バブルメ４亨素子。 （至）鎗ｅｘ出Ｓ辻餉記コンダタタパターンの幅よりも
幅広く設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気パプルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113723A JPS5817589A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113723A JPS5817589A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817589A true JPS5817589A (ja) | 1983-02-01 |
| JPS6334556B2 JPS6334556B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=14619503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113723A Granted JPS5817589A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817589A (ja) |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP56113723A patent/JPS5817589A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6334556B2 (ja) | 1988-07-11 |
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