JPS58182829A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS58182829A JPS58182829A JP6660182A JP6660182A JPS58182829A JP S58182829 A JPS58182829 A JP S58182829A JP 6660182 A JP6660182 A JP 6660182A JP 6660182 A JP6660182 A JP 6660182A JP S58182829 A JPS58182829 A JP S58182829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- cathode
- support mechanism
- etching
- elastic member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、マグネトロン放電？利用したドライエツチン
グ装置の改良に関する。
グ装置の改良に関する。
近年、集積回路は微細化の一途’ｋｆｔ−とり、最近で
ｔま最少寸法が１〜２〔μｍ〕 の超ＬＳＩも試作され
るに至っている。このような微細加工には、通常平行平
板型電極？有する反応容器内にＣＦ、等の反応性ガスに
導入し、試料載置の電極に、例えば１３．５６ （ＭＨ
ｚ ）の高周波電力ｒ印加することによりグロー放電？
生じせしめ、プラズマ中の正イオン？隘極（高周波電力
印加電極）面上に生じる陰極降下電圧ＶＤＣＶＣよって
加速して、このイオンを試料に垂直に入射させて該試料
ケ物理、化学反応に↓リエッチングする、所謂反応性イ
オンエツチング（ＲｅＢｃｔｉｖｅ ＩｏｎＥｔｃｈ
ｉｎｇ ； ＲＩＥ）が用いられているΩしかし、この
平行平板電極に↓るＲ Ｉ Ｅで）ま、グロー放電の非
常に低いイオン化効率（１０−’〜１０″″Ｉ）故に、
例えばＣＦ”、＋Ｈ２ガス紮用い７’ｊ８１０！のエツ
チング速度）ま高々３００〜４００ （Ｘ／ｍｉｎ ）
テあり、１〔μｍ〕 厚のＳ１０□倉エツチングするの
に４０分以−Ｌもの時間？要し、′Ｉｌ産性の上で極め
て不都合であるΩこのｆｃめ、エツチング速度の高速化
が望まれている。
ｔま最少寸法が１〜２〔μｍ〕 の超ＬＳＩも試作され
るに至っている。このような微細加工には、通常平行平
板型電極？有する反応容器内にＣＦ、等の反応性ガスに
導入し、試料載置の電極に、例えば１３．５６ （ＭＨ
ｚ ）の高周波電力ｒ印加することによりグロー放電？
生じせしめ、プラズマ中の正イオン？隘極（高周波電力
印加電極）面上に生じる陰極降下電圧ＶＤＣＶＣよって
加速して、このイオンを試料に垂直に入射させて該試料
ケ物理、化学反応に↓リエッチングする、所謂反応性イ
オンエツチング（ＲｅＢｃｔｉｖｅ ＩｏｎＥｔｃｈ
ｉｎｇ ； ＲＩＥ）が用いられているΩしかし、この
平行平板電極に↓るＲ Ｉ Ｅで）ま、グロー放電の非
常に低いイオン化効率（１０−’〜１０″″Ｉ）故に、
例えばＣＦ”、＋Ｈ２ガス紮用い７’ｊ８１０！のエツ
チング速度）ま高々３００〜４００ （Ｘ／ｍｉｎ ）
テあり、１〔μｍ〕 厚のＳ１０□倉エツチングするの
に４０分以−Ｌもの時間？要し、′Ｉｌ産性の上で極め
て不都合であるΩこのｆｃめ、エツチング速度の高速化
が望まれている。
これに対し本発明者Ａ！ｔま、高周波電力印加の陰極下
に永久磁石からなる磁場発生手段ヶ設け、高周波電力に
ふる電界と直交する磁界を形成して電子？（電界）×（
磁界）方向にドリフト運動させ、かつこの電子軌道ケ閉
回路とすることにエリ、電子とガス分子との衝突解離？
促進して放電効率ケ向−ヒさせたマグネトロン放電利用
の）ドライエツチング装置ｒ開発した（特願１５５ １
７３８２．１号）。
に永久磁石からなる磁場発生手段ヶ設け、高周波電力に
ふる電界と直交する磁界を形成して電子？（電界）×（
磁界）方向にドリフト運動させ、かつこの電子軌道ケ閉
回路とすることにエリ、電子とガス分子との衝突解離？
促進して放電効率ケ向−ヒさせたマグネトロン放電利用
の）ドライエツチング装置ｒ開発した（特願１５５ １
７３８２．１号）。
第１図１よ−１−記マグネトロン放１！會利用したドラ
イエツチング装置ｆｋ示す概略構成図である○図中１は
接地された真空容器であり、この真空容器１ｔま試料２
會載置した陰極３により、永久磁石４からなる磁場発生
手段およびその駆動系５．６が収められている高真空の
領域と、試料２が置かれているエツチング領域とに分離
されている。高真空領域は前記磁石４による放電ケ防止
するため、排気口７ケ介して、例えば拡散ポンプ系にエ
リＩ Ｘ ｌ Ｏ’−’（Ｔｏｒｒ） 以下゛に排気
されており、エツチング室との真空的連結は電磁弁８に
より駆動される仕切弁９により行われ、実際のエツチン
グ時に）まこの仕切弁９は閉じらね、エツチング室は排
気口１０’ｉ介して、例えばメカニカルブースタ十ロー
タリポンプ系により排気される。また、放電はＮ−８間
隙上のマグネトロン放電１１と周辺のグロー放電１２と
からなり、エツチングは前記永久磁石４の１方向走査（
この例でｔま、駆動モータ１３による支持棒６の回転運
動が歯車５にエリ直線運動へ移ることにより紙面垂直方
向へ動くものとする）に追随したマグネトｑン放電１１
１ｊｔ試料２上で走−青しながら行われ、均一性の良い
エツチングが達成されゐ。さらに、エツチング中試料２
は、機械的支持機構１４により陰極３へ密着させられ、
水冷機構１５にエリ冷却され、これにより試料２の温度
−１，，１が防止されるＱまた、エツチング終了時には
試料２は前記機械的支持機構１４にガイドされた麦な、
速やかに陰極３を離れ、逆に次にエツチングされる試料
１ま同様にして陰極３にレットされる０なお、図中１６
は高周波ｖＬ源、１７はマツチングボックス、１Ｂは０
リングシールｒ示し、ま次１９．〜，２２はそれぞれ弗
素樹脂等からなる絶縁物を示している０ 第２図はこの装置にエリＣ１（Ｆｓｋ用いてＳ１０゜？
エツチングしたときのエツチング速度、Ｖｄ。
イエツチング装置ｆｋ示す概略構成図である○図中１は
接地された真空容器であり、この真空容器１ｔま試料２
會載置した陰極３により、永久磁石４からなる磁場発生
手段およびその駆動系５．６が収められている高真空の
領域と、試料２が置かれているエツチング領域とに分離
されている。高真空領域は前記磁石４による放電ケ防止
するため、排気口７ケ介して、例えば拡散ポンプ系にエ
リＩ Ｘ ｌ Ｏ’−’（Ｔｏｒｒ） 以下゛に排気
されており、エツチング室との真空的連結は電磁弁８に
より駆動される仕切弁９により行われ、実際のエツチン
グ時に）まこの仕切弁９は閉じらね、エツチング室は排
気口１０’ｉ介して、例えばメカニカルブースタ十ロー
タリポンプ系により排気される。また、放電はＮ−８間
隙上のマグネトロン放電１１と周辺のグロー放電１２と
からなり、エツチングは前記永久磁石４の１方向走査（
この例でｔま、駆動モータ１３による支持棒６の回転運
動が歯車５にエリ直線運動へ移ることにより紙面垂直方
向へ動くものとする）に追随したマグネトｑン放電１１
１ｊｔ試料２上で走−青しながら行われ、均一性の良い
エツチングが達成されゐ。さらに、エツチング中試料２
は、機械的支持機構１４により陰極３へ密着させられ、
水冷機構１５にエリ冷却され、これにより試料２の温度
−１，，１が防止されるＱまた、エツチング終了時には
試料２は前記機械的支持機構１４にガイドされた麦な、
速やかに陰極３を離れ、逆に次にエツチングされる試料
１ま同様にして陰極３にレットされる０なお、図中１６
は高周波ｖＬ源、１７はマツチングボックス、１Ｂは０
リングシールｒ示し、ま次１９．〜，２２はそれぞれ弗
素樹脂等からなる絶縁物を示している０ 第２図はこの装置にエリＣ１（Ｆｓｋ用いてＳ１０゜？
エツチングしたときのエツチング速度、Ｖｄ。
？試料表面上の磁場の強さに対して示し九図である。５
ｔＯ２のエツチング速度はＶｄＱの急激な減少にも拘ら
ず磁場の増加とともに大きくなり、特に２００（Ｇ）近
辺で、＠１．に速くなることが判明Ｌ ｆｃ−ｏなお、
ＣＨＦＢ＜７）圧力に： ０．０５ Ｔｏｒｒ、 ｒｆ
電力密度？ｒ １．６ ｗ、”ＣＩＡとした０次に、
イオン化効率？試料表面への入射イオン電流ｒこ置き換
え、通常のＲＩＥに比較してどの程度イオン電流が増加
したことになるのか倉見積ってみる０イオン電流の値倉
ｒｆ 電力＠度、ＶｄＣ工りおおよその値？算出して
みると、１０００ＣＧ〕 の磁場がある時イオン電流密
度ｔまｒｆ 電力密度１．６ （Ｗ／ｃｔＡ ） 。
ｔＯ２のエツチング速度はＶｄＱの急激な減少にも拘ら
ず磁場の増加とともに大きくなり、特に２００（Ｇ）近
辺で、＠１．に速くなることが判明Ｌ ｆｃ−ｏなお、
ＣＨＦＢ＜７）圧力に： ０．０５ Ｔｏｒｒ、 ｒｆ
電力密度？ｒ １．６ ｗ、”ＣＩＡとした０次に、
イオン化効率？試料表面への入射イオン電流ｒこ置き換
え、通常のＲＩＥに比較してどの程度イオン電流が増加
したことになるのか倉見積ってみる０イオン電流の値倉
ｒｆ 電力＠度、ＶｄＣ工りおおよその値？算出して
みると、１０００ＣＧ〕 の磁場がある時イオン電流密
度ｔまｒｆ 電力密度１．６ （Ｗ／ｃｔＡ ） 。
Ｖｄｃ＝２００（Ｖ）として１ ×１０”（ｌｏｎｏ／
ｃｎｔ−ｓｅｃ）となる。一方、磁場がない時にはＶｄ
Ｃ＝ １７ｏｏ（ｖ）としてイオン電流密度）まＩ Ｘ
１０１６（ｌｏｎａ／ｃ４−ｓｅｃ）であるから、エ
ツチング速度として）ま約１０倍相度増加が見込まれる
こと任なる０実際、磁場が１０００（Ｇ） の時のプ
ラズマ静止状態でのエツチング速度ｔま〜３〔μｒｎＡ
ｎｉｎ〕であるので、磁場【用いることしより放電のイ
オン化効率ｒ上げ、試料への入射イオン電流ケ多く引出
すことに↓り高速のエツチングが達成されたことになる
。一方、このイオン電流の増加−まエツチング中の試料
の温度上昇ヶもたらす最大原因であり、実際試料ケ陰極
に載置しただけでエツチングを行うと温度−に列による
レジストの劣化が著しく実用化の大きな障壁となるもの
であるが、例えば静電チャック手段或い）ま前記第１図
に示した様な機楯的手段により試料２と水冷された陰極
３との熱的接触？充分とることにより、上述のレジスト
の劣化もなく正常にエツチングされる。
ｃｎｔ−ｓｅｃ）となる。一方、磁場がない時にはＶｄ
Ｃ＝ １７ｏｏ（ｖ）としてイオン電流密度）まＩ Ｘ
１０１６（ｌｏｎａ／ｃ４−ｓｅｃ）であるから、エ
ツチング速度として）ま約１０倍相度増加が見込まれる
こと任なる０実際、磁場が１０００（Ｇ） の時のプ
ラズマ静止状態でのエツチング速度ｔま〜３〔μｒｎＡ
ｎｉｎ〕であるので、磁場【用いることしより放電のイ
オン化効率ｒ上げ、試料への入射イオン電流ケ多く引出
すことに↓り高速のエツチングが達成されたことになる
。一方、このイオン電流の増加−まエツチング中の試料
の温度上昇ヶもたらす最大原因であり、実際試料ケ陰極
に載置しただけでエツチングを行うと温度−に列による
レジストの劣化が著しく実用化の大きな障壁となるもの
であるが、例えば静電チャック手段或い）ま前記第１図
に示した様な機楯的手段により試料２と水冷された陰極
３との熱的接触？充分とることにより、上述のレジスト
の劣化もなく正常にエツチングされる。
しかし、静電チャック手段はその構造が複雑であり、か
っ〜１ （ＫＶ）程度の高電圧ｒ印加するためデバイス
への損傷対策も必要となる等未解決の問題が多い。一方
、前記第１図に示した機械的手段による方法）よ、非常
に簡便である反面、以下に説明する様に信頼性および再
現性に乏しいのが現状である。
っ〜１ （ＫＶ）程度の高電圧ｒ印加するためデバイス
への損傷対策も必要となる等未解決の問題が多い。一方
、前記第１図に示した機械的手段による方法）よ、非常
に簡便である反面、以下に説明する様に信頼性および再
現性に乏しいのが現状である。
第３図１よ前記第１図における試料支持部ｒ拡大し声で
示す断面図である。陰極３上のマイラ等の絶縁膜３１と
機械的な試料支持機構１４との間には、試料２？陰極３
へ均一な力で押さえ付けるために間隙３２が存在する。
示す断面図である。陰極３上のマイラ等の絶縁膜３１と
機械的な試料支持機構１４との間には、試料２？陰極３
へ均一な力で押さえ付けるために間隙３２が存在する。
すなわち、この間隙部分３２は冷却されておらず、この
ま筐エツチング？行うと第４図に示しｆｃ様に、試料支
持機構１４の温度上昇による熱歪の＾めに支持機構１４
が次第に湾曲し、従って試料支持機能？果たさなくなる
。また、この湾曲の進行）ま前記間隙部分３２へのプラ
ズマの回り込み３３により極めて速く、瞬時的に生じる
ことが判明した。以上説明した間隙の程度は、試料２の
厚さにより犬きく左右され湾曲までの時間や程度も様々
である。しかし、前述した様に、試料２を均一な力で陰
極３に押さえ付けるという機能？考えると、前記間隙３
２の存在奪ま避けることができないものである。
ま筐エツチング？行うと第４図に示しｆｃ様に、試料支
持機構１４の温度上昇による熱歪の＾めに支持機構１４
が次第に湾曲し、従って試料支持機能？果たさなくなる
。また、この湾曲の進行）ま前記間隙部分３２へのプラ
ズマの回り込み３３により極めて速く、瞬時的に生じる
ことが判明した。以上説明した間隙の程度は、試料２の
厚さにより犬きく左右され湾曲までの時間や程度も様々
である。しかし、前述した様に、試料２を均一な力で陰
極３に押さえ付けるという機能？考えると、前記間隙３
２の存在奪ま避けることができないものである。
本発明の目的）よ、試料支持機構ＶＣより試料？支持す
る力？おとすことなく試料支持機構？効果的ｔこ冷却す
ることができ、レジスト劣化等？招くことなく、エツチ
ングの高速化ｔは７Ｊλり得るドライエツチング装置ケ
提供することにある。
る力？おとすことなく試料支持機構？効果的ｔこ冷却す
ることができ、レジスト劣化等？招くことなく、エツチ
ングの高速化ｔは７Ｊλり得るドライエツチング装置ケ
提供することにある。
本発明は、高周波電力が印加されると共にその表面に試
料が載置される陰極お↓び該陰極の表面に対向配置され
た陽極ケ備えた真空容器と、この真空容器内に反応ガス
を導入する手段と、十記隙極の裏面に設けられ閉ループ
状の磁極間隙に↓り上記陰極の表面上に磁場を印加する
マグネットと、このマグネット紮上記高周波電力に↓る
電界方向と直交する方向に走査する手段と、−ｈ記マグ
ネットが配置された空間ケ上記試料が配置される空間か
ら遮蔽する手段と、上記試料ｒ支持し咳試料ケ上記陰極
の表面に押し付は該陰極表面に密着せしめる試料支持機
構と葡具備し、前記各電極間に放電プラズマ？生成する
と共にマグネトロン放電？生起して前記試料ｉエツチン
グするドライエツチング装置において、前記陰極或いは
支持機構の少なくとも一方に被着され、前記支持機構に
よる試料の陰極への密着固定時に支持機構と陰極とで押
圧挾持される良熱伝導性の弾性部材【設けたものである
。
料が載置される陰極お↓び該陰極の表面に対向配置され
た陽極ケ備えた真空容器と、この真空容器内に反応ガス
を導入する手段と、十記隙極の裏面に設けられ閉ループ
状の磁極間隙に↓り上記陰極の表面上に磁場を印加する
マグネットと、このマグネット紮上記高周波電力に↓る
電界方向と直交する方向に走査する手段と、−ｈ記マグ
ネットが配置された空間ケ上記試料が配置される空間か
ら遮蔽する手段と、上記試料ｒ支持し咳試料ケ上記陰極
の表面に押し付は該陰極表面に密着せしめる試料支持機
構と葡具備し、前記各電極間に放電プラズマ？生成する
と共にマグネトロン放電？生起して前記試料ｉエツチン
グするドライエツチング装置において、前記陰極或いは
支持機構の少なくとも一方に被着され、前記支持機構に
よる試料の陰極への密着固定時に支持機構と陰極とで押
圧挾持される良熱伝導性の弾性部材【設けたものである
。
本発明によれば、良熱伝導性の弾性部材４ノいたことに
エリ、試料ケ陰極表面に十分大きな力で押し刊けること
ができ、さらに弾性部材？介して試料支持機構葡効果的
に冷却することができるｏしたがって、レジストの劣化
等會招くことなく、高速エツチング葡行うことができる
。
エリ、試料ケ陰極表面に十分大きな力で押し刊けること
ができ、さらに弾性部材？介して試料支持機構葡効果的
に冷却することができるｏしたがって、レジストの劣化
等會招くことなく、高速エツチング葡行うことができる
。
第５図は本発明の一実施例の要部構成會示す断面図であ
る。なお、前記第３図と同一部分にＩｔ同同一符号打付
て、その詳しい説明は省略する。試料２１ま、水冷され
た陰極３上のマイラセ力フロトン等の絶縁膜３ノ上に載
置されている。
る。なお、前記第３図と同一部分にＩｔ同同一符号打付
て、その詳しい説明は省略する。試料２１ま、水冷され
た陰極３上のマイラセ力フロトン等の絶縁膜３ノ上に載
置されている。
さらに、アルマイト等から構成された試料支持機構１４
と陰極３との間には、例えば、シリコンラバからなる弾
性部材４ノが介在され、試料２と陰極３とが機械的に密
着されると同時に、良熱伝導性の弾性部材４ノに↓す、
前記支持機構１４も冷却されるものとなっている。
と陰極３との間には、例えば、シリコンラバからなる弾
性部材４ノが介在され、試料２と陰極３とが機械的に密
着されると同時に、良熱伝導性の弾性部材４ノに↓す、
前記支持機構１４も冷却されるものとなっている。
このような構成であれば、前記した様なエツチング中の
湾曲、ひいてはレジスト劣化の問題は完全に解決される
。前記弾性部材４１とじては、ゴム系のものが最も効果
的である。例えばシリコンラバヶ使用し、Ｍ６図に示す
如く銅線部分の面積全体に、この弾性部拐４１’ｆ貼り
付けた時の熱抵抗Ｒ忙！′ｌ算し′Ｃみると、以下の様
になる。シリコンラバの熱伝導率 Ｐ ； ０．０４３ ＣＶＪ／ｃｒｄ、 ℃〕、厚’ｊ
’ ｔ ： ０．０５ （傭） ＊面積Ｓ；５２０〔ｃ
７Ａ〕とすると Ｒ二ｔ／ＰＳ ＝：＝ ０．００２３ Ｃ℃／Ｗ） となり、仮に１．（ＫＷ）のｒｆ 電力を印加しても
温度−Ｌ昇が２〔℃〕 と極めて良好に冷却されること
になる０従って、試料支持機構１４が湾曲することなく
、試料２の支持が行われる。ゴム系の弾・曲物が優れて
いる理由は、その伸縮の弾性率が極めて小さいことにあ
り、従って前記熱３図で示した間隙３２内に挿入し、機
械的におさえ込むことによって、この間隙３２？完全に
なくシ、かつ試料２と陰極３との熱的コンタクトを実現
させることになる。また、本実施例によれば、支持機４
％１４が充分冷却されているために、該支持機構１４の
上にマイ２等の絶縁膜ケ貼りつけることも可能となり、
エツチング中における支持機構１４からの金属汚染を防
止することもできる。
湾曲、ひいてはレジスト劣化の問題は完全に解決される
。前記弾性部材４１とじては、ゴム系のものが最も効果
的である。例えばシリコンラバヶ使用し、Ｍ６図に示す
如く銅線部分の面積全体に、この弾性部拐４１’ｆ貼り
付けた時の熱抵抗Ｒ忙！′ｌ算し′Ｃみると、以下の様
になる。シリコンラバの熱伝導率 Ｐ ； ０．０４３ ＣＶＪ／ｃｒｄ、 ℃〕、厚’ｊ
’ ｔ ： ０．０５ （傭） ＊面積Ｓ；５２０〔ｃ
７Ａ〕とすると Ｒ二ｔ／ＰＳ ＝：＝ ０．００２３ Ｃ℃／Ｗ） となり、仮に１．（ＫＷ）のｒｆ 電力を印加しても
温度−Ｌ昇が２〔℃〕 と極めて良好に冷却されること
になる０従って、試料支持機構１４が湾曲することなく
、試料２の支持が行われる。ゴム系の弾・曲物が優れて
いる理由は、その伸縮の弾性率が極めて小さいことにあ
り、従って前記熱３図で示した間隙３２内に挿入し、機
械的におさえ込むことによって、この間隙３２？完全に
なくシ、かつ試料２と陰極３との熱的コンタクトを実現
させることになる。また、本実施例によれば、支持機４
％１４が充分冷却されているために、該支持機構１４の
上にマイ２等の絶縁膜ケ貼りつけることも可能となり、
エツチング中における支持機構１４からの金属汚染を防
止することもできる。
なお、本発明は上述ｔ７た実施例に限定されるもｑ〕で
はなく、その要旨？逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。例えば、前記弾性部材４１として
はシリコンラバにＩＳＵ ルものではなく、良熱伝導性
で弾性のあるものであればよい。また、弾性部材４１の
被着部位は第７図（ａ） ＶＣ示す如く試料支持機構１
４上に限るもので１１なく、同図（ｂ）に示す如く陰極
３上（詳しくは絶縁膜３１上）であっても工い。さらに
、弾性部材４ノは陰極３上の全面に被着されたものであ
ってもよい。
はなく、その要旨？逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。例えば、前記弾性部材４１として
はシリコンラバにＩＳＵ ルものではなく、良熱伝導性
で弾性のあるものであればよい。また、弾性部材４１の
被着部位は第７図（ａ） ＶＣ示す如く試料支持機構１
４上に限るもので１１なく、同図（ｂ）に示す如く陰極
３上（詳しくは絶縁膜３１上）であっても工い。さらに
、弾性部材４ノは陰極３上の全面に被着されたものであ
ってもよい。
第１図１まマグネトロン放電會利用したドライエツチン
グ装置を示す概略構成図、第２図乃至起１図はそれぞれ
上記装置の作用ヶ説明するためのもので第２図はＳＩＯ
□ケエッチングしたときのエツチング速度お↓びＶｄｃ
と試料表面上の磁界との関係ケ示す特性図、餓３図お工
び第４図は試料支持機構部の要部構成葡示す断面図、第
５因１ま本発明の一実施例の要部構成ケ示す断面図、第
６図は」−記実施例の作用ケ説明する尺めの図、第７図
（ａ） ｒ （ｂ）は変形例ケ説明する友めの断面図で
ある。 Ｊ・・・＾空容器、２・・・試料、３・・・陰極、４・
・・永久磁石、５・・・歯車、６・・・支持棒、７．１
０・・・排気［−１，８・・電磁弁、９・・・仕切弁、
１）・・・マグネトロン放電、１２・°・グロー放電、
１３・・・モータ、１４・・・試料支持機構、１５・・
・水冷機構、１６・・・高周波ｗＬ源、ノア・・・マツ
チングボックス、１Ｂ・・・Ｏリングシール、１９〜２
２・・・絶縁物、３１・・・絶に膜、３２・・・間隙、
４ノ・・・弾性部材。
グ装置を示す概略構成図、第２図乃至起１図はそれぞれ
上記装置の作用ヶ説明するためのもので第２図はＳＩＯ
□ケエッチングしたときのエツチング速度お↓びＶｄｃ
と試料表面上の磁界との関係ケ示す特性図、餓３図お工
び第４図は試料支持機構部の要部構成葡示す断面図、第
５因１ま本発明の一実施例の要部構成ケ示す断面図、第
６図は」−記実施例の作用ケ説明する尺めの図、第７図
（ａ） ｒ （ｂ）は変形例ケ説明する友めの断面図で
ある。 Ｊ・・・＾空容器、２・・・試料、３・・・陰極、４・
・・永久磁石、５・・・歯車、６・・・支持棒、７．１
０・・・排気［−１，８・・電磁弁、９・・・仕切弁、
１）・・・マグネトロン放電、１２・°・グロー放電、
１３・・・モータ、１４・・・試料支持機構、１５・・
・水冷機構、１６・・・高周波ｗＬ源、ノア・・・マツ
チングボックス、１Ｂ・・・Ｏリングシール、１９〜２
２・・・絶縁物、３１・・・絶に膜、３２・・・間隙、
４ノ・・・弾性部材。
Claims (1)
- 高周波電力が印加されると共にその表面に試料が載置さ
れる陰極お：び該陰極の表面に対向配置され九陽極を備
えｔ真空容器と、この真空容器内に反応ガス？導入する
手段と、上記陰極の裏面に設けられ閉ループ状の磁極間
隙により上記陰極の表面上に磁場？印加するマグネット
と、このマグネット？上記高周波電力による電界方向と
直交する方向に走査する手段と、上記マグネットが配置
され皮空間？上記試料が配置される空間から遮蔽する手
段と、上記試料？支持し該試料？上記陰極の表面に押し
付は該陰極表面に密着せしめる試料支持機構と？具備し
、前記各電極間に放電プラズマ？生成すると共にマグネ
トロン放電？生起して前記試料？エツチングするドライ
エツチング装置において、前記陰極酸いは支持機構の少
なくとも一方に被着され、前記支持機構による試料の陰
極への密着固定時に支持機構と陰極とで押圧挾持される
良熱伝導性の弾性部材葡設けてなること？特徴とするド
ライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6660182A JPS58182829A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6660182A JPS58182829A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58182829A true JPS58182829A (ja) | 1983-10-25 |
Family
ID=13320595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6660182A Pending JPS58182829A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58182829A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332932A (ja) * | 1986-03-28 | 1988-02-12 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS63237530A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| US4931135A (en) * | 1987-12-25 | 1990-06-05 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
| DE4115627C1 (en) * | 1991-05-14 | 1992-07-02 | Webasto Ag Fahrzeugtechnik, 8035 Stockdorf, De | Slipstream deflector for car roof - is longitudinally slidable on sun roof cover such that it is brought into active position on cover opening |
| JPH04356921A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング装置のウェハ保持盤 |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6660182A patent/JPS58182829A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332932A (ja) * | 1986-03-28 | 1988-02-12 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS63237530A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| US4931135A (en) * | 1987-12-25 | 1990-06-05 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
| DE4115627C1 (en) * | 1991-05-14 | 1992-07-02 | Webasto Ag Fahrzeugtechnik, 8035 Stockdorf, De | Slipstream deflector for car roof - is longitudinally slidable on sun roof cover such that it is brought into active position on cover opening |
| JPH04356921A (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-10 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング装置のウェハ保持盤 |
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