JPS58177600A - メモリ・システム - Google Patents
メモリ・システムInfo
- Publication number
- JPS58177600A JPS58177600A JP58051715A JP5171583A JPS58177600A JP S58177600 A JPS58177600 A JP S58177600A JP 58051715 A JP58051715 A JP 58051715A JP 5171583 A JP5171583 A JP 5171583A JP S58177600 A JPS58177600 A JP S58177600A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- bit
- card
- address
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/88—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with partially good memories
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1012—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using codes or arrangements adapted for a specific type of error
- G06F11/1024—Identification of the type of error
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明はメモリ・アドレスの自動的スキューを行わしめ
ることにより、訂正不能なエラーを有するメモリ・ワー
ドを、エラー訂正符号によって訂1丁可能なエラーを有
するメモリ・ワードへ変更することに係る。
ることにより、訂正不能なエラーを有するメモリ・ワー
ドを、エラー訂正符号によって訂1丁可能なエラーを有
するメモリ・ワードへ変更することに係る。
多くのエラー訂正及び検出方式は、訂正可能なエラーの
数よりも多いエラを検出可能でるることが知られている
。1ことえば、64データ・ピントのメモリ・ワードは
、該メモリ・ワードと同じ位置に記憶され1こ8検査ビ
ツトを使用することにより、1ピント・エラーを訂正し
且つ2ビツト・エラーを検出することができる。かくて
、データ及び検査ビットを記憶する72セルのうち任意
の1つに障害が生じたとしても、これをエラー訂正回路
によって訂正することが可能となる。このエラー訂正回
路は1メモリ・ワードに存在する2ビツト・エラーを検
出するためにも使用することができるが、一般にはかか
る2ビツト・エラーを訂正することはできない。すなわ
ち、1ピントの障害が生じた場合には、この特定の障害
ピントを識別して訂正することができるけれども、2ビ
ツトの障害が生じた場合には?′一般にその発生事実を
検出することができるだけで、これらの障害ピントを識
別して訂正することはできないのである。
数よりも多いエラを検出可能でるることが知られている
。1ことえば、64データ・ピントのメモリ・ワードは
、該メモリ・ワードと同じ位置に記憶され1こ8検査ビ
ツトを使用することにより、1ピント・エラーを訂正し
且つ2ビツト・エラーを検出することができる。かくて
、データ及び検査ビットを記憶する72セルのうち任意
の1つに障害が生じたとしても、これをエラー訂正回路
によって訂正することが可能となる。このエラー訂正回
路は1メモリ・ワードに存在する2ビツト・エラーを検
出するためにも使用することができるが、一般にはかか
る2ビツト・エラーを訂正することはできない。すなわ
ち、1ピントの障害が生じた場合には、この特定の障害
ピントを識別して訂正することができるけれども、2ビ
ツトの障害が生じた場合には?′一般にその発生事実を
検出することができるだけで、これらの障害ピントを識
別して訂正することはできないのである。
前述の如く、2ビツト・エラーの訂正に関連して「一般
に」という用語が使用されたのは、1工ラー訂正符号の
成るものが特定の型の2ビツト・エラー、たとえば位置
的にに接する2ビツト・エラーを訂正することがめると
いう理由による。しかしながら、必ずしもすべての2ビ
ツト・エラーが訂正可能なパターンで生ずるわけではな
い。従って、−膜化して説明すると、エラー訂正及び検
出方式はその訂正能力よりも多い数のエラーを検出する
、と云うことができる。
に」という用語が使用されたのは、1工ラー訂正符号の
成るものが特定の型の2ビツト・エラー、たとえば位置
的にに接する2ビツト・エラーを訂正することがめると
いう理由による。しかしながら、必ずしもすべての2ビ
ツト・エラーが訂正可能なパターンで生ずるわけではな
い。従って、−膜化して説明すると、エラー訂正及び検
出方式はその訂正能力よりも多い数のエラーを検出する
、と云うことができる。
訂正可能なエラーよりも多い数のエラーを検出しうると
いう、前述の如きエラー訂正符号の能力を有効に利用す
る1こめに、米国特許第5644902号に、検出可能
でるるか、訂正不能なエラーを、検出可能でしかも訂正
可能なエラーへ変更するための手段を開示している。こ
の特許では、メモリ・ユニットは複数の了レイから成り
、該了レイの各々は当該メモリ・ユニットにおける1ビ
ツト位置のすべてのビットを保持するようにされている
。これらのアレイは、所与のメ手り・ワードがアドレス
されるときその適正なビットが各アレイから選択される
ように、デコーダ回路を通してそれぞれアドレスされる
。この特許で示唆されているのに、デコーダへ供給され
るアドレスを永久的に修正し、かくてアレイを物理的に
スワップして諸ピノifメモリ・ワード間でスワップす
ることにより、訂正不能なエラーを有するメモリ・ワー
ドを訂正可能なエラーを有するメモリ・ワードへ変更す
る、ということでろろ。
いう、前述の如きエラー訂正符号の能力を有効に利用す
る1こめに、米国特許第5644902号に、検出可能
でるるか、訂正不能なエラーを、検出可能でしかも訂正
可能なエラーへ変更するための手段を開示している。こ
の特許では、メモリ・ユニットは複数の了レイから成り
、該了レイの各々は当該メモリ・ユニットにおける1ビ
ツト位置のすべてのビットを保持するようにされている
。これらのアレイは、所与のメ手り・ワードがアドレス
されるときその適正なビットが各アレイから選択される
ように、デコーダ回路を通してそれぞれアドレスされる
。この特許で示唆されているのに、デコーダへ供給され
るアドレスを永久的に修正し、かくてアレイを物理的に
スワップして諸ピノifメモリ・ワード間でスワップす
ることにより、訂正不能なエラーを有するメモリ・ワー
ドを訂正可能なエラーを有するメモリ・ワードへ変更す
る、ということでろろ。
他の米国特許第3812336号及びIBMTechn
ical Disctosure Bulleti
n。
ical Disctosure Bulleti
n。
Vol、1 6、屋4、September 197
5、page i 245なる文献には、メモリ・ビッ
トのスワップを行うためのアドレス修正方式が記述さレ
テいる。この方式では、特定ビット・了レイのデコーダ
へ供給されるアドレスは、メモリ・ワードの特定ピント
位置に関連するシフト・レジスタに記憶されたデータの
1関数として、論理回路によって修正される石ちこの論
理回路は、特定ピント位置のデコーダに加わる各入力ご
とに1つの排他的ORゲートを含んでいる。排他的OR
ゲートの各々はその入力としてワード・アドレスの1デ
イジント及び成るシフト・レジスタ段の出力を受取り、
そしてその出力をデコーダの1人力へ供給する。
5、page i 245なる文献には、メモリ・ビッ
トのスワップを行うためのアドレス修正方式が記述さレ
テいる。この方式では、特定ビット・了レイのデコーダ
へ供給されるアドレスは、メモリ・ワードの特定ピント
位置に関連するシフト・レジスタに記憶されたデータの
1関数として、論理回路によって修正される石ちこの論
理回路は、特定ピント位置のデコーダに加わる各入力ご
とに1つの排他的ORゲートを含んでいる。排他的OR
ゲートの各々はその入力としてワード・アドレスの1デ
イジント及び成るシフト・レジスタ段の出力を受取り、
そしてその出力をデコーダの1人力へ供給する。
前記文献のものでは、障害ピントのデコーダ入力アドレ
スは、この障害ピントが要求されるときこれに〕代って
ビット位負0がアクセスされるように、シフト・レジス
タに配置される。一方、前記特許のものでは、ガロア体
の敲る数が各シフト・レジスタ段にそれぞれ記憶される
。すなわち、0が第1ピント位置のシフト・レジスタに
記憶され、以下同様の操作が行われて、最後に必要とさ
れる最大数が最終ピント位置のシフト・レジスタに記憶
されるのでめる。多重ピント・エラーが検出されろ場合
、第1ビット位置のシフト・レジスタを除く各シフト・
レジスタは1ガロア数だけシフトされる。このことは障
害メモリ・ワードを構成する諸ピントを分散させること
によって、検出された多重ピント・エラーが取除かれる
ことを保証する。この分散の結果、障害ピントの各々は
異なるメモリ・ワードに終結し、かくて訂正不能な多重
ビット・エラー状態が訂正可能な多数の1ビツト・エラ
ー状態へ変更されることになる。
スは、この障害ピントが要求されるときこれに〕代って
ビット位負0がアクセスされるように、シフト・レジス
タに配置される。一方、前記特許のものでは、ガロア体
の敲る数が各シフト・レジスタ段にそれぞれ記憶される
。すなわち、0が第1ピント位置のシフト・レジスタに
記憶され、以下同様の操作が行われて、最後に必要とさ
れる最大数が最終ピント位置のシフト・レジスタに記憶
されるのでめる。多重ピント・エラーが検出されろ場合
、第1ビット位置のシフト・レジスタを除く各シフト・
レジスタは1ガロア数だけシフトされる。このことは障
害メモリ・ワードを構成する諸ピントを分散させること
によって、検出された多重ピント・エラーが取除かれる
ことを保証する。この分散の結果、障害ピントの各々は
異なるメモリ・ワードに終結し、かくて訂正不能な多重
ビット・エラー状態が訂正可能な多数の1ビツト・エラ
ー状態へ変更されることになる。
この方式の1つの利点は、検出された多重ビット エラ
ー状態が1回の試行操作で除去されるという点にある。
ー状態が1回の試行操作で除去されるという点にある。
また、この操作で以前に訂正された多重ピント・エラー
状態が再現しないという利点もめる。しかしながら、こ
の方式に訂正中のメモリ・ワード又は他のメモリ・ワー
ドに訂正不能な新しいエラー状態を生せしめることかめ
る。この生起確率は、メモリが大容量となり且つ障害ピ
ントの数が増えるにつれて、増大する傾向かめる。
状態が再現しないという利点もめる。しかしながら、こ
の方式に訂正中のメモリ・ワード又は他のメモリ・ワー
ドに訂正不能な新しいエラー状態を生せしめることかめ
る。この生起確率は、メモリが大容量となり且つ障害ピ
ントの数が増えるにつれて、増大する傾向かめる。
従って、一層改良されたビット・スワップ方式を提供す
ることが望ましい。
ることが望ましい。
前記文献は、障害ビットの位置が既知である場合にはそ
のアクセスを回避しうろことを示している。また、米国
特許第3781826号及び第6897626号には、
障害ビットの位置に関するテスト結果を使用し、該位置
に従って諸チップを複数のグループへ分割することが記
述されている。
のアクセスを回避しうろことを示している。また、米国
特許第3781826号及び第6897626号には、
障害ビットの位置に関するテスト結果を使用し、該位置
に従って諸チップを複数のグループへ分割することが記
述されている。
後者の特許のものでは、同じセクションに障害領域を有
する各チップは各メモリ・カード上に同じパターンで配
置される。そして、どのメモリ・ワードも1より多い障
害ピントを含まないように、エラーをスキューさせるた
めのアドレス配線が行わ躯。もしエラー検出及び訂正手
段によって所与の障害が検出されるならば1.、障害メ
モリ・ワードのアドレスの2セクシヨンを排他的ORす
ることにより、障害ピットを識別することができる。
する各チップは各メモリ・カード上に同じパターンで配
置される。そして、どのメモリ・ワードも1より多い障
害ピントを含まないように、エラーをスキューさせるた
めのアドレス配線が行わ躯。もしエラー検出及び訂正手
段によって所与の障害が検出されるならば1.、障害メ
モリ・ワードのアドレスの2セクシヨンを排他的ORす
ることにより、障害ピットを識別することができる。
本発明によれば、メモリ・ワード間のビット・スワツピ
ングは、当該メモリにおける障害ビットに関するデータ
を使用することによって行われる。
ングは、当該メモリにおける障害ビットに関するデータ
を使用することによって行われる。
ビット・了ドレスの置換(permutation)H
排他的プロセスによって行われ、該プロセスは(メモリ
のエラー訂正回路によっては訂正不能な)ビット障害の
整列に帰着するようなアドレスの組合せを識別するとと
もに、他の組合せに対する選択プロセスを制限する。訂
正不能な障害の組合せを決定するために、種々の障害は
、チップ障害、ワード線障害、ビット線障害又はビット
障害の如き型によって類別される。然る後、ビット・ア
ドレスは、障害の数の減少順に置換される。
排他的プロセスによって行われ、該プロセスは(メモリ
のエラー訂正回路によっては訂正不能な)ビット障害の
整列に帰着するようなアドレスの組合せを識別するとと
もに、他の組合せに対する選択プロセスを制限する。訂
正不能な障害の組合せを決定するために、種々の障害は
、チップ障害、ワード線障害、ビット線障害又はビット
障害の如き型によって類別される。然る後、ビット・ア
ドレスは、障害の数の減少順に置換される。
従って、不発明の目的に、訂正不能なエラー状態を訂正
可能なエラー状態へ変更するように、メモリ・ワード中
のピントをスリップする1こめの方式を提供することに
るる。
可能なエラー状態へ変更するように、メモリ・ワード中
のピントをスリップする1こめの方式を提供することに
るる。
不発明の他の目的は、メモリ中の障害セルに関するデー
タを使用してメモリ・ワード中のビットをスリップする
ことにめる・ 、□′! 本発明の他の目的は、エラーの′1型によって類別わ、
、、。え。、、−ケア、い’I−e9.ヮー1゜中のビ
ットをスワップすること二ニる。
タを使用してメモリ・ワード中のビットをスリップする
ことにめる・ 、□′! 本発明の他の目的は、エラーの′1型によって類別わ、
、、。え。、、−ケア、い’I−e9.ヮー1゜中のビ
ットをスワップすること二ニる。
\
〔発明の詳細な説明〕 \
゛\
第7図を参照するに、72ビツト(n、=72)のメモ
リ・ワードを構成する各ビット位装置B1 乃至B の記憶セル1oは、各ビット位置に72 対応する各メモリ・カード12中の複数のアレイ14に
それぞれ配列される。アレイil:f:16ビツトのア
レイであり、各セル1oは4本のワード線18と4本の
ビット線2oの交点にそれぞれ配置される。各アレイ1
4は対応するワード・デコーダ22及びビット・デコー
ダ24を通してアドレスされ、該デコーダは2ピツト・
アドレスwo1W 及びBB をそれぞれ受取る。
リ・ワードを構成する各ビット位装置B1 乃至B の記憶セル1oは、各ビット位置に72 対応する各メモリ・カード12中の複数のアレイ14に
それぞれ配列される。アレイil:f:16ビツトのア
レイであり、各セル1oは4本のワード線18と4本の
ビット線2oの交点にそれぞれ配置される。各アレイ1
4は対応するワード・デコーダ22及びビット・デコー
ダ24を通してアドレスされ、該デコーダは2ピツト・
アドレスwo1W 及びBB をそれぞれ受取る。
1 0ゝ 1
各アレイ14に関連するワード・テコ2ダ22及びビッ
ト・デコーダ24に加えて、各カード12にチップ・ア
ドレス・ビットCo′、C1′を受寧ろようなチップ・
デコーダ26を含む。このチップ・デコーダ26は、所
与のANDゲート28を付勢するこぎよって、各カード
12に設けられた4個のアレイ14のうち1個の出力を
選択する。
ト・デコーダ24に加えて、各カード12にチップ・ア
ドレス・ビットCo′、C1′を受寧ろようなチップ・
デコーダ26を含む。このチップ・デコーダ26は、所
与のANDゲート28を付勢するこぎよって、各カード
12に設けられた4個のアレイ14のうち1個の出力を
選択する。
チップ・アドレス・ビットC′、C′は排1
他的OR回路50及び32のそれぞれの出力でろシ、該
回路はメモリ・アドレス・レジスタ33からアドレス・
ビットco、、C1を受取るとともに、シフト・レジス
タ形式の制御レジスタ34から他のアドレス・ビットz
o1 Zlをそれぞれ受取る。
回路はメモリ・アドレス・レジスタ33からアドレス・
ビットco、、C1を受取るとともに、シフト・レジス
タ形式の制御レジスタ34から他のアドレス・ビットz
o1 Zlをそれぞれ受取る。
従って、もしアトシス・ピントZ o 1Z 1がとも
に0であれは、チップ・デコーダ26はメモリ・アドレ
ス・レジスタ63によって要求された特定のアレイ14
をアクセスすることになる。さもなければ、すなわち制
御レジスタ34中のアドレス・ビットZo1Z1の組合
せが他のものであれば、チップ・デコーダ26は他の5
個の了レイ14のうち1個をアクセスする。
に0であれは、チップ・デコーダ26はメモリ・アドレ
ス・レジスタ63によって要求された特定のアレイ14
をアクセスすることになる。さもなければ、すなわち制
御レジスタ34中のアドレス・ビットZo1Z1の組合
せが他のものであれば、チップ・デコーダ26は他の5
個の了レイ14のうち1個をアクセスする。
要約すると、メモリ・了ドレス・レジスタ33は6丁ド
レス・ビットco、C1、WO,Wl、B a 1B
1をすべてのカード12a乃至12nへ共通に転送する
。各カード12では、了ドレス・ビットWo1W1、B
o、B、U4個の了レイ14にめる同じセル10を7ク
セスする。了ドレス・ピントC′、C1′は各カード1
2に設けられた4個のチップのうち1個を選択し、かく
てその出力をアクセスされたメモリ・ワードのビットB
乃至B の1つとして読出す。もし了p1
p72 ドレス・ビットzo1 zlがともに0であれば、各カ
ード12の同じ了レイ14にめる同じビット位置がアク
セスされる。一方、もし任意のカード12iに設けられ
た制御レジスタ34の内容2゜、zlがともに0でなけ
れば、このカー+”12iのビット出力B 、は他の了
レイ14の同じピント1 位置から供給される。
レス・ビットco、C1、WO,Wl、B a 1B
1をすべてのカード12a乃至12nへ共通に転送する
。各カード12では、了ドレス・ビットWo1W1、B
o、B、U4個の了レイ14にめる同じセル10を7ク
セスする。了ドレス・ピントC′、C1′は各カード1
2に設けられた4個のチップのうち1個を選択し、かく
てその出力をアクセスされたメモリ・ワードのビットB
乃至B の1つとして読出す。もし了p1
p72 ドレス・ビットzo1 zlがともに0であれば、各カ
ード12の同じ了レイ14にめる同じビット位置がアク
セスされる。一方、もし任意のカード12iに設けられ
た制御レジスタ34の内容2゜、zlがともに0でなけ
れば、このカー+”12iのビット出力B 、は他の了
レイ14の同じピント1 位置から供給される。
本発明に従って、制御レジスタ34の内容はチップの障
害に関する記憶データに基いて選択される・図示された
実施態様では、これらの障害は型によって類別される。
害に関する記憶データに基いて選択される・図示された
実施態様では、これらの障害は型によって類別される。
すなわち、この記憶データは当該チップに存在する障害
の型を指定する。第2図を参照すれば、このことが一層
良(理、解できる。第2図に第1図に示したものと同じ
4個のカードA。乃至A3を示しているが、ここでは互
いに異がる4種類の障害が生じうるものと想定されてい
る。即ち、カードAOではチップ10上のすべてのビッ
トが障害を有する。これをチップ障害(又はチップ・キ
ル)と呼ぶ。チップ障害を識別するには、当該チップの
了ドレスに続いて4個のXを与えることが必要でめる(
例: 10、XXXX)。
の型を指定する。第2図を参照すれば、このことが一層
良(理、解できる。第2図に第1図に示したものと同じ
4個のカードA。乃至A3を示しているが、ここでは互
いに異がる4種類の障害が生じうるものと想定されてい
る。即ち、カードAOではチップ10上のすべてのビッ
トが障害を有する。これをチップ障害(又はチップ・キ
ル)と呼ぶ。チップ障害を識別するには、当該チップの
了ドレスに続いて4個のXを与えることが必要でめる(
例: 10、XXXX)。
また、カードAoのチップ11でに、ワード線10土の
すべてのビットが障害を有する。これをワード線障害と
呼ぶ。ワード馨障害を識別するには、当該チップの了ド
レス及び当該ワード線のアドレスに続いて2個のXを与
えることが必要でるる(例:11.10、xX)。第3
の型の障害は、所うのビット線に沿って配列されたすべ
てのビットが応答しないようなものでるる。これをビッ
ト線障害と呼ぶ。カードA2では、チップ10上のピン
ト線10がこのような障害を有する。ビット線障害を識
別するには、当該チップの了ドレスと当該ビット線の了
ドレスとの間に2個のXを一入することが必要でめる(
例;10、XX、10)。
すべてのビットが障害を有する。これをワード線障害と
呼ぶ。ワード馨障害を識別するには、当該チップの了ド
レス及び当該ワード線のアドレスに続いて2個のXを与
えることが必要でるる(例:11.10、xX)。第3
の型の障害は、所うのビット線に沿って配列されたすべ
てのビットが応答しないようなものでるる。これをビッ
ト線障害と呼ぶ。カードA2では、チップ10上のピン
ト線10がこのような障害を有する。ビット線障害を識
別するには、当該チップの了ドレスと当該ビット線の了
ドレスとの間に2個のXを一入することが必要でめる(
例;10、XX、10)。
最後の型の障害は、カードA3のチップ11に見られる
ような、ビット障害でるる。このビット障害を識別する
には、当該ビットのチップ・アドレス、ワード・アドレ
ス及びピント線アドレスを与えることが必要でるる(例
:11.00.10)。
ような、ビット障害でるる。このビット障害を識別する
には、当該ビットのチップ・アドレス、ワード・アドレ
ス及びピント線アドレスを与えることが必要でるる(例
:11.00.10)。
第2図には、前記した型の種々の障害が示されている。
これらの障害ビットを識別するための障害マツプは次の
ようになる。
ようになる。
l Aoj)=10、XX、 XX: 11.10、x
xA、=11.00、XX J p、 、 =OD、11、xx:1o、XX、10
J A、=11.00.10 6コ 但し、(A、、)=カードA、に設けられたアレイI
J 、1における既知の
障害ビットのア ドレス XX=リストされた了ドレスにおける 障害状態 第2図から理解しうるように、この単純化されたメモリ
の諸ワードは、すべてのカードのすべての制御レジスタ
64において2 及びZ2がともにDヘセントされてい
るとき、多重ピント・エラー状態を有することになろう
。たとえば、メモリ・ワード110010は、カードA
におけるワ−ド線障害及びカードA3におけるビット
線障害の結果として、多重ビット・エラー状態を有する
。
xA、=11.00、XX J p、 、 =OD、11、xx:1o、XX、10
J A、=11.00.10 6コ 但し、(A、、)=カードA、に設けられたアレイI
J 、1における既知の
障害ビットのア ドレス XX=リストされた了ドレスにおける 障害状態 第2図から理解しうるように、この単純化されたメモリ
の諸ワードは、すべてのカードのすべての制御レジスタ
64において2 及びZ2がともにDヘセントされてい
るとき、多重ピント・エラー状態を有することになろう
。たとえば、メモリ・ワード110010は、カードA
におけるワ−ド線障害及びカードA3におけるビット
線障害の結果として、多重ビット・エラー状態を有する
。
捷たメモリ・ワード1000’10.100110.1
01010及びI D 1110H、カードAoにオケ
るチップ障害及びカードA2におけるピット線障害の結
果として、多重ビット・エラー状態を治する。
01010及びI D 1110H、カードAoにオケ
るチップ障害及びカードA2におけるピット線障害の結
果として、多重ビット・エラー状態を治する。
米国特許第3812336号で記述されているように、
これらの多重ピント・エラー状態ハ、1つ以との制御レ
ジスタろ4中のデータを変更することによって取除くこ
とができる。たとえば、メモリ・ワード110010に
おける2ピント・エラー状態は、カードA5における完
全なチップのビットを使用すること(よって顧除くこと
ができる。このことを可能にするに社、制御レジスタ3
4dの内容゛を00から01.30又は11へ変更すれ
ばよい。しかしながら、制御レジスタ54dの内容を選
択する場合、他のワード線に多重ピント・エラー状態を
導入しないように注意しなければならない。このため、
不発、明では所与のアルゴリズムに従ってコード化され
たプロセッサ手段を使用し、前述の如き障害マツプ中の
データを調べることによシ、制御レジスタ′54の内容
の種々の組合せについて生ずる各種の衝突を識別するよ
うにしている。
これらの多重ピント・エラー状態ハ、1つ以との制御レ
ジスタろ4中のデータを変更することによって取除くこ
とができる。たとえば、メモリ・ワード110010に
おける2ピント・エラー状態は、カードA5における完
全なチップのビットを使用すること(よって顧除くこと
ができる。このことを可能にするに社、制御レジスタ3
4dの内容゛を00から01.30又は11へ変更すれ
ばよい。しかしながら、制御レジスタ54dの内容を選
択する場合、他のワード線に多重ピント・エラー状態を
導入しないように注意しなければならない。このため、
不発、明では所与のアルゴリズムに従ってコード化され
たプロセッサ手段を使用し、前述の如き障害マツプ中の
データを調べることによシ、制御レジスタ′54の内容
の種々の組合せについて生ずる各種の衝突を識別するよ
うにしている。
ここで、CRCR4・・・・・・、CRn−1を0ゝ
n個の制御レジスタ64の内容であると仮定し、CR,
の各々がrビット長でるると仮定する。また、(Ai
j)がカードA、に存在する1組の障害ビットのアドレ
ス(障害、アドレスの集合)でめると仮定する。障害ア
ドレスの集合(A、、)がIJ 与えられると、制御レジスタの内容CR,は、複! 数組の計りF結果cRe(A 、)、CR2$(11コ A )、・・・・・・、CR■(A 、)が互いに2
J n nj素
となるように選ばれなければならない。これは、以下の
アルゴリズムに従って制御レジスタの内容CRを計算す
ることにより、完全にすることができろ。云いかえれば
、制御レジスタの内容CR。
の各々がrビット長でるると仮定する。また、(Ai
j)がカードA、に存在する1組の障害ビットのアドレ
ス(障害、アドレスの集合)でめると仮定する。障害ア
ドレスの集合(A、、)がIJ 与えられると、制御レジスタの内容CR,は、複! 数組の計りF結果cRe(A 、)、CR2$(11コ A )、・・・・・・、CR■(A 、)が互いに2
J n nj素
となるように選ばれなければならない。これは、以下の
アルゴリズムに従って制御レジスタの内容CRを計算す
ることにより、完全にすることができろ。云いかえれば
、制御レジスタの内容CR。
はいかなるエラーも同じワードに置かれないようなもの
でなければならない。これに次のようにして行うことが
できる。
でなければならない。これに次のようにして行うことが
できる。
ステップ
1、CRo=00 をセント
2、 八 二零 をセント
3:i=0 をセット
4 : A =AU(A、−)$cR,を計NIJ
1 5: i =i+1 をセット 6: B、=A■(A、、) を計算1
1J 7 :CR,=B、(B、にはない任意の要素′)、1
1 1 をセット 8:もしY7が空(零集合)でめれば、終了する。
1 5: i =i+1 をセット 6: B、=A■(A、、) を計算1
1J 7 :CR,=B、(B、にはない任意の要素′)、1
1 1 をセット 8:もしY7が空(零集合)でめれば、終了する。
9:もしi ” n −1であれば、出口に行く。さも
なければ、ステップ4に行き、上記ステップを継続する
。
なければ、ステップ4に行き、上記ステップを継続する
。
但し、IA、、)=カードA、(i=[1,1、・・I
J 、 1・・、n−1
)上の障害アドレ スの集合 l =任意のカード0、・・・・、n−IA =当該ア
ルゴリズムによって決 定され且つ使用される累積さ れた置換障害アドレスの集合 U =集合論で使用される直利を表 わす記号 このアルゴリズムはAPLで実現することができ、これ
を流れ図の形式で示せば第4図のとおりである。但し、
この場合において、Aはアルゴリズム中の当該害行点ま
で置換されたすべての障害の論理アドレス・リストであ
シ、■は以下の真理値表によって定義された排他的OR
演算である。
J 、 1・・、n−1
)上の障害アドレ スの集合 l =任意のカード0、・・・・、n−IA =当該ア
ルゴリズムによって決 定され且つ使用される累積さ れた置換障害アドレスの集合 U =集合論で使用される直利を表 わす記号 このアルゴリズムはAPLで実現することができ、これ
を流れ図の形式で示せば第4図のとおりである。但し、
この場合において、Aはアルゴリズム中の当該害行点ま
で置換されたすべての障害の論理アドレス・リストであ
シ、■は以下の真理値表によって定義された排他的OR
演算である。
但し、0.1、Xは以下の真理値衣によって定義されろ
。
。
これらの真理値衣は、第3図に示した排他的OR回路の
動作を定義する。この排他的OR回路はハードウニ了形
式の実現形態で使用され、前述のアルゴリズムにおける
ステップ4及び6を計算するために使用することができ
る。
動作を定義する。この排他的OR回路はハードウニ了形
式の実現形態で使用され、前述のアルゴリズムにおける
ステップ4及び6を計算するために使用することができ
る。
ここで、第4図のアルゴリズムに第2図の障害子ドレス
をそれぞれ代入することにより、制御レジスタの内容C
R0をそれぞれ次のようにして求めることかできる。
をそれぞれ代入することにより、制御レジスタの内容C
R0をそれぞれ次のようにして求めることかできる。
ロ H′へ
−Hへ
の ト0
″ −f−F
O ’;x!、 () C)
”I−一一 −v−−−〇 ”へ p rv−C) 伽 、−、r−y C1− XX XX の N’+l/l 唖 O <<< ・−CQct5 峙
−ぐ の 史
トこのようにして求めたCRJ
を該当する制御しジスタ34に挿入すると、第2図に示
し10種々の障害は第5図に示すように適正に再配列さ
れることになる。すなわち、第2図のカードA2におけ
ろチップ・了ドレス00及び10は実効的に他のチップ
・了ドレス11及び01にそれぞれ変換され、そして第
2図のカードA6におけろチップ・了トレス11は実効
的に他のチップ・了ドレス00に変換されるのである。
″ −f−F
O ’;x!、 () C)
”I−一一 −v−−−〇 ”へ p rv−C) 伽 、−、r−y C1− XX XX の N’+l/l 唖 O <<< ・−CQct5 峙
−ぐ の 史
トこのようにして求めたCRJ
を該当する制御しジスタ34に挿入すると、第2図に示
し10種々の障害は第5図に示すように適正に再配列さ
れることになる。すなわち、第2図のカードA2におけ
ろチップ・了ドレス00及び10は実効的に他のチップ
・了ドレス11及び01にそれぞれ変換され、そして第
2図のカードA6におけろチップ・了トレス11は実効
的に他のチップ・了ドレス00に変換されるのである。
このアルゴリズムは他のソフトウェアで実現することも
できる。以下にはその1つの例が示されている。但し、
以下の例では、障害の表示は、殆んどのプログラミング
言語に適合するように、2進表示ではなく、10進表示
でなされている。
できる。以下にはその1つの例が示されている。但し、
以下の例では、障害の表示は、殆んどのプログラミング
言語に適合するように、2進表示ではなく、10進表示
でなされている。
第6図の4ピント・了レイは、アドレス・ピントが10
進表示で表わされている点を除くと、第2図の了レイと
同様の構成を有する。第6図で黒く示した領域は、当該
メモリの障害ビットを表わす。第6図から以下の障害マ
ンブを生成することができろ。
進表示で表わされている点を除くと、第2図の了レイと
同様の構成を有する。第6図で黒く示した領域は、当該
メモリの障害ビットを表わす。第6図から以下の障害マ
ンブを生成することができろ。
カード チップ ワード線 ビット線0 2
0 0 1 0 4 5 1 1 3 0 2 1 0 5 3 2 1 4第6図
から容易に理解しうるように、当初はメモリ・ワード(
1,3,3)及b(2,1,4)に訂正不能なエラーが
存在する。まず、10進表示がどのように作用するかを
理解するために、カード2へCR値2が加わり、4カー
ド3へCR値1が加わるものとする。そうすると、カー
ド2における障害チップの論理下ドレスは1から3へ変
わる。これは、その物理アドレス1と加えられりCR値
2との排他的OR演算結果でろる。同様に、カード3に
おける障害チップの論理下ドレスは2から3=2+1に
変わる。かくて、当該メモリは実効的に第7図に示すよ
うに再構成され、従って訂正不能なエラーはもはや存在
しないことがわかる。前述のように、cR値を適切に選
択することにより、第6図の実施態様における訂正不能
なエラーを分散させうろことを説明したので、以下でI
n A P Lで記述するに適したCR選択了ルゴリズ
ムを説明する。
0 0 1 0 4 5 1 1 3 0 2 1 0 5 3 2 1 4第6図
から容易に理解しうるように、当初はメモリ・ワード(
1,3,3)及b(2,1,4)に訂正不能なエラーが
存在する。まず、10進表示がどのように作用するかを
理解するために、カード2へCR値2が加わり、4カー
ド3へCR値1が加わるものとする。そうすると、カー
ド2における障害チップの論理下ドレスは1から3へ変
わる。これは、その物理アドレス1と加えられりCR値
2との排他的OR演算結果でろる。同様に、カード3に
おける障害チップの論理下ドレスは2から3=2+1に
変わる。かくて、当該メモリは実効的に第7図に示すよ
うに再構成され、従って訂正不能なエラーはもはや存在
しないことがわかる。前述のように、cR値を適切に選
択することにより、第6図の実施態様における訂正不能
なエラーを分散させうろことを説明したので、以下でI
n A P Lで記述するに適したCR選択了ルゴリズ
ムを説明する。
一層詳細には、このアルゴリズムは次のように進行する
。
。
(1) A(7をカード0における障害のリストでろ
るとする。かくて、このアルゴリズムの任意の実行点に
おけるAは、この点に至るまで障害チップの論理下ドレ
スで置換された障害のリストとなる。カード0は置換し
ないので、CR=Oとなる。
るとする。かくて、このアルゴリズムの任意の実行点に
おけるAは、この点に至るまで障害チップの論理下ドレ
スで置換された障害のリストとなる。カード0は置換し
ないので、CR=Oとなる。
(2)N=0 をセントする。
(3)Nを1だけ増分する。
(4)■二〇 をセットする。
(5)■を1だけ増分する。
(6) カードNにおける障害をANで表わし、AN
における第I番目の障害をANIで表わすものとする。
における第I番目の障害をANIで表わすものとする。
またAにおける全障害の論理チップ・アドレスを含む集
合でるって、ANIが所与の障害と同じ論理チップ・了
ドレスを占有するようにカードNが置換された場合には
ANIがこの障害とともに訂正不能エラーを生ぜしめる
ような特性を有する集合を、CANHITで表わすもの
とする。かくて、CANHITの1つの要素を、ANI
にその論理チップ・了ドレスとして与えるようなC’R
値を取除くことが要請される。これらのCR値は次のよ
うに表わされる。
合でるって、ANIが所与の障害と同じ論理チップ・了
ドレスを占有するようにカードNが置換された場合には
ANIがこの障害とともに訂正不能エラーを生ぜしめる
ような特性を有する集合を、CANHITで表わすもの
とする。かくて、CANHITの1つの要素を、ANI
にその論理チップ・了ドレスとして与えるようなC’R
値を取除くことが要請される。これらのCR値は次のよ
うに表わされる。
(ANIの物理チップ・了ドレス)([)CR#CAN
HIT。
HIT。
又は
CR4I′(ANIの物理チップ・了ドレス)■CAN
HITかくて、CANHIT中の値とANIの物理チッ
プ・アドレスとの排他的OR演算を行ない、そしてその
結果値を考察中のCR値の集合から取除く。
HITかくて、CANHIT中の値とANIの物理チッ
プ・アドレスとの排他的OR演算を行ない、そしてその
結果値を考察中のCR値の集合から取除く。
(7) もし工がAN中の障害の数よシ小さければ、
ステップ5に進む。
ステップ5に進む。
値が存在するならば、その1つの値(た、とえは最初の
値)を第N番目のカードに対するCR値として選択する
。さもなければ、終了する(この場合、当該メモリにお
ける訂正不能なすべてのエラーを分散させることに失敗
したことになる〕。
値)を第N番目のカードに対するCR値として選択する
。さもなければ、終了する(この場合、当該メモリにお
ける訂正不能なすべてのエラーを分散させることに失敗
したことになる〕。
(9) もしNが当該メモリにおける最終カードの番
号よりも小さければ、ステップ5に進む。さもなければ
、当該メモリにおける訂正不能なすべてのエラーを成功
裡に分散させたことになる。
号よりも小さければ、ステップ5に進む。さもなければ
、当該メモリにおける訂正不能なすべてのエラーを成功
裡に分散させたことになる。
以下のAPLプログラムは不明細書の補足資料として提
供される。
供される。
第6図のメモリに作用する場合のこのアルゴリズムを以
下カードごとに説明する。
下カードごとに説明する。
カード0:カード0を置換する必要にないから、CR=
0となる。かくてAは1×4の マトリクス(0,2,0,0)でめる。
0となる。かくてAは1×4の マトリクス(0,2,0,0)でめる。
カード1 :A111’X次に示すとおり2×4のマト
リクスでめる。
リクスでめる。
104’3
1 1 3 0
従って、A11は(1,0ミ4.3)でろシ、CANH
,IT=’2でめる。というのは、チップ障害(9・
2・ 0.0)とA11とが同一の論理チップ・アドレ
スへ置かれたならば、訂正不能エラーを生ぜしめるから
でるる。かくて、 CR((A 11の物理チップ・了ドレス)■CANH
IT。
,IT=’2でめる。というのは、チップ障害(9・
2・ 0.0)とA11とが同一の論理チップ・アドレ
スへ置かれたならば、訂正不能エラーを生ぜしめるから
でるる。かくて、 CR((A 11の物理チップ・了ドレス)■CANH
IT。
又は
CR@(pl$+2:、 又n
CR=2
を満足するようなCRが取除かれる。ここで、CRにつ
いての選択の余地は0.1及び3でめる。
いての選択の余地は0.1及び3でめる。
A12=(1,1,6、0)でめシ、そしてCANHI
Tは依然として2であるから、CR値3=1e2を取
除くことが望ましい。今やCRについての選択の余地は
0及び1でめる。CR=Oが選択され、かくてカード1
は全く置換されないことになる。この場合、Aは次のと
おシでるる。
Tは依然として2であるから、CR値3=1e2を取
除くことが望ましい。今やCRについての選択の余地は
0及び1でめる。CR=Oが選択され、かくてカード1
は全く置換されないことになる。この場合、Aは次のと
おシでるる。
0 2 0 0
A=1 0 4 5
1 1 5 0
カード2:A2=(2,1,0,3)でめり、CANH
’IT=0.1.2でろる。次の条件を満足するCRが
取除かれる。
’IT=0.1.2でろる。次の条件を満足するCRが
取除かれる。
C1Rt2 i−Φ1’0’; 1.2 )ME4.’
0.5 )今や残っている唯一のCR値はCR=2でろ
る。
0.5 )今や残っている唯一のCR値はCR=2でろ
る。
これを適用すると、A2における障害の論理アドレスは
(2,3,0,3)となり、従ってAは次のとおりとな
る。
(2,3,0,3)となり、従ってAは次のとおりとな
る。
0200
A二1043
1130
2306
−カー)”5:A3=(5,2,1,4)でろり、CA
NHI T=2でめる。e’R=O=2■2が取除かれ
る。CRについての選択の 余地に1.2.6でめる。CR=1が 選択され、従ってA6における障害の 論理アドレスは(3,3,1,4)と なる。最後的に、Aが次のように得ら れる。
NHI T=2でめる。e’R=O=2■2が取除かれ
る。CRについての選択の 余地に1.2.6でめる。CR=1が 選択され、従ってA6における障害の 論理アドレスは(3,3,1,4)と なる。最後的に、Aが次のように得ら れる。
0200
1045
A=1 1 5 0
2303
3314
基本的アルゴリズムについてなされた、簡単ではめるが
強力な増強策は、メモリの諸カードを考察する当該アル
ゴリズムの順序に関係する。前述のように、このアルゴ
リズムにこのメモリを”左1 から右へ″順次に進行する。すなわち、諸カードがその
順序0.1.2、・・・・・・どおシに考察されるので
るる。このアルゴリズムを大幅に改善するには、すべて
の状況について同一の任意的順序付けを使用するのでは
なく、考察中の特定の障害1ノブを考慮したカード順゛
序付けを使用することができる。
強力な増強策は、メモリの諸カードを考察する当該アル
ゴリズムの順序に関係する。前述のように、このアルゴ
リズムにこのメモリを”左1 から右へ″順次に進行する。すなわち、諸カードがその
順序0.1.2、・・・・・・どおシに考察されるので
るる。このアルゴリズムを大幅に改善するには、すべて
の状況について同一の任意的順序付けを使用するのでは
なく、考察中の特定の障害1ノブを考慮したカード順゛
序付けを使用することができる。
一般に、このアルゴリズムはエラーの数に従つ1、二カ
ードの順序付けを含む。このアルゴリズムを実行中の特
定の点で、CR値を探そうとしているカードが°°悪く
″なるにつれて、すなわちこのカードの“障害度”が犬
きくなるにつれて、そのC1化値に対する選択の余地は
一層小さくなる。さら((−1他のすべての条件が同等
でるる場合、このアルゴリズムで既に考慮された障害が
増大するにつオー1.て、集合” A″における障害に
よって既に占有で才1ているメモリ中の論理アドレスが
増大するので、、CR値に対する選択の余地が一層小さ
くなる。
ードの順序付けを含む。このアルゴリズムを実行中の特
定の点で、CR値を探そうとしているカードが°°悪く
″なるにつれて、すなわちこのカードの“障害度”が犬
きくなるにつれて、そのC1化値に対する選択の余地は
一層小さくなる。さら((−1他のすべての条件が同等
でるる場合、このアルゴリズムで既に考慮された障害が
増大するにつオー1.て、集合” A″における障害に
よって既に占有で才1ているメモリ中の論理アドレスが
増大するので、、CR値に対する選択の余地が一層小さ
くなる。
かくて、もしこのアルゴリズムが°′最悪′″のカー1
−’ =f最後に考慮するならば、その成功の見込みは
殆んどなく、従って該カードについて適切なCRを・見
出すことはできないでろろう。そうすると、これらのカ
ードを°゛最悪″の側から゛最良″の側−\順番に取る
ことが理に適っている。
−’ =f最後に考慮するならば、その成功の見込みは
殆んどなく、従って該カードについて適切なCRを・見
出すことはできないでろろう。そうすると、これらのカ
ードを°゛最悪″の側から゛最良″の側−\順番に取る
ことが理に適っている。
このような順序付けを正確KIj定するには、”最悪″
という意味を正確に決定することが必要でるる。これら
のカードを順序付ける土で成功を収めた簡単な方法は、
“最悪”のカードを゛最大”の障害セルを含むカードと
定義することでるる。
という意味を正確に決定することが必要でるる。これら
のカードを順序付ける土で成功を収めた簡単な方法は、
“最悪”のカードを゛最大”の障害セルを含むカードと
定義することでるる。
かくて、当該アルゴリズムでこの方式を使用すると、最
も障害の多いセルから順番に複数のセルが取られる。図
示されたメモリでは、各ピット線又は各ワード線の障害
は4障害セルとしてカウントされ、各チップ障害は16
障害セルとしてカウントされる。
も障害の多いセルから順番に複数のセルが取られる。図
示されたメモリでは、各ピット線又は各ワード線の障害
は4障害セルとしてカウントされ、各チップ障害は16
障害セルとしてカウントされる。
たとえば、前述の順序付は方式を第6図のメモリで使用
すると、当該アルゴリズムは複数のカードを0,1.2
.3の順番に取るので、当該アルゴリズムは成功するこ
とになる。
すると、当該アルゴリズムは複数のカードを0,1.2
.3の順番に取るので、当該アルゴリズムは成功するこ
とになる。
もちろん、他の順序方式も可能でろる。たとえば、゛′
最悪″″のカードを、障害のない完全なチップの数が最
も少ないカードとして定義することができる。
最悪″″のカードを、障害のない完全なチップの数が最
も少ないカードとして定義することができる。
アドレス置換を実現する際に可能な変形は、ワード線及
び/又はビット線アドレスをチップ・アドレスとともに
置換することでろる。
び/又はビット線アドレスをチップ・アドレスとともに
置換することでろる。
他の変形に第4図のステップ8を修正することVこより
、B が空である場合には、当該アルゴリズムが以前の
CR値の選択に戻り、そして1より多い選択が可能でめ
った場合とに異なる選択を行うよう(ですることでろる
。
、B が空である場合には、当該アルゴリズムが以前の
CR値の選択に戻り、そして1より多い選択が可能でめ
った場合とに異なる選択を行うよう(ですることでろる
。
第8図を参照するに、第1図に示したものと同様のメモ
リ40に通常のエラー訂正(FCC)論理42(でよっ
て検査される。ECC論理42からiJ +E不能エラ
ー信号が生ずると、メモリ・テスタ・14によってメモ
リ・アレイのテストが行われる。
リ40に通常のエラー訂正(FCC)論理42(でよっ
て検査される。ECC論理42からiJ +E不能エラ
ー信号が生ずると、メモリ・テスタ・14によってメモ
リ・アレイのテストが行われる。
デスタ44は、訂正不能エラーを有するメモ〃位置へテ
スト・パターンを印加するための装置でめろ。1ことえ
ば、テスタ44(グオール1のパターン(・こ続いてオ
ールOのパターンをこのようなメモリf、′LWへ印加
することにより、0又は1に縮退されflビットを決定
することができろ。障害ピントが識別された場合、これ
らのアドレスは障害マツプ46中のメモリに(本明細書
で説明した様式又は目的に応じて他の様式に従って)記
憶される。
スト・パターンを印加するための装置でめろ。1ことえ
ば、テスタ44(グオール1のパターン(・こ続いてオ
ールOのパターンをこのようなメモリf、′LWへ印加
することにより、0又は1に縮退されflビットを決定
することができろ。障害ピントが識別された場合、これ
らのアドレスは障害マツプ46中のメモリに(本明細書
で説明した様式又は目的に応じて他の様式に従って)記
憶される。
また訂正不能エラー状態は、制御レジスタ34中のデー
タを変更して訂正不能エラー状態を取除くために、置換
発生論理48の動作を開始させる。
タを変更して訂正不能エラー状態を取除くために、置換
発生論理48の動作を開始させる。
本発明に従った置換発生論理48は前述のアルゴリズム
を実行可能なマイクロコード化プロセッサでるる。
を実行可能なマイクロコード化プロセッサでるる。
置換発生論理4Bの出力にメモリ40の徨々のビット位
置に対するCR値でめるから、これらのCR値は制御レ
ジスタ34へ供給される。制御レジスタ34はLSSD
式シフト・レジスタで構成することが可能であり、こう
するとLSSDSS−ンに沿って適正な制御レジスタ段
へデータをシフトすることができる。
置に対するCR値でめるから、これらのCR値は制御レ
ジスタ34へ供給される。制御レジスタ34はLSSD
式シフト・レジスタで構成することが可能であり、こう
するとLSSDSS−ンに沿って適正な制御レジスタ段
へデータをシフトすることができる。
本発明の実施態様は前述のとおシでるるか、他の実施態
様も可能でるる。たとえば、前掲の米国特許第3812
336号に記述されているように、各ピントの位置を単
一のアレイに設けることも可能でるる。ま1こ、ワード
線及びピット線を置換することも可能である。
様も可能でるる。たとえば、前掲の米国特許第3812
336号に記述されているように、各ピントの位置を単
一のアレイに設けることも可能でるる。ま1こ、ワード
線及びピット線を置換することも可能である。
第1図は本発明が適用されるメモリの概略図、第2図は
第1図のメモリにおける1組の障害を示す図、第6図は
第1図のメモリで使用するに適した排他的OR回路を示
す図、第4図は訂正不能エラーを再配列するための本発
明のアルゴリズムを示す流れ図、第5図はメモリ・アド
レスを第4図のアルゴリズムに従って再配列した後の第
2図の1組の障害を示す図、第6図は第1図のメモリに
おける他の障害を示す図、第7図はメモリ・アドレスを
第4図のアルゴリズムに従って再記2列した後の第6図
の障害を示す図、第8図は不発明の実施態様を包含する
メモリ・システムを示すブロック図でるる。 出願人 インタブカショカル・ビジネス・マシーノズ
・コーポレーション代理人 弁理士 頓 宮
孝 −(外1名〕
第1図のメモリにおける1組の障害を示す図、第6図は
第1図のメモリで使用するに適した排他的OR回路を示
す図、第4図は訂正不能エラーを再配列するための本発
明のアルゴリズムを示す流れ図、第5図はメモリ・アド
レスを第4図のアルゴリズムに従って再配列した後の第
2図の1組の障害を示す図、第6図は第1図のメモリに
おける他の障害を示す図、第7図はメモリ・アドレスを
第4図のアルゴリズムに従って再記2列した後の第6図
の障害を示す図、第8図は不発明の実施態様を包含する
メモリ・システムを示すブロック図でるる。 出願人 インタブカショカル・ビジネス・マシーノズ
・コーポレーション代理人 弁理士 頓 宮
孝 −(外1名〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 各メモリ・ワードを樽成するビット位置の各々カ同一の
論理アドレス・ビットでアクセスされるように編成され
たメモリに付随して、障害ビットを複数のメモリ・ワー
ド間に分配するように選択、 された置換ビットに基
き、所与のビット位置に対する論理アドレス・ビットを
それとは異なる物理アドレス・ピントに変換するための
置換手段を設けることにより、前記メモリの内容を保護
するエラー訂正手段によって訂正することができないメ
モリ・ワード中のエラー状態を除去するようにしたメモ
リ・システムにおいて: 前記メモリにおける既知の障害をその物理アドレス及び
障害の型の組合せで記憶するための記憶手段と; 前記メモリの所与のビット位置に対する前記置換ビット
を、他のビット位置における障害の既知の論理アドレス
及び該所与のビット位置における障害の物理アドレスに
基いて選択するため、の選択手段とを備えて成る、メモ
リ・システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US362925 | 1982-03-29 | ||
| US06/362,925 US4461001A (en) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | Deterministic permutation algorithm |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177600A true JPS58177600A (ja) | 1983-10-18 |
| JPH0136134B2 JPH0136134B2 (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=23428077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58051715A Granted JPS58177600A (ja) | 1982-03-29 | 1983-03-29 | メモリ・システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4461001A (ja) |
| EP (1) | EP0090219B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58177600A (ja) |
| DE (1) | DE3380573D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02232754A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Nec Corp | 記憶装置のアドレス交替方式 |
| JP2013114644A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Fujitsu Ltd | メモリモジュールおよび半導体記憶装置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5177743A (en) * | 1982-02-15 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory |
| US4506364A (en) * | 1982-09-30 | 1985-03-19 | International Business Machines Corporation | Memory address permutation apparatus |
| US4584682A (en) * | 1983-09-02 | 1986-04-22 | International Business Machines Corporation | Reconfigurable memory using both address permutation and spare memory elements |
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| JPS5334431A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-31 | Fujitsu Ltd | Memory unit |
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| US3897626A (en) * | 1971-06-25 | 1975-08-05 | Ibm | Method of manufacturing a full capacity monolithic memory utilizing defective storage cells |
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| US3812336A (en) * | 1972-12-18 | 1974-05-21 | Ibm | Dynamic address translation scheme using orthogonal squares |
-
1982
- 1982-03-29 US US06/362,925 patent/US4461001A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-03-10 EP EP83102354A patent/EP0090219B1/en not_active Expired
- 1983-03-10 DE DE8383102354T patent/DE3380573D1/de not_active Expired
- 1983-03-29 JP JP58051715A patent/JPS58177600A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4461001A (en) | 1984-07-17 |
| EP0090219A3 (en) | 1986-12-03 |
| EP0090219A2 (en) | 1983-10-05 |
| DE3380573D1 (en) | 1989-10-19 |
| JPH0136134B2 (ja) | 1989-07-28 |
| EP0090219B1 (en) | 1989-09-13 |
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