JPS58190027A - 半導体基板有機処理装置 - Google Patents
半導体基板有機処理装置Info
- Publication number
- JPS58190027A JPS58190027A JP57072847A JP7284782A JPS58190027A JP S58190027 A JPS58190027 A JP S58190027A JP 57072847 A JP57072847 A JP 57072847A JP 7284782 A JP7284782 A JP 7284782A JP S58190027 A JPS58190027 A JP S58190027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor concentration
- damper
- vapor
- semiconductor substrate
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の前処理として行なわれる有機処理工程における半導体
基板有機処理装置に関するものである。
基板有機処理装置に関するものである。
フォトレジストの半導体基板に対する密着性を良くする
等の目的で、揮発性有機溶剤の蒸気雰囲気中で半導体基
板の表面処理を行なう工程が、ある品種の半導体基板に
フォトレジストを塗布する工程の前処理として行なわれ
ている。
等の目的で、揮発性有機溶剤の蒸気雰囲気中で半導体基
板の表面処理を行なう工程が、ある品種の半導体基板に
フォトレジストを塗布する工程の前処理として行なわれ
ている。
従来、この工程で使用する有機処理装置としてはデシケ
ータ状の完全密閉形あるいは第１図に示したような一定
量排気形が用いられていた。第１図に示した装置は、取
手２を有する」二蓋１でその開口部が閉塞される処理室
内に、有機溶剤貯液タンク４から有機溶剤の蒸気を発生
させ、この蒸気雰囲気中にキャリア６に支持して半導体
基板５を置いてその表面処理を行なっていた３，そして
、処理室からは排気ダクト７で定量の有機溶剤の蒸気を
排気させていた。６はキャリア６を処理室内に支持する
パンチング板である。
ータ状の完全密閉形あるいは第１図に示したような一定
量排気形が用いられていた。第１図に示した装置は、取
手２を有する」二蓋１でその開口部が閉塞される処理室
内に、有機溶剤貯液タンク４から有機溶剤の蒸気を発生
させ、この蒸気雰囲気中にキャリア６に支持して半導体
基板５を置いてその表面処理を行なっていた３，そして
、処理室からは排気ダクト７で定量の有機溶剤の蒸気を
排気させていた。６はキャリア６を処理室内に支持する
パンチング板である。
しかしながら、この種の装置においては処理室内の蒸気
濃度を変化させることができないため、品種に応じた最
適蒸気濃度を得ることができなかった。
濃度を変化させることができないため、品種に応じた最
適蒸気濃度を得ることができなかった。
本発明は前記問題点を解消するもので、処理室に、例え
ばダンパー等の蒸気濃度制御機構を設置し、必要に応じ
て前記ダンパーを開閉することにより処理室内の蒸気濃
度を制御するようにしたことを特徴とするものである。
ばダンパー等の蒸気濃度制御機構を設置し、必要に応じ
て前記ダンパーを開閉することにより処理室内の蒸気濃
度を制御するようにしたことを特徴とするものである。
以下本発明のー・実施例を図面によって説明する１。
第２図は本発明の一実施例を示す斜視図、第６図及び第
４図はダンパーの動作を示す断面図である。
４図はダンパーの動作を示す断面図である。
装置本体は第１図に示した従来のものと全く同様である
が、本発明装置は処理室の排気ダクト７に、蒸気濃度を
制御する機構としてのダンパー８を設置したことを特徴
とするものであり、該ダンパー８を適宜手段によって開
閉させることにより半導体基板５の処理時の蒸気濃度を
変化させるようにしたものである。
が、本発明装置は処理室の排気ダクト７に、蒸気濃度を
制御する機構としてのダンパー８を設置したことを特徴
とするものであり、該ダンパー８を適宜手段によって開
閉させることにより半導体基板５の処理時の蒸気濃度を
変化させるようにしたものである。
本実施例においては、完全な飽和蒸気雰囲気が必要な時
は第６図に示すようにダンパー８を全閉にして排気ダク
ト７の開口面積を零とし、逆に蒸気濃度が最小であるこ
とが必要な場合はダンパー８を全開にして排気ダクト７
の開口面積を最大にし、処理室内の蒸気濃度を制御する
。第５図はダンパー８の開口面積と処理室内の蒸気濃度
との関係を示しており、ダンパー８の開口面積を大きく
するのに伴ない処理室内の蒸気濃度が低下するという関
係にある。
は第６図に示すようにダンパー８を全閉にして排気ダク
ト７の開口面積を零とし、逆に蒸気濃度が最小であるこ
とが必要な場合はダンパー８を全開にして排気ダクト７
の開口面積を最大にし、処理室内の蒸気濃度を制御する
。第５図はダンパー８の開口面積と処理室内の蒸気濃度
との関係を示しており、ダンパー８の開口面積を大きく
するのに伴ない処理室内の蒸気濃度が低下するという関
係にある。
以上説明したように、本発明はダンパー等の蒸気濃度を
制御する機構により処理室から排気される蒸気量を調整
するため、半導体基板の品種毎に最適蒸気濃度を設定し
て最適条件で半導体基板の表面を処理することができ、
歩留向上に貢献できる。さらに非処理時においてはダン
パーを全開にして開口面積を最大にすることにより蒸気
濃度は最小となり、上蓋の開閉時に生じる蒸気の装置外
部への拡散を最小限に押さえることができ、安全両生上
極めて有利である。さらに、処理時、非処理時における
これら一連の動作をシーケンスに組み込んで行なうこと
にすれば自動的に処理室内の蒸気濃度を制御することが
でき、自動化を図る上でより効果的である。
制御する機構により処理室から排気される蒸気量を調整
するため、半導体基板の品種毎に最適蒸気濃度を設定し
て最適条件で半導体基板の表面を処理することができ、
歩留向上に貢献できる。さらに非処理時においてはダン
パーを全開にして開口面積を最大にすることにより蒸気
濃度は最小となり、上蓋の開閉時に生じる蒸気の装置外
部への拡散を最小限に押さえることができ、安全両生上
極めて有利である。さらに、処理時、非処理時における
これら一連の動作をシーケンスに組み込んで行なうこと
にすれば自動的に処理室内の蒸気濃度を制御することが
でき、自動化を図る上でより効果的である。
尚、本発明の実施例において蒸気濃度を制御する機構と
してダンパーを使用したが、蒸気濃度を制御できる機構
であれば、図示しだダンパーに限らず、その他の形状、
形式のものでも良い。
してダンパーを使用したが、蒸気濃度を制御できる機構
であれば、図示しだダンパーに限らず、その他の形状、
形式のものでも良い。
第１図は従来の一定量排気形の装置を示す斜視図、第２
図は本発明の一実施例を示す斜視図、第６図はダンパー
全閉時における第２図のＸ−Ｘ断面図、第４図はダンパ
ー全開時における第２図のＸ−Ｘ’断面図、第５図はダ
ンパーの開口面積と処理室内の蒸気濃度との関係を示す
グラフである。 尚、図において １・・・上ブタ、２・・・取手、３・
・・ハンチング板、４・・・有機溶剤貯液タンク、５・
・・半導体基板、６・・・キャリア、７・・・排気ダク
ト、８・・・ダンパーである。 特許出願人 九州日本電気株式会社″旨７ 代理人 弁理士 菅 野 中・ 、１−）−４−
・２ 馬３図 帛４図 馬５図 タ゛ンパー開口面積（ＣＴＴＬ２） −１３５−
図は本発明の一実施例を示す斜視図、第６図はダンパー
全閉時における第２図のＸ−Ｘ断面図、第４図はダンパ
ー全開時における第２図のＸ−Ｘ’断面図、第５図はダ
ンパーの開口面積と処理室内の蒸気濃度との関係を示す
グラフである。 尚、図において １・・・上ブタ、２・・・取手、３・
・・ハンチング板、４・・・有機溶剤貯液タンク、５・
・・半導体基板、６・・・キャリア、７・・・排気ダク
ト、８・・・ダンパーである。 特許出願人 九州日本電気株式会社″旨７ 代理人 弁理士 菅 野 中・ 、１−）−４−
・２ 馬３図 帛４図 馬５図 タ゛ンパー開口面積（ＣＴＴＬ２） −１３５−
Claims (1)
- （１） 半導体基板を揮発性有機溶剤の蒸気雰囲気中
に浸して表面処理を行なう装置において、処理室内の蒸
気濃度を制御する機構を備え付けだことを特徴とする半
導体基板有機処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57072847A JPS58190027A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 半導体基板有機処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57072847A JPS58190027A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 半導体基板有機処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190027A true JPS58190027A (ja) | 1983-11-05 |
Family
ID=13501180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57072847A Pending JPS58190027A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 半導体基板有機処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199423A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 半導体基板表面処理方法 |
| JPS6425535A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Matsushita Electronics Corp | Treatment of substrate for forming resist film |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5652745A (en) * | 1979-10-05 | 1981-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for applying photosensitive resin |
| JPS575333A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Nec Kyushu Ltd | Organic treating apparatus for semiconductor substrate |
| JPS5753933A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57072847A patent/JPS58190027A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5652745A (en) * | 1979-10-05 | 1981-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for applying photosensitive resin |
| JPS575333A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Nec Kyushu Ltd | Organic treating apparatus for semiconductor substrate |
| JPS5753933A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199423A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 半導体基板表面処理方法 |
| JPS6425535A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Matsushita Electronics Corp | Treatment of substrate for forming resist film |
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