JPS5817614A - 気相成長膜形成装置 - Google Patents
気相成長膜形成装置Info
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- JPS5817614A JPS5817614A JP11662781A JP11662781A JPS5817614A JP S5817614 A JPS5817614 A JP S5817614A JP 11662781 A JP11662781 A JP 11662781A JP 11662781 A JP11662781 A JP 11662781A JP S5817614 A JPS5817614 A JP S5817614A
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- Japan
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- reaction tube
- vapor phase
- film forming
- inert gas
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は気相成長膜形成装置に係り、特に、半導体基板
のコンタクト部における電気的接触を完全にすることが
できる構造に関するものである。
のコンタクト部における電気的接触を完全にすることが
できる構造に関するものである。
半導体装置における配線、ゲート電極等の膜形成には広
く気相成長法が用いらｎておシ、上記膜形成装置として
は、拡散炉型反応管を用いウェハーを立てて並べ、減圧
下で膜を生成する、いわゆる減圧式気相成長装置が広く
用いらｎている。
く気相成長法が用いらｎておシ、上記膜形成装置として
は、拡散炉型反応管を用いウェハーを立てて並べ、減圧
下で膜を生成する、いわゆる減圧式気相成長装置が広く
用いらｎている。
しかしながら、上記、気相成長装置によシ、配線、ゲー
ト電極等に用いられる多結晶質硅素を生成させた場合、
下地基板と完全な電気的接触をとｎない場合がある。こ
ｆ′Ｌは、ウェハーを上記気相成長装置の反応管内へ入
れる時、コンタクト部へ薄い酸化膜が形成されるためで
ある。このように、基板又は下層配線鳩と完全な電気的
接触がとｎない場合、半導体装置は不良と々す、好まし
くない事態である。
ト電極等に用いられる多結晶質硅素を生成させた場合、
下地基板と完全な電気的接触をとｎない場合がある。こ
ｆ′Ｌは、ウェハーを上記気相成長装置の反応管内へ入
れる時、コンタクト部へ薄い酸化膜が形成されるためで
ある。このように、基板又は下層配線鳩と完全な電気的
接触がとｎない場合、半導体装置は不良と々す、好まし
くない事態である。
本発明の目的は、上記の欠点を除去する装置を提供する
ことにあり、半導体基板と多結晶質硅素との間に完全な
電気的接触が可能となる。
ことにあり、半導体基板と多結晶質硅素との間に完全な
電気的接触が可能となる。
上記目的を達成するために本発明においては、拡散炉型
反応管入口前方の上部へ不活性ガス吹出し口を設けるこ
とで半導体基板と多結晶質硅素との間の完全な電気的接
触をとることを要旨とする。
反応管入口前方の上部へ不活性ガス吹出し口を設けるこ
とで半導体基板と多結晶質硅素との間の完全な電気的接
触をとることを要旨とする。
こｎによシウエハーを上記気相成長装置の反応管内へ入
ｎる時、空気中の酸素を巻込み、コンタクト部へ薄い酸
化膜が形成さｆるという事態を防止できる。上記方法に
よシ、上記気相成長装置により多結晶質硅素生成を行っ
た場合、半導体基板と多結晶質硅素との間の完全な電気
的接触が可能となり、こｎにより半導体装置の不良化を
防止するという利点を持つ。
ｎる時、空気中の酸素を巻込み、コンタクト部へ薄い酸
化膜が形成さｆるという事態を防止できる。上記方法に
よシ、上記気相成長装置により多結晶質硅素生成を行っ
た場合、半導体基板と多結晶質硅素との間の完全な電気
的接触が可能となり、こｎにより半導体装置の不良化を
防止するという利点を持つ。
以下図面を用いて、本発明を具体的に説明する。
第１図は本発明の一実′施例を示す断面図である。
図中１は加熱炉２は反応管、３＃ｉウエハー、４はウェ
ハー支持台、５は不活性ガス吹出し口、６は排気方向で
ある。即ち、本実施例においては、従来装置へ不活性ガ
ス吹出し口５を追加したものである。
ハー支持台、５は不活性ガス吹出し口、６は排気方向で
ある。即ち、本実施例においては、従来装置へ不活性ガ
ス吹出し口５を追加したものである。
この様に構成された装置を用いて半導体基板上へ多結晶
質硅素を生成する方法を説明する先づ不活性ガス吹出し
口より窒素を流し、この状態で、ウェハーを載看したウ
ェハー支持台４を反応管２の中へ入れる。ウェハー支持
台４が反応管２の中へ入った後は、不活性ガス吹出し口
５よシ窄素を止める。以後は通常の成長工程を行う。
質硅素を生成する方法を説明する先づ不活性ガス吹出し
口より窒素を流し、この状態で、ウェハーを載看したウ
ェハー支持台４を反応管２の中へ入れる。ウェハー支持
台４が反応管２の中へ入った後は、不活性ガス吹出し口
５よシ窄素を止める。以後は通常の成長工程を行う。
以上の様にウェハー支持台を反応管内へ入ｎる時に不活
性ガスを反応管入口前方の上方より吹出することにより
、半導体基板のコンタクト部における電気的接触を完全
にすることができ半導体装置の不良化を防ぐことが可能
である。
性ガスを反応管入口前方の上方より吹出することにより
、半導体基板のコンタクト部における電気的接触を完全
にすることができ半導体装置の不良化を防ぐことが可能
である。
第１図は本発明による気相成長装置の一実施例を示す断
面図である。 同図において １・・・・・・加熱炉、２・・−・・・反応管、３・・
・・・・ウェハー４・・・・・・ウェハー支持台、５・
・・・・・不活性ガス吹出し口、６・・・・・・排気方
向である。
面図である。 同図において １・・・・・・加熱炉、２・・−・・・反応管、３・・
・・・・ウェハー４・・・・・・ウェハー支持台、５・
・・・・・不活性ガス吹出し口、６・・・・・・排気方
向である。
Claims (1)
- 炉型反応管と、前記炉型反応管の内部に保持され複数の
ウェハが載置支持されるウェハ支持台と、前記炉型反応
管の内部を昇温する手段と、前記炉型反応管を長手方向
に排気する手段とを含む気相成長膜形成装置において、
前記炉型反応管入口前方の上部へ不活性ガス吹出し口を
設は喪ことを特徴とする気相成長膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11662781A JPS5817614A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 気相成長膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11662781A JPS5817614A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 気相成長膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817614A true JPS5817614A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14691871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11662781A Pending JPS5817614A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 気相成長膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817614A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176342A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-08 | ジーン ルー レンテ | 直接固定型人工股関節 |
| JPS62344A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-06 | 京セラ株式会社 | 高位脱臼補整用スペ−サ |
| JPH03126113U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11662781A patent/JPS5817614A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176342A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-08 | ジーン ルー レンテ | 直接固定型人工股関節 |
| JPS62344A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-06 | 京セラ株式会社 | 高位脱臼補整用スペ−サ |
| JPH03126113U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 |
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