JPS58197843A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58197843A JPS58197843A JP8000382A JP8000382A JPS58197843A JP S58197843 A JPS58197843 A JP S58197843A JP 8000382 A JP8000382 A JP 8000382A JP 8000382 A JP8000382 A JP 8000382A JP S58197843 A JPS58197843 A JP S58197843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- opening
- etching
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｌ゛発明属する技術分野〕
本発明は半導体装１１１における配Ｓｔ断線なく形成す
る方法、更ＩＦ−祥しくは、絶縁膜に周縁が緩やかな断
面ＩＭつ開口を形成する方法に関するものである。
る方法、更ＩＦ−祥しくは、絶縁膜に周縁が緩やかな断
面ＩＭつ開口を形成する方法に関するものである。
（従来技術とその問題点〕
従来、配線金属として例えばアルミニウムｔ−蒸着する
＃に、絶縁膜−例えば酸化膜に電極取付相開Ｌ」部（窓
）ケつくるＤロエ方法としては、上記酸化襖上に所定形
状の開ロｓｔ−有するレジスト膜會形成し、を記聞口部
に露出している酸化膜を一度にエツチング処理した後、
上記レジスト膜を除去して、上記酸化膜に所定形状の開
ロＳｔ−作る方法が用いられている。
＃に、絶縁膜−例えば酸化膜に電極取付相開Ｌ」部（窓
）ケつくるＤロエ方法としては、上記酸化襖上に所定形
状の開ロｓｔ−有するレジスト膜會形成し、を記聞口部
に露出している酸化膜を一度にエツチング処理した後、
上記レジスト膜を除去して、上記酸化膜に所定形状の開
ロＳｔ−作る方法が用いられている。
しかし、上記の方法にぶって形成された酸化膜の開口部
周縁の断面は急峻な立上り１１１１ｔ有し、この几め、
この開口部に配４Ｉｔ行う場合に上記側壁［ｉ］には配
線が薄く形成される工うになり、いわゆるシャドウィン
グ効果を生じ、配線の＃線の原因となり半導体装置の信
頼性を低下させる。
周縁の断面は急峻な立上り１１１１ｔ有し、この几め、
この開口部に配４Ｉｔ行う場合に上記側壁［ｉ］には配
線が薄く形成される工うになり、いわゆるシャドウィン
グ効果を生じ、配線の＃線の原因となり半導体装置の信
頼性を低下させる。
このＬつな欠点を除く方法として、酸化膜の開口部の立
上り部の傾斜をゆるやかにし友いわゆる傾斜（ベベル）
カッ、ト法があるが、傾斜をゆるやかにするｔめ必然的
に加工精度が落ち、！几斜面の占有面積が大きくなるの
で素子の集積度を低下させることになる。
上り部の傾斜をゆるやかにし友いわゆる傾斜（ベベル）
カッ、ト法があるが、傾斜をゆるやかにするｔめ必然的
に加工精度が落ち、！几斜面の占有面積が大きくなるの
で素子の集積度を低下させることになる。
本発明の目的は上記欠点を併除し、集積Ｉｆｔ低下させ
ることなく、開口部での配線のＡｒ１８１ｔ−生じない
半導体装置の１１１４方法を提供することにある〔発明
の概要〕 上記目的ｔＳ成する友めの本発明の特徴は、纂ｌの絶縁
膜と熱流動性の高い礪２の絶縁膜とｔｌね合わぜ友積ノ
ー膜を用い、１ず従来のエツチング方法ｖｃより所定の
開口を形成した後、上層部の藁２の絶縁膜に熱処理を施
し、その流動性を利用して、開口部の４縁が緩やかな断
面ｔもつ工うにし定ことにある。
ることなく、開口部での配線のＡｒ１８１ｔ−生じない
半導体装置の１１１４方法を提供することにある〔発明
の概要〕 上記目的ｔＳ成する友めの本発明の特徴は、纂ｌの絶縁
膜と熱流動性の高い礪２の絶縁膜とｔｌね合わぜ友積ノ
ー膜を用い、１ず従来のエツチング方法ｖｃより所定の
開口を形成した後、上層部の藁２の絶縁膜に熱処理を施
し、その流動性を利用して、開口部の４縁が緩やかな断
面ｔもつ工うにし定ことにある。
本発明ＫＬれば、絶縁膜に加工楕匿しく、かつｌｌｌＩ
Ｆ度を低下させずに、周縁が緩やかなＷＲ面１％つ開口
部を形成できるので配線の断線が生じず、信頼性は著し
く同上する。この工うに本発明は半導体装置の製造方法
を特に高密度集積回路の絶縁膜のエツチングに極めて有
効な手ＩＲｔ提供するものである。
Ｆ度を低下させずに、周縁が緩やかなＷＲ面１％つ開口
部を形成できるので配線の断線が生じず、信頼性は著し
く同上する。この工うに本発明は半導体装置の製造方法
を特に高密度集積回路の絶縁膜のエツチングに極めて有
効な手ＩＲｔ提供するものである。
本発明の一実施例について第１図〜１ｇ５図を参照しな
がら述べる。まず第１図に示す工うに、シリコン基板ｌ
上に、８１の絶縁膜として、酸化シリコン膜２を例えば
０．５μｍ厚さ形成し、さらにこの酸化シリコン基板ｌ
上ＶＣＩＩｘ２のＰ縁膜として例えば−素と燐をそれぞ
れＩ Ｘ １０ ”ａｔｏｒｒｙ−含んだシリケートガ
ラス膜３ｔ−例えば０．５＃ｍ厚さ形成し、その上にマ
スクとしてレジスト層４を形成しバターニングｖｃＬｖ
エツチング窓５ｔ−形成する。久に、例えばフレオン（
ＣＦ４ ）と水素（）ｉ、）ｔ−用いた反応性イオンエ
ツチング法聞口部ＬＨ）＠Ｋ ！ ５エツチング窓５を
介してシリケートガラス膜３と酸化シリコンＩＩ［２を
基板１の表ＩＩＩでエツチング除去した後、レジスト層
４【除去した状１１を纂２図に示す。
がら述べる。まず第１図に示す工うに、シリコン基板ｌ
上に、８１の絶縁膜として、酸化シリコン膜２を例えば
０．５μｍ厚さ形成し、さらにこの酸化シリコン基板ｌ
上ＶＣＩＩｘ２のＰ縁膜として例えば−素と燐をそれぞ
れＩ Ｘ １０ ”ａｔｏｒｒｙ−含んだシリケートガ
ラス膜３ｔ−例えば０．５＃ｍ厚さ形成し、その上にマ
スクとしてレジスト層４を形成しバターニングｖｃＬｖ
エツチング窓５ｔ−形成する。久に、例えばフレオン（
ＣＦ４ ）と水素（）ｉ、）ｔ−用いた反応性イオンエ
ツチング法聞口部ＬＨ）＠Ｋ ！ ５エツチング窓５を
介してシリケートガラス膜３と酸化シリコンＩＩ［２を
基板１の表ＩＩＩでエツチング除去した後、レジスト層
４【除去した状１１を纂２図に示す。
第２図では開口部の＃面は垂直である。１危エツチング
は平行平板電極の内、高周波印加１１に試料ｔ−ｔｉ１
ｓ、Ｃ自Ｆ＠ ：＝２４”Ａｉｎ 、 ）ｉ、 ＝１０
ｃｃ／ｈＩｉｎ ＊ Ｈｋ’ｐｏｗｅｒ＝＝１５０Ｗ
＋圧力＝ １０ｍＴｏｒｒ の元で行なっ几・ 次に例えば、９５０°Ｃの酸＠ （Ｏｓ ） ＩＦ囲気
中で１５分間熱処理を施した後の状ｌｔ纂３図に示す。
は平行平板電極の内、高周波印加１１に試料ｔ−ｔｉ１
ｓ、Ｃ自Ｆ＠ ：＝２４”Ａｉｎ 、 ）ｉ、 ＝１０
ｃｃ／ｈＩｉｎ ＊ Ｈｋ’ｐｏｗｅｒ＝＝１５０Ｗ
＋圧力＝ １０ｍＴｏｒｒ の元で行なっ几・ 次に例えば、９５０°Ｃの酸＠ （Ｏｓ ） ＩＦ囲気
中で１５分間熱処理を施した後の状ｌｔ纂３図に示す。
シリケートガラスｊ１［３ｔ！高温での流動性が高いた
め、開口Ｓに流れ込み、その周縁Ｗ６は累３図に示し７
ｔ↓うになだらかな形状になる。再度レジスト４６を形
成し、バターニングに工Ｖ纂１図と同一場所にエツチン
グ窓７ｔ−形成した状［１ｔ＠４図に示す１次に例えば
記述と同様、フレオン（ＣＦ４ ）と水素（Ｈｓ）を用
いた反応性イオンエツチング法に工９、エツチング窓７
１に介してシリケートガラスｌｌｌ３にエツチング除去
した後、レジスト層６’Ｊｉ−除去し、配線層として例
えばアルミニウム膜８ｔ−スパッタ法あるいは電子ビー
ム法等にエフ蒸着した状態を藁５図に示す、纂５図工り
わかる工うに開口部周縁の傾斜部でも平坦部とほぼ同じ
渾名に゛ｒルミニウムが破着し、配線の断線が生じなく
なり、信頼性が同上する。
め、開口Ｓに流れ込み、その周縁Ｗ６は累３図に示し７
ｔ↓うになだらかな形状になる。再度レジスト４６を形
成し、バターニングに工Ｖ纂１図と同一場所にエツチン
グ窓７ｔ−形成した状［１ｔ＠４図に示す１次に例えば
記述と同様、フレオン（ＣＦ４ ）と水素（Ｈｓ）を用
いた反応性イオンエツチング法に工９、エツチング窓７
１に介してシリケートガラスｌｌｌ３にエツチング除去
した後、レジスト層６’Ｊｉ−除去し、配線層として例
えばアルミニウム膜８ｔ−スパッタ法あるいは電子ビー
ム法等にエフ蒸着した状態を藁５図に示す、纂５図工り
わかる工うに開口部周縁の傾斜部でも平坦部とほぼ同じ
渾名に゛ｒルミニウムが破着し、配線の断線が生じなく
なり、信頼性が同上する。
上紀爽施例では＃！ｌの絶縁膜として、酸化シリコン膜
を用いたが、窒化シリコン膜、その他、高温での流動性
の低い絶縁績で％工く、筐た第２の絶縁膜としては、高
温での流動性ｔ−％友ぜた種々のシリケートガラス膜で
ｔ工い。
を用いたが、窒化シリコン膜、その他、高温での流動性
の低い絶縁績で％工く、筐た第２の絶縁膜としては、高
温での流動性ｔ−％友ぜた種々のシリケートガラス膜で
ｔ工い。
また、第２の絶縁膜の熱処理１ａ！Ｉｆは９５０”Ｃと
し九が、８５０“Ｃ以上なら流動性が得られる。なお熱
処理方法としては、電子ビーム、あるいはレーザービー
ムによる方法で％工い、さらに、纂ｌの絶縁膜と稟２の
絶縁膜の膜厚を変えることに１９、開口部周縁の傾斜を
制御できる。
し九が、８５０“Ｃ以上なら流動性が得られる。なお熱
処理方法としては、電子ビーム、あるいはレーザービー
ムによる方法で％工い、さらに、纂ｌの絶縁膜と稟２の
絶縁膜の膜厚を変えることに１９、開口部周縁の傾斜を
制御できる。
開口部のエツチング方法として、本実施例では反応性イ
オンエツチング法を用いたが、スパッタエツチング法で
も良＜、ｔ７ｊ、等方性エツチング法を用いてｔ１開口
部の周縁を緩やかＫｌｋり本発明の効果は得られる。
オンエツチング法を用いたが、スパッタエツチング法で
も良＜、ｔ７ｊ、等方性エツチング法を用いてｔ１開口
部の周縁を緩やかＫｌｋり本発明の効果は得られる。
なお、本実施例では金属配線層と半導体基板の接続の場
合について説明したが、多結晶シリコンと半導体基板、
金属と金属の接続のための開口を形成する場合等につい
てｔ本発＃４Ｆｉｏｗ効である。
合について説明したが、多結晶シリコンと半導体基板、
金属と金属の接続のための開口を形成する場合等につい
てｔ本発＃４Ｆｉｏｗ効である。
第１図、第２図、纂３図、第４図、第５図為会鰺％！都
は本発明の一実施例の製造工程を示す断面図である。 図において、 ｌ・・・・・・シリコン基板 ２・・・・・・酸化シリコン膜 ３・・・・・・シリケートガラス膜 ４．６・・・・・・レジスト層 ５．７・・・・・・エツチング窓 ８・・・・・・アルミニウム配＃層、１代理人 弁理士
則近唐佑他１名 艷 第 １ 図 第２図 第４図 １７ −′第５図
は本発明の一実施例の製造工程を示す断面図である。 図において、 ｌ・・・・・・シリコン基板 ２・・・・・・酸化シリコン膜 ３・・・・・・シリケートガラス膜 ４．６・・・・・・レジスト層 ５．７・・・・・・エツチング窓 ８・・・・・・アルミニウム配＃層、１代理人 弁理士
則近唐佑他１名 艷 第 １ 図 第２図 第４図 １７ −′第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体基板上の絶縁膜に周縁がなだらかな断［１
０を持つ開口を形成する半導体装置の製造方法において
、素子が形成された半導体基板上に＠ｌの絶縁膜を形成
し、さらに該第１の絶縁膜上に熱宛動件の第２の絶縁膜
を形成する工程と、所定の開口部以外の前記＠２の絶縁
膜上にマスク【形成し、鏡開口部の前記第２の絶縁膜お
工び前記ｌｌ！ｌの絶縁膜をエツチング処理ＶＣ工９除
去する工程と、前記マスクを除去し７ｊｄｌ！、前記第
２の絶縁膜に熱処理を施す工程と、再び前記所定・の開
口部以外の前記第２の絶縁膜上にマスクを形成し、該開
口部の前記第２の絶−膜ｔエツチング処理に工９除去す
る工程とｔ含むこと【特徴とする半導体ｆ装置の製造方
法。 ｔ２） ＃Ｊ記４１の絶縁膜として、酸化シリコン膜、
或いは窒化シリコン膜を用い、前記第２の絶縁膜として
、燐・細索・砒素等の不純４！ＩＪｔ少なくとも１４類
以−ヒ含んだシリケートガラス膜を用い友こと（ｉ−特
徴とする前記峙許祷求の範囲第１項記載の半導体装１の
製造方法。 （３）前記開口部の絶縁膜ｔエツチングする方法として
、置方性エツチング法を用いたことｔ％黴とする前記待
杵縛求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8000382A JPS58197843A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8000382A JPS58197843A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197843A true JPS58197843A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13706155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8000382A Pending JPS58197843A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122631A (ja) * | 1984-02-03 | 1986-01-31 | フエアチアイルド カメラ アンド インストルメント コ−ポレ−シヨン | 半導体平坦化方法及びそれによつて製造された構成体 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP8000382A patent/JPS58197843A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122631A (ja) * | 1984-02-03 | 1986-01-31 | フエアチアイルド カメラ アンド インストルメント コ−ポレ−シヨン | 半導体平坦化方法及びそれによつて製造された構成体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0043451B1 (en) | Process for selectively forming refractory metal silicide layers on semiconductor devices | |
| EP0100735B1 (en) | Lift-off process for fabricating self-aligned contacts | |
| EP0137927A2 (en) | Process for the controlled etching of tapered vias in borosilicate glass dielectrics | |
| JPH0786230A (ja) | テーパエッチング方法 | |
| JPS63107119A (ja) | ステップ絶縁層を有する集積回路の製造方法 | |
| JPS61116834A (ja) | 半導体基板にコンタクトを形成する方法 | |
| KR900001652B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPS61127124A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6012737A (ja) | 窒化シリコン膜の製造方法 | |
| JPS6039848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS598356A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS62242337A (ja) | 多層配線用金属膜の形成方法 | |
| JPH0341984B2 (ja) | ||
| JPS5966125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5943549A (ja) | アルミニウム配線層の形成方法 | |
| JPS5873136A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS6058636A (ja) | 絶縁分離領域の形成方法 | |
| JPS5832434A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS583252A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02260535A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58102517A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000100815A (ja) | アルミニウム配線を有する半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6297348A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61226958A (ja) | 半導体装置およびその製造法 | |
| JPS62296443A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |