JPS58197746A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS58197746A
JPS58197746A JP57079856A JP7985682A JPS58197746A JP S58197746 A JPS58197746 A JP S58197746A JP 57079856 A JP57079856 A JP 57079856A JP 7985682 A JP7985682 A JP 7985682A JP S58197746 A JPS58197746 A JP S58197746A
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terminal
semiconductor integrated
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Masahiro Iwamura
将弘 岩村
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/90Masterslice integrated circuits
    • H10D84/998Input and output buffer/driver structures

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積回路装置に係り、特にマスタースラ
イス方式の半導体集積回路装置に関する。
コンピュータ、端末装置、その他の一般制御装置の大規
模集積回路(LaI3化が活発に展開されている。これ
らの半導体集積回路装置は多品種少量生産の傾向が特に
強く、製造コストの低減と製造期間の短縮化の丸めマス
タースライス(master 5lice 3方式によ
る製造が多用されている。
マスタースライス方式の半導体集積回路装置においては
一つの半導体チップ上にマクロスと呼ばれる共通素子パ
ターンをあらかじめ例えばマトリクス状に作成、配置し
ておき、開発品種に応じて専用配縁マスクを作成するこ
とにより、上記マクロス間の相互配線を行って所望の回
路機能を有する半導体集積回路装置を完成させるもので
ある。
第1図はマスタースライス方式半導体集積回路装置の構
成を簡略化して示したものである。
図において、10は半導体チップで、その周辺に入出力
ビンとの接続のための入出力パッド11が複数個配置さ
れ、さらに、入出力パッド11の内側に中間セルである
入出力セル12が配置されている。13はマクロスで、
半導体チップ10の中央にマトリクス状に配置されてい
る。マクロス13は例えば論理ゲートセルを0MO8で
構成する場合、複数のNMO8)ツンジスタとPMOS
トランジスタがあらかじめ配設されており、マスタース
ライスの工程で、トランジスタ相互間の接続が行われ、
NANDゲートやフリップフロップなどが実現される。
14はあらかじめ定められ九配線用のチャネルで、マク
ロス13の相互間および、マクロス13と入出力セル1
2との間に設けられてお9、この配縁チャネル14を使
ってマクロス13間の相互配線およびマクロス13と入
出力セル12間の相互配−が行われ、これによシ所望の
半導体集積回路が完成される。
ここで、中間セルとなる入出力セル12の機能を簡単に
説明する。入力セルは半導体集積回路の外部から半導体
集積回路の内部、すなわちマクロスに信号を導入するた
めのインタフェース回路でTo〉、レベル変換の動作を
行う0列えば、半導体集積回路の外部からの信号がTT
L回路から出力され友ものでToシ、半導体集積回路の
内部が0M08回路で構成されている場合、TTL信号
レベルからCMO8信号レベルへのレベル変換を行う。
次に出力セルは半導体集積回路の内部から半導体集積回
路の外部へ信号を導出する丸めのインタフェース回路で
あシ、ガえば、半導体集積回路内部のCMO8信号レベ
ルから半導体集積回路外部0TTL(l−8レベルへの
レベル変換を行う、まえ、出力セルは外部負荷を直接駆
動する丸め、内部のマクロス13に比べて、よp高い負
荷駆動能力を持たせるのが一般的である。
第2図は従来から多用されているマスタースライス用の
中間セルとなる入出力セルの拡大図である。
第2図において100は入出力セル全体を示し、200
は半導体集積回路の外部ピンと半導体集積回路の内部を
接続するための入出力パッドである。
101は入力バッファ、102は出力バッファである。
入出力セル10Gを入力用として使用する場合、端子、
103と端子108が接続され、外部備考が入出力パッ
ド200、入力バッファ101゜端子104を通って内
部のマクロスに導入される。
次に入出力セル100を出力用として使用する場合、端
子106と端子108が接続され、内部回路の出力が端
子105、出力バッファ102、入出力パッド200を
通って半導体集積回路の外部に出力される。なお、端子
107Fi出力パツフア108をトライステート(高イ
ンピーダンス)状態に切換える丸めの制御端子である。
1九、入出力セル100を入力と出力に兼用する場合は
端子103と端子108が接続されるとともに端子10
6と端子108が接続される。
この様な従来の中間セルは論理レベルの信号の入力ま九
は出力を目的としているため、非論理レベルのアナログ
信号の入力f出力は不可能である。
また、従来の中間セルは信号の入力と出力の機能しかな
い丸め、入出力ビンを不使用の場合、入出力ビンを有効
に利用することができない。
本発明の目的は論理レベル信号の入出力ばかりでなく、
非論理レベルの入出力にも通用し得る中間(ルを備え良
導導体集積回路装置を提供することにある。
本発明の他の目的は不使用の入出力ビンを有効に使用し
得る中間セルを備え良導導体集積回路装置を提供するこ
とにある。
本発明は前述し九ような従来の中間セルの欠点を除去す
る丸めになされ丸ものであシ、中間セルを汎用化する丸
めに中間セルに非論理レベルの入出力を行う丸めのスル
ーチャネルを^偏することを41黴としている。
さらに本発明の他の%黴とするところは、不使用ビンを
付加的な接地ビンとするための接地引出線と不使用ビン
を付加的な電源ビンとするための電源引出線を中間セル
に設けることにより、不使用ビンを有効に利用できるよ
うにし友ものである。
以下、本発明を図面に従って説明する。以下の図面で第
2図と同一番号は同一物を九は相当物を示す。
第3図において、210は例えば金属配線によるスルー
チャネルで、211はマクロスからなる内部回路と接続
する丸めの接続端子、212は入出力パッド接続端子1
08と接続する丸めの接続端子である。220は金属配
縁によりマクロスからなる内部回路に基準電位を与える
内部接地パス、230は金属配線による接地引出線、2
31は接地引出@230を端子108に接続するための
接続端子である。240は金属配線によシマクロスから
なる内部回路に電源電位を供給する電源バス、250は
金属配線による電源引出線、251は電源引出−を端子
108に接続する九めの接続端子である。第3図に示し
九本実施例の中間セルとなる入出力セル100では従来
の論理レベルの入出力機能に加えて、端子212と端子
108を接続することにより、非論理レベルの入出力を
行うことができる。
ま九、端子231と端子108を接続することによシ、
信号の入出力に使用されない不使用ビンを付加的な接地
ビンとして使用することができる。
さらにまた、端子251と端子108を接続することK
より信号の入出力に使用されない不使用ビンを付加的な
電源ビンとして使用することができる。
陶、中間セルとなる入出力セル100に上記のいずれの
機能を持死せるかは品楕毎に配線マスクを作成すb際に
、同時に入出力セル用の配線マスクを作成することによ
)自由に決定できる。
第4図に本実施例をアナログ入力セルとして用いる場合
の配線例を示す。
図において、300はマクロスで構成される内部回路部
分を示している。31Oはアナログコンパレータで、3
11,312はその入力端子、313は出力端子である
0図において、スルーチャネル210の一方の端子21
2は入出力パッドの端子108と接続されており、他方
の端子211はアナログコンパレータ310の一方の入
力端子311に接続される。し九がって、本実施例では
入出力セル100はアナログ入力セルとして機能し、ア
ナログコンパレータ310の出力端子313には入力端
子311に印加されたアナログ信号と入力端子312に
印加され九他のアナログ信号との比較結果が出力される
第5図に本実施例をアナログ出力セルとして用いる場合
の配線例を示す。
第5図において、32(l演算増幅器であシ、321.
322は夫々入力抵抗、帰還抵抗、また、3231.3
24は夫々演算増幅器の入力端子、出力端子である。第
5図において、入力端子323に印加され九アナログ信
号■3は増幅され、出力端子324に出力される。演算
増幅器320の出力端子324は端子211、スルーチ
ャネル210端子212、端子108を経て入出力パッ
ド200に接続されている。し九がって、JIK5図で
は入出力セル10Gはアナログ出力セルとして機能する
なお、本実施例の構成!!索の一つであるスルーチャネ
ル210は端子211と212を結ぶ単なる配線であっ
てもよいし、第6図に示すように、端子211と212
間に設けられ九抵抗、ダイオード、トランジスタなどか
ら構成された直列回路あるいは並列回路215を含むも
のであっても入力筐丸は、出力としてのスルー機能を損
わないものであればよい。
JIII図に本実施例を接地強化セルとして用いる場合
の配線例を示す。
第7FIAにおいて、内部接地バス220は接地引出線
2301端子2311端子108を経て人出カパツド2
00に接続されている。したがって、jIT図では入出
力セル100は接地強化セルとして機能する。
第8図に本実施例を電源強化セルとして用いる場合の配
−例を示す。
第8図において内部電源バス240は電源引出線250
、端子2511端子108を経て入出力バッド200に
接続されている。したがって、第8図では入出力セル1
00は電源強化セルとして機能する。
なお、本発明の実施例ではスルーチャネルが1本の場合
を示したが、必l!に応じて入力専用のスルーチャネル
、出力専用のスルーチャネルに分けるなど、置数のスル
ーチャネルを設けてもよい。
を九、接地引出線、電源引出線についても、2系統以上
の内部接地バス、電源バスがある場合、複数の接地引出
線、電源引出線を設けてもよい。ま九、スルーチャネル
210、接地引出線230、電源引出9250#iその
長さが零であってもよい。
すなわち、接続端子211と212は同一端子であって
もよいし、接続端子231は内部接地バス22G上の任
意の点に設けられていてもよい。同様に績l&趨子25
1は内部電源バス240上の任意の点に設けられていて
もよい。
さらKt丸、本発明による中間セルではスルーチャネル
、接地引出線、゛電源引出線のすべてを設ける必要はな
く、必要なものだけ設けておけばよい。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば論理レベ
ルの信号の入出力ばかpでなく、非論理レベルの信号の
入出力にも適用できる九め、とくにディジタルとアナロ
グが混在したマスタースライス方式の半導体集積回路装
置の場合、その効果が大である。
さらに、本発明によれば、中間セルは信号の入出力K1
1l用しない外部ビンを接地強化ビンtfcはf/を源
強化ピンとして利用できるため、内部回路の接地レベル
↑′−源レベルの変動を低減でき、よシ安定し九回路動
作の半導体集積回路装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1FiAはマスタースライス方式半導体集積回路の概
略を示す平面図、Ji12図は縞1図に於ける従来例で
ある入出力セルの回路図、第3図は本発明の一実施例に
よる入出力セルの回路図、第4図は本発明の一実施例に
よる入出力セルをアナログ入力セルとして用いる場合の
回路図、第5図は本発明の一実施例による入出力セルを
アナログ出力セルとして用いる場合の回路図、第6図は
本発明の他の実施例によるスルーチャネルを示す図、第
7図は本発明の一実施例による入出力セルを接地強化セ
ルとして用いる場合の回路図、第8図は本発明の一実施
例による入出力セルを電源強化セルとして用いる場合の
回路図である。 11.200・・・入出力パッド、12,100・・・
入出力セル、13・・・マクロス、210・・・スルー
チャネル、220・・・内部接地バス、230・・・接
地引出線、240・・・電源バス、250・・・電源引
出線、 。 代理人 弁理士 高41!明( 第1 m ′JP;4L  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体チップ上に設けられる複数個のマクロスと、
    線中導体チップの周辺に設けられる複数個の入出力パッ
    ドと、該マクロスと該入出カッくラドの閾に設けられ、
    該マクロスと咳入出カッくラドとt接続する中間セルと
    を具備するものに於いて、上記中間セルは少なくとも一
    つのスルーチャネルを有することを特徴とする半導体集
    積回路。 2.4II#’Pfl求の範囲第1項に於いて、上記ス
    ルーチャネルは、上記マクロスと上4入出カッくラドと
    を直接接続する金属配線であることを特徴とする半導体
    集積回路。 3、半導体チップ上に設けられる複数個のマクロスと、
    該半導体チップの周辺に設けられる複数個の入出力パッ
    ドと、該マクロスと該入出カッくラドの間に設けられ、
    該マクロスと該入出力パッドとを接続する中間セルとを
    具備するものに於いて、上記中間セルは、上記マクロス
    に基準電位を与える内S接地パスに接続する接地引出線
    、ま九は、上記マクロスに電源電位を与える電源パスに
    接続する電源引出線を有することを特徴とする半導体集
    積回路。 4、%許請求の範囲第1項、第2項または第3項に於い
    て、上記中間セルは入カパツファまたは出力バッファを
    有することを%黴とする半導体集積回路装置。
JP57079856A 1982-05-14 1982-05-14 半導体集積回路装置 Granted JPS58197746A (ja)

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JPH058576B2 JPH058576B2 (ja) 1993-02-02

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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