JPS58194242A - マイクロ波放電光源装置 - Google Patents
マイクロ波放電光源装置Info
- Publication number
- JPS58194242A JPS58194242A JP7639782A JP7639782A JPS58194242A JP S58194242 A JPS58194242 A JP S58194242A JP 7639782 A JP7639782 A JP 7639782A JP 7639782 A JP7639782 A JP 7639782A JP S58194242 A JPS58194242 A JP S58194242A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mesh
- cavity
- microwave
- cavity wall
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/044—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by a separate microwave unit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、マイクロ仮放電による党光を利用し７たマ
イクロ阪放電光源装置Ｖ（関するものでおる。
イクロ阪放電光源装置Ｖ（関するものでおる。
第１図は２元行枝何に係るマイクロ波Ｊｆｉ電光Ｗ装置
を示すものであり９図において、（１ｊはマイクロ波を
発生するマグネトロンであるマイクロ仮発振器、（２ｊ
はマグネトロンアンテナ、（３１はマイクロ波を伝送す
る導波管、（４１は球面部（５１とこれに絖〈円ＷＪ都
＋６１からなり、アルミニウム等で形成された空胴壁、
１７＋は押えフランジ（８）と押えネジ（９）とで空
７１１ｔ’４ ｍ １４＋の２ランジ都叫に装着された
金属メッシュ板で、マイクロ波は遮断するが、光音透過
するものであり、上記空胴壁（４１とでマイクロ阪空胴
０１）全構成する。０４は導波管（３１と空胴壁（４）
の接合部に設けられた給電口、ｕ梅は潔面都（５１の中
心近傍に配設さねた球形の放電灯で２石英ガラス等で形
成され。
を示すものであり９図において、（１ｊはマイクロ波を
発生するマグネトロンであるマイクロ仮発振器、（２ｊ
はマグネトロンアンテナ、（３１はマイクロ波を伝送す
る導波管、（４１は球面部（５１とこれに絖〈円ＷＪ都
＋６１からなり、アルミニウム等で形成された空胴壁、
１７＋は押えフランジ（８）と押えネジ（９）とで空
７１１ｔ’４ ｍ １４＋の２ランジ都叫に装着された
金属メッシュ板で、マイクロ波は遮断するが、光音透過
するものであり、上記空胴壁（４１とでマイクロ阪空胴
０１）全構成する。０４は導波管（３１と空胴壁（４）
の接合部に設けられた給電口、ｕ梅は潔面都（５１の中
心近傍に配設さねた球形の放電灯で２石英ガラス等で形
成され。
内部にアルゴン等の希ガス、水嫁、獣等の金属およびヨ
ウ素等のハロゲンが封入されている。圓は放電灯ｉｌｌ
の外壁の一部に設けられた突起で１石英ガラスのような
低損失の訪電体の放電灯支持体ｆｌｂ＋の一部がフレア
状となった放電灯支持体（１６１に欲合し放電灯１１３
１ ｔ−支持するものである。（１’／ｌは空胴壁（４
１の一部に設けられ、放電灯支持体ｕ５１の他端が挿入
されてこれを支持する放電灯支持体支接都＊ ｔｌｌｌ
ｌは釜属メツシュ板（７；よシ外部へ放射される光を被
照射面（ヌ１示せず）に集光させるためのレンズである
。
ウ素等のハロゲンが封入されている。圓は放電灯ｉｌｌ
の外壁の一部に設けられた突起で１石英ガラスのような
低損失の訪電体の放電灯支持体ｆｌｂ＋の一部がフレア
状となった放電灯支持体（１６１に欲合し放電灯１１３
１ ｔ−支持するものである。（１’／ｌは空胴壁（４
１の一部に設けられ、放電灯支持体ｕ５１の他端が挿入
されてこれを支持する放電灯支持体支接都＊ ｔｌｌｌ
ｌは釜属メツシュ板（７；よシ外部へ放射される光を被
照射面（ヌ１示せず）に集光させるためのレンズである
。
次にこの様に構成されたマイクロ彼放龜光詠装置の動作
について説明する。マグネトロン１１＋によって発生さ
れたマイクロ波が、マクネトロンアンテナ（２１を通じ
て尋阪官（３１中ｖｃＩＲ射され、このマイクロ波が、
専波官１３１金伝価し１耐直口ｕ２を通してマイクロ波
空胴（ｉｌｌ中に放射され、マイクロ波空胴（ｉｌｌ中
にマイクロｉ′＊磁界により、放電灯（１３１中のガス
が放電し、封入金属の種類に応じた特足の開光スペクト
ルｔ−待つ光が放射される。空胴壁（４１の球面部（５
１金光反射面にしておけば、放′亀灯ｕｊが球面部Ｆ５
＋の中心近傍にあるため２反射元は肖ひ放電灯０３１近
傍を通過することになる。この反射光とｆｆ電灯（１３
１の＠接光が金属メツシュ板（７）全通して外方へ放射
される。外方へ放射された光は来光しンズ叫等で必安な
被照射面に来光されるものである。
について説明する。マグネトロン１１＋によって発生さ
れたマイクロ波が、マクネトロンアンテナ（２１を通じ
て尋阪官（３１中ｖｃＩＲ射され、このマイクロ波が、
専波官１３１金伝価し１耐直口ｕ２を通してマイクロ波
空胴（ｉｌｌ中に放射され、マイクロ波空胴（ｉｌｌ中
にマイクロｉ′＊磁界により、放電灯（１３１中のガス
が放電し、封入金属の種類に応じた特足の開光スペクト
ルｔ−待つ光が放射される。空胴壁（４１の球面部（５
１金光反射面にしておけば、放′亀灯ｕｊが球面部Ｆ５
＋の中心近傍にあるため２反射元は肖ひ放電灯０３１近
傍を通過することになる。この反射光とｆｆ電灯（１３
１の＠接光が金属メツシュ板（７）全通して外方へ放射
される。外方へ放射された光は来光しンズ叫等で必安な
被照射面に来光されるものである。
この様に構成されたマイクロ波放亀光豚Ｈ匝ｖｃあって
は、金属メツシュ叡ｔ７１ｒｉ租〈なればこの部分での
マイクロ波損失やマイクロ波の外部への漏洩によって、
マイクロ波空胴（ｉｌｌが空胴としての役目全なさなく
なり、目がつまれは１元の利用＠率が下がる。
は、金属メツシュ叡ｔ７１ｒｉ租〈なればこの部分での
マイクロ波損失やマイクロ波の外部への漏洩によって、
マイクロ波空胴（ｉｌｌが空胴としての役目全なさなく
なり、目がつまれは１元の利用＠率が下がる。
本発明は上記の現象に鑑みてなされたもので。
メツシュの開口率を適当に選ぶことにより光透過第が大
きく、マイクロ波損失の少ないマイクロ波放電光源ｇｋ
ｉｋｔ−提供するものである。
きく、マイクロ波損失の少ないマイクロ波放電光源ｇｋ
ｉｋｔ−提供するものである。
第２図は金属メツシュ板（７）の部分拡大平面図で。
Ｗｐはメツシュピッチ、鶴はメツシュ線径ｔホす。
メツシュは一板の金属板よりエツチング寺で形成された
ものでこのメツシュの開口率ＴはＴ ＝ ＩＬＩＯＸ
（１−Ｗｓ／ｖｐ ）２％である。Ｔ’ｉ大肯〈とれば
マイクロ波空胴ｕｌｌ外へ取り出せる光重は多くなるが
、外部へ漏洩するマイクロ波も大きくなり。
ものでこのメツシュの開口率ＴはＴ ＝ ＩＬＩＯＸ
（１−Ｗｓ／ｖｐ ）２％である。Ｔ’ｉ大肯〈とれば
マイクロ波空胴ｕｌｌ外へ取り出せる光重は多くなるが
、外部へ漏洩するマイクロ波も大きくなり。
マイクロ波空胴αυ内部のマイクロ波電力が減少するた
め、放電灯（１３１への電力注入も少なくなり９発光エ
ネルギーが減少する。あわせて、金属メッシュ板（７）
のマイクロ波空胴α１）側の血には表ｔｈＩｔ流が流れ
ているが、メツシュ線の占有面瑣が減少することによシ
表面抵抗が増〃口してここでの損失も増加し、ますます
発光エネルギーが減少する。これ）ｐ現象は特に放電開
始直後から安定放を状態に達するまでの立上り中には放
電のインピーダンスが高くマイクロ波を吸収し炬いため
影臀が強く境われ９発光の立よシ時間が増加する。これ
らを示すもの、が第３図であ＃）、メツシュ開口率が８
０％以上では安定時の光強度に大きな変化はな（，９５
％以上では光強度が急激に低下する。−万、放電開始後
、光強度が安定光強度の９０％に到達するまでの時間、
すなわち立上り時間もメツシュ開口率が８０％以上で保
々に増加する。４４図は交電開始後の経過時間と光強度
を示すもので、Ｔ＝９５％になれば、経過時間１０秒以
下での光５ｇｉ度が低く、光エネルギーを用いる用迷２
例えｉｉ′衝脂の票外線曖化等に用いる時には１点灯初
期からの元エネルギーの積分が一定量になるまでの時間
が心安でおるから、長いＲ９１３時間を心安とする。Ｔ
＝６０％のものとＴ＝９５％のもの金比隔すれば経過時
間ｆ］２０抄で光エネルギーの積分１［がほぼ回等とな
シ、Ｔ＝８０〜９０チのものの８割程度の値になる。
め、放電灯（１３１への電力注入も少なくなり９発光エ
ネルギーが減少する。あわせて、金属メッシュ板（７）
のマイクロ波空胴α１）側の血には表ｔｈＩｔ流が流れ
ているが、メツシュ線の占有面瑣が減少することによシ
表面抵抗が増〃口してここでの損失も増加し、ますます
発光エネルギーが減少する。これ）ｐ現象は特に放電開
始直後から安定放を状態に達するまでの立上り中には放
電のインピーダンスが高くマイクロ波を吸収し炬いため
影臀が強く境われ９発光の立よシ時間が増加する。これ
らを示すもの、が第３図であ＃）、メツシュ開口率が８
０％以上では安定時の光強度に大きな変化はな（，９５
％以上では光強度が急激に低下する。−万、放電開始後
、光強度が安定光強度の９０％に到達するまでの時間、
すなわち立上り時間もメツシュ開口率が８０％以上で保
々に増加する。４４図は交電開始後の経過時間と光強度
を示すもので、Ｔ＝９５％になれば、経過時間１０秒以
下での光５ｇｉ度が低く、光エネルギーを用いる用迷２
例えｉｉ′衝脂の票外線曖化等に用いる時には１点灯初
期からの元エネルギーの積分が一定量になるまでの時間
が心安でおるから、長いＲ９１３時間を心安とする。Ｔ
＝６０％のものとＴ＝９５％のもの金比隔すれば経過時
間ｆ］２０抄で光エネルギーの積分１［がほぼ回等とな
シ、Ｔ＝８０〜９０チのものの８割程度の値になる。
以上の現象は、メツシュピッチＷｐがマイクロ波の波長
の１０分の１程度以下であればめてはまり。
の１０分の１程度以下であればめてはまり。
例えば２４５０ＭＫ、のマイクロ波であれば１．２１Ｍ
程度以下のＷｐ’″ｃめれば成シ立つ。
程度以下のＷｐ’″ｃめれば成シ立つ。
このように、メツシュの開口率が６０％以上９５％以Ｆ
″′Ｃあれは利用できる光エネルギーの大きな低下はな
く、マイクロ波エネルギーを有効に光エネルギーにｆ＊
、利用できる。
″′Ｃあれは利用できる光エネルギーの大きな低下はな
く、マイクロ波エネルギーを有効に光エネルギーにｆ＊
、利用できる。
以上述べたようにこの発明によれは、マイクロ波が尋人
される′給電口を有し、少なくとも一面が開口せる空胴
壁と、上記開５口を基ぐ金属メツシュ板とで構成された
マイクロ波空胴と、このマイクロ仮空胴内に配設され、
内部に布ガスと少なくとも水銀が封入されている球形の
ａ電憔放電灯と全備えたものにおいて、上記金属メッシ
ェ叡は一枚の金属板より形成され、かつそのメツシュの
開口率が６０％以上９５％以下であることを特徴とし、
マイクロ波エネルギー’１４４＠に光エネルギーｒＣ変
換。
される′給電口を有し、少なくとも一面が開口せる空胴
壁と、上記開５口を基ぐ金属メツシュ板とで構成された
マイクロ波空胴と、このマイクロ仮空胴内に配設され、
内部に布ガスと少なくとも水銀が封入されている球形の
ａ電憔放電灯と全備えたものにおいて、上記金属メッシ
ェ叡は一枚の金属板より形成され、かつそのメツシュの
開口率が６０％以上９５％以下であることを特徴とし、
マイクロ波エネルギー’１４４＠に光エネルギーｒＣ変
換。
利用できるものが得られる。
第１図はマイクロ仮放電元ｙ１．装置の妻部断面図。
第２図はメッシュ板の部分拡大平１１１１図、第３図は
メツシュ開口率による光９ｆＡ度、立上り時間を示す特
性図、弗４図は光強度の放電開姑からの畦過時間による
変化を示す特性図である。 図において、 ＋４１Ｆｉ空胴壁、（７１は曽属メツシ
ュ板。 （ｉｌｌはマイクロ阪空胴、（１３１ｒｔ無電惨放電灯
である。 なお、各図中同一符号はそれぞれ同一、又は相当部分を
示す。 代理人 ＪＩＩＩ 野 情 − ′第 １ 閃 第２図 第３図。 メツシュ開 口 牟 Ｔ （％） 第４図 ０ ５ １０ １５ ２゜経
ｆｉ時間（秒） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ８７−４＠＄・１４Ｉ
＃２、発明の名称 マイター波放電光源装置 ３、補１１：、をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ・１代理人 ｉ 補正の対象 明細瞥の発明の詳１１１ｋｌ！明の欄 亀 補正の内容 （１）＠細書第５頁第１６行の「比隣」を「比較」と訂
正する〇 以上
メツシュ開口率による光９ｆＡ度、立上り時間を示す特
性図、弗４図は光強度の放電開姑からの畦過時間による
変化を示す特性図である。 図において、 ＋４１Ｆｉ空胴壁、（７１は曽属メツシ
ュ板。 （ｉｌｌはマイクロ阪空胴、（１３１ｒｔ無電惨放電灯
である。 なお、各図中同一符号はそれぞれ同一、又は相当部分を
示す。 代理人 ＪＩＩＩ 野 情 − ′第 １ 閃 第２図 第３図。 メツシュ開 口 牟 Ｔ （％） 第４図 ０ ５ １０ １５ ２゜経
ｆｉ時間（秒） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭 ８７−４＠＄・１４Ｉ
＃２、発明の名称 マイター波放電光源装置 ３、補１１：、をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ・１代理人 ｉ 補正の対象 明細瞥の発明の詳１１１ｋｌ！明の欄 亀 補正の内容 （１）＠細書第５頁第１６行の「比隣」を「比較」と訂
正する〇 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロ波が尋人される耐−口を有し、少なくとも一面
が開口ぜる空胴壁と、上記開口を基ぐ金属メツシュ板と
で構成されたマイクロｔｔＭ −’Ｍ ｓｒρ」ト。 このマイクロ波空胴内に配設され、内部ＶＣ布ガスと少
なくとも水泳が封入されている無電憾放奄幻と全備えた
ものにおいて、上記舎輌メツシュ似は一枚の金属板より
形成され、かつそのメツシュの開口率が６０チ以上９５
チ以下であることを特倣とするマイクロ波放電光凍装匝
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7639782A JPS58194242A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | マイクロ波放電光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7639782A JPS58194242A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | マイクロ波放電光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194242A true JPS58194242A (ja) | 1983-11-12 |
Family
ID=13604157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7639782A Pending JPS58194242A (ja) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | マイクロ波放電光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194242A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174996U (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-21 | ||
| JPS61200693A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-05 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波放電光源装置 |
| KR20010055802A (ko) * | 1999-12-13 | 2001-07-04 | 구자홍 | 무전극램프의 리플렉터 일체형 공진기 구조 |
| US7802890B2 (en) | 2007-02-02 | 2010-09-28 | Seiko Epson Corporation | Light source device and projector |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535825A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-13 | Itsuki Ban | Lighter equipped with watch |
| JPS5760303B2 (ja) * | 1979-06-15 | 1982-12-18 | Kanagawa Seisakusho Kk |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP7639782A patent/JPS58194242A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535825A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-13 | Itsuki Ban | Lighter equipped with watch |
| JPS5760303B2 (ja) * | 1979-06-15 | 1982-12-18 | Kanagawa Seisakusho Kk |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174996U (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-21 | ||
| JPS61200693A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-05 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波放電光源装置 |
| KR20010055802A (ko) * | 1999-12-13 | 2001-07-04 | 구자홍 | 무전극램프의 리플렉터 일체형 공진기 구조 |
| US7802890B2 (en) | 2007-02-02 | 2010-09-28 | Seiko Epson Corporation | Light source device and projector |
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