JPS58199666A - 位相制御形溶接機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は広範囲に安定なアークを発生させることができ
る位相制御形溶接機に関するものである。

通常、アルミニウム材、マグネシウム材等の強力な酸化
皮膜を発生するｖＩ＃＋の溶接には交流アーク溶接機が
用いられているが、＝’Ｔ動鉄心形交流ア一り溶接→で
は、出力電流の調整に峙１１１１を要［７、電流ｇ整の
連応性、市流値のゲ定化、プログラム制仰化に適してい
ない。そのために、サイリスタ。

トランジスタ等の市ｒ・スイッチを１力月１して６γ相
制御によって出カ゛市１通を調整することが行われてい
るが、位相制御によって出力電流を調整すれば、電流の
４新期間が発生するために、アークの１１１点弧に失敗
することが多い。特に、アルミニウム材を小礪流で溶接
する場合にはアルミニウム材がマイナスになる半サイク
ルにおいては、アークの再点弧に失敗することが多く実
用にならない。したがって、最近では、第１図あ・よび
第２図に示すように交流電源と変圧器１次巻線との１１
１こ交流電源を位相制御して通電するａ数のサイリスタ
と直流リアクトルとを設け、それらのサイリスタの各半
サイクルごとの通電期間のうち４諒（圧が変圧イｇ１次
巻線のべ圧より大なる期間に大形のりアクドルに°Ｒ磁
エネルギーを蓄積しておき、電源４川が珍ＦＪｒ器１次
巻線の電圧よりも低ドしたル１１…にリアクトνに蓄積
した市Ｉ直エネルギーを放出して、サイリスタの位相制
御による出力電流の遮断期間を除去することが行なわれ
ている。しかし、このような大形のリアクトＩしに礪磁
エネＩレギーを蓄積させて、位相制御による遮断期間を
除去しようとする従来の位相、制・御形交流溶接機は、
っぎのような理由によって実用り充分なものではない。

すなわち、第１図において、ｌａおよび１ｂは交流電源
Ｅに接続される溶接機の入力端子、２は１次巻線２Ｐと
２次巻線２Ｓとを有する溶接変圧器、３ａ−Ｅ＝’、Ｊ
：ヒ３　ｂは入力端子１ａにγノードおよびカソードが
それぞれ接続された互いに逆方向の第１ふ・よび第２の
単方向性制（財）整流素子（以下サイリスタという）、
４ａおよび４ｂは略インダクタンスが等しい第１及び第
２のりアクドルで＠１及び第２のリアクトｌし４ａ及び
４ｂはそわぞれ第１及び第２のサイリスタ３ａ及び３ｂ
に直列に接続されている。このリアクトル４ａおよび４
ｂは、同一のりアクドル鉄心に巻回された略インダクタ
ンスの等しい第１および第２のＩＪ　Ｔり）／し巻線を
有するリアクトルであってもよい。

＠１図においては同一のりアクドル鉄心に第１１・・よ
び第２のりアクドル巻、脈がイ（同さネ１ている場合に
ついて説明する。５ａおよび５ｂはそｉｌそれサイリス
タ３ａおよび３ｂを半すイクＩしことに交４に点弧およ
び位相側（社）をする１ハ弧（）７相・（ｉ１１仰回路
、６は消耗または非消耗１帆７はアーク、８は２次巻線
２ｓの端子２ｂに接続された彼溶接を才で、こわらの（
口乃至岐溶接材８は溶接負荷ｋを構成する。第１及び第
２のサイリスタ３３反び３ｂ＋、ｔ、ｑ、いに逆方向に
接続されているため、電源の各半すイクＩしの周期ごと
にサイリスタ３ａ及び３ｂが交圧に・導通して−ＩＭ期
１様に溶接負荷に−の通゛市゛喝流の向きが変化するが
、第］及び第２のサイリスタ３ａ及び３ｂの導通により
第１及び第２のりアクドル４　ａ　Ｑび４ｂに流れる各
１Ｍ流Ｃζよってリアクトル鉄心に生じる磁束の方向が
同一に４ｆるように第１及び第２のりアクドル４ａ及び
４ｂの離性が定められている。

＠１図に示す従来の溶接電源の動作について第３図１ａ
ｌ　、　ｌｂｌ及び第４図１ａｌ乃至１出をＢ　ｇ＜イ
して説明する。′第３１ス１において、正弦波状のＥＯ
は交流電源・Ｅの出力電圧を示し、実線は変圧器２の１
次巻線２Ｐの端子電圧を示す。この端子電圧は溶接負荷
艮に流れる電流をＩＱ、変圧器２の巻数比をに〇とすれ
ばｌ　ｉ　Ｒ／ｎとなる。尚同図の横軸には時間【をと
っである。第３図１ａｌに示す時刻Ｔｌにおいて点弧位
相制御回路５ａが点弧信号を出力し、第１のサイリスタ
３ａが導通する。第１のサイリスタ３ａが導通すると、
電流ｎｌＱは１！ｇ４図１ａｌに示すように端子ｌａ１
サイリスタ３　”　％　リアクトル４ａｓ変圧器２の１
次巻線２Ｐおよび端子１ｂの経路を流れる。このとき入
力端子１ａ−１ｂｓ　リアクトＩし４１Ｂよび変圧器１
次巻線２Ｐの両端電圧の極性は図示のとおりとなり、ｔ
＜’ｒ２　の期＋ｔ！ｊにおいてはＥｏ　）　ｌ　ｏＲ
／ｎとなる。リアクトル４ａのインダクタンスＬを大き
な値に選定しであるため、溶接電流ＩＯはほとんど変化
しないが、厳密にはわずかずつ増加を続け、この溶接電
流１０　　の増加と大きなインダクタンスしによってリ
アクトＩＶ　４　ａ　ｊ、−よび４　ｂ　ＩｃはＥＯ−
１ｏＲ／ｎ　＝ｅ　＝Ｌ（ｄｉ　／ｄｌ　）の起電力が
図示の拗１って発生して、第３Ｈ］Ｉａｌの斜線で小さ
れた品分Ｓｌ　　に相当Ｖるエネルギーが県債さねる。

つき゛にｔ＞’１”ｉ　　になると、ｐ、ｏ＜ＩｏＲ／
口になるが＊　ｒｌｔｆ　ｎ　Ｉ　６はわずかｔっ義少
するので、リアクトル４ａには第４１Ｘｌｌｂｌに不す
ように【ぐ［２のときとは逆に−Ｌ（ｄｉ／ｄｔ　）の
起電力を発生し、先に＃噴さｊたエネルギー５：欣出し
て変圧器１次巻線２Ｐに【ぐｒ２のときと同一方向に電
流ｎｌｏを流し続ける。この４流ｎｊｏはインダクタン
ス■、が人なので変化が少なくほぼ一定の蛸となる。さ
らにｔ　）’Ｉ’　３１ｃ　ｆ、ｉると、ＥＯの極＋’
Ｆはｍ　４７１ｃｌに示すとおり逆になるが、インダク
タンスＩ、に浩漬＼れたエネルギーを放出して、【＜１
３のときと同一方向にほぼ一定の゛Ｒ流ｎｌＱを１次イ
ち線２１）に供給し続ける。つき゛にｔ　＝１’　４の
ときに、点弧位相制御回路５ｂからサイリスタ３ｂに点
弧信すを供給ｊ−てサイリスタ３ｂを導通させると第４
図１ｄｌにホしたように入力端子１ｂ％１次４＠（Ｊｄ
　２　Ｐ　、　　ＩＪアクドル４ｂ、サイリスタ３ｂお
よび入力端１’−１ａに電流ｈ（７Ｍねる。この４浦が
流オ］る回路のインダクタンスはリアクトル４１）を除
けば小さく、しかも【〉１゛４　のときにリアクトル４
ｂに流ねる電流１１、すなわち１次巻線２Ｐ５：流れる
電流ｎｌＯの絶対値はｔ（’ｒ４　のときと略等しい値
となる。このとき１次巻線２Ｐおよ２びリアクトル４ｂ
の両端電圧の極Ｐ１：は第４１’１ｌｄｌに示すとおり
となり、リアクトル４３はサイリスタ３ａのカソード側
の電位がプラスとなり、またサイリスタ３ａのアノード
側の端子１ａがすでにマイナスになっているので、サイ
リスタ３ａは遮断となる。ｔ＞Ｔ４以後は上記と同様の
動作がくり返される。

第３図１１）１は、点弧位相制御回路５　ａ　ｊ−′よ
び５ｂの点弧信号の位相を第３図１ａｌのθ１からθ２
　に遅らせた場合を示したもので、１次巻線２Ｐを流れ
る゛層流ｎｌ’Ｑは、Ｅ　Ｏ〉ｌ　’　ＯＲ／　ｎのと
きにＥＱ　−１’ｏＲ／ｎ＝ｅ＝Ｌ（ｄｉ／ｄｔ）　ニ
よッテ蓄噴さレルエネｌレギーとＥＱ　（１／　Ｑλ／
ｎ　のときに放出されるエネルギーとが等しくなる値に
なる。このように、点弧信号を遅らせた場合には第４図
１ｂ１に示すごと（ｎｌ’ｏの反転する位相が遅れると
同時に電流値も小さくなるが、動作順序は第４　ｉ４１
２＋乃至１ｄｌで説明し７た場合と同様になる。またサ
イリスタに供給される点弧信％ｊの位相をυＹらｌｒる
ことにより、１次巻線に通（する電流値を小さくしても
、溶接負荷に供給される電流は、’ｉｉ（ｊυ１時、ｉ
ｉｌ　’ｃ侍たず、４諒の半サイクルの周期で、急峻に
慟性をかえる交流市原となＺｏ Ｌ記のとＰり動作するｆｒｐｌ来の溶接機において、サ
イリスタ３ａ、ｒ、−よび３ｂによって位相部１７ｆｌ
ｌされた出力電流に遮断期間を生じないようにするため
には、第ｘｈ−よび第２のりアクドル４ａあ・よび４ｂ
に吸収されるエネルギー（第３図の斜線領域ｓ１に相当
）が放出エネルギー（第３１スの斜視頭載ｓ２に相当）
よりも人でなけねばｔらｆ、（い・一方１従宋の溶接機
にあ・いては、リアクトルから放出されるエネルギーＳ
２のうち１次巻線２Ｐに供給されるエネルギーは第３図
の左下り斜線領域Ｓ２ａのガであって、残りの右下り斜
ｍ　ｆｒｊ域Ｓ２ｂのエイＩレキ゛−は？４諒Ｅに返還
される。特に第３１ｄｌｂｌに示すように、サイリスタ
の点弧位相を遅ら４ｒて出力電流を小さくした場合には
、リアクトルに吸収されたエネルギーＳ１　　のうちこ
く−邪の５２１のみが利用されて、大部分のエネルギー
ＳＨ）は無効電力として電源Ｅに戻される。すなわち、
同図１ｂ１において１次巻線への供給“電圧を徐々に減
少させていき、零ボルトになるとりアクドルの蓄積エネ
ｌレギーＳｌと電源Ｅに無効電力として返還するエネル
ギーＳ２ｂとが等しくなり、このときの点弧位相は９ｏ
０である。このように従来のりアクドルを備えた位相制
御形４！◆溶接機においては、リアクトルに蓄清さねた
エネルギーのすべてが溶接負荷に供給されな−ために、
溶接負荷に供給される電流を連続させようとすれば、中
リアクトルの容置が大になり、さらにリアクトルに十分
な重砲エネルギーを蓄積させるために溶接用変圧器の２
次無負荷踵圧を高くしなければならないので変圧器の容
重が大になるために、溶接機が大形かつ高価になる、１
ｉｉｌ制御整流素子の点弧位相が９０°未満での狭い範
囲にしか調整できないために、微細な調整が容易でない
、＋１ｉｉｌ溶接機への入力ＫＶＡが大になる等の欠点
があった。

本発明は、変圧器の１次側に、へ数の１１方向制御整流
素子とりアクドルとを備え溶接負荷に電力を供給する位
相制御形溶接磯において、リアクトルと変圧器１次巻線
との直列回路（こ、１に列に電イ的スイッチを接続して
リアクトｌしの浩債エネルギーをＲ源に返還することな
く、電１に器１次巻線を通じて放電させることにより、
小容１−のりアクトｌしで広範囲の出力４浦を供給して
安定にアークを継続させることのできる位相＋ｔ；ＩＩ
　＃形溶接機を提供したものである。

以下、本発明の溶接機の実施例について図面を参照して
説明する。

第５閃は本発明の溶接機の基本的な構成図であり、第６
図１ａｌおよび（ｂｌはそわそれ第５１鍾の接続図に示
す溶接機についてサイリスタの点弧位相が人なる場合と
小なる場合との説明図であり、第７１４１ａｌ乃至１ｄ
ｌはそわそれ第５図の溶接機の時１ｍの経過に対する動
作原理を示す接続図である。第５図は、第１図に示す従
来の溶接機に、ゆ１［：器１次７ち線２Ｐとリアクトル
４ａとより成る直列回路に並ダ１４１こ第１の半導体ス
イッチとしてトランジスタ９ａを接続し、変圧器１次巻
線２Ｐの逆方向の電流番こ対して変圧器１次巻線２Ｐと
りアクトＩし４ｂとより成る１百列回路に並列に第２の
半導体スイ′ンチとしてトランジスタ９ｂを接続し、各
トランジスタをそれぞれｉｌの半導体スイッチ制御回路
ＩＱａ：９よび第２の半導体スイッチ制御回路１０ｂ１
こより制御する。第６図１ａｌに示す時刻Ｔｌ　　すな
わち予め設定した位相で、点弧位相制御回路５ａから点
弧信号を出力してサイリスタ３ａを導通させると、第７
図１ａｌの矢印で示す経路で電流が流れ、＠６図ｆａｔ
の斜線で示されたＳｌ　　の部分に相当するエネｌレギ
ーが蓄積される。この期間においては、トランジスタ９
ａおよび９ｂには導通信号が供給されないので、第７図
１ａｌは第４図１ａｌと等価（こなる。つぎに時刻ｔが
ｒ２（ｔ（’ｒ３になると、先番こ蓄積された［１　ｄ
において、トランジスタ９ａおよび９ｂｉこ導通信号か
供給されないときは、第７１１１ｂｌは第４１・悶（ｂ
）と等価になる。時刻【がＴａ２：こえると、４綜ＥＯ
は負極性になるので、この時点で第１０）　！ト導体ス
イッチ制岬回路］Ｑａからトランジスタ９ａに導通信号
を出力する。このトランジスタ９ａの導通により、リア
クトル４ａに蓄積さねたエイＩレギーは、１次鵜線２Ｐ
およびトランジスタ９ａを通じて放電する。したがって
、リアクトルに＆　ｈｉされたエネルギーは、電源に返
還されることなくすべて１次件線２Ｐに供給されるので
、第６図１ａ１に示されるごと＜ｓｌ’＝ｓ２となり、
リアクトルにｍ噴さねるエネルギーは第４図ｆａｔに示
されるＳＨ）だけ少なくなる。時刻ｔ　＝　’１１（４
近で第１の半導体スイッチ制御回路］Ｏａから出力され
る導通信号を遮断してトランジスタ９ａを遮断するとと
もに、予め設定した位相で点弧位相制４１ｇ１回・ｔ８
５ｂから点弧信号を出力してサイリスタ３ｂｔ導通させ
ると第７１り１小の矢ｔｉＪで示す経路で電流か流れ第
６図１ａｌの斜線Ｓｌ　の部分に相当するエイＩレギー
か蓄積される。時刻Ｔ５≦（ぐ１゛６においては、゛４
諒の電力とリアクトルのエネルギーとによって第７図ｔ
ｅｌの矢１力で示す経路で電流が流れる。時刻ｒ６＜　
ｌ＜１７においては、電源は正極性になるので、その前
後て第２の半導体スイッチ制御回路１（ｌｂからトラン
ジスタ９ｔ＞に“導通信号を出力する。このトランジス
タ９ｂの導通により、リアクトル４ｂに蓄積さねたエネ
ルギーは、１次巻線２Ｐｊ、−よびトランジスタ９　ｂ
　）　ｉＭじて放′市する。したがって、リアクトＩし
に蓄積されたエネルギーは、電源に返還されることなく
すべて負荷に供給されるので、リアクトルに蓄積される
エネＩレギーは少なくなる。予め設定した位相即ち時刻
ｔ＝Ｔ７＝Ｔｌ付近で、第１の半導体スイッチ制御回路
１０ｂから出力される信号を遮断してトランジスタ９ｂ
を遮断するとともに、）ｊｉｌ述したようにサイリスタ
３ａを点弧させる。以下、同様の順序でくり返される。

上記の説明において、第１の半導体スイッチの点弧時期
と１（ して第６図１ｂ’に示す電源ＥＯが負極性になる時刻Ｌ
＝’［３付近としｔ＝が、本発明の目的を達成すること
かてきる範囲にＰいて’Ｉ’２　＜　ｔ　（Ｔ３又は［
３（ｔ（Ｔ４であってもよい。ただし、【かｒ３よりも
小てＴ２　に近ずく程、１五方向の電源４１Ｅ、ＥＯに
よ乙供給エネにギーを利Ｌｔｌするこ々かてきず、逆に
ｔが′Ｉ゛２　　よりも大でＩ’４　　に近づく程、ｔ
ｌｔ東と同様にリアクトルから′電源に返還されるエイ
Ｉレギーが多くなる。したがって、第１のｔ導体スイッ
チの］見通時期は、第６図ｉｌｌの時刻ｔ−’［３付近
が、電源がらの重力２よびリアクトルからの蓄積エネル
ギーを最も有効に利用することかできるか、制ｆｉ１回
路の構ｒ戊トその他の理由から、本発明の目的であるリ
アクトルの蓄積エネルギーの全部又は一部が市諒に返還
されることを阻１ヒしようとする本発明の目的を連成す
ることができる＆ｉ　ＬＩＦＩに↓・いて、第１の半導
体スイッチの導通時ＪｕＩ５．　’Ｉ゛２又はｒ４に近
すけでもよい。つき゛にｆＡｌのｔ導体スイッチのＪ庶
断時期として、＠６図１ａｌに示すようにｆめ設定され
た逆方向のサイリスタ３ｂの点弧位相付近である、４１
′ １−［４としたが、このサイリスタの点弧前又は点弧か
ら少し遅れていてもよい。たたし、逆方向サイリスタの
点弧時又は少し遅れた時刻にあ・いて第１の半導体スイ
ッチを遮断したときは、この半導体スイッチにはりアク
ト７しのインダクタンス■。

によるり、ｄｉ／ｄｔの高い電圧が印加されないのに対
して、逆方向サイリスタの点弧前に第１の半導体スイッ
チを遮断したときは、この半導体スイッチにり、ｄｉ／
ｄｔの高い電圧が印加されることがあるので、それに耐
える半導体スイッチを使用したり、保護回路を設ける必
惨がある。

第６図１ｂ’は、サイリスタの点弧位相を遅ら→ｊて出
力電流を小さくした場合であって、＠３図１ｂ１に示す
従来の溶接機の場合と異なり、リアクトｌしに吸収され
たエネルギーのすべてが負荷に供給されるので、サイリ
スタの点弧位相は９０°以り遅らせることが口■能であ
り、したがって出力電流を微細に制御することができる
。

第８図は、本発明の第２の実施例であって第１および第
２の半導体スイッチとして第５図に示すトランジスタ９
ａおよび９ｂのかわりにゲート・ターンオフ・サイリス
タ９Ｃおよび９ｄを使用した場合を示す。ゲート・ター
ンオフｅサイリスタ（以下−〇　Ｔ　Ｏという）の導通
信号は、第１の半導体スイッチ制御回路１０Ｃからトラ
ンジスタへの導通信号の供給時期と同様に供給されてノ
４通しさらに遮断信シナは、トランジスタへの導通信号
“の遮断と同じ時期に、ゲートに１−分な負信号を供給
すればＧ［０は消弧される。したかって第８図に示す溶
接機の動作は、第５図に示す溶接機の動作と同様である
。

第９図は、本発明の第３の実施１４１であって、第１お
よび第２の半導体スイッチとして第５区１に示すトラン
ジスタ９ａおよび９ｂのかわりに通常のサイリスタ９ｅ
および９ｆを使用した場合を示す。

第１および第２の半導体スイッチ制御回路としてはサイ
リスタ９ｅあ・よび９「の点弧回路１ｏｌａおよび１ｎ
ｌｂと、コンデンサ１（１２ａ、］（１２ｂ、インダク
タ７７．１０３ａ　、　１　（１３＋）　、サイリスタ
９ｅおよび９ｆを消弧させるためのサイリスタ１０４ａ
、］Ｏｊｂ、ｆイリスｌｌ　０４　ａ　Ｌ−よび］　０
４ｂの点弧回路１０５ａおよび］（１５ｂ並びにダイオ
ード１０６ａ　、］０６ｂよりなるザイリスク９ｅ９よ
び９ｆの消弧回路とから構成されている。時刻【が予め
定めたＴ１のときに点弧回路５ａからサイリスタ３ａに
信号を供給してサイリスタを導通させる。時刻Ｔｌ　（
ｔ　（Ｔ２においては、１次巻線２Ｐ　サイリスタ３ａ
、コンデンサ１０２ａ、インダクタンス１０３ａ、ダイ
オード１（１６ａおよび１次巻線２Ｐの経路でコンデン
サ１０２ａに光重電流が流れ、コンデンサはサイリスタ
９ｅの接続点側がプラスに充電される。この場合、イン
ダクタンスがなくてもコンデンサは左肩されるが、コン
デンサと共振状態になるインダクタンスが接続されてお
れば、１次巻線２Ｐの出力゛重圧よりも高い電圧で充電
される。時刻Ｔ２（ｔ（Ｔ３においては、コンデンサは
充′處状態を維持している。

時刻Ｔａ（ｔ（Ｔ４においてサイリスタ９ｅを点弧回＝ 路１０１ａからの点弧信号で点弧させると、リアクトル
４ａの蓄積エネルギーは、１次巻線およびサイリスタ９
ｅを通じて放電する。その後、反対側のサイリスタ３ｂ
を点弧させるｔ＝Ｔ４１近にてサイリスタＩｎ４ａを点
弧回路１０５ａからの信叶でべ弧さぜる。このｆｉ弧ζ
こよってコンデンサ１０２ａは、サイリスタ９ｅのカノ
ートγノ〜ド　サイリスタ１０４ａおよびリアクトル１
０３ａを・山じて充電重荷を放電し、この欣市市流か、
サイリスタ１０４ａの点弧直曲にサイリスタ９ｅに流れ
ている直流よりも大にｒｉるようにしでぶ・けば、サイ
リスタ９ｅのアノードからカソードへの順方向電流が零
または負とｆｘリサイリスタ９ｅは消弧し、続いてサイ
リスタ１０４ａもコンデンサ１０２ａの逆充電の終了と
ともに消弧する。以ド同様にして、サイリスタ３ｂの点
弧、コンデンサ１０２ｂの九市、サイリスタ９ｆの点弧
、サイリスタ１ｎ５ｂの点弧、サイリスタ９ｆの消弧ｐ
よびサイリスタ１０５ｂの消弧が行われる。

また、単方向性制御整流素子とりアクドルとの組合せが
＠２図に示す接続である場合において。

電子的スイッチとしてトラン７スタを使用した場合の例
を第１０図、に、示す。第１１図１ａｌないしく１１は
、第１０図に示す溶接→の時間の経過に対する動作原理
を示す図である。同図１ａｌ乃至１ｄｌは、それぞれ時
刻’ｒ１４１（Ｔ２　、　ｒ２４ｔ＜Ｔ３．’ｒ３（ｔ
＜Ｔ４　＆よび１”４≦【ぐＴ５において矢印で示す経
路で１次巻線２Ｐに直流が流れる場合を示す。

第１２図は変圧器の２次側に整流回路Ｓｉｔを設けて直
流出力、を−得る場合の例を示し、第１３図は変圧器の
２次側に整流回路ＳＲと切替スイッチＳＷとを設けて、
交・直両用機としたときの例を示す、第１２図および＠
１３図のように直流出力を得るようにした場合にはリッ
プル含有率がほとんど零に近い極めてすぐれた直流出力
が得られる。

なお上記の説明においては、ＴｔＧ溶接に適用した場合
について説明したが、本発明の効果が有効に利用される
他のアーク溶接、プラズマ１断。

放電加工、抵抗溶接、その他の加熱加工等に広く適用で
きる。

以上のように本発明によれば、変圧器の一次側に複数の
サイリスタなどの小方向制御整流素子とりアクドルとを
備えて溶接負荷に電力を供給するツチを接続してリアク
トルの蓄１青エネルギーター’＋を源に返還することな
く、ゆ１１ミ器の１次イも線を通して放電させることに
より、小容嵯のりアクドルで広節囲の出力電流を供給し
て安定にアークを継続させることができ、′μ用価値が
慟めて人である。

【図面の簡単な説明】 ＠１・却および第２図は従来の人形のりアクドルを備え
た位相制御形溶接機の基本的な構成を示す接続図、第３
１’＆ｌａｌおよびＩｂ’は、それぞれ第１図および第
２図に示す溶接機についてサイリスタの点弧位相が大な
る場合と小なる場合の出力波形の説明図、′＠４１図１
ａｌ乃至１ｄｌはそ１＋それ第１図の溶接機の時間の経
過に対する動作原理を示す接続図、第５図は本発明の位
相制御形交流溶接機の基本的な構成を示す接続図、第６
図１ａｌおよび１１）１は、それぞれ本発明の溶接機に
ついてサイリスタの点弧位相が大なる場合と小なる場合
の出力波形の説明図、＠７図１＋１１乃至山はそれぞれ
第５図の溶接機の時間の経過に対する動作原理を示す接
続図、第８図乃至＠ｌＯ図、第１２図あ・よび！ｇ１３
図は本発明の位相制御形溶接機の他の実施例の基本的な
構成を示す接続図、＠１１図１ａｌ乃至１ｄｌはそれぞ
れ＠１０図の実施例の時間の経過に対する動作原理を示
す接続図である。 Ｅ・・・交流重織５．２・・・変圧器（２ｒ・・・１次
巻線。 ２Ｓ・・・２次巻線）３ａ　、３ｂカ３Ｃおよび３ｄ・
・・中方向性制御整流素子（第１乃至第４のサイリスイ
ツチ（９ａ、９ｃｈよび９ｅ・・・第１の半導体スイッ
チ、９ｂ、９ｄおよび９ｆ・・・第２の半導体スイッチ
） 第７図 Ｊ：続ン＊ｔｉｔ１山（自発） 昭和５７蛋「６月１１　Ｅｌ １、参ｎの表小 昭和５７′４特胎願第８２０４３号 ２、発明の名称 位相１ｂｌｌｔｌｌ形溶接機 ３、補Ｉｋする者 ４％何どの関係　　特　ｎ　出　願　人大阪市淀用１ス
ｕｕ＋＋　２　Ｉ−ｉ」１番１１号（０２６）　　大阪
変１１器株式会ネ１４、ｆ（ｆｇ人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、交流電、源・と溶接負荷との聞に変圧器を設け、前
   記変圧器の１次側に前記交流電源の出力を位相制御して
   前記変圧器にＩＥ方向および逆方向の電流を通電する勾
   数の小方向性制御整流素子と前記各小方向性制御整流素
   子の導通によって同一方向に励磁されるリアクトルとを
   直列に接続した位相制御形溶接機において、前記リアク
   トルと変圧器１次巻線とが直列になる回路に並列に前記
   リアクトルの蓄積エネルギーを前記変圧器に放電する少
   なくとも一つの電子的スイッチを接続し、電源電圧が変
   圧器１次市比と略等しくなるか又は低下した位相で前記
   電子的スイッチを導Ｊ８番こして前記制御整流素子を遮
   断し・かつ、逆方向゛４圧のチめ設定した位相で前記変
   ｔ１−器に逆方向電流を流す前記制御整流素子を導通に
   するとともに前記電子的スイッチを遮断する位相制御形
   溶接機。 ２、　前記制御整流素子あ・よびリアクトルか、第１の
   サイリスタおよび第１のりアクドルより１戊る＠１の直
   ９１１川路と、前記変圧器１次＜６線（こ対して前記第
   １のサイリスタと逆方向に通電する第２のサイリスタあ
   ・よび第２のりアクドルより成る第２の１ｆｃ列回路と
   の、１１２列回路であって、さらに前記（手釣スイッチ
   か、前記第１のりアクドルと前記変圧器１次巻線との直
   列回路に並列に接続された第１の半導体スイッチ３よび
   前記第２のリアクトＩしと［１７Ｉ記紗月：器１／に外
   線との＋ｆＣ列回路に並列に接続された第２の半導体ス
   イッチから成る特許請求の範囲第１項番こ記載の位相制
   呻形溶接機。 ３、前記第１おＪび第２のりアクドルは、鉄心形壷Φ溶
   接礫。 ム、　前記制御整流素子とリアクトルとか、ブリッジ接
   続された第１乃至第４のサイリスタとＩＪ７１記サイリ
   スタの１α流出力端子に接続さ才またリアクトルとであ
   って、さらに前記磁子的スイッチが、前記リアクトルと
   前記第１のサイリスタと前記変圧器１次巻線との直列回
   路に並列に接続された第１．の−半導体スイッチおよび
   ■」化リアクトルと前記第２のサイリスタと前記変圧器
   １次巻線との直列回路に並列に接続された第２の半導体
   スイッチから成る特許請求の範囲第１項に記載の位相制
   御形溶接機。 ５、＠記半導体スイッチが、トランジスタ、ゲート・タ
   ーンオフ・サイリスタ（Ｃ，Ｔ　Ｏ）又はサイリスタ（
   ＳＣに）である特許請求の範囲第２項ないし５ｇ４項の
   いずれかに記載の位相制御形交流溶接機。