JPS581877A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS581877A JPS581877A JP56098369A JP9836981A JPS581877A JP S581877 A JPS581877 A JP S581877A JP 56098369 A JP56098369 A JP 56098369A JP 9836981 A JP9836981 A JP 9836981A JP S581877 A JPS581877 A JP S581877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detector
- bubble
- magnetic
- substrate
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、特にそのバブル
磁区検出器の改良に関する。
磁区検出器の改良に関する。
一般に磁性薄膜は面内方向に磁区の′磁化容易軸をもっ
ているが、ある種の磁性材料、−えばオルソフェライト
（ＲＦ＠０１ ）や磁性ガーネット勢の単結晶はＣ軸方
向にのみ磁化害鳥軸を有する一軸異方性をもりている。
ているが、ある種の磁性材料、−えばオルソフェライト
（ＲＦ＠０１ ）や磁性ガーネット勢の単結晶はＣ軸方
向にのみ磁化害鳥軸を有する一軸異方性をもりている。
このような材料の単結晶薄膜に垂直な適当な強度のバイ
アス磁界を加えると、膜面に垂直な小さな円筒磁区（こ
れを磁気バブルと言う）ができる、この磁気バブルは外
部磁界を適当に変化させるこｔにより移動さすことがで
きる。磁気バブルメモリは前゛記単結晶の薄膜上にパー
マロイによる多数の薄膜微細パターンを形成してバブル
の伝播路となし、この伝播路の微細パターン−こおける
バブルの有無を情報の＠１＠、＠Ｑ＠に対応させてメモ
リとして使用するものである。
アス磁界を加えると、膜面に垂直な小さな円筒磁区（こ
れを磁気バブルと言う）ができる、この磁気バブルは外
部磁界を適当に変化させるこｔにより移動さすことがで
きる。磁気バブルメモリは前゛記単結晶の薄膜上にパー
マロイによる多数の薄膜微細パターンを形成してバブル
の伝播路となし、この伝播路の微細パターン−こおける
バブルの有無を情報の＠１＠、＠Ｑ＠に対応させてメモ
リとして使用するものである。
そしてこの磁気バブルの検出方法は第１図に示す如き方
法が採られている。図において符号ｌはパーマロイ等の
磁性薄膜により多数の山形状パターン２を連接片３によ
り連接して形成したバブル磁区検出器、４はパーマロイ
等の磁性薄膜により多数の山形状パターン器を並べて形
成したストレ゛ツチャである。このストレッチ千４では
矢印Ｐ方向より転送されて来るバブル６を駆動磁界の−
周期毎Ｉこ山形パターン列４−１．４−２・・・・４−
ｎ と順次送り、その間にバブルを引伸すのである。
法が採られている。図において符号ｌはパーマロイ等の
磁性薄膜により多数の山形状パターン２を連接片３によ
り連接して形成したバブル磁区検出器、４はパーマロイ
等の磁性薄膜により多数の山形状パターン器を並べて形
成したストレ゛ツチャである。このストレッチ千４では
矢印Ｐ方向より転送されて来るバブル６を駆動磁界の−
周期毎Ｉこ山形パターン列４−１．４−２・・・・４−
ｎ と順次送り、その間にバブルを引伸すのである。
この引伸ばされたバブル６′が検出器ｌに来ると、その
磁性膜は磁気抵抗効果によりＡＢ間の電気抵抗が変化す
る。従って予めＡＢ間に一定の電流を流しておけばバブ
ルの有無を電圧変化として取出し検知することができる
。
磁性膜は磁気抵抗効果によりＡＢ間の電気抵抗が変化す
る。従って予めＡＢ間に一定の電流を流しておけばバブ
ルの有無を電圧変化として取出し検知することができる
。
ところがこのようなバブル磁区検出器においては、バブ
ルが検出器の両端にからみつ（ことがあり、第２図に示
す如（、低バイアス−高駆動磁界ｌこおいて曲ＩｗＣの
如くマージンが減少するという欠点がある。本発明はこ
の欠点を改良するために案出されたものである。
ルが検出器の両端にからみつ（ことがあり、第２図に示
す如（、低バイアス−高駆動磁界ｌこおいて曲ＩｗＣの
如くマージンが減少するという欠点がある。本発明はこ
の欠点を改良するために案出されたものである。
このため本発明においては、ａ気バブル用結晶基板の上
に、磁気バブルの発生器、伝播路、及び磁気抵抗効果を
利用したバブル磁区検出器等を薄膜金属により形成して
成る磁気バブルメモリ素子番こおいて、バブル８区検出
器は、その両端部１こおける基板との距離を、検出器中
心部における基板との距離よりも大としたことを特徴と
するもので以下添付図面に基づいて本発明の実施例につ
き詳細に説明する。
に、磁気バブルの発生器、伝播路、及び磁気抵抗効果を
利用したバブル磁区検出器等を薄膜金属により形成して
成る磁気バブルメモリ素子番こおいて、バブル８区検出
器は、その両端部１こおける基板との距離を、検出器中
心部における基板との距離よりも大としたことを特徴と
するもので以下添付図面に基づいて本発明の実施例につ
き詳細に説明する。
第３図に実施例の平面図を、第４図に第３図のＩＴ−Ｉ
Ｔ線におけろ断面図を示す。図において符号７は基板結
晶であり、８はその上に約１ｏｏｏ Ｘの厚さにスパッ
タされた８１０．層である。９はＳｔＯ。
Ｔ線におけろ断面図を示す。図において符号７は基板結
晶であり、８はその上に約１ｏｏｏ Ｘの厚さにスパッ
タされた８１０．層である。９はＳｔＯ。
層の上に厚さ約４０００ Ｘの厚さに蒸着したコンダク
タ層よりホトリソグラフィ法により形成したコア ９−
フタパターンである。なおこのコンダクタパターン９は
予め検出器１０の端部及びリード部１１の下に位置する
ように作成される。１２は耐熱性に優れたポリラダーオ
ルガノシロキサン又はＰＩＱ等の樹脂を塗布し高温（例
えば３５０ｔ）セ硬化した樹脂層である。１０は樹脂層
１２の上に約４０００ Ｘの厚さに形成された検出器用
のパーマロイパターンである。
タ層よりホトリソグラフィ法により形成したコア ９−
フタパターンである。なおこのコンダクタパターン９は
予め検出器１０の端部及びリード部１１の下に位置する
ように作成される。１２は耐熱性に優れたポリラダーオ
ルガノシロキサン又はＰＩＱ等の樹脂を塗布し高温（例
えば３５０ｔ）セ硬化した樹脂層である。１０は樹脂層
１２の上に約４０００ Ｘの厚さに形成された検出器用
のパーマロイパターンである。
このよう４こ形成された本実施例は基板７の表面から検
出器１０の端部及びリード部１１までの距離１１が、検
出器１０の中央部から基板表面までの距離！、より大と
なっている。このため検出器１０の端部及びリード部１
１ではバブルを動かす駆動力が弱くとも良く、通番こ検
出器中央部と同一駆動力を与えるならば検出器１０の端
部ではバブルは駆動され易いことになり、従って従来の
如く検出器１０の端部にバブルがからみつくようなこと
は防止され、誤動作がな（なり動作マージンも第２図に
曲線Ｄ（点線）で示した如（広（なる。
出器１０の端部及びリード部１１までの距離１１が、検
出器１０の中央部から基板表面までの距離！、より大と
なっている。このため検出器１０の端部及びリード部１
１ではバブルを動かす駆動力が弱くとも良く、通番こ検
出器中央部と同一駆動力を与えるならば検出器１０の端
部ではバブルは駆動され易いことになり、従って従来の
如く検出器１０の端部にバブルがからみつくようなこと
は防止され、誤動作がな（なり動作マージンも第２図に
曲線Ｄ（点線）で示した如（広（なる。
また第５図及び第６図に他の実施例の各一部の平面図を
示す。図において符号１０は検出器、１１はそのリード
部、１３はエキスパンダである。
示す。図において符号１０は検出器、１１はそのリード
部、１３はエキスパンダである。
各図の検出器１０はバブルを差動増幅器で検出するため
の２個とダミーの１個を加えて合計３個が形成されてい
る。そして検出器１０の端部及びリード部１１の下には
コンダクタパターン１４（太い実線で示す）が形成され
ており、その作用効果（ユ前実施例と全く同様である。
の２個とダミーの１個を加えて合計３個が形成されてい
る。そして検出器１０の端部及びリード部１１の下には
コンダクタパターン１４（太い実線で示す）が形成され
ており、その作用効果（ユ前実施例と全く同様である。
以上説明した如（本発明の磁気バブルメモリ素子は、そ
のバブル磁区検出器のリード部を基板より遠ざけること
Ｅこより、バブルのからみつき（こよる誤動作を防止し
、動作マージンの拡大を可能としたものであり、バブル
メモリ素子の信頼性向上に寄与するものである。
のバブル磁区検出器のリード部を基板より遠ざけること
Ｅこより、バブルのからみつき（こよる誤動作を防止し
、動作マージンの拡大を可能としたものであり、バブル
メモリ素子の信頼性向上に寄与するものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子のバブル磁区検出
器及びエキスパンダの平面図、第２図はその動作マージ
ンを示した特性線図、第３図は本発明にかかる実施例の
磁気バブルメモリ素子のバブル磁区検出器の平面図、第
４図は第３図のＩＶ −■線における断面図、第５図及
び第６図は他の実施例の平面図である。 ７・基板、８・・ＳｔＯ，層、９．１４・・・コンダク
タパターン、１０・・バブル磁区検出器、１１・・・検
出器のリード部、１２・・・樹脂層。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 ′ｉ′６ 第２図 回転駆動磁界Ｈ□ − 第３図 第５図 ４ 第６図
器及びエキスパンダの平面図、第２図はその動作マージ
ンを示した特性線図、第３図は本発明にかかる実施例の
磁気バブルメモリ素子のバブル磁区検出器の平面図、第
４図は第３図のＩＶ −■線における断面図、第５図及
び第６図は他の実施例の平面図である。 ７・基板、８・・ＳｔＯ，層、９．１４・・・コンダク
タパターン、１０・・バブル磁区検出器、１１・・・検
出器のリード部、１２・・・樹脂層。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 ′ｉ′６ 第２図 回転駆動磁界Ｈ□ − 第３図 第５図 ４ 第６図
Claims (1)
- １、磁気バブル用結晶基板の上に、磁気バブルの発生器
、伝播路、及び磁気抵抗効果を利用したバブル磁区検出
器等を薄膜金属により形成して成る磁気バブルメモリ素
子４Ｃおいて、バブル磁区検出器は、その両端部におけ
る基板との距離を、検出器中心１！Ｉ４こおける基板と
の距離よりも大としたことを特徴とする磁気バブルメモ
リ素子、λ 特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメ
モリ素子番こおいて、バブル磁区検出器と基板との距離
を大とする手段としてコンダクタ材料を用いたことを特
徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098369A JPS581877A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098369A JPS581877A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581877A true JPS581877A (ja) | 1983-01-07 |
| JPS634278B2 JPS634278B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=14217959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098369A Granted JPS581877A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581877A (ja) |
-
1981
- 1981-06-26 JP JP56098369A patent/JPS581877A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634278B2 (ja) | 1988-01-28 |
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