JPS58190035A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

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JPS58190035A
JPS58190035A JP57072443A JP7244382A JPS58190035A JP S58190035 A JPS58190035 A JP S58190035A JP 57072443 A JP57072443 A JP 57072443A JP 7244382 A JP7244382 A JP 7244382A JP S58190035 A JPS58190035 A JP S58190035A
Authority
JP
Japan
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capillary
bonding
gold wire
purified
ultrasonic wave
Prior art date
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Pending
Application number
JP57072443A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichiro Munakata
一郎 宗像
Tatsuo Shirakawa
白川 達男
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Landscapes

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (a)  発明の技術分野 本発明はハイブリッド集積回路の組立生産に係る特に半
導体チップに対するワイヤ接続のためのワイヤボンディ
ング方法に関す。
(b)  技術の背景 係るワイヤ接続方法には、熱圧着法による方法や超1i
1−波エネルギを印加する方法吟あるが、本発明社むし
ろ曲名熱圧着法によるリードワイヤ接続のボールボンデ
ィング法に関し、その意図するとこφd半導体チップの
接続パッドがアルミニウム蒸着面をなす場合等絶縁被膜
が問題とされるワイヤボンディング手段に係わる。
(c)  従来技術と問題点 イイ・ボンディングされた半導体チップは、核チップ(
基板)内のパッド電極とパッケージ側端子との間に通常
細い金線がホンディング接続される。しかし、例えば前
記パッド側電極がアルミニウムを蒸着した酸化生成しや
すいパッドIll&面の場合、金線とのボンディング加
工性が懺面の識化膜状態により難易を生じ、結果的に接
続性能がバラツキ又接続の信頼性にも問題が残る。この
ため、【 従来からボンディング加工前、荷踏蝉によシ強制的に酸
化膜を破壊除去するがかかる電III!、清浄化の方法
は問題がある(。
(d)  発明の目的 本発明の目的は前記のit’l鵬点を除去すること、即
ちアルミニウム等から形成の′#t&パッドに対し憤海
綱會トをN4ntrす入9イヤボンデノングー智を1−
体化するにある。
(e)  発明の栴成 前記目的は、第一のキャピラリと第二のキャピラリとを
具えるポールボンデイン装置によりアルミニウム等の電
極形成の牛導体チ プヘ金&!全圧接接続するに当り、
前記第一のキャピラリで電極形成面の清浄化を、該清浄
化電極面に第二のキャピラリで金線ボンディングをなす
ことにより達成することが出来る。
(f)  発明の実施例 41) 以下、栴図を参照しながら本発明の実施例を畦細説明す
るρ 図は第一のキャピラリと第二のキャピラリとを臭えるポ
ールボンディング装置加工狭部を示す簡略断面図である
図中、lは集積回路の基板、2は該基板1にダイボンデ
ィングさ′!1だ半導体チップ、3は前記の電極パッド
、これらlと2と3は図示されないボンディング&= 
tMの作業台に載置される。ヌ、4は前記ボンディング
装置に具備される第一のキャピラリ及び5は前記同&装
置の第二のキャピラリである。しかして、第二のキャピ
ラリ5にはキャビラリ内毛糺管8を負通して図示6で示
す金線が尋人きれその端部7は金線6の水累焔切断時生
成されたポール端が示される。
しかして図示状態は、ボンディング装置の第一のキャピ
ラリ4がパッド面3と軽微な荷重(P、)で肖接、かつ
キャピラリ励振の超音波エネルギ(Fl)が付勢されア
ルミニウム電極表面が清浄にされる状態を示している。
前記清浄とされたアルミニウム電極底面は、次いで図の
矢印、9にしたがい帛−キャピラリを基板から解放する
と共に水素溶切断の金線ボール端側の第二キャピラリ5
を矢印10にしたがい当接させボンディングにPJT襞
とされる正規荷3!L(Pi)並ひに超音波励振エネル
ギ(F2)を印加付勢して、金&!8がアルミニウム電
極パッド面3に圧接式れる0金線のボンディングが終れ
は第二のキャビンIJ td図状態に引上げられ同時に
金線の水素焔切鵬がされる。
一3= 前記キャピラリ荷重PIとF2、及び超音波励振工面図
示ボンディング加工時、ボンディング装置は加熱乾燥の
不活性ガスを噴射せしめる等して安定とするボンディン
グ加工がされる様なっている。
前記実施側御におけるキャピラリの形状及び構造等は一
例にすぎない。
(g)  づ6明の効果 前配本発L)9のワイヤボンディング方法によれば、例
えば第二のキャピラリ側の水累焔による金線切断時、第
一のキャピラリで前記機械的清浄化の励振をすれは、係
るボンディング工程における接続時間を増加させること
もなくしたがって加工能率を低下させないで極めて信頼
性の高いリード接続が可能となる等本発明の効果は大き
い0
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例を示すボンディング装置i部の簡略
断面図である0図中、2は半導体テップ、4− 第一のキャピラリ及び第二のキャピラリ、6は金線及び
7は6のボール端部である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第一のキャピラリと第二のキャピラリとを具えるポール
    ボンディング装置によりアルミニウム等*億形成の半導
    体チップへ金線を圧着接続するに当り、前記第一のキャ
    ピラリで電極形成面の清浄化を、杉清浄化電極面に第二
    のキャピラリで金線ボンディングをなすことを特徴とす
    るワイヤボンディング方法。
JP57072443A 1982-04-28 1982-04-28 ワイヤボンデイング方法 Pending JPS58190035A (ja)

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JPS58190035A true JPS58190035A (ja) 1983-11-05

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61181405A (ja) * 1985-02-08 1986-08-14 遠藤 左介 歯ブラシ
US7021521B2 (en) * 1998-10-28 2006-04-04 International Business Machines Corporation Bump connection and method and apparatus for forming said connection
JP2010147450A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Shinji Onabeda 超音波ボンディング方法及び超音波ボンディング装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61181405A (ja) * 1985-02-08 1986-08-14 遠藤 左介 歯ブラシ
US7021521B2 (en) * 1998-10-28 2006-04-04 International Business Machines Corporation Bump connection and method and apparatus for forming said connection
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