JPS5819599A - 放射性気体廃棄物処理系の再結合器用加熱装置 - Google Patents
放射性気体廃棄物処理系の再結合器用加熱装置Info
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- JPS5819599A JPS5819599A JP11717181A JP11717181A JPS5819599A JP S5819599 A JPS5819599 A JP S5819599A JP 11717181 A JP11717181 A JP 11717181A JP 11717181 A JP11717181 A JP 11717181A JP S5819599 A JPS5819599 A JP S5819599A
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- Japan
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- recombiner
- heat exchanger
- catalyst
- exhaust gas
- gas
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- Gasification And Melting Of Waste (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は原子力発電所の主復水器系の気体廃棄物中の酸
素と水素を再結合処理し、除去するための放射性気体廃
棄物処理系の再結合器用加熱装置に関する。
素と水素を再結合処理し、除去するための放射性気体廃
棄物処理系の再結合器用加熱装置に関する。
一般に、沸騰水型原子炉の原子力発電プラントの主復水
器には空気がリークインし、この空気を廃棄する必要が
ある。
器には空気がリークインし、この空気を廃棄する必要が
ある。
しかし、冷却水の一部が中性子により放射線分解して発
生する酸素と水素及び、原子炉の燃料棒から核分裂生成
物として発生する希ガス等が蒸気に混入し、前記空気と
混合する。このため空気を廃棄する装置に、主復水器よ
り抽気したガスン処理するための装置が設けられている
。この処理装置は抽気した蒸気と前記混合ガス中から水
素と酸素を再結合する水素酸化処理装置、蒸気と前記再
結合処理され蒸気になった物を除去する復水器、核分裂
生成物を処理するホールドアツプ装置等で構成されてい
る。
生する酸素と水素及び、原子炉の燃料棒から核分裂生成
物として発生する希ガス等が蒸気に混入し、前記空気と
混合する。このため空気を廃棄する装置に、主復水器よ
り抽気したガスン処理するための装置が設けられている
。この処理装置は抽気した蒸気と前記混合ガス中から水
素と酸素を再結合する水素酸化処理装置、蒸気と前記再
結合処理され蒸気になった物を除去する復水器、核分裂
生成物を処理するホールドアツプ装置等で構成されてい
る。
以下に従来の放射性気体廃棄物処理装置を第１図によっ
て説明する。
て説明する。
主復水器１から空気抽出器２で抽気された気体廃棄物（
酸素、水素、希ガス等のガス状放射性核種及び空気）と
蒸気はバルブＶ１を介し予熱部入口配管２ａから予熱器
３へ流入する。予熱器３は第２図に示したように別系統
による蒸気ラインにより予熱され、再結合器４′へ流入
する。
酸素、水素、希ガス等のガス状放射性核種及び空気）と
蒸気はバルブＶ１を介し予熱部入口配管２ａから予熱器
３へ流入する。予熱器３は第２図に示したように別系統
による蒸気ラインにより予熱され、再結合器４′へ流入
する。
この再結合器４内に充填された触媒により酸素と水素が
再結合処理されて水蒸気になる。処理された水蒸気は前
記抽気された蒸気とと框に復水器５で冷却されて凝縮し
水としてドレンされる。
再結合処理されて水蒸気になる。処理された水蒸気は前
記抽気された蒸気とと框に復水器５で冷却されて凝縮し
水としてドレンされる。
ドレン水はドレン酸管を通して主復水器１へ戻される。
５ｂは冷却水の流れ方向を示す。一方残った空気と希ガ
ス等の放射性核種は復水器５の出口管７から希ガスホー
ルドアツプ塔６へ移送される。希ガスホールドアツプ塔
６では、活性炭に希ガスを吸脱着させ、一定時間ボール
ドアップしくキセノンＸｅに対しては３０日）放射能を
減衰させる。希ガスの放射能を減衰させ放出基準以下に
した後、希ガスを真空ポンプ７を通して排気スタック８
から大気中に放出する。なお、上記各機器は二系列で構
成され、一系列は予備となっている。
ス等の放射性核種は復水器５の出口管７から希ガスホー
ルドアツプ塔６へ移送される。希ガスホールドアツプ塔
６では、活性炭に希ガスを吸脱着させ、一定時間ボール
ドアップしくキセノンＸｅに対しては３０日）放射能を
減衰させる。希ガスの放射能を減衰させ放出基準以下に
した後、希ガスを真空ポンプ７を通して排気スタック８
から大気中に放出する。なお、上記各機器は二系列で構
成され、一系列は予備となっている。
このように従来の処理装置においては、再結合器４での
処理効率を向上させるために予熱器３な設けており、こ
の予熱の熱源として、別系統の蒸気ライン３ａを必要と
している。再結合器にはヒータを設は保温して昇温可能
な構造になっている。
処理効率を向上させるために予熱器３な設けており、こ
の予熱の熱源として、別系統の蒸気ライン３ａを必要と
している。再結合器にはヒータを設は保温して昇温可能
な構造になっている。
ここで、系統を予備に切替える場合、再結合器が化学反
応を起こす最良の温度に保持する必要があシ、また運転
終了後、再結合器内が乾湿の繰返しが発生することを防
止する必要がある。さらに必要な温度に達するまでの到
達時間を速やかにかつ内部の温度を均一に保持する必要
がある。
応を起こす最良の温度に保持する必要があシ、また運転
終了後、再結合器内が乾湿の繰返しが発生することを防
止する必要がある。さらに必要な温度に達するまでの到
達時間を速やかにかつ内部の温度を均一に保持する必要
がある。
しかしながら、従来の装置では再結合器内の触媒の温度
が異常に上昇して酸化し寿命が短くなり長期間の運転に
耐えない欠点があ蜘、効率が良いものとば云えなかった
。
が異常に上昇して酸化し寿命が短くなり長期間の運転に
耐えない欠点があ蜘、効率が良いものとば云えなかった
。
本発明は上記〜欠点な除去するためになされたもので予
熱器３の熱源となる別系統３ａの蒸気ラインを不用とし
、かつ再結合器内の温度を制御可能として触媒の酸化を
防止した効率の良い放射性気体廃棄物処理系の再結合器
用加熱装置を提供することにある。
熱器３の熱源となる別系統３ａの蒸気ラインを不用とし
、かつ再結合器内の温度を制御可能として触媒の酸化を
防止した効率の良い放射性気体廃棄物処理系の再結合器
用加熱装置を提供することにある。
すなわち、本発明は抽気された気体廃棄物と蒸気を再結
合器内で発生する反応熱を用いて予熱する予熱器と前記
予熱器をバイパスする通路を設けて再結合器内の温度を
制御することを特徴とする放射性気体廃棄物処理系の再
結合器用加熱装置である。
合器内で発生する反応熱を用いて予熱する予熱器と前記
予熱器をバイパスする通路を設けて再結合器内の温度を
制御することを特徴とする放射性気体廃棄物処理系の再
結合器用加熱装置である。
以下、本発明の一実施例な第３図および第４図により説
明する。
明する。
第３図において原子炉主復水器１から抽気された水素、
酸素、空気、希ガス等の気体廃棄物と蒸気は送風器によ
ってガス入口配管２ａに送られる。
酸素、空気、希ガス等の気体廃棄物と蒸気は送風器によ
ってガス入口配管２ａに送られる。
ガス入口配管２ａには温度制御弁１０が接続され温度制
御弁１０の下流側配管１１は再結合器４の入口配管１７
に接続される。入口配管１７には温度制御器１２が設け
られ、温度制御器１２と前記温度制御弁１０との間は計
装用配線１３で結線される。また、温度制御弁１０の両
側は分岐されて配’ｆ１５ 、１６が接続され、配管１
５．１６は熱交換器１４に接続される。再結合器４の下
流側配管４ａは前記熱交換器１４の上流側に接続され、
熱交換器１４の下流側配管４ｂは排ガス復水器５の上流
側に接続される。再結合器４で処理されたガスは熱交換
器１４を経由し復水器５を通７つた後希ガスホールドア
ツプ塔６の入口配管５Ｃへと流れる。９は復水器５の冷
却管で、矢印は冷却水の流れ方向を示し１．５ｄはドレ
ン配管である。温度制御弁１０は再結合器４の入口配管
１７に取付けた温度制御器１２によシ、計装用配線１３
を介して制御される。
御弁１０の下流側配管１１は再結合器４の入口配管１７
に接続される。入口配管１７には温度制御器１２が設け
られ、温度制御器１２と前記温度制御弁１０との間は計
装用配線１３で結線される。また、温度制御弁１０の両
側は分岐されて配’ｆ１５ 、１６が接続され、配管１
５．１６は熱交換器１４に接続される。再結合器４の下
流側配管４ａは前記熱交換器１４の上流側に接続され、
熱交換器１４の下流側配管４ｂは排ガス復水器５の上流
側に接続される。再結合器４で処理されたガスは熱交換
器１４を経由し復水器５を通７つた後希ガスホールドア
ツプ塔６の入口配管５Ｃへと流れる。９は復水器５の冷
却管で、矢印は冷却水の流れ方向を示し１．５ｄはドレ
ン配管である。温度制御弁１０は再結合器４の入口配管
１７に取付けた温度制御器１２によシ、計装用配線１３
を介して制御される。
しかして、上記再結合器用加熱装置において、主復水器
１から抽気された気体廃棄物と蒸気は熱交換器１４のガ
ス入口配管１５に送られ熱交換器１４に流入し再結合器
４の水素酸化反応の熱によって加熱される。また熱交換
器１４には熱交換器１４をバイパスする配管１１とこの
配管１１を流れるガス量を制御するためのバルブ１０が
設けである。これは酸素と水素の再結合処理が最も効率
良く行われる最適運転温度（一般に４５０℃）に維持す
るための温度制御装置である。熱交換器１４で加熱され
た気体廃棄物と蒸気はパラジウムまたはプラチナ等をア
ルミナペレットまたは金属キャリヤ等に担持した触媒を
内包している再結合器４に送られ、気体廃棄物と蒸気中
の酸素と水素は再結合処理されて水蒸気になる。この再
結合器４を触媒が酸化する温度である許容温度以下の最
適な運転温度（一般に４５０’Ｃ）で運転することによ
り処理効率が高く、触媒の酸化の防止が可能な装置きな
る。
１から抽気された気体廃棄物と蒸気は熱交換器１４のガ
ス入口配管１５に送られ熱交換器１４に流入し再結合器
４の水素酸化反応の熱によって加熱される。また熱交換
器１４には熱交換器１４をバイパスする配管１１とこの
配管１１を流れるガス量を制御するためのバルブ１０が
設けである。これは酸素と水素の再結合処理が最も効率
良く行われる最適運転温度（一般に４５０℃）に維持す
るための温度制御装置である。熱交換器１４で加熱され
た気体廃棄物と蒸気はパラジウムまたはプラチナ等をア
ルミナペレットまたは金属キャリヤ等に担持した触媒を
内包している再結合器４に送られ、気体廃棄物と蒸気中
の酸素と水素は再結合処理されて水蒸気になる。この再
結合器４を触媒が酸化する温度である許容温度以下の最
適な運転温度（一般に４５０’Ｃ）で運転することによ
り処理効率が高く、触媒の酸化の防止が可能な装置きな
る。
一方処理されたガスは排ガス復水器５に送られ凝縮しド
レンされ、残りのガスは希ガスがホールドアツプ塔６に
送られ、従来通りに排気される。
レンされ、残りのガスは希ガスがホールドアツプ塔６に
送られ、従来通りに排気される。
次に本発明に係る装置乞拡大した斜視図２第４図に示す
。第４図では第３図における再結合器４と熱交換器１４
とン一体化して筒状容器２０に収納した例を示しており
、上半分に充填された触媒２１と下半分に収納された熱
交換器１４により構成される。この熱交換器１４はフラ
ンジ２２により取りはずしが自由にでき、メンテナンス
が容易にできるような構造となっている。
。第４図では第３図における再結合器４と熱交換器１４
とン一体化して筒状容器２０に収納した例を示しており
、上半分に充填された触媒２１と下半分に収納された熱
交換器１４により構成される。この熱交換器１４はフラ
ンジ２２により取りはずしが自由にでき、メンテナンス
が容易にできるような構造となっている。
また第４図において運転温度は上部半分の触媒２１に設
けられた温度検出器１８より検出され、温度制御器１２
により制御される。容器２０の下端側は復水器入口配管
４ａに接続される。なお、この実施例において、バイパ
スライン取除き、再結合器４の上流側に温度制御弁を設
置して再結合器４に供給する気体廃棄物と蒸気の量を減
少させることにより、再結合器４の温度上昇を抑えるこ
とができる。しかし再結合器に供給される気体廃棄物の
量目体は減少し、酸素と水素の反応量が低下する。これ
は再結合反応の効率を低下させることになる。
けられた温度検出器１８より検出され、温度制御器１２
により制御される。容器２０の下端側は復水器入口配管
４ａに接続される。なお、この実施例において、バイパ
スライン取除き、再結合器４の上流側に温度制御弁を設
置して再結合器４に供給する気体廃棄物と蒸気の量を減
少させることにより、再結合器４の温度上昇を抑えるこ
とができる。しかし再結合器に供給される気体廃棄物の
量目体は減少し、酸素と水素の反応量が低下する。これ
は再結合反応の効率を低下させることになる。
本実施例では再結合器４に供給される気体廃棄物のトー
タル量は温度制御弁１０の開度を調節した前後において
も変化せず、水素と酸素の再結合反応が効率良く行われ
る。
タル量は温度制御弁１０の開度を調節した前後において
も変化せず、水素と酸素の再結合反応が効率良く行われ
る。
上記実施例においては、再結合器４の入口のガス温度を
検出する事によシガス流量の制御を行なっているが、直
接再結合器の温度を検出してガス流量を制御する事も可
能である。
検出する事によシガス流量の制御を行なっているが、直
接再結合器の温度を検出してガス流量を制御する事も可
能である。
以上説明したように本発明によれば、再結合器内の触媒
の酸化を防止することができ、かつ予熱部の熱源となる
別系統の蒸気ラインを必要とせず酸素と水素の再結合を
効率よく行うことができる再結合器用加熱装置を提供で
きる。
の酸化を防止することができ、かつ予熱部の熱源となる
別系統の蒸気ラインを必要とせず酸素と水素の再結合を
効率よく行うことができる再結合器用加熱装置を提供で
きる。
第１図は従来の放射性気体廃棄物処理系を示す系統図、
第２図は第１図における再結合器とその前後を示す系統
図、第３図は本発明に係る再結合器用加熱に置の一実施
例を示す系統図、第４図は第３図における配管系統を示
す斜視図である。 １・・・主復水器、２・・・空気抽出器、３・・・予熱
器、４・・・再結合器、５・・・復水器、６・・・活性
炭ホールドアツプ塔、７・・・真空ポンプ、８川スタγ
り塔、９・・・冷却管、１０・・・温度制御弁、１１・
・・配管、１２・・・温度制御器、１３・・・計装用配
線、１４・・・熱交換器、１５．１６．１７・・・配管
、１８・・・温度検出器、２０・・・筒状容器、２１・
・・触媒、２２・・・フランジ。 出願代理人 弁理士 菊 池 五 部
第２図は第１図における再結合器とその前後を示す系統
図、第３図は本発明に係る再結合器用加熱に置の一実施
例を示す系統図、第４図は第３図における配管系統を示
す斜視図である。 １・・・主復水器、２・・・空気抽出器、３・・・予熱
器、４・・・再結合器、５・・・復水器、６・・・活性
炭ホールドアツプ塔、７・・・真空ポンプ、８川スタγ
り塔、９・・・冷却管、１０・・・温度制御弁、１１・
・・配管、１２・・・温度制御器、１３・・・計装用配
線、１４・・・熱交換器、１５．１６．１７・・・配管
、１８・・・温度検出器、２０・・・筒状容器、２１・
・・触媒、２２・・・フランジ。 出願代理人 弁理士 菊 池 五 部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （υ 排ガス抽出器、予熱器、再結合器、排ガス復水器
、活性炭ホールドアツプ塔を順次接続してなる放射性気
体廃棄物処理系において、前記予熱器な除去し前記排ガ
ス抽出器と再結合器との間の流路に温度制御弁を介在す
るとともに温度制御器を設け、かつ前記温度制御弁の両
側配管から分岐して連通する熱交換器を設け、かつこの
熱交換器内に前記再結合器から流出する排ガスな通流し
前配排ガス復水器へ流入する流路な設けてなることを特
徴とする放射性廃棄物処理系の再結合器用加熱装置。 （２） 再加熱器は上端に温度検出器を有する筒状容
器内のほぼ上部半分に触媒が充填されかつ該容器のほぼ
下部半分に熱交換器が収納されてなシ、該触媒を通流し
て加熱されたガスによシ該熱交換器内のバイブが加熱さ
れてその加熱されたパイプ内を流れるガスが該触媒内を
通流し排ガス復水器へ流れる流路を形成してなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射性気体廃棄
物処理系の再結合器用加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11717181A JPS5819599A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 放射性気体廃棄物処理系の再結合器用加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11717181A JPS5819599A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 放射性気体廃棄物処理系の再結合器用加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819599A true JPS5819599A (ja) | 1983-02-04 |
Family
ID=14705195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11717181A Pending JPS5819599A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 放射性気体廃棄物処理系の再結合器用加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819599A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997028085A1 (en) * | 1996-01-29 | 1997-08-07 | Fujikin Incorporated | Method for generating moisture, reactor for generating moisture, method for controlling temperature of reactor for generating moisture, and method for forming platinum-coated catalyst layer |
| US6855642B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-02-15 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11717181A patent/JPS5819599A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997028085A1 (en) * | 1996-01-29 | 1997-08-07 | Fujikin Incorporated | Method for generating moisture, reactor for generating moisture, method for controlling temperature of reactor for generating moisture, and method for forming platinum-coated catalyst layer |
| US6855642B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-02-15 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6962880B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-11-08 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6962881B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-11-08 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7008880B2 (en) | 1997-03-05 | 2006-03-07 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7053007B2 (en) | 1997-03-05 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7250376B2 (en) | 1997-03-05 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7799690B2 (en) | 1997-03-05 | 2010-09-21 | Renesas Electronics Corporation | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
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