JPS58199488A - 磁気バブル記憶素子 - Google Patents
磁気バブル記憶素子Info
- Publication number
- JPS58199488A JPS58199488A JP57080942A JP8094282A JPS58199488A JP S58199488 A JPS58199488 A JP S58199488A JP 57080942 A JP57080942 A JP 57080942A JP 8094282 A JP8094282 A JP 8094282A JP S58199488 A JPS58199488 A JP S58199488A
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- JP
- Japan
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- detector
- magnetic bubble
- magnetic
- expander
- stretcher
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶素子にかか夛、特に検出器領域
の改良に関する。
の改良に関する。
磁気バブル記憶素子の構成要素である機能部のうちの重
要なものに拡大器及び検出器がある。記憶情報の読出し
に使用される検出器には通常、磁気バブルからの漏洩磁
場を検出する磁気抵抗効果素子が用いられているが円形
の単一磁気バブルでは検出するに充分な磁場を得ること
ができないため検出する前に予め磁気バブル径の数百倍
の長さに拡大する拡大器が必要となる。検出出力は磁気
パズルの拡大器に比例して増大するため拡大器を設ける
ことによって実用的か検出出力を得ることが可能となる
。検出後、拡大された磁気バブルは通常ガードレール外
に棄却される。
要なものに拡大器及び検出器がある。記憶情報の読出し
に使用される検出器には通常、磁気バブルからの漏洩磁
場を検出する磁気抵抗効果素子が用いられているが円形
の単一磁気バブルでは検出するに充分な磁場を得ること
ができないため検出する前に予め磁気バブル径の数百倍
の長さに拡大する拡大器が必要となる。検出出力は磁気
パズルの拡大器に比例して増大するため拡大器を設ける
ことによって実用的か検出出力を得ることが可能となる
。検出後、拡大された磁気バブルは通常ガードレール外
に棄却される。
磁気バブル拡大器のバタン構造は今まで種々のものが提
案されてきているが現在では本質的に山形パーマロイパ
タンからなる所謂多段シェブロン拡大器がもっとも広く
採用されている。多段シェブロン拡大器を用いて磁気バ
ブルを拡大するには磁壁移動度の関係から一挙に数百倍
に伸ばすことができないため、第１図に示すように逐次
拡大する方法がとられている。第１図は従来の磁気バブ
ル記憶素子の拡大器及び検出器（以下この領域を検出器
領域と呼ぶ。）の構成図で１は転送路２はシェブロン拡
大器、３は検出器、４はガードレールを示している。
案されてきているが現在では本質的に山形パーマロイパ
タンからなる所謂多段シェブロン拡大器がもっとも広く
採用されている。多段シェブロン拡大器を用いて磁気バ
ブルを拡大するには磁壁移動度の関係から一挙に数百倍
に伸ばすことができないため、第１図に示すように逐次
拡大する方法がとられている。第１図は従来の磁気バブ
ル記憶素子の拡大器及び検出器（以下この領域を検出器
領域と呼ぶ。）の構成図で１は転送路２はシェブロン拡
大器、３は検出器、４はガードレールを示している。
しかし第１図をみて判るように検出器長に磁気バブルを
拡大するには多くのシェブロンパタン２を必要とするた
め素子内での検出器領域の占有する面積が大きくなって
しまい、又拡大された磁気バブルを棄却するにはガード
レール４を必要とするため素子内での検出器領域の位置
に制限が加えられ、素子周辺部に配置せざるを得ないと
いう欠点があった。そのため１素子内に数多くの検出器
領域を具備するわけにはいかず通常１〜２ケ、多くても
４ケが限度であった。記憶素子の大容易化が進むととも
にアーキテク＋エアも多様化してきて例えば高速読出し
を実現するには１素子内に検出器を数多くしかも任意の
位置に設けることが必要で、そのためには検出器領域を
小さくしなければならない。これが実現できれば設計の
自由度が高ｔｂ大容量化に伴なう性能低下を防ぐことが
できる。
拡大するには多くのシェブロンパタン２を必要とするた
め素子内での検出器領域の占有する面積が大きくなって
しまい、又拡大された磁気バブルを棄却するにはガード
レール４を必要とするため素子内での検出器領域の位置
に制限が加えられ、素子周辺部に配置せざるを得ないと
いう欠点があった。そのため１素子内に数多くの検出器
領域を具備するわけにはいかず通常１〜２ケ、多くても
４ケが限度であった。記憶素子の大容易化が進むととも
にアーキテク＋エアも多様化してきて例えば高速読出し
を実現するには１素子内に検出器を数多くしかも任意の
位置に設けることが必要で、そのためには検出器領域を
小さくしなければならない。これが実現できれば設計の
自由度が高ｔｂ大容量化に伴なう性能低下を防ぐことが
できる。
本発明の目的は単位占有面積が小さく且つガードレール
の不要な検出器領域を具備した磁気バブル記憶素子を提
供することにある。
の不要な検出器領域を具備した磁気バブル記憶素子を提
供することにある。
本発明の特徴は、少なくとも磁気バブル拡大器。
検出器及び消滅器とを具備してなる磁気バブル記憶素子
において、前記拡大器はパーマロイパタンからなる第１
の拡大器及び第１の拡大器の下層に敷設された導電体パ
タンからなる第２の拡大器とからなシ、前記検出器は第
１及び第２の拡大器によって拡大された磁気バブルを検
出する検出器であシ、前記消滅器は前記検出器によって
検出された磁気バブルを消滅する前記第１の拡大器の下
層に敷設された導電体バタンからなる消滅器である磁気
バブル記憶素子である。又、前記第２の拡大器と、前記
消滅器とが同一の導電体バタンからなることができる。
において、前記拡大器はパーマロイパタンからなる第１
の拡大器及び第１の拡大器の下層に敷設された導電体パ
タンからなる第２の拡大器とからなシ、前記検出器は第
１及び第２の拡大器によって拡大された磁気バブルを検
出する検出器であシ、前記消滅器は前記検出器によって
検出された磁気バブルを消滅する前記第１の拡大器の下
層に敷設された導電体バタンからなる消滅器である磁気
バブル記憶素子である。又、前記第２の拡大器と、前記
消滅器とが同一の導電体バタンからなることができる。
第１図の従来構成の拡大器で大面積を占有してまで逐次
拡大しなければならない理由は磁気バブル磁壁移動度に
制限があるからである。磁気バブル径１〜２μｍ前後の
ガーネット材料での最大磁壁移動速度は３０〜４０ｍ／
ｓｅｃ程度であるので充分な磁場勾配が与えられれば数
μｓｅｃの時間内、すなわち通常使用される磁動周波数
１００ＫＨｚ前後の回転磁場の１周期内に所要の長さに
拡大することが可能である。しかしシェブロン拡大器に
誘起される磁場勾配のみでは最大磁壁速度が得られない
ため回転磁場の数１０周期をかけて逐次拡大する方法を
とらざるを得ない。
拡大しなければならない理由は磁気バブル磁壁移動度に
制限があるからである。磁気バブル径１〜２μｍ前後の
ガーネット材料での最大磁壁移動速度は３０〜４０ｍ／
ｓｅｃ程度であるので充分な磁場勾配が与えられれば数
μｓｅｃの時間内、すなわち通常使用される磁動周波数
１００ＫＨｚ前後の回転磁場の１周期内に所要の長さに
拡大することが可能である。しかしシェブロン拡大器に
誘起される磁場勾配のみでは最大磁壁速度が得られない
ため回転磁場の数１０周期をかけて逐次拡大する方法を
とらざるを得ない。
本発明は例えばシェブロン拡大器のようなパーマロイパ
タンからなる第１の拡大器と、この拡大器の下層に導電
体からなる第２の拡大器を設け、第２の拡大器に電流パ
ルスを流し充分な磁場勾配を磁気バブルに与えることに
よって速やかに拡大し、検出後第１の拡大器の下層に敷
設された導電体からなる消滅器に電流パルスを流し磁気
バブルを消滅させることによって達成される。
タンからなる第１の拡大器と、この拡大器の下層に導電
体からなる第２の拡大器を設け、第２の拡大器に電流パ
ルスを流し充分な磁場勾配を磁気バブルに与えることに
よって速やかに拡大し、検出後第１の拡大器の下層に敷
設された導電体からなる消滅器に電流パルスを流し磁気
バブルを消滅させることによって達成される。
５−
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。第２図は本
発明による磁気バブル記憶素子の第１の実施例の検出器
領域を示す構成図である。第２図右方向よシ転送路１を
１０μｓｅｃの転送周期で転送してきた磁気バブルはパ
ーマロイパタンからなる５０段シェブロンの第１の拡大
器２１に到達すると回転磁場によって誘起されたシェブ
ロンパタンの磁場勾配によ少拡大し始める。この磁気バ
ブルが導電体バタンからなるヘアピン形状の第２の拡
□大器４の中央部に到達した時、核部の垂直バイアス
磁場が小さくなるように第２の拡大器４に幅３μｓｅｃ
の電流パルスを通電する。この電流パルスによって一部
拡大し始めていた磁気バブルは一挙に第１の拡大器２１
の今長分に拡大される。一旦拡大された磁気バブルは電
流パルスが取９去られたあとも全要分に拡大されたま＼
後続のシェブロン拡大器２２を転送して検出器３に到達
し検出される。検出された磁気バブルは後続のシェブロ
ン拡大器２３を転送していき導電体バタンからなるヘア
ピン形状の消滅器５の中央部に到達した時、６一 核部の垂直バイアス磁場が大きくなるように消滅器５に
幅３μｓｅｃの電流パルスを通電する。この電流パルス
によって拡大していた磁気バブルは縮小し消滅する。こ
のように従来は拡大器に進入してから検出器を通過し棄
却するまでに数１０周期を要していたのが本実施例によ
れば３周期で済み検出器領域の面積が大幅に消滅される
と共にガードレールが不要となっている。
発明による磁気バブル記憶素子の第１の実施例の検出器
領域を示す構成図である。第２図右方向よシ転送路１を
１０μｓｅｃの転送周期で転送してきた磁気バブルはパ
ーマロイパタンからなる５０段シェブロンの第１の拡大
器２１に到達すると回転磁場によって誘起されたシェブ
ロンパタンの磁場勾配によ少拡大し始める。この磁気バ
ブルが導電体バタンからなるヘアピン形状の第２の拡
□大器４の中央部に到達した時、核部の垂直バイアス
磁場が小さくなるように第２の拡大器４に幅３μｓｅｃ
の電流パルスを通電する。この電流パルスによって一部
拡大し始めていた磁気バブルは一挙に第１の拡大器２１
の今長分に拡大される。一旦拡大された磁気バブルは電
流パルスが取９去られたあとも全要分に拡大されたま＼
後続のシェブロン拡大器２２を転送して検出器３に到達
し検出される。検出された磁気バブルは後続のシェブロ
ン拡大器２３を転送していき導電体バタンからなるヘア
ピン形状の消滅器５の中央部に到達した時、６一 核部の垂直バイアス磁場が大きくなるように消滅器５に
幅３μｓｅｃの電流パルスを通電する。この電流パルス
によって拡大していた磁気バブルは縮小し消滅する。こ
のように従来は拡大器に進入してから検出器を通過し棄
却するまでに数１０周期を要していたのが本実施例によ
れば３周期で済み検出器領域の面積が大幅に消滅される
と共にガードレールが不要となっている。
第３図は本発明による磁気バブル記憶素子の第２の実施
例の検出器領域を示す構成図である。第２図に示した第
１の実施例と異なる点は第２の拡大器と消滅器とを同＝
の導電体パタン６で構成し且つ検出器３を導電体パタン
６のヘアピンループ内に敷設したことである０すなわち
導電体パタン６の中央部の垂直バイアス磁場が小さくな
る向きに流した電流パルスによって磁気バブルが一挙に
第１の拡大器２１の全要分に拡大されたと同時に検出器
３によって検出し、検出された直後に導電体パタン６に
拡大時とは逆向きの電流パルスを流し消滅させる。
例の検出器領域を示す構成図である。第２図に示した第
１の実施例と異なる点は第２の拡大器と消滅器とを同＝
の導電体パタン６で構成し且つ検出器３を導電体パタン
６のヘアピンループ内に敷設したことである０すなわち
導電体パタン６の中央部の垂直バイアス磁場が小さくな
る向きに流した電流パルスによって磁気バブルが一挙に
第１の拡大器２１の全要分に拡大されたと同時に検出器
３によって検出し、検出された直後に導電体パタン６に
拡大時とは逆向きの電流パルスを流し消滅させる。
この一連の動作に関連する機能部の周期内タイミングを
第４図に示す。第４図は第２の実施例での回転磁場、検
出出力波形、検出ストローブパルス及び導電体パタン６
Ｖｃ流す電流パルスの時間的関係を表わし、夫々この順
序でａ、ｂ、Ｃ及びｄに示されている。本実施例によれ
ば拡大器に進入してから検出器を通過し棄却されるまで
の所要転送周期が１周期で済み、第１の実施例よりさら
に検出器領域の面積が消滅されている。
第４図に示す。第４図は第２の実施例での回転磁場、検
出出力波形、検出ストローブパルス及び導電体パタン６
Ｖｃ流す電流パルスの時間的関係を表わし、夫々この順
序でａ、ｂ、Ｃ及びｄに示されている。本実施例によれ
ば拡大器に進入してから検出器を通過し棄却されるまで
の所要転送周期が１周期で済み、第１の実施例よりさら
に検出器領域の面積が消滅されている。
以上説明したように本発明によれば検出器領域の面積が
大幅に消滅できしかも検出器領域にガードレールが不要
となったためｌ素子内に多くの検出器を任意の位置に配
置することが可能となっている。その結果大容量、高性
能磁気バブル記憶素子のレイアウト設計の自由度が高１
す工業上有益となる。
大幅に消滅できしかも検出器領域にガードレールが不要
となったためｌ素子内に多くの検出器を任意の位置に配
置することが可能となっている。その結果大容量、高性
能磁気バブル記憶素子のレイアウト設計の自由度が高１
す工業上有益となる。
第１図は従来の磁気バブル記憶素子に用いられている検
出器領域の構成図、第２図、第３図は本発明の第１．第
２の実施例による磁気バブル記憶素子における検出器領
域の構成図、第４図は本発明の第２の実施例の磁気バブ
ル記憶素子の駆動状態の時間的関係を示す図である。 なお図において、ｌ・・・・・・転送路、２，２１，２
２゜２３・・・・・・第１の拡大器、３・・・・・・検
出器、４・・・・・・第２の拡大器、５・・・・・・消
滅器、６・・・・・・導電体パタンである。 ９− 捲３ 図 第４ 図 ４１８−
出器領域の構成図、第２図、第３図は本発明の第１．第
２の実施例による磁気バブル記憶素子における検出器領
域の構成図、第４図は本発明の第２の実施例の磁気バブ
ル記憶素子の駆動状態の時間的関係を示す図である。 なお図において、ｌ・・・・・・転送路、２，２１，２
２゜２３・・・・・・第１の拡大器、３・・・・・・検
出器、４・・・・・・第２の拡大器、５・・・・・・消
滅器、６・・・・・・導電体パタンである。 ９− 捲３ 図 第４ 図 ４１８−
Claims (2)
- （１）少なくとも磁気バブル拡大器、検出器及び消滅器
とを具備してなる磁気バブル記憶素子において、前記拡
大器はパーマロインパタンからなる第１の拡大器及び第
１の拡大器の下層に敷設された導電体バタンからなる第
２の拡大器とからなシ、前記検出器は第１及び第２の拡
大器によって拡大された磁気バブルを検出する検出器で
あシ、前記消滅器は前記検出器によって検出された磁気
バブルを消滅する前記第１の拡大器の下層に敷設された
導電体バタンからなる消滅器でら−ることを特徴とする
磁気バブル記憶素子。 - （２）前記第２の拡大器と、前記消滅器とが同一の導電
体バタンからなることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の磁気バブル記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080942A JPS58199488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブル記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080942A JPS58199488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブル記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199488A true JPS58199488A (ja) | 1983-11-19 |
| JPS6216467B2 JPS6216467B2 (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=13732536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57080942A Granted JPS58199488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブル記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199488A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185086A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Nec Corp | 磁気バブル記憶素子 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP57080942A patent/JPS58199488A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185086A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Nec Corp | 磁気バブル記憶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6216467B2 (ja) | 1987-04-13 |
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