JPS5819002A - 有極形帯域通過ろ波器 - Google Patents
有極形帯域通過ろ波器Info
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- JPS5819002A JPS5819002A JP11728981A JP11728981A JPS5819002A JP S5819002 A JPS5819002 A JP S5819002A JP 11728981 A JP11728981 A JP 11728981A JP 11728981 A JP11728981 A JP 11728981A JP S5819002 A JPS5819002 A JP S5819002A
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- Japan
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- coupling
- resonator
- attenuation
- resonators
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半開軸形誘電体共振器を用いた有極形帯域通
過ろ波器（以下帯域通過ろ波器をＢＰＰと略称′１″ろ
）に関するものである。
過ろ波器（以下帯域通過ろ波器をＢＰＰと略称′１″ろ
）に関するものである。
第１図１コ、従来のＢＰＰの一例を示す図で、水平面に
よって切断した断面−（以下ｙＪ＜平断面図と称（１） する）である。図において、Ｉは外部導体を形吸するシ
ール１＋ケース、２１ ないし２ｂは内部導体で、各下
端部をシールドケース１の底壁に接触せしめ、各上端部
とシールドケース１の土壁間に適宜の空隙を設けである
。３１ ないし３ｂ １．を直方体を成す誘電体で、
内部導体２１ ないし２ム及びシール１ζケースｌと共
に半同軸形誘電体共振器を形成する。４１ないし４ＩＤ
は段間結合容量形成用導体片で、名一端が内部導体２Ｉ
ないし２ｂの名士端部、即ち名開放端に取付けらイ
１、対向導体片間に段間結合容量が形成される。５Ｉ
及び５スは入出力結合コンデン勺、６Ｉ 及び６２は入
出力同軸端子、７は仕切シールド壁である。
よって切断した断面−（以下ｙＪ＜平断面図と称（１） する）である。図において、Ｉは外部導体を形吸するシ
ール１＋ケース、２１ ないし２ｂは内部導体で、各下
端部をシールドケース１の底壁に接触せしめ、各上端部
とシールドケース１の土壁間に適宜の空隙を設けである
。３１ ないし３ｂ １．を直方体を成す誘電体で、
内部導体２１ ないし２ム及びシール１ζケースｌと共
に半同軸形誘電体共振器を形成する。４１ないし４ＩＤ
は段間結合容量形成用導体片で、名一端が内部導体２Ｉ
ないし２ｂの名士端部、即ち名開放端に取付けらイ
１、対向導体片間に段間結合容量が形成される。５Ｉ
及び５スは入出力結合コンデン勺、６Ｉ 及び６２は入
出力同軸端子、７は仕切シールド壁である。
第２図は、第１図に示したＢＰＦの等価回路図で、Ｌ、
ないしＬ６は各半同軸形誘！昨共振器のイノタフタ
ンス分、ＣＩ及びｃｑは入出力コンデンサ５Ｉ及び５ｚ
の容量、ＣｚないしＣムは導体片４１ ないし４１
５によって形成≧狛る段間結合容量である。
ないしＬ６は各半同軸形誘！昨共振器のイノタフタ
ンス分、ＣＩ及びｃｑは入出力コンデンサ５Ｉ及び５ｚ
の容量、ＣｚないしＣムは導体片４１ ないし４１
５によって形成≧狛る段間結合容量である。
（２）
このような従来のＢＰＦにおいては通〕ｈ域がワグナ−
形特性又はチェピンエフ形特性を呈し、減衰域がワグナ
−形特性で、減衰域の立上り特性が悪く、立上り特性を
良好ならしめるためには共４辰器の段数（次数）を大な
らしめる必要があり、その結果全体が大形となり、挿入
損失が大となると共に製作ｌこ際して調整に多大の時間
と手数を要する等の欠点を有する。
形特性又はチェピンエフ形特性を呈し、減衰域がワグナ
−形特性で、減衰域の立上り特性が悪く、立上り特性を
良好ならしめるためには共４辰器の段数（次数）を大な
らしめる必要があり、その結果全体が大形となり、挿入
損失が大となると共に製作ｌこ際して調整に多大の時間
と手数を要する等の欠点を有する。
本発明は、減衰域の立上り特性が良好で、形状が小形な
ると共に損入損失が小で、製作に際して調整を容易迅速
に行ない得る有極形帯域通過ろ波器を実現することを目
的とする。
ると共に損入損失が小で、製作に際して調整を容易迅速
に行ない得る有極形帯域通過ろ波器を実現することを目
的とする。
第３図は、本発明の一実施例を示す水平断面図（第４図
のＣ−Ｃ部分の断面図）、第４図は、第３図のＡ−Ａ部
分の楕断面図、第５図は、第３図のＢ−８部分の横断面
図で、各図において、１は外部導体を形成するシールド
ケース、２．ないし２ｂは内部導体、３１ ないし３Ｇ
は直方体を成す誘（３） 電体、４１ ないし４１０は段間結合容量形成用導体片
、５１ 及び５２は入出力結合コンデン→ｆ、６１ 及
υ６ｚは入出力同軸端子、７は仕切シールＩＳ壁で、往
路の共振器と復「名の共振器が結合するのを防ぐために
設けたもので、以上は第１図示のものと同様の構成であ
る。８Ｉ ないし８ｂは同調ねじで、こ狛らを各別Ｉ
こ回転ゼしめることに、１′９各共振器の共振周波数を
各別に微細に調整することが出来る。（調整ねじ８ヨ及
び昨は図示していない）９及び１０は本発明の要旨たる
間接結合素子で、素子９は、内部導体２ｚ及び２５を含
む両誘電体共振器の開放部、即ち内部導体２２．及び２
６並に誘電体３ｚ及び３夕の各上端面とシールドケース
１の土壁との間に形成された空隙部ｌこ設けられ、この
空隙部に生ずる漏れ磁界と結合するループより成り、そ
の両端を仕切シールド壁７に接続１−ると共に、その中
間部を仕切シールド壁７に穿った孔隙１１に挿通しであ
る。尚、結合ループ９が孔隙１１ の周縁に（４） 接触短絡するのを防ぐため、孔隙１１ の同時と結合ル
ープ９間に絶縁物（図示していない）を介在せしめる。
のＣ−Ｃ部分の断面図）、第４図は、第３図のＡ−Ａ部
分の楕断面図、第５図は、第３図のＢ−８部分の横断面
図で、各図において、１は外部導体を形成するシールド
ケース、２．ないし２ｂは内部導体、３１ ないし３Ｇ
は直方体を成す誘（３） 電体、４１ ないし４１０は段間結合容量形成用導体片
、５１ 及び５２は入出力結合コンデン→ｆ、６１ 及
υ６ｚは入出力同軸端子、７は仕切シールＩＳ壁で、往
路の共振器と復「名の共振器が結合するのを防ぐために
設けたもので、以上は第１図示のものと同様の構成であ
る。８Ｉ ないし８ｂは同調ねじで、こ狛らを各別Ｉ
こ回転ゼしめることに、１′９各共振器の共振周波数を
各別に微細に調整することが出来る。（調整ねじ８ヨ及
び昨は図示していない）９及び１０は本発明の要旨たる
間接結合素子で、素子９は、内部導体２ｚ及び２５を含
む両誘電体共振器の開放部、即ち内部導体２２．及び２
６並に誘電体３ｚ及び３夕の各上端面とシールドケース
１の土壁との間に形成された空隙部ｌこ設けられ、この
空隙部に生ずる漏れ磁界と結合するループより成り、そ
の両端を仕切シールド壁７に接続１−ると共に、その中
間部を仕切シールド壁７に穿った孔隙１１に挿通しであ
る。尚、結合ループ９が孔隙１１ の周縁に（４） 接触短絡するのを防ぐため、孔隙１１ の同時と結合ル
ープ９間に絶縁物（図示していない）を介在せしめる。
次に素子１０は、内部導体２Ｉ及び２ｂ登含む両誘電体
共振器の各開放部に対応する仕切シールド壁７の個所に
穿った孔隙１２に絶縁物１３を介して挿通支持したｔ掻
棒より成り、この電極棒の一端と内部導体２１間及び電
極棒の他端と内部導体２６間にそれぞわ結合容量を形成
しである。
共振器の各開放部に対応する仕切シールド壁７の個所に
穿った孔隙１２に絶縁物１３を介して挿通支持したｔ掻
棒より成り、この電極棒の一端と内部導体２１間及び電
極棒の他端と内部導体２６間にそれぞわ結合容量を形成
しである。
第６図は、第３図ないし第５図に示した本発明有極形Ｂ
ＰＦの基本等価回路図で、ムｒ ないしＬ＆は各誘電体
共１辰器のインダクタンス分、ＣＩ 及びＣ７は入出力
結合コンデンサ５Ｉ 及び５２ の容量、Ｃ２ないしＣ
６は導体片４１ ないし４＋ｏによって形成ざイ］る
股間結合容量、Ｍ＋ は結合ループ９と内部導体２２を
含む共振器間の相互インダクタンス、Ｍ２は結合ループ
９と内部導体２５を含む共振器間の相互インダクタンス
、Ｏｃは結合素子１０と内部導（５） 体２１間の結合容量及び結合素子１ｏと内部導体２６開
の結合容量の総合容量、Ａ、Ｂ、Ｏ及びＤは間接結合素
子９及び１０の結合点である。
ＰＦの基本等価回路図で、ムｒ ないしＬ＆は各誘電体
共１辰器のインダクタンス分、ＣＩ 及びＣ７は入出力
結合コンデンサ５Ｉ 及び５２ の容量、Ｃ２ないしＣ
６は導体片４１ ないし４＋ｏによって形成ざイ］る
股間結合容量、Ｍ＋ は結合ループ９と内部導体２２を
含む共振器間の相互インダクタンス、Ｍ２は結合ループ
９と内部導体２５を含む共振器間の相互インダクタンス
、Ｏｃは結合素子１０と内部導（５） 体２１間の結合容量及び結合素子１ｏと内部導体２６開
の結合容量の総合容量、Ａ、Ｂ、Ｏ及びＤは間接結合素
子９及び１０の結合点である。
第７図１コ、第６図に示した等価口路図を７０ツク綿図
を以て示したもので、Ｐ、 ないしＰ７ は共振器及び
結合容量等によって形成される位相回路（位相量は一９
０′、即ち＋２７０”）で、いわゆるインピーダンスイ
ンバータである。同、図に記載した±９０°は伝送信号
の共振器における位相量で、通過域より高い周波数の信
号は＋９０’、通過域より但い周波数の信号の位相１は
−９０”である。他の符号は第６図と同様である。
を以て示したもので、Ｐ、 ないしＰ７ は共振器及び
結合容量等によって形成される位相回路（位相量は一９
０′、即ち＋２７０”）で、いわゆるインピーダンスイ
ンバータである。同、図に記載した±９０°は伝送信号
の共振器における位相量で、通過域より高い周波数の信
号は＋９０’、通過域より但い周波数の信号の位相１は
−９０”である。他の符号は第６図と同様である。
上記のように構成した本発明ＢＰＦにおいては、股間結
合容量を介して半開軸形誘電体共振器回路を伝送する信
号（μ下、主回路を伝送する信号と称する）の中、通過
域より周波数の高い信号のＡ及びＤ点間の位相量は、 ＋９０″×６＋（−９０″Ｘ５ ） ＝＋９０”（６） となり、主回路を伝送する信号の中、通過域より周波数
の但いイ言号のＡ及びＤ小間の位相量は、−９０’ Ｘ
６ ＋ （−９０’ Ｘ５ ）ニー９９０”（−９９０
°＋７２０’ニー２７０’ ）となる。一方、間接結合
容量素子１０を介してＡ点からＤ点へ伝送される信号は
、！朝波数に関係な、 ＜Ａ及びＤ
点間において９０’ ＋７）位相進みを生じ、Ａ点から
主回路を伝送してＤ点に到る信号との間に１８０′の位
相差を生ずる。減衰域においては、主回路を介してＤ点
に伝送された信号の振幅はＡ点にお（ｉる（辰幅に［ヒ
し極めて小であるから、間接結合容量素子１０の結合度
を適当ならしめることにより素子１０を介してＤ点に伝
送された信号の振幅を主回路を介してＤ点に伝送された
信号の振幅に等しくして両信号を互に打消さしめ、減衰
域に減衰極を生せしめることが出来る。
合容量を介して半開軸形誘電体共振器回路を伝送する信
号（μ下、主回路を伝送する信号と称する）の中、通過
域より周波数の高い信号のＡ及びＤ点間の位相量は、 ＋９０″×６＋（−９０″Ｘ５ ） ＝＋９０”（６） となり、主回路を伝送する信号の中、通過域より周波数
の但いイ言号のＡ及びＤ小間の位相量は、−９０’ Ｘ
６ ＋ （−９０’ Ｘ５ ）ニー９９０”（−９９０
°＋７２０’ニー２７０’ ）となる。一方、間接結合
容量素子１０を介してＡ点からＤ点へ伝送される信号は
、！朝波数に関係な、 ＜Ａ及びＤ
点間において９０’ ＋７）位相進みを生じ、Ａ点から
主回路を伝送してＤ点に到る信号との間に１８０′の位
相差を生ずる。減衰域においては、主回路を介してＤ点
に伝送された信号の振幅はＡ点にお（ｉる（辰幅に［ヒ
し極めて小であるから、間接結合容量素子１０の結合度
を適当ならしめることにより素子１０を介してＤ点に伝
送された信号の振幅を主回路を介してＤ点に伝送された
信号の振幅に等しくして両信号を互に打消さしめ、減衰
域に減衰極を生せしめることが出来る。
次に主回路を伝送する信号の中、通過域より周波数の高
い信号のＢ及びＣ点間の位相量は、電圧（７） 電流共に、 ＋９０’ Ｘ４ ＋（−９０” Ｘ３ ） ＝＋９０゜
となり、主回路を伝送する信号の中、通過域より周波数
の低い信号のＢ及びＣ点間の位相量は、電圧電流共に、 一９０’ Ｘ４ ＋（−９０°Ｘ３）＝−６３０゜（−
６３０” ＋ ３６０’−−２７０” ）となる。
い信号のＢ及びＣ点間の位相量は、電圧（７） 電流共に、 ＋９０’ Ｘ４ ＋（−９０” Ｘ３ ） ＝＋９０゜
となり、主回路を伝送する信号の中、通過域より周波数
の低い信号のＢ及びＣ点間の位相量は、電圧電流共に、 一９０’ Ｘ４ ＋（−９０°Ｘ３）＝−６３０゜（−
６３０” ＋ ３６０’−−２７０” ）となる。
一方、間接結合ループ９を介してＢ点から０点へ伝送さ
れる信号は、内部導体２ｚ及び２ｇを含し゛共撮器と結
合ループ９との各結合極性を適当ならしめることにより
周波数に関係なく電流位相において一９０’となるから
結合ループ９の結合度を適当ならしめることにより減衰
域に減衰極を生せしめることが出来る。
れる信号は、内部導体２ｚ及び２ｇを含し゛共撮器と結
合ループ９との各結合極性を適当ならしめることにより
周波数に関係なく電流位相において一９０’となるから
結合ループ９の結合度を適当ならしめることにより減衰
域に減衰極を生せしめることが出来る。
尚、主回路を伝送する通過域内の信号は、間接結合素子
９及び１０を伝送する通過域内の信号１；比し振幅が十
分大なるため０点及びＤ点における（８） 打消作用の影響はほとんどなく、損失は無視し得る程度
に小である。
９及び１０を伝送する通過域内の信号１；比し振幅が十
分大なるため０点及びＤ点における（８） 打消作用の影響はほとんどなく、損失は無視し得る程度
に小である。
本発明有極形ＢＰＦ’の伝送特性は、近似的に次式によ
って表わすことが出来る。
って表わすことが出来る。
・・・・・・（１）
ｎが偶数の場合、
ｎが奇数の場合、
・・・・（３）
但し、上言己各式において、
Ｌ：通過帯域における信号の減衰量
Ｓ：通過帯域における許容電圧定在波比（ＶＳＷＲ）（
９） ｎ：関電体共振器の段数（次数）で、本実施例１二おい
では６である。
９） ｎ：関電体共振器の段数（次数）で、本実施例１二おい
では６である。
ｆ６ｆ ｆ。
ｘ ＝ −（−−−）
Ｂｗ＋ｃ ｆａ ｆ
Ｂｗｒ＋ ：許容ＶＳＷＲの帯域幅
ｆｏ：共４辰周波数
ｆ ；任意の伝送周波数
ｆｃ：遮断周波数
ｆ−５：減衰極を与える周波数
尚、（２）式におけるＲｅは実数部をとるの意で、（３
）式における。ｂｎは虚数部をとるの意である。
）式における。ｂｎは虚数部をとるの意である。
第８図は、従来のＢＰＰ と本発明ＢＰＩ”の伝送特性
（１０） を示す曲線図で、横軸は伝送周波数ｆをＭＨｚで、縦軸
は減衰量ＡＴＴをｄＢで表わしである。図から明らかな
ように本発明ＢＰ［ｉ’の特性（実線）は、第１図及び
第２図に示した従来のＢＰＦの特性（鎖線）に較べて減
衰曲線の立上りが遥かに急し、ｐんである。第８図にお
いてｆｌは下限通過性周波数、ｆ２は上限通過與周波数
である。
（１０） を示す曲線図で、横軸は伝送周波数ｆをＭＨｚで、縦軸
は減衰量ＡＴＴをｄＢで表わしである。図から明らかな
ように本発明ＢＰ［ｉ’の特性（実線）は、第１図及び
第２図に示した従来のＢＰＦの特性（鎖線）に較べて減
衰曲線の立上りが遥かに急し、ｐんである。第８図にお
いてｆｌは下限通過性周波数、ｆ２は上限通過與周波数
である。
以上は６個の十ｎ軸形誘電体共１辰器及び２個の間接結
合回路を以て有極形ＢＰＦを構成した場合につき説明し
たが、半同軸形誘電体共撮器の数及び間接結合回路の数
をそれぞれ適当に増減することが出来、間接結合回路の
種類及びその組合せも適当に選択することが出来る。例
えば第３図ないし第５（２）にお（する間接結合素子９
を容量素子を以て形成し、間接結合素子１０を結合ルー
プを以て形成してもよく、画素子を共に容量素子或は共
に結合ループを以て形成してもよい。又、結合ループの
代りに半開軸形誘電体共振器の開放部に対応する仕切シ
ールド壁の部分に磁界結合孔を穿って間接結合回路を形
成しても本発明を実施することが出来る。
合回路を以て有極形ＢＰＦを構成した場合につき説明し
たが、半同軸形誘電体共撮器の数及び間接結合回路の数
をそれぞれ適当に増減することが出来、間接結合回路の
種類及びその組合せも適当に選択することが出来る。例
えば第３図ないし第５（２）にお（する間接結合素子９
を容量素子を以て形成し、間接結合素子１０を結合ルー
プを以て形成してもよく、画素子を共に容量素子或は共
に結合ループを以て形成してもよい。又、結合ループの
代りに半開軸形誘電体共振器の開放部に対応する仕切シ
ールド壁の部分に磁界結合孔を穿って間接結合回路を形
成しても本発明を実施することが出来る。
第１図は、従来の帯域通過ろ波器の一例を示す図、第２
図は、その等価口路図、第３図ないし第５図は、本発明
の一実施例を示す図、第６図は、その基本等価回路図、
第７図は、そのブロック線図、第８図は、従来及び本発
明帯域通過ろ波器の各伝送特性を示す曲線図で、１：シ
ールドケース、２１ ないし２Ｉ、：内８［；導体、３
１ ないし３ｂ：誘電体、４１ ないし４１０；段間
結合容量形成用導体片、５Ｉ及び５２；入出力結合コン
デンサ、６１及び６ｚ：入出力同軸端子、７：仕切シー
ルド壁、８Ｉ ないし８Ｉ、：同調ねじ、９及び１０：
間接結合素子、１１及び１２：孔隙、１３：絶縁物、Ｌ
ｌ ないしｒ几；共振器のインダクタンス分、ＣＩ及び
Ｃり：入出力結合容量、Ｃ２ないしＣＬ：段間結合容量
、Ｍ＋ 及びＭｚ：間接結合素子と共振器間の相互イン
ダウ２ンス、Ｃｃ：間接結合素子と内部導体間の総合結
合容量、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ；間接結合素子の結合点、Ｐ
ｌ ないしＰｑ：位相回路である。 （１３） 第１図 第２図
図は、その等価口路図、第３図ないし第５図は、本発明
の一実施例を示す図、第６図は、その基本等価回路図、
第７図は、そのブロック線図、第８図は、従来及び本発
明帯域通過ろ波器の各伝送特性を示す曲線図で、１：シ
ールドケース、２１ ないし２Ｉ、：内８［；導体、３
１ ないし３ｂ：誘電体、４１ ないし４１０；段間
結合容量形成用導体片、５Ｉ及び５２；入出力結合コン
デンサ、６１及び６ｚ：入出力同軸端子、７：仕切シー
ルド壁、８Ｉ ないし８Ｉ、：同調ねじ、９及び１０：
間接結合素子、１１及び１２：孔隙、１３：絶縁物、Ｌ
ｌ ないしｒ几；共振器のインダクタンス分、ＣＩ及び
Ｃり：入出力結合容量、Ｃ２ないしＣＬ：段間結合容量
、Ｍ＋ 及びＭｚ：間接結合素子と共振器間の相互イン
ダウ２ンス、Ｃｃ：間接結合素子と内部導体間の総合結
合容量、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ；間接結合素子の結合点、Ｐ
ｌ ないしＰｑ：位相回路である。 （１３） 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数個の半同軸形誘霜体共振器をコの字形に配設し、結
合容量を介して縦続接続すると共に前記複数個の半同軸
形銹市′体共振器の中の非縦続接続関係にある任意の半
固軸形誘電体共振器間をこ狛らの半開軸形誘電体共振器
の開放空隙部に設けた結合容量素子、結合ループ或は結
合孔を介【２て間接結合せしめて成ることを特徴とする
有極形帯域通過ろ波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11728981A JPS5819002A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 有極形帯域通過ろ波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11728981A JPS5819002A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 有極形帯域通過ろ波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819002A true JPS5819002A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=14708056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11728981A Pending JPS5819002A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 有極形帯域通過ろ波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819002A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664872B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-12-16 | Tyco Electronics Corporation | Iris-less combline filter with capacitive coupling elements |
| KR101422722B1 (ko) * | 2013-02-19 | 2014-07-24 | 주식회사 이너트론 | 노치 커플링 rf 필터 |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP11728981A patent/JPS5819002A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664872B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-12-16 | Tyco Electronics Corporation | Iris-less combline filter with capacitive coupling elements |
| KR101422722B1 (ko) * | 2013-02-19 | 2014-07-24 | 주식회사 이너트론 | 노치 커플링 rf 필터 |
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