JPS58193364A - スパッタリング装置用タ−ゲット及びスパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング装置用タ−ゲット及びスパッタリング方法Info
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- JPS58193364A JPS58193364A JP7044283A JP7044283A JPS58193364A JP S58193364 A JPS58193364 A JP S58193364A JP 7044283 A JP7044283 A JP 7044283A JP 7044283 A JP7044283 A JP 7044283A JP S58193364 A JPS58193364 A JP S58193364A
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- JP
- Japan
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- base material
- molybdenum
- tar
- target
- sputtering
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はス・９．タリング装置に用いられるターゲット
及びこれを用いたスパッタリング方法に関する。
及びこれを用いたスパッタリング方法に関する。
現在、ＭＯ８型ＬＩＳのｒ−）１１：極には多結晶シリ
コンが一般的に用いられている。しかしながら、高速度
のＭＯＳ Ｗ ＬＩＳを開発しようとすると、多結晶シ
リコンの高いシート抵抗が大きな障害となる。すなわち
、多結晶シリコンの比抵拐は不純物を充分ドープさせて
も１００７日前後が限界で、それよ如低くすることがで
きない。
コンが一般的に用いられている。しかしながら、高速度
のＭＯＳ Ｗ ＬＩＳを開発しようとすると、多結晶シ
リコンの高いシート抵抗が大きな障害となる。すなわち
、多結晶シリコンの比抵拐は不純物を充分ドープさせて
も１００７日前後が限界で、それよ如低くすることがで
きない。
このようなことから、最近、比抵抗が小さいＭ＜１ ＋
Ｗカどの高融点金属のシリサイドをケ０−ト′Ｉｔ極と
して用いようとすることが盛に行なわれている。こうし
た高融点金属シリサイド膜の形成法としては、真空蓋に
法やＣＶＤ法が採用されているが、膜形成が簡単なスパ
ッタリング法が多用されている。かかるス・母、クリン
グ法で高融点金属シリサイドの膜を形成するには、一般
に焼結法で作られた高融点金属シリサイド装のターｆｆ
、）’ｉ使用している。しかしながら、このターゲット
は焼結法で作られているため、高純度化が難しく、グー
）！極の形成上大きな間馳となっている。
Ｗカどの高融点金属のシリサイドをケ０−ト′Ｉｔ極と
して用いようとすることが盛に行なわれている。こうし
た高融点金属シリサイド膜の形成法としては、真空蓋に
法やＣＶＤ法が採用されているが、膜形成が簡単なスパ
ッタリング法が多用されている。かかるス・母、クリン
グ法で高融点金属シリサイドの膜を形成するには、一般
に焼結法で作られた高融点金属シリサイド装のターｆｆ
、）’ｉ使用している。しかしながら、このターゲット
は焼結法で作られているため、高純度化が難しく、グー
）！極の形成上大きな間馳となっている。
そこで、高融点金属及びシリコンの夫々の素材単体では
＾純度化が可能であることから、従来、第１図に示すよ
うに高−１点金属の基材１上にシリコン片２を載置した
構造のターゲットを用いてス・母ツタリングを行ない、
高融点金属シリサイド膜を形成している。？−の場合、
シリコンの基材上に高融点金属片を載置してターｒ。
＾純度化が可能であることから、従来、第１図に示すよ
うに高−１点金属の基材１上にシリコン片２を載置した
構造のターゲットを用いてス・母ツタリングを行ない、
高融点金属シリサイド膜を形成している。？−の場合、
シリコンの基材上に高融点金属片を載置してターｒ。
トを構成しても勿論よい。
上述した第１図図示の！−ｆ、）を用いたス−’４ ｙ
り法は、非常に簡便で、かつ高純度の高融点金属シリサ
イド膜を形成できる利点を有する。
り法は、非常に簡便で、かつ高純度の高融点金属シリサ
イド膜を形成できる利点を有する。
しかしながら、第１図のターｒ、トを用いたスノタ、り
法は、ス□ｙタア、！方式（ターグツトが下方にあシ、
高融点金属シリサイド膜が形成される基板を上方に位置
させて行なう方式）にのみ適用でき、ザイドスノ９．タ
方式（ターグ。
法は、ス□ｙタア、！方式（ターグツトが下方にあシ、
高融点金属シリサイド膜が形成される基板を上方に位置
させて行なう方式）にのみ適用でき、ザイドスノ９．タ
方式（ターグ。
トと基板を垂直にして対向させる方式）やス・譬、タダ
ウン方式では高融点金属の基材上に載置したシリコン片
が落下してしまうため適用できない欠点を有する。また
、幕開上にシリコン片を載置した構造のターｒ、トでは
、シリコン片のエツジで異常放電が起こシ易く、膜組成
やスグラッシ、勢の膜質的に種々の問題を生じる。
ウン方式では高融点金属の基材上に載置したシリコン片
が落下してしまうため適用できない欠点を有する。また
、幕開上にシリコン片を載置した構造のターｒ、トでは
、シリコン片のエツジで異常放電が起こシ易く、膜組成
やスグラッシ、勢の膜質的に種々の問題を生じる。
本発明は上記欠点を解決するためになされたもので、サ
イドスノ臂、タ方式やス／ｆ、タダウン方式にも適用可
能で、異常放電を起こさず良好な膜質で高純度の被膜を
形成し得えるス・譬ツタリング装置用ター’１” ｙ
）及びスバ、タリング方法を提供しようとするものであ
る。
イドスノ臂、タ方式やス／ｆ、タダウン方式にも適用可
能で、異常放電を起こさず良好な膜質で高純度の被膜を
形成し得えるス・譬ツタリング装置用ター’１” ｙ
）及びスバ、タリング方法を提供しようとするものであ
る。
以下、本発明の一実施例を第２図及び第３図を参照して
＃ｉ、明する。
＃ｉ、明する。
図中１１は例えば幅１２５■、厚さ６■の直方体形状を
なす高純度シリコン製のターｒ、）基材でお如、この基
材１１には長さ１２５ ｍ ｍ幅８■、深さ４５ｇ１の
溝部１２・・・が２４■のビ。
なす高純度シリコン製のターｒ、）基材でお如、この基
材１１には長さ１２５ ｍ ｍ幅８■、深さ４５ｇ１の
溝部１２・・・が２４■のビ。
チで該基材１１の長手方向に：４ｉ数配動きｔている。
そして、この基材１１の各溝部１２・・・には核基材と
別種のターゲツト材である長さ１２５■。
別種のターゲツト材である長さ１２５■。
幅８■、厚さ４−のモリブデン片１３・・・が夫々嵌合
して埋め込まれている。なお、モリブデン片′″°゛の
埋め込み後にお“て・基材″表面 ４１とモリブ
デン片１３・・・の表面とを平担化するために少し機械
的に研摩する。
して埋め込まれている。なお、モリブデン片′″°゛の
埋め込み後にお“て・基材″表面 ４１とモリブ
デン片１３・・・の表面とを平担化するために少し機械
的に研摩する。
しかして、本発明のターｆ、）を用いてモリブデンシリ
サイドのスノ母、タリングを行なえば、該ター？、）は
高純度シリコン製のターグツト基材１１にモリブデン片
１１・・・を埋設した構造をなすため、従来のターｒ、
トを用いた場合のように工、ジ部での異常放電を起こす
ことなく、良好な膜質で高純度のモリブデンシリサイド
膜を容易ｌｆｃｍ成できる。を邂、モリブデン片１３・
・・は高純度シリコン製ター？、）基材１１に対し埋設
され、ターグツト基材１１を傾斜させたシ、逆にして龜
モリブデン片１３の落下は生じないため、ス・譬、タア
、！方式はもとよシサイドスノ母、タ方式やスノ′り、
タダウン方弐にも適用できる。特に、高純度シリコン製
ターｒ、ト基材１１に該シリコンよシ熱膨張係数の大き
いモリブデン片１３・・・を埋め込んだ構造では、ス・
母。
サイドのスノ母、タリングを行なえば、該ター？、）は
高純度シリコン製のターグツト基材１１にモリブデン片
１１・・・を埋設した構造をなすため、従来のターｒ、
トを用いた場合のように工、ジ部での異常放電を起こす
ことなく、良好な膜質で高純度のモリブデンシリサイド
膜を容易ｌｆｃｍ成できる。を邂、モリブデン片１３・
・・は高純度シリコン製ター？、）基材１１に対し埋設
され、ターグツト基材１１を傾斜させたシ、逆にして龜
モリブデン片１３の落下は生じないため、ス・譬、タア
、！方式はもとよシサイドスノ母、タ方式やスノ′り、
タダウン方弐にも適用できる。特に、高純度シリコン製
ターｒ、ト基材１１に該シリコンよシ熱膨張係数の大き
いモリブデン片１３・・・を埋め込んだ構造では、ス・
母。
り中のターグツトの温度上昇によるモリブデン片１１・
・・の熱膨張によりて該基材１１に対してモリブデン片
１３・・・のかしめ効果を期待できる−なお、本発明に
係るターｙｙ）は上記実施例に示す構造に限ら子、第４
図に示す如く円盤状にして−よい、すなわち、第４図中
の１１′は例えば直径２００■、厚さ６冒の円盤状の高
純度シリコン製ター１’ ｙ ）基材であシ、この基材
１１’には開き角ｌＯ° 、深さ３■の扇状の溝部１１
・・・が開き角２０°のピッチで放射状に設けられてい
る。そして、この基材１１の各溝部１２′・・−には該
基材と別種のターｆ、）材である開き角１０° 、厚さ
３ｍの扇状モリブデン片１１・・・が夫々嵌合して埋め
込まれている。このようなターダ、トを用いてス・り、
タリングを行なえば、実施例と同様、良好な膜質で高純
度のモリブデンシリサイド膜を容易に形成できる。
・・の熱膨張によりて該基材１１に対してモリブデン片
１３・・・のかしめ効果を期待できる−なお、本発明に
係るターｙｙ）は上記実施例に示す構造に限ら子、第４
図に示す如く円盤状にして−よい、すなわち、第４図中
の１１′は例えば直径２００■、厚さ６冒の円盤状の高
純度シリコン製ター１’ ｙ ）基材であシ、この基材
１１’には開き角ｌＯ° 、深さ３■の扇状の溝部１１
・・・が開き角２０°のピッチで放射状に設けられてい
る。そして、この基材１１の各溝部１２′・・−には該
基材と別種のターｆ、）材である開き角１０° 、厚さ
３ｍの扇状モリブデン片１１・・・が夫々嵌合して埋め
込まれている。このようなターダ、トを用いてス・り、
タリングを行なえば、実施例と同様、良好な膜質で高純
度のモリブデンシリサイド膜を容易に形成できる。
しかも、放射状に埋め込まれた扇状モリブデン片の開き
角及びピッチ（開き角）をコントロールすることによシ
、円盤状のターｒ、トを用いた場合でも、シリコンとモ
リブデンとが所望比率で精度よく調整されたモリブデン
シリサイド膜を形成できる。
角及びピッチ（開き角）をコントロールすることによシ
、円盤状のターｒ、トを用いた場合でも、シリコンとモ
リブデンとが所望比率で精度よく調整されたモリブデン
シリサイド膜を形成できる。
また、本発明に係るターｒ、トは上述した如くター１’
ｙ ）基材に側面が垂直な溝部を設け、これにターｆ
、）材を埋め込む形態に限らず、第５図に示す如く高純
度シリコン製ターグ、ト基材１１１１Ｃ逆テーノｆ状の
溝部１２′を設け、この溝部１２１ＪＩＣ側面が逆テー
ノｆ状をなすモリブデン片ＩＪ′を嵌入して埋め込んで
もよい。
ｙ ）基材に側面が垂直な溝部を設け、これにターｆ
、）材を埋め込む形態に限らず、第５図に示す如く高純
度シリコン製ターグ、ト基材１１１１Ｃ逆テーノｆ状の
溝部１２′を設け、この溝部１２１ＪＩＣ側面が逆テー
ノｆ状をなすモリブデン片ＩＪ′を嵌入して埋め込んで
もよい。
更に本発明に係るターダ、トにおいて、ターｃ ｙ ）
基材とターｆ、）材の組合せは上述した場合に限定され
ない。例えば、ターｆ、）基材をシリコンで構成し、こ
の基材に埋め込まれるターグツト材をタングステン、タ
ンタル、白金、チタン等の高融点金属で構成して本よい
、また、ターｆ、）基材をシリカ、アルンナ、ベリリア
、ジルコニアで構成し、この基材に埋め込まれるターｒ
ｙ）材ｔ−二、ケル、コパル）、ｍ、余勢の金属で構成
してもよい。
基材とターｆ、）材の組合せは上述した場合に限定され
ない。例えば、ターｆ、）基材をシリコンで構成し、こ
の基材に埋め込まれるターグツト材をタングステン、タ
ンタル、白金、チタン等の高融点金属で構成して本よい
、また、ターｆ、）基材をシリカ、アルンナ、ベリリア
、ジルコニアで構成し、この基材に埋め込まれるターｒ
ｙ）材ｔ−二、ケル、コパル）、ｍ、余勢の金属で構成
してもよい。
以上詳述した如く、本発明によればサイドスノｆ、タ方
式やス・平、タダウン方式にも適用可能で、スノ量、り
時に異常放電を起こさず良好な膜質で高純度の高融点金
属シリサイド膜等の被膜を形成でき、もって半導体装置
のｒ−）電極形成工程などに有効に利用し得るス・譬、
クリング装置用ターｆｆ、）並びにス・譬、タリング方
法を提供できるものである。
式やス・平、タダウン方式にも適用可能で、スノ量、り
時に異常放電を起こさず良好な膜質で高純度の高融点金
属シリサイド膜等の被膜を形成でき、もって半導体装置
のｒ−）電極形成工程などに有効に利用し得るス・譬、
クリング装置用ターｆｆ、）並びにス・譬、タリング方
法を提供できるものである。
第１図は従来のスノ母、タリング装置用ターｒ、トの断
面図、第２図は本発明の一実施例を示すスフ９．タリン
グ装置用ターｆｆ、）の平面図、第３図は第２図のｍ−
ｍ線に沿う断面図、第４図は本発明の他の実施例を示す
ス・量、クリング装置用ター？、）の平面図、第５図は
本発明の更に他の実施例を示すスパッタリング装置用タ
ーｒ、トの要部断面図である。 Ｉ Ｊ 、 Ｉ Ｊ”・・・ターａ’ ｙ ）基材、１
２．１２’。 １２′・・・溝部、１３．１３’、１３’−・・モリブ
デン片（ターｆ、）材）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武、修築１図 第２図 第３図 第４Ｐ２１ 第５図
面図、第２図は本発明の一実施例を示すスフ９．タリン
グ装置用ターｆｆ、）の平面図、第３図は第２図のｍ−
ｍ線に沿う断面図、第４図は本発明の他の実施例を示す
ス・量、クリング装置用ター？、）の平面図、第５図は
本発明の更に他の実施例を示すスパッタリング装置用タ
ーｒ、トの要部断面図である。 Ｉ Ｊ 、 Ｉ Ｊ”・・・ターａ’ ｙ ）基材、１
２．１２’。 １２′・・・溝部、１３．１３’、１３’−・・モリブ
デン片（ターｆ、）材）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武、修築１図 第２図 第３図 第４Ｐ２１ 第５図
Claims (2)
- （１） 平面的にみて放射状の形状をなすターｒ、ト
材を有することを特徴とするスバ、タリング装置用ター
ｆ、）。 - （２）平面的にみて放射状の形状をなすターｒ、ト材を
有するターゲットを用いてスノ（、タリングを行なうこ
とを特徴とするス・母、タリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7044283A JPS58193364A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | スパッタリング装置用タ−ゲット及びスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7044283A JPS58193364A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | スパッタリング装置用タ−ゲット及びスパッタリング方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56030209A Division JPS57145982A (en) | 1981-03-03 | 1981-03-03 | Target for sputtering device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58193364A true JPS58193364A (ja) | 1983-11-11 |
Family
ID=13431609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7044283A Pending JPS58193364A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | スパッタリング装置用タ−ゲット及びスパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58193364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307289A (ja) * | 1995-03-27 | 1995-11-21 | Hitachi Ltd | スパッタリング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144755B2 (ja) * | 1971-09-01 | 1976-11-30 |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP7044283A patent/JPS58193364A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144755B2 (ja) * | 1971-09-01 | 1976-11-30 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307289A (ja) * | 1995-03-27 | 1995-11-21 | Hitachi Ltd | スパッタリング方法 |
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