JPS6233468A - 耐放射線性の強化された半導体装置 - Google Patents
耐放射線性の強化された半導体装置Info
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- JPS6233468A JPS6233468A JP17341485A JP17341485A JPS6233468A JP S6233468 A JPS6233468 A JP S6233468A JP 17341485 A JP17341485 A JP 17341485A JP 17341485 A JP17341485 A JP 17341485A JP S6233468 A JPS6233468 A JP S6233468A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
関するものである。
従来、ダイヤモンド型構造及び閃亜鉛鉱型構造を鳴する
半導体単結晶を基板として用いた耐放射線性半導体装置
には、面指数（１００）、あるいは、これに類似した表
面構造を有する面指数の単結晶基板が用いられている。
半導体単結晶を基板として用いた耐放射線性半導体装置
には、面指数（１００）、あるいは、これに類似した表
面構造を有する面指数の単結晶基板が用いられている。
また、耐放射線性半導体装置の製造にあたシその半導体
単結晶基板上に絶縁膜として形成される熱酸化膜の形成
条件（膜厚、酸化温度、酸化雰囲気等）や、熱処理条件
の最適化、あるいは絶縁膜形成法（熱酸化、気相成長法
等）の選択等によシ、電離放射線によって絶縁膜中に発
生する電子正孔対の再結合を促進し、絶縁膜中の固定正
電荷増加を抑制、及び半導体単結晶基板／絶縁膜界面で
の界面準位の増加を抑制する技術が適用されていた。
単結晶基板上に絶縁膜として形成される熱酸化膜の形成
条件（膜厚、酸化温度、酸化雰囲気等）や、熱処理条件
の最適化、あるいは絶縁膜形成法（熱酸化、気相成長法
等）の選択等によシ、電離放射線によって絶縁膜中に発
生する電子正孔対の再結合を促進し、絶縁膜中の固定正
電荷増加を抑制、及び半導体単結晶基板／絶縁膜界面で
の界面準位の増加を抑制する技術が適用されていた。
上述したように、面指数（１００）あるいは、これに類
似した表面構造を有する面指数の半嗜体蛍枯黒其物゛
ト１ｆｌ隅一式れ斧単這億誌着〒ワ寸−場Ｉｉ側原子と
基板上に形成された絶縁膜中の原子との結合が、半導体
単結晶基板／絶縁膜界面に対して鋭角的にこれを横断す
るため、その製造過程において、半導体単結晶基板上に
種々の絶縁膜、電極あるいは配線用伝導体薄膜が堆積さ
れる事によって生じる応力の影響を受けやすく、Ｋ！放
射線の被ばくによって、半導体単結晶基板／絶縁膜界面
における界面準位が増加しやすいという欠点があった０ また、上述したような半導体装置の製造条件の最適化の
みでは、電離放射線被ばくによって発生した電子−正孔
対の全てを再結合させる事は不可能であυ、このため長
期間にわたり厳しい放射線環境下で使用される半導体装
置では、絶縁膜中の固定正電荷増加、半導体単結晶基板
／絶縁頃界面での界面準位増加が原因で、特性劣化、寄
生トラ゛ンジスタ、リーク電流が発生し、長期信頼性の
確保には困難が多いという問題があった。
似した表面構造を有する面指数の半嗜体蛍枯黒其物゛
ト１ｆｌ隅一式れ斧単這億誌着〒ワ寸−場Ｉｉ側原子と
基板上に形成された絶縁膜中の原子との結合が、半導体
単結晶基板／絶縁膜界面に対して鋭角的にこれを横断す
るため、その製造過程において、半導体単結晶基板上に
種々の絶縁膜、電極あるいは配線用伝導体薄膜が堆積さ
れる事によって生じる応力の影響を受けやすく、Ｋ！放
射線の被ばくによって、半導体単結晶基板／絶縁膜界面
における界面準位が増加しやすいという欠点があった０ また、上述したような半導体装置の製造条件の最適化の
みでは、電離放射線被ばくによって発生した電子−正孔
対の全てを再結合させる事は不可能であυ、このため長
期間にわたり厳しい放射線環境下で使用される半導体装
置では、絶縁膜中の固定正電荷増加、半導体単結晶基板
／絶縁頃界面での界面準位増加が原因で、特性劣化、寄
生トラ゛ンジスタ、リーク電流が発生し、長期信頼性の
確保には困難が多いという問題があった。
本発明は上述した従来の欠点を除去し、製造過程で種々
の堆積された薄膜によって発生する応力の半導体単結晶
基板／絶縁晋界面への影響を緩和し、電離放射線被ばく
Ｋよる界面準位増加が抑制される耐放射線性の強化され
た半導体装ｔを提供することを目的とする。
の堆積された薄膜によって発生する応力の半導体単結晶
基板／絶縁晋界面への影響を緩和し、電離放射線被ばく
Ｋよる界面準位増加が抑制される耐放射線性の強化され
た半導体装ｔを提供することを目的とする。
本発明の耐放射線性の強化された半導体装置は、一主面
上の少なくとも一部に絶縁物との結合を有するダイヤモ
ンド型構造あるいは閃亜鉛鉱型構造の面指数（１１１）
の半導体単結晶基板表面に絶縁ゲート電界効果トランジ
スタが搭載されて構成される。
上の少なくとも一部に絶縁物との結合を有するダイヤモ
ンド型構造あるいは閃亜鉛鉱型構造の面指数（１１１）
の半導体単結晶基板表面に絶縁ゲート電界効果トランジ
スタが搭載されて構成される。
また上記半導体単結晶基板としては面指数（１１１）に
対し±５°の傾斜をなす面指数の半導体単結晶基板を用
いても同様効果を得ることができる。
対し±５°の傾斜をなす面指数の半導体単結晶基板を用
いても同様効果を得ることができる。
次に、本発明の基本概念を図面を用いて説明する。ここ
では便宜上、シリコン単結晶上に絶縁膜としてシリコン
酸化膜を形成した場合を例としてとシあげるが、ダイヤ
モンド型構造あるいは閃亜鉛鉱型構造を有する半導体単
結晶と絶縁膜の系について全てについて同様の事が言え
る。
では便宜上、シリコン単結晶上に絶縁膜としてシリコン
酸化膜を形成した場合を例としてとシあげるが、ダイヤ
モンド型構造あるいは閃亜鉛鉱型構造を有する半導体単
結晶と絶縁膜の系について全てについて同様の事が言え
る。
第１図（ａｌ 、 （ｂ）は本発明の基本概念を説明す
るだめのシリコン単結晶／シリコン酸化膜界面構造の概
略図である。
るだめのシリコン単結晶／シリコン酸化膜界面構造の概
略図である。
第１図（ａ）は、面指数（１００）のシリコン単結晶に
おけるシリコン単結晶基板１０１／シリコン酸化膜１０
２の界面構造を示したものである。界面１０３に対し、
シリコン１０４−酸素原子１０５の結合１０６は約１８
°あるいは２８°の鋭角であり、この結合１０６はシリ
コン酸化膜１０２自体から生ずる応力、あるいは他の薄
膜がシリコン酸化膜１０２上に形成された場合に生ずる
応力の影響を受けやすいため、シリコン原子１０４−酸
素原子１０５の結合角及び結合距離に歪みを生じやすい
この事は電離放射線を被ばくした際にシリコン原子−酸
素原子結合１０６が容易に切断される事を意味し、この
切断された結合が界面準位増加の原因となる。
おけるシリコン単結晶基板１０１／シリコン酸化膜１０
２の界面構造を示したものである。界面１０３に対し、
シリコン１０４−酸素原子１０５の結合１０６は約１８
°あるいは２８°の鋭角であり、この結合１０６はシリ
コン酸化膜１０２自体から生ずる応力、あるいは他の薄
膜がシリコン酸化膜１０２上に形成された場合に生ずる
応力の影響を受けやすいため、シリコン原子１０４−酸
素原子１０５の結合角及び結合距離に歪みを生じやすい
この事は電離放射線を被ばくした際にシリコン原子−酸
素原子結合１０６が容易に切断される事を意味し、この
切断された結合が界面準位増加の原因となる。
第１図（ｂ）は面指数（Ｉｌｌ）のシリコン単結晶にお
けるシリコン単結晶基板１０７／シリコン酸イヒｌ［＋
０８の界面ｍ浩を示１、今もの〒あスーシＩＪコン原子
１０９−酸素原子１１０の結合１１１は界面１１２に対
し垂直であり、この結合１１１はンリコン酸化膜１０８
自体から発生する応力あるいは、他の薄膜がシリコン酸
化膜１０８上に形成された際に発生する応力の影響を受
けても、シリコン１０９−酸素１１０の結合角及び結合
距離の歪みを生じにくい。これは、電離放射線を被ばく
゛しても界面準位の増加は抑制される事を意味する。
けるシリコン単結晶基板１０７／シリコン酸イヒｌ［＋
０８の界面ｍ浩を示１、今もの〒あスーシＩＪコン原子
１０９−酸素原子１１０の結合１１１は界面１１２に対
し垂直であり、この結合１１１はンリコン酸化膜１０８
自体から発生する応力あるいは、他の薄膜がシリコン酸
化膜１０８上に形成された際に発生する応力の影響を受
けても、シリコン１０９−酸素１１０の結合角及び結合
距離の歪みを生じにくい。これは、電離放射線を被ばく
゛しても界面準位の増加は抑制される事を意味する。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例及びその製造
方法を説明するために工程順に示した断面図である。
方法を説明するために工程順に示した断面図である。
本実施例では、面指数（Ｉｌｌ）のＰ型シリコン基板を
用いてＭＯ８電界効果トランジスタを製造する場合につ
いて説明する。
用いてＭＯ８電界効果トランジスタを製造する場合につ
いて説明する。
まず、第２図（ａ） Ｋ示すように１面指数（Ｉｌｌ）
のＰ型シリコン基板２０１上にシリコン酸化膜２０２、
シリコン窒化膜２０３を設け、所望の部位を除去して、
素子分離用Ｐ＋領域２０４を形成する。次に、第２図（
ｂ）に示すように１シリコン窒化膜２０３をマスクとし
て選択酸化を行ない、素子分離用シリコン酸化膜２０５
を設けた後、シリコン窒化膜２０３及びシリコン酸化膜
２０２を除去する。続いて、第２図［Ｃ）に示すように
ゲートシリコン酸化ｇ２０６を設け、多結晶シリコンゲ
ート電極２０７を形成し、シリコン酸化膜２０８で覆っ
た後、ソースまたはドレイン部２０９を設ける。さらに
第２図（ｄｌに示すように層間絶縁膜２１０を形成した
後、開口部２１１を設ける。次に、第２図ｆｅ） Ｋ示
すように、配＆！２１２．カバー絶縁膜２１３を施して
耐放射線性の強化されたＭＯ８電界効果トランジスタが
完成する。
のＰ型シリコン基板２０１上にシリコン酸化膜２０２、
シリコン窒化膜２０３を設け、所望の部位を除去して、
素子分離用Ｐ＋領域２０４を形成する。次に、第２図（
ｂ）に示すように１シリコン窒化膜２０３をマスクとし
て選択酸化を行ない、素子分離用シリコン酸化膜２０５
を設けた後、シリコン窒化膜２０３及びシリコン酸化膜
２０２を除去する。続いて、第２図［Ｃ）に示すように
ゲートシリコン酸化ｇ２０６を設け、多結晶シリコンゲ
ート電極２０７を形成し、シリコン酸化膜２０８で覆っ
た後、ソースまたはドレイン部２０９を設ける。さらに
第２図（ｄｌに示すように層間絶縁膜２１０を形成した
後、開口部２１１を設ける。次に、第２図ｆｅ） Ｋ示
すように、配＆！２１２．カバー絶縁膜２１３を施して
耐放射線性の強化されたＭＯ８電界効果トランジスタが
完成する。
第３図（ａｌ〜（ｄ）は本発明の他の実施例及びその製
造方法を説明するために工程順に示した断面図である。
造方法を説明するために工程順に示した断面図である。
本実施例では面指数（１１１）のＰ型シリコン基板を用
いてＭＯ８容量を製造する場合について説明する。
いてＭＯ８容量を製造する場合について説明する。
まず、第３図（ａｌに示すように面指数（１１１）のＰ
型シリコン基板３０１上にシリコン酸化膜３０２、シリ
コン窒化膜３０３を設け、所望の部位を除去して、素子
分離用Ｐ＋領域３０４を形成する。次に、第３図（ｂ）
に示すようにシリコン窒化膜３０３をマスクとして選択
酸化を行ない、素子分離用シリコン酸化膜３０５を設け
る。続いて、第３図（Ｃ１に示すようにゲートシリコン
酸化膜３０６゜多結晶シリコンゲート電極３０７を設け
、シリコン酸化膜３０８を形成する。さらに、第３図（
ｄｌに示すように層間絶縁膜３０９．配線３１０．カバ
ー絶縁膜３１１を施して、耐放射線性の強化されたＭＯ
８容量が完成する。
型シリコン基板３０１上にシリコン酸化膜３０２、シリ
コン窒化膜３０３を設け、所望の部位を除去して、素子
分離用Ｐ＋領域３０４を形成する。次に、第３図（ｂ）
に示すようにシリコン窒化膜３０３をマスクとして選択
酸化を行ない、素子分離用シリコン酸化膜３０５を設け
る。続いて、第３図（Ｃ１に示すようにゲートシリコン
酸化膜３０６゜多結晶シリコンゲート電極３０７を設け
、シリコン酸化膜３０８を形成する。さらに、第３図（
ｄｌに示すように層間絶縁膜３０９．配線３１０．カバ
ー絶縁膜３１１を施して、耐放射線性の強化されたＭＯ
８容量が完成する。
以上２つの実施例は面指数（１１１）のＰ型シリコン基
板を用いた場合の例であったが、ダイヤモンド型あるい
は閃亜鉛鉱型構造を有する半導体で、面指数（１１１）
あるいは面指数（１１１）の面に対し±５°の傾きをな
す面指数を有する単結晶基板であれば全てに適用可能で
あシ、半導体装置の稠造、製造条件、及び絶縁膜や電極
あるいは配線用伝導体材料の材質による制限は受けない
。
板を用いた場合の例であったが、ダイヤモンド型あるい
は閃亜鉛鉱型構造を有する半導体で、面指数（１１１）
あるいは面指数（１１１）の面に対し±５°の傾きをな
す面指数を有する単結晶基板であれば全てに適用可能で
あシ、半導体装置の稠造、製造条件、及び絶縁膜や電極
あるいは配線用伝導体材料の材質による制限は受けない
。
次に、従来のＭＯ８構造の半導体装置と本実施例の半導
体装置に実際に放射線を照射し特性変動を測定した。
体装置に実際に放射線を照射し特性変動を測定した。
すなわち、第１として従来例と実施例のＭＯ８構造のゲ
ートに５ｖの電圧を印加しＩ Ｘ ＩＱ’ ｒａｄ（Ｓ
ｉ）のドーズ量の電離放射線を照射し照射前後における
フラットバンド電圧の変動（ΔＶｐｎ（Ｖ））を測定し
たところ従来例は−２，０１であったが本実施例では−
１．８２で変動が小さくなっている。
ートに５ｖの電圧を印加しＩ Ｘ ＩＱ’ ｒａｄ（Ｓ
ｉ）のドーズ量の電離放射線を照射し照射前後における
フラットバンド電圧の変動（ΔＶｐｎ（Ｖ））を測定し
たところ従来例は−２，０１であったが本実施例では−
１．８２で変動が小さくなっている。
また、同様に試料に５ｖの電圧印加、ｌＸｌ０’ｒａｄ
（Ｓｉ）のドーズ量の電離放射線照射前後での８ｉのバ
ンドギャップ中心の界面トラ、プ密度Ｄｉｔの増加ｉ（
ΔＤｉｔ （ｅＶ−’ａｃｒｎ−りは２．４ Ｘ １０
１１と１．９ＸＩＯ１１となシ本実施例の（１１１）基
板でのソフト量が従来の（１００）基板のそれより小さ
くなっていることが判る。
（Ｓｉ）のドーズ量の電離放射線照射前後での８ｉのバ
ンドギャップ中心の界面トラ、プ密度Ｄｉｔの増加ｉ（
ΔＤｉｔ （ｅＶ−’ａｃｒｎ−りは２．４ Ｘ １０
１１と１．９ＸＩＯ１１となシ本実施例の（１１１）基
板でのソフト量が従来の（１００）基板のそれより小さ
くなっていることが判る。
以上説明したように、本発明は、ダイヤモンド型構造及
び閃亜鉛鉱型構造を有する半導体単結晶を用いて半導体
装置を製造するにあたシ、面指数（１１１）あるいは面
指数（１１１）の面に対し−１−ζ０の春画６はか壇ね
〆）面匙勅め半電酋Ｒ−ｊＪｈ蜘４球ｍ斗ト１事によシ
、電離放射線の被ばくによる、半導体基板／絶縁膜界面
での界面準位の増加を抑制する効果がある。なお、特に
、素子分離用絶縁膜に代表されるような厚い絶縁膜との
界面において著しい効果を示す。
び閃亜鉛鉱型構造を有する半導体単結晶を用いて半導体
装置を製造するにあたシ、面指数（１１１）あるいは面
指数（１１１）の面に対し−１−ζ０の春画６はか壇ね
〆）面匙勅め半電酋Ｒ−ｊＪｈ蜘４球ｍ斗ト１事によシ
、電離放射線の被ばくによる、半導体基板／絶縁膜界面
での界面準位の増加を抑制する効果がある。なお、特に
、素子分離用絶縁膜に代表されるような厚い絶縁膜との
界面において著しい効果を示す。
第１図ｔａ＋ 、 （ｂｌは本発明の基本概念を説明す
るだめのソリコン単結晶／シリコン酸化膜界面構造の概
略図、第２図（ａ）〜（ｅ）及び第３図（ａｌ〜（ｄ）
は各々本発明の実施例の面指数（１１１）のＰ型シリコ
ン基板を用いたＭＯ８電界効果トランジスタ及びＭＯ８
容量の構造及びその製造方法を説明するために工程ノー
に示した断面図である。 １０１・・・・・・面指数（１００）のシリコン単結晶
基板、１０２・−・・・・シリコン酸化膜、１０３・・
・・・・界面、１０４・・・・・・シリコン原子、１０
５・・・・・・酸素原子、１０６・・・・・・シリコン
−酸素の結合、１０７・・・・・・面指数（ｉｌｌ）の
シリコン単結晶基板、ｌＯ８・・・・・・シリコン酸化
膜、１０９・・・・・・シリコン原子、１１０・・・・
・・酸素原子、１１１・・・・・・シリコン−酸素の結
合、１１２・・・・・・界面、２０１・・・・・・面指
数（１１１）のＰｆｉシリコン基＆、２０２・・・・・
・シリコン酸化膜、２０３・・・・・・シリコン窒化膜
、２０４・・・・・・菓子分離用Ｐ 領域、２０５・・
・・・・素子分離用ンリコン酸化ｇ、２０６・・・・・
・ゲートシリコン酸化膜、２０７・・・・・・多結晶シ
リコンゲート電極、２０８・・・・・・シリコン酸化膜
、２０９・・・・・・ソースまたはドレイン部、２１０
・・・・・・層間絶縁膜、２１１・・・・・・開口部、
２１２・・・・・・配線、２１３・・・・・・カバー絶
縁膜、３０１・・・・・・面指数（１１１）のＰ型シリ
コン基板、３０２・・・・・シリコン酸化膜、３０３・
・・・・・シリコン窒化膜、３０４・・・・・・素子分
離用Ｐ＋領域、３０５・・・・・・素子分離用ンリコン
酸化［，３０６・・・・・・ゲートシリコン酸化膜、３
０７・・・・・・多結晶シリコンゲート電極、３０８・
・・・・・シリコン酸化膜、３０９・・・・・・層間絶
縁膜、３１０・・・・・・配線、３１１・・・・・・カ
バー絶縁膜。 第 ７ 区 第２区 〃バー始刹ｍ 葛２ 区
るだめのソリコン単結晶／シリコン酸化膜界面構造の概
略図、第２図（ａ）〜（ｅ）及び第３図（ａｌ〜（ｄ）
は各々本発明の実施例の面指数（１１１）のＰ型シリコ
ン基板を用いたＭＯ８電界効果トランジスタ及びＭＯ８
容量の構造及びその製造方法を説明するために工程ノー
に示した断面図である。 １０１・・・・・・面指数（１００）のシリコン単結晶
基板、１０２・−・・・・シリコン酸化膜、１０３・・
・・・・界面、１０４・・・・・・シリコン原子、１０
５・・・・・・酸素原子、１０６・・・・・・シリコン
−酸素の結合、１０７・・・・・・面指数（ｉｌｌ）の
シリコン単結晶基板、ｌＯ８・・・・・・シリコン酸化
膜、１０９・・・・・・シリコン原子、１１０・・・・
・・酸素原子、１１１・・・・・・シリコン−酸素の結
合、１１２・・・・・・界面、２０１・・・・・・面指
数（１１１）のＰｆｉシリコン基＆、２０２・・・・・
・シリコン酸化膜、２０３・・・・・・シリコン窒化膜
、２０４・・・・・・菓子分離用Ｐ 領域、２０５・・
・・・・素子分離用ンリコン酸化ｇ、２０６・・・・・
・ゲートシリコン酸化膜、２０７・・・・・・多結晶シ
リコンゲート電極、２０８・・・・・・シリコン酸化膜
、２０９・・・・・・ソースまたはドレイン部、２１０
・・・・・・層間絶縁膜、２１１・・・・・・開口部、
２１２・・・・・・配線、２１３・・・・・・カバー絶
縁膜、３０１・・・・・・面指数（１１１）のＰ型シリ
コン基板、３０２・・・・・シリコン酸化膜、３０３・
・・・・・シリコン窒化膜、３０４・・・・・・素子分
離用Ｐ＋領域、３０５・・・・・・素子分離用ンリコン
酸化［，３０６・・・・・・ゲートシリコン酸化膜、３
０７・・・・・・多結晶シリコンゲート電極、３０８・
・・・・・シリコン酸化膜、３０９・・・・・・層間絶
縁膜、３１０・・・・・・配線、３１１・・・・・・カ
バー絶縁膜。 第 ７ 区 第２区 〃バー始刹ｍ 葛２ 区
Claims (2)
- （１）一主面上の少なくとも一部に絶縁物との結合を有
するダイヤモンド型構造あるいは閃亜鉛鉱型構造の面指
数（１１１）の半導体単結晶基板表面に絶縁ゲート電界
効果トランジスタが搭載されている事を特徴とする耐放
射線性の強化された半導体装置。 - （２）半導体単結晶基板が面指数（１１１）に対し±５
°の傾斜をなす面指数の半導体単結晶基板である特許請
求の範囲第（１）項記載の耐放射線性の強化された半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17341485A JPS6233468A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 耐放射線性の強化された半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17341485A JPS6233468A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 耐放射線性の強化された半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233468A true JPS6233468A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15959992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17341485A Pending JPS6233468A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 耐放射線性の強化された半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233468A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007796A1 (en) * | 1989-01-03 | 1990-07-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Insulator films on diamond |
| US5173761A (en) * | 1991-01-28 | 1992-12-22 | Kobe Steel Usa Inc., Electronic Materials Center | Semiconducting polycrystalline diamond electronic devices employing an insulating diamond layer |
| KR100490924B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2005-05-24 | 샤프 가부시키가이샤 | 박막트랜지스터 및 매트릭스표시장치 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP17341485A patent/JPS6233468A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007796A1 (en) * | 1989-01-03 | 1990-07-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Insulator films on diamond |
| US5173761A (en) * | 1991-01-28 | 1992-12-22 | Kobe Steel Usa Inc., Electronic Materials Center | Semiconducting polycrystalline diamond electronic devices employing an insulating diamond layer |
| KR100490924B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2005-05-24 | 샤프 가부시키가이샤 | 박막트랜지스터 및 매트릭스표시장치 |
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