JPS6216467B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6216467B2 JPS6216467B2 JP57080942A JP8094282A JPS6216467B2 JP S6216467 B2 JPS6216467 B2 JP S6216467B2 JP 57080942 A JP57080942 A JP 57080942A JP 8094282 A JP8094282 A JP 8094282A JP S6216467 B2 JPS6216467 B2 JP S6216467B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- expander
- detector
- magnetic bubble
- magnetic
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶素子にかかり、特に検
出器領域の改良に関する。
出器領域の改良に関する。
磁気バブル記憶素子の構成要素である機能部の
うちの重要なものに拡大器及び検出器がある。記
憶情報の読出しに使用される検出器には通常、磁
気バブルからの漏洩磁場を検出する磁気抵抗効果
素子が用いられているが円形の単一磁気バブルで
は検出するに充分な磁場を得ることができないた
め検出する前に予め磁気バブル径の数百倍の長さ
に拡大する拡大器が必要となる。検出出力は磁気
バブルの拡大長に比例して増大するため拡大器を
設けることによつて実用的な検出出力を得ること
が可能となる。検出後、拡大される磁気バブルは
通常ガードレール外に棄却される。
うちの重要なものに拡大器及び検出器がある。記
憶情報の読出しに使用される検出器には通常、磁
気バブルからの漏洩磁場を検出する磁気抵抗効果
素子が用いられているが円形の単一磁気バブルで
は検出するに充分な磁場を得ることができないた
め検出する前に予め磁気バブル径の数百倍の長さ
に拡大する拡大器が必要となる。検出出力は磁気
バブルの拡大長に比例して増大するため拡大器を
設けることによつて実用的な検出出力を得ること
が可能となる。検出後、拡大される磁気バブルは
通常ガードレール外に棄却される。
磁気バブル拡大器のパタン構造は今まで種々の
ものが提案されてきているが現在では本質的に山
形パーマロイパタンからなる所謂多段シエブロン
拡大器がもつとも広く採用されている。多段シエ
ブロン拡大器を用いて磁気バブルを拡大するには
磁壁移動度の関係から一挙に数百倍に伸ばすこと
ができないため、第１図に示すように逐次拡大す
る方法がとられている。第１図は従来の磁気バブ
ル記憶素子の拡大器及び検出器（以下この領域を
検出器領域と呼ぶ。）の構成図で１は転送路、２
はシエブロン拡大器、３は拡大器、４はガードレ
ールを示している。
ものが提案されてきているが現在では本質的に山
形パーマロイパタンからなる所謂多段シエブロン
拡大器がもつとも広く採用されている。多段シエ
ブロン拡大器を用いて磁気バブルを拡大するには
磁壁移動度の関係から一挙に数百倍に伸ばすこと
ができないため、第１図に示すように逐次拡大す
る方法がとられている。第１図は従来の磁気バブ
ル記憶素子の拡大器及び検出器（以下この領域を
検出器領域と呼ぶ。）の構成図で１は転送路、２
はシエブロン拡大器、３は拡大器、４はガードレ
ールを示している。
しかし第１図をみて判るように検出器長に磁気
バブルを拡大するには多くのシエブロンパタン２
を必要とするため素子内での検出器領域の占有す
る面積が大きくなつてしまい、又拡大された磁気
バブルを棄却するにはガードレール４を必要とす
るため素子内での検出器領域の位置に制限が加え
られ、素子周辺部に配置せざるを得ないという欠
点があつた。そのため１素子内に数多くの検出器
領域を具備するわけにはいかず通常１〜２ケ、多
くても４ケが限度であつた。記憶素子の大容量化
が進むとともにアーキテクチユアも多様化してき
て例えば高速読出しを実現するには１素子内に検
出器を数多くしかも任意の位置に設けることが必
要で、そのためには検出器領域を小さくしなけれ
ばならない。これが実現できれば設計の自由度が
高まり大容量化に伴なう性能低下を防ぐことがで
きる。
バブルを拡大するには多くのシエブロンパタン２
を必要とするため素子内での検出器領域の占有す
る面積が大きくなつてしまい、又拡大された磁気
バブルを棄却するにはガードレール４を必要とす
るため素子内での検出器領域の位置に制限が加え
られ、素子周辺部に配置せざるを得ないという欠
点があつた。そのため１素子内に数多くの検出器
領域を具備するわけにはいかず通常１〜２ケ、多
くても４ケが限度であつた。記憶素子の大容量化
が進むとともにアーキテクチユアも多様化してき
て例えば高速読出しを実現するには１素子内に検
出器を数多くしかも任意の位置に設けることが必
要で、そのためには検出器領域を小さくしなけれ
ばならない。これが実現できれば設計の自由度が
高まり大容量化に伴なう性能低下を防ぐことがで
きる。
本発明の目的は単位占有面積が小さく且つガー
ドレールの不要な検出器領域を具備した磁気バブ
ル記憶素子を提供することにある。
ドレールの不要な検出器領域を具備した磁気バブ
ル記憶素子を提供することにある。
本発明の特徴は、少なくとも磁気バブル拡大
器、検出器及び消滅器とを具備してなる磁気バブ
ル記憶素子において、前記拡大器はパーマロイパ
タンからなる第１の拡大器及び第１の拡大器の下
層に敷設された導電体パタンからなる第２の拡大
器とからなり、前記検出器は第１及び第２の拡大
器によつて拡大された磁気バブルを検出する検出
器であり、前記消滅器は前記検出器によつて検出
された磁気バブルを消滅する前記第１の拡大器の
下層に敷設された導電体パタンからなる消滅器で
ある磁気バブル記憶素子である。又、前記第２の
拡大器と、前記消滅器とが同一の導電体パタンか
らなることができる。
器、検出器及び消滅器とを具備してなる磁気バブ
ル記憶素子において、前記拡大器はパーマロイパ
タンからなる第１の拡大器及び第１の拡大器の下
層に敷設された導電体パタンからなる第２の拡大
器とからなり、前記検出器は第１及び第２の拡大
器によつて拡大された磁気バブルを検出する検出
器であり、前記消滅器は前記検出器によつて検出
された磁気バブルを消滅する前記第１の拡大器の
下層に敷設された導電体パタンからなる消滅器で
ある磁気バブル記憶素子である。又、前記第２の
拡大器と、前記消滅器とが同一の導電体パタンか
らなることができる。
第１図の従来構成の拡大器で大面積を占有して
まで逐次拡大しなければならない理由は磁気バブ
ル磁壁移動度に制限があるからである。磁気バブ
ル径１〜２μｍ前後のガーネツト材料での最大磁
壁移動速度は30〜40ｍ／sec程度であるので充分
な磁場勾配が与えられれば数μsecの時間内、す
なわち通常使用される駆動周波数100KHz前後の
回転磁場の１周期内に所要の長さに拡大すること
が可能である。しかしシエブロン拡大器に誘起さ
れる磁場勾配のみでは最大磁壁速度が得られない
ため回転磁場の数10周期にかけて逐次拡大する方
法をとらざるを得ない。
まで逐次拡大しなければならない理由は磁気バブ
ル磁壁移動度に制限があるからである。磁気バブ
ル径１〜２μｍ前後のガーネツト材料での最大磁
壁移動速度は30〜40ｍ／sec程度であるので充分
な磁場勾配が与えられれば数μsecの時間内、す
なわち通常使用される駆動周波数100KHz前後の
回転磁場の１周期内に所要の長さに拡大すること
が可能である。しかしシエブロン拡大器に誘起さ
れる磁場勾配のみでは最大磁壁速度が得られない
ため回転磁場の数10周期にかけて逐次拡大する方
法をとらざるを得ない。
本発明は例えばシエブロン拡大器のようなパー
マロイパタンからなる第１の拡大器と、この拡大
器の下層に導電体からなる第２の拡大器を設け、
第２の拡大器に電流パルスを流し充分な磁場勾配
を磁気バブルに与えることによつて速やかに拡大
し、検出後第１の拡大器の下層に敷設された導電
体からなる消滅器に電流パルスを流し磁気バブル
を消滅させることによつて達成される。
マロイパタンからなる第１の拡大器と、この拡大
器の下層に導電体からなる第２の拡大器を設け、
第２の拡大器に電流パルスを流し充分な磁場勾配
を磁気バブルに与えることによつて速やかに拡大
し、検出後第１の拡大器の下層に敷設された導電
体からなる消滅器に電流パルスを流し磁気バブル
を消滅させることによつて達成される。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。第
２図は本発明による磁気バブル記憶素子の第１の
実施例の検出器領域を示す構成図である。第２図
右方向より転送路１を10μsecの転送周期で転送
してきた磁気バブルはパーマロイパタンからなる
50段シエブロンの第１の拡大器２１に到達すると
回転磁場によつて誘起されたシエブロンパタンの
磁場勾配により拡大し始める。この磁気バブルが
導電体パタンからなるヘアピン形状の第２の拡大
器４の中央部に到達した時、該部の垂直バイアス
磁場が小さくなるように第２の拡大器４に幅３μ
secの電流パルスを通電する。この電流パルスに
よつて一部拡大し始めていた磁気バブルは一挙に
第１の拡大器２１の全長分に拡大される。一旦拡
大された磁気バブルは電流パルスが取り去られた
あとも全長分に拡大されたまゝ後続のシエブロン
拡大器２２を転送して検出器３に到達し検出され
る。検出された磁気バブルは後続のシエブロン拡
大器２３を転送していき導電体パタンからなるヘ
アピン形状の消滅器５の中央部に到達した時、該
部の垂直バイアス磁場が大きくなるように消滅器
５に幅３μsecの電流パルスを通電する。この電
流パルスによつて拡大していた磁気バブルは縮小
し消滅する。このように従来は拡大器に進入して
から検出器を通過し棄却するまでに数10周期を要
していたのが本実施例によれば３周期で済み検出
器領域の面積が大幅に削減されると共にガードレ
ールが不要となつている。
２図は本発明による磁気バブル記憶素子の第１の
実施例の検出器領域を示す構成図である。第２図
右方向より転送路１を10μsecの転送周期で転送
してきた磁気バブルはパーマロイパタンからなる
50段シエブロンの第１の拡大器２１に到達すると
回転磁場によつて誘起されたシエブロンパタンの
磁場勾配により拡大し始める。この磁気バブルが
導電体パタンからなるヘアピン形状の第２の拡大
器４の中央部に到達した時、該部の垂直バイアス
磁場が小さくなるように第２の拡大器４に幅３μ
secの電流パルスを通電する。この電流パルスに
よつて一部拡大し始めていた磁気バブルは一挙に
第１の拡大器２１の全長分に拡大される。一旦拡
大された磁気バブルは電流パルスが取り去られた
あとも全長分に拡大されたまゝ後続のシエブロン
拡大器２２を転送して検出器３に到達し検出され
る。検出された磁気バブルは後続のシエブロン拡
大器２３を転送していき導電体パタンからなるヘ
アピン形状の消滅器５の中央部に到達した時、該
部の垂直バイアス磁場が大きくなるように消滅器
５に幅３μsecの電流パルスを通電する。この電
流パルスによつて拡大していた磁気バブルは縮小
し消滅する。このように従来は拡大器に進入して
から検出器を通過し棄却するまでに数10周期を要
していたのが本実施例によれば３周期で済み検出
器領域の面積が大幅に削減されると共にガードレ
ールが不要となつている。
第３図は本発明による磁気バブル記憶素子の第
２の実施例の検出器領域を示す構成図である。第
２図に示した第１の実施例と異なる点は第２の拡
大器と消滅器とを同一の導電体パタン６で構成し
且つ検出器３を導電体パタン６のヘアピンループ
内に敷設したことである。すなわち導電体パタン
６の中央部の垂直バイアス磁場が小さくなる向き
に流した電流パルスによつて磁気バブルが一挙に
第１の拡大器２１の全長分に拡大されたと同時に
検出器３によつて検出し、検出された直後に導電
体パタン６に拡大時とは逆向きの電流パルスを流
し消滅させる。
２の実施例の検出器領域を示す構成図である。第
２図に示した第１の実施例と異なる点は第２の拡
大器と消滅器とを同一の導電体パタン６で構成し
且つ検出器３を導電体パタン６のヘアピンループ
内に敷設したことである。すなわち導電体パタン
６の中央部の垂直バイアス磁場が小さくなる向き
に流した電流パルスによつて磁気バブルが一挙に
第１の拡大器２１の全長分に拡大されたと同時に
検出器３によつて検出し、検出された直後に導電
体パタン６に拡大時とは逆向きの電流パルスを流
し消滅させる。
この一連の動作に関連する機能部の周期内タイ
ミングを第４図に示す。第４図は第２の実施例で
の回転磁場、検出出力波形、検出ストローブパル
ス及び導電体パタン６に流す電流パルスの時間的
関係を表わし、夫々この順序でａ，ｂ，ｃ及びｄ
に示されている。本実施例によれば拡大器に進入
してから検出器を通過し棄却されるまでの所要転
送周期が１周期で済み、第１の実施例よりさらに
検出器領域の面積が削減されている。
ミングを第４図に示す。第４図は第２の実施例で
の回転磁場、検出出力波形、検出ストローブパル
ス及び導電体パタン６に流す電流パルスの時間的
関係を表わし、夫々この順序でａ，ｂ，ｃ及びｄ
に示されている。本実施例によれば拡大器に進入
してから検出器を通過し棄却されるまでの所要転
送周期が１周期で済み、第１の実施例よりさらに
検出器領域の面積が削減されている。
以上説明したように本発明によれば検出器領域
の面積が大幅に削減できしかも検出器領域にガー
ドレールが不要となつたため１素子内に多くの検
出器を任意の位置に配置することが可能となつて
いる。その結果大容量、高性能磁気バブル記憶素
子のレイアウト設計の自由度が高まり工業上有益
となる。
の面積が大幅に削減できしかも検出器領域にガー
ドレールが不要となつたため１素子内に多くの検
出器を任意の位置に配置することが可能となつて
いる。その結果大容量、高性能磁気バブル記憶素
子のレイアウト設計の自由度が高まり工業上有益
となる。
第１図は従来の磁気バブル記憶素子に用いられ
ている検出器領域の構成図、第２図、第３図は本
発明の第１、第２の実施例による磁気バブル記憶
素子における検出器領域の構成図、第４図は本発
明の第２の実施例の磁気バブル記憶素子の駆動状
態の時間的関係を示す図である。 なお図において、１……転送路、２，２１，２
２，２３……第１の拡大器、３……検出器、４…
…第２の拡大器、５……消滅器、６……導電体パ
タンである。
ている検出器領域の構成図、第２図、第３図は本
発明の第１、第２の実施例による磁気バブル記憶
素子における検出器領域の構成図、第４図は本発
明の第２の実施例の磁気バブル記憶素子の駆動状
態の時間的関係を示す図である。 なお図において、１……転送路、２，２１，２
２，２３……第１の拡大器、３……検出器、４…
…第２の拡大器、５……消滅器、６……導電体パ
タンである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも磁気バブル拡大器、検出器及び消
滅器とを具備してなる磁気バブル記憶素子におい
て、前記拡大器はパーマロインパタンからなる第
１の拡大器及び第１の拡大器の下層に敷設された
導電体パタンからなる第２の拡大器とからなり、
前記検出器は第１及び第２の拡大器によつて拡大
された磁気バブルを検出する検出器であり、前記
消滅器は前記検出器によつて検出された磁気バブ
ルをパーマロイパタンの下層に敷設された導電体
パタンにより消滅する消滅器であることを特徴と
する磁気バブル記憶素子。 ２ 前記第２の拡大器と、前記消滅器とが同一の
導電体パタンからなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の磁気バブル記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080942A JPS58199488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブル記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080942A JPS58199488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブル記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199488A JPS58199488A (ja) | 1983-11-19 |
| JPS6216467B2 true JPS6216467B2 (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=13732536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57080942A Granted JPS58199488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブル記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199488A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58185086A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-28 | Nec Corp | 磁気バブル記憶素子 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP57080942A patent/JPS58199488A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58199488A (ja) | 1983-11-19 |
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