JPS62152143A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPS62152143A JPS62152143A JP60291974A JP29197485A JPS62152143A JP S62152143 A JPS62152143 A JP S62152143A JP 60291974 A JP60291974 A JP 60291974A JP 29197485 A JP29197485 A JP 29197485A JP S62152143 A JPS62152143 A JP S62152143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- ball
- bump
- capillary
- recessed part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体素子の４極パツド上に外部端子を接続
するためのバンプ全形成する方法に関する。
するためのバンプ全形成する方法に関する。
〔発明の技術的イ景とその間１点〕
半・４体素子の１極パツドと外部端子とｔ−気的に接続
する場合、これら両者をワイヤで接続する、いわゆるワ
イヤボンディングが知られている。しかしながら、ワイ
ヤボンディングの場合、ワイヤの立ち上り高さが必要と
なるから、全体の高さ寸法を十分小さくすることがでさ
ないという欠点がある。また、ワイヤボンディングは接
続個所ごとにワイヤを配線しなければならないから、接
続個所が多い場合には作業能率が低下するということも
ある。
する場合、これら両者をワイヤで接続する、いわゆるワ
イヤボンディングが知られている。しかしながら、ワイ
ヤボンディングの場合、ワイヤの立ち上り高さが必要と
なるから、全体の高さ寸法を十分小さくすることがでさ
ないという欠点がある。また、ワイヤボンディングは接
続個所ごとにワイヤを配線しなければならないから、接
続個所が多い場合には作業能率が低下するということも
ある。
このような欠点全除去する磁極パッドと外部端子との接
続方法として、上記゛シ極パッドにバンプを形成し、こ
のバンプに上記外部端子ｋ ＋Ｈ続するということが行
なわれている。バンプと利用した接続方法によれば、４
極パツドと外部端子とがバンプを介して直接的に接合固
定されるから、ワイヤを用いた場合に比べて接合部分の
高さを低くすることができ、またたとえばフィルムなど
に設けられた多数の外部端子ｒ４極パッドに１度の工程
で接合固定することができるなどの利点をＭする。
続方法として、上記゛シ極パッドにバンプを形成し、こ
のバンプに上記外部端子ｋ ＋Ｈ続するということが行
なわれている。バンプと利用した接続方法によれば、４
極パツドと外部端子とがバンプを介して直接的に接合固
定されるから、ワイヤを用いた場合に比べて接合部分の
高さを低くすることができ、またたとえばフィルムなど
に設けられた多数の外部端子ｒ４極パッドに１度の工程
で接合固定することができるなどの利点をＭする。
ところで、従来電極パッドにバンプ全形成する方法とし
ては、特開昭５９−２０８７５１号公報に示されるもの
が知られている。この公知技術は、バンプ全ワイヤボン
ディングによって形成するようにしている。つまり、キ
ャピラリに挿通されたワイヤの先端にボール金形成した
ならば、このボールをポンディングパッドに接合する。
ては、特開昭５９−２０８７５１号公報に示されるもの
が知られている。この公知技術は、バンプ全ワイヤボン
ディングによって形成するようにしている。つまり、キ
ャピラリに挿通されたワイヤの先端にボール金形成した
ならば、このボールをポンディングパッドに接合する。
そののち、ワイヤをクランパなどで引きちぎることによ
って上記パッド上にバンプを形成するようにしている。
って上記パッド上にバンプを形成するようにしている。
しかしながら、ワイヤをクランパによって引きちぎるよ
うにしたのでは、ボールに残るワイヤの長さ寸法が一定
しない。そして、そのような状態のバンプの上方に外部
端子を位０決めしたのち、／ＪＯＥおよび加熱して接合
するようにすると、外部端子とバンプとの接合状態、す
なわち接合強１里が一定とならなかったり、接合不良を
招くなどの欠点が生じる。
うにしたのでは、ボールに残るワイヤの長さ寸法が一定
しない。そして、そのような状態のバンプの上方に外部
端子を位０決めしたのち、／ＪＯＥおよび加熱して接合
するようにすると、外部端子とバンプとの接合状態、す
なわち接合強１里が一定とならなかったり、接合不良を
招くなどの欠点が生じる。
この発明は、ワイヤボンディングを用いてバンプを形成
した場合に、そのバンプの形状’ｔ 一定にすることが
できるようにしたバンプ形成方法を提供することを目的
とする。
した場合に、そのバンプの形状’ｔ 一定にすることが
できるようにしたバンプ形成方法を提供することを目的
とする。
この発明は、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボ
ールを形成し、このボールを被接合部にＩＩｐｒＥ接合
したのち、上記ワイヤの上記ボールの直上の部分に凹部
を形成し、ついで上記ワイヤを引張ってこのワイヤを上
記凹部個所から切１４ｆｉすることにより、ボールに残
るワイヤの長さを一定にするようにしたものである。
ールを形成し、このボールを被接合部にＩＩｐｒＥ接合
したのち、上記ワイヤの上記ボールの直上の部分に凹部
を形成し、ついで上記ワイヤを引張ってこのワイヤを上
記凹部個所から切１４ｆｉすることにより、ボールに残
るワイヤの長さを一定にするようにしたものである。
以下、この発明の一実施例を図面を蚕照して説明する。
まず、＠１図に示すようにキャピラリ１に挿通され之金
＊ Ｍ ｅアルミニュウムなどの材料からなるワイヤ２
の先端に１に気トーチ３を対間させ、上記ワイヤ２との
間でスパークを発生させることによシ、上記ワイヤ２の
先端にボール４ｔ−形成する。つぎに、第２図に示すよ
うに上記キャピラリ１を下降させて仮接合部である半導
体素子５の磁極パッド６上に上記ボーれて発熱するとと
もに、図示せぬヒータブロックからの熱も上記半導体素
子５を介して伝わるから、上記ボール４は電極パッド６
に固着されることになる。
＊ Ｍ ｅアルミニュウムなどの材料からなるワイヤ２
の先端に１に気トーチ３を対間させ、上記ワイヤ２との
間でスパークを発生させることによシ、上記ワイヤ２の
先端にボール４ｔ−形成する。つぎに、第２図に示すよ
うに上記キャピラリ１を下降させて仮接合部である半導
体素子５の磁極パッド６上に上記ボーれて発熱するとと
もに、図示せぬヒータブロックからの熱も上記半導体素
子５を介して伝わるから、上記ボール４は電極パッド６
に固着されることになる。
上記ボール４が電極パッド６に固着されたのち、第３図
に示すようにキャピラリ１が上昇する。ついで、上記ボ
ール４の上方に鋭利なエツジ部７を有する凹部形成治具
８が前進してきて上記ワイヤ２の上記ボール４の直上の
個所に４６ ＋ｓＬに拡大して示すように凹部ｙ２形成
する。
に示すようにキャピラリ１が上昇する。ついで、上記ボ
ール４の上方に鋭利なエツジ部７を有する凹部形成治具
８が前進してきて上記ワイヤ２の上記ボール４の直上の
個所に４６ ＋ｓＬに拡大して示すように凹部ｙ２形成
する。
ワイヤ２に凹部９が形成されると、上記凹部形成冶具８
が後退するとともに、第４図に示すようにキャピラリ１
の上方に設けられたクランパ１ノがワイヤ２を沃持し、
この状態でクランパ１１が上昇する。し次がって、上記
ワイヤ２は凹部形成冶具８によ、って形成された凹部す
の個所から切断さｎ、これによって電極パッド６上ニハ
ンプ１２が形成される。
が後退するとともに、第４図に示すようにキャピラリ１
の上方に設けられたクランパ１ノがワイヤ２を沃持し、
この状態でクランパ１１が上昇する。し次がって、上記
ワイヤ２は凹部形成冶具８によ、って形成された凹部す
の個所から切断さｎ、これによって電極パッド６上ニハ
ンプ１２が形成される。
このようにして形成されるバンプ１２は、ワイヤ２に予
め凹部９を形成してからこのワイヤ２を切断するので、
このバンプ１２に残るワイヤ２の長さを一定に、しかも
ボール４の直上部に凹部９ｆ：形成するため、十分短か
くすることができる。したがって、上呂己バンプ１２に
、ｇ５図に示すように合成樹脂製フィルム１３から延出
された外部端子１４を接続する際、その接続状態である
接合強度を一定にすることができるばかりか、接合不良
を招くこともない。
め凹部９を形成してからこのワイヤ２を切断するので、
このバンプ１２に残るワイヤ２の長さを一定に、しかも
ボール４の直上部に凹部９ｆ：形成するため、十分短か
くすることができる。したがって、上呂己バンプ１２に
、ｇ５図に示すように合成樹脂製フィルム１３から延出
された外部端子１４を接続する際、その接続状態である
接合強度を一定にすることができるばかりか、接合不良
を招くこともない。
以上述べたようにこの発明は、キャピラリに挿通された
ワイヤの先端にボールを形成し、このボールを被接合部
に押圧接合したのち、上記ワイヤの上記ボールの直上の
部分に凹部を形成し、ついで、上記ワイヤを引張ってこ
のワイヤを上記凹部の個所から切断してバンプを形成す
るようにした。したがって、バンプに残るワイヤの長さ
寸法を十分短かな状態で一定にすることができるから、
上記バンプと外部端子との接合強度を一定にすることが
できるばかりか、接合不良を招くこともないバンプヲ提
供することができる。
ワイヤの先端にボールを形成し、このボールを被接合部
に押圧接合したのち、上記ワイヤの上記ボールの直上の
部分に凹部を形成し、ついで、上記ワイヤを引張ってこ
のワイヤを上記凹部の個所から切断してバンプを形成す
るようにした。したがって、バンプに残るワイヤの長さ
寸法を十分短かな状態で一定にすることができるから、
上記バンプと外部端子との接合強度を一定にすることが
できるばかりか、接合不良を招くこともないバンプヲ提
供することができる。
図面はこの発明の一実施例を示し、第１図乃至第５図は
バンプを形成する手順を順次示した説明図、第６図はワ
イヤに切欠き全形成した状態の拡大図である。 １・・・キャピラリ、２・・・ワイヤ、４・・・ボール
・６・・・電画パッド（ａ接合、Ａ）、８・・・凹部形
成冶具、す・・・凹部、１２・・・バンプ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第６図
バンプを形成する手順を順次示した説明図、第６図はワ
イヤに切欠き全形成した状態の拡大図である。 １・・・キャピラリ、２・・・ワイヤ、４・・・ボール
・６・・・電画パッド（ａ接合、Ａ）、８・・・凹部形
成冶具、す・・・凹部、１２・・・バンプ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第６図
Claims (1)
- キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成す
る工程と、上記キャピラリを下降させて上記ボールを被
接合部に押圧接合する工程と、被接合部にボールを接合
して上記キャピラリが上昇したとき上記ワイヤの上記ボ
ールの直上部の部分に凹部を形成する工程と、上記ワイ
ヤを引張りその凹部の個所から切断する工程とを具備し
たことを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60291974A JPS62152143A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60291974A JPS62152143A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62152143A true JPS62152143A (ja) | 1987-07-07 |
Family
ID=17775872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60291974A Pending JPS62152143A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62152143A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120836U (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-28 | ||
| US5118370A (en) * | 1986-11-07 | 1992-06-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | LSI chip and method of producing same |
| US5124277A (en) * | 1990-01-10 | 1992-06-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of ball bonding to non-wire bonded electrodes of semiconductor devices |
| US5172851A (en) * | 1990-09-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| EP0810293A1 (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-03 | Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Gold alloy wire and method for making a bump |
| US8540136B1 (en) * | 2012-09-06 | 2013-09-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for stud bump formation and apparatus for performing the same |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP60291974A patent/JPS62152143A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118370A (en) * | 1986-11-07 | 1992-06-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | LSI chip and method of producing same |
| JPH02120836U (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-28 | ||
| US5124277A (en) * | 1990-01-10 | 1992-06-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of ball bonding to non-wire bonded electrodes of semiconductor devices |
| US5172851A (en) * | 1990-09-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| US5299729A (en) * | 1990-09-20 | 1994-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| EP0810293A1 (en) * | 1996-05-28 | 1997-12-03 | Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Gold alloy wire and method for making a bump |
| US6159420A (en) * | 1996-05-28 | 2000-12-12 | Tanaka Denshi Kogyo K.K. | Gold alloy wire and method for making a bump |
| US8540136B1 (en) * | 2012-09-06 | 2013-09-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for stud bump formation and apparatus for performing the same |
| US8936730B2 (en) | 2012-09-06 | 2015-01-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for forming apparatus for stud bump formation |
| US9498851B2 (en) | 2012-09-06 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for forming apparatus for stud bump formation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5953624A (en) | Bump forming method | |
| JP3536650B2 (ja) | バンプ形成方法および装置 | |
| JP2013026361A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS62152143A (ja) | バンプ形成方法 | |
| US6467677B1 (en) | Method and contact point for producing an electrical connection | |
| JPH01276729A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH0794556A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPS62152142A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JPS62154648A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JP3202193B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2978852B2 (ja) | 半導体装置のワイヤボンディング接続方法 | |
| JP2964724B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
| JPH01227458A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JP3457196B2 (ja) | ボールボンディング方法 | |
| JP2000106381A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01297834A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JP2976645B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
| JPS5944836A (ja) | ワイヤ−ボンデイング方法 | |
| JPH10199913A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPS58182843A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPH07283221A (ja) | バンプの形成方法 | |
| JPH04256330A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びワイヤーボンディング装置 | |
| JPH01227457A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JPH05109809A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPS5853502B2 (ja) | 金属細線の接続方法 |