JPS5819994B2 - デンシドケイ - Google Patents
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- JPS5819994B2 JPS5819994B2 JP50067166A JP6716675A JPS5819994B2 JP S5819994 B2 JPS5819994 B2 JP S5819994B2 JP 50067166 A JP50067166 A JP 50067166A JP 6716675 A JP6716675 A JP 6716675A JP S5819994 B2 JPS5819994 B2 JP S5819994B2
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- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04C—ELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
- G04C10/00—Arrangements of electric power supplies in time-pieces
- G04C10/04—Arrangements of electric power supplies in time-pieces with means for indicating the condition of the power supply
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromechanical Clocks (AREA)
- Tests Of Electric Status Of Batteries (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子時計に係わり、特にその電子回路の出力機
能に関する。
能に関する。
本発明の目的は、電池寿命表示のための電池電圧検出回
路の検出電圧の調整を容易にぜんとするものであり、そ
のために電子回路、もしくは集積回路（ＩＣ）の出力端
子に数種の機能を持たせんとするものである。
路の検出電圧の調整を容易にぜんとするものであり、そ
のために電子回路、もしくは集積回路（ＩＣ）の出力端
子に数種の機能を持たせんとするものである。
電子時計も近年に至っての技術向上、コスト低下により
、普及の度合を増し、特に水晶腕時計の増加は著しいも
のがある。
、普及の度合を増し、特に水晶腕時計の増加は著しいも
のがある。
しかしながら、現在では依然として電子時計の最大の弱
点である電池交換はまぬがれない。
点である電池交換はまぬがれない。
しかも、その電池交換の時期も、電池寿命表示付きの電
子時計が一般化していないため、使用者が電池交換の時
期を記憶していなければならないのが現状であり、この
不便さを解消するために電池寿命表示付きの電子時計が
切望されている。
子時計が一般化していないため、使用者が電池交換の時
期を記憶していなければならないのが現状であり、この
不便さを解消するために電池寿命表示付きの電子時計が
切望されている。
かかる点に鑑み、先に電界効果トランジスター（以下Ｆ
ＥＴと略す）のスレッショルド電圧（以下ＶＴＨと略す
）を利用した電池寿命を検知するための電池電圧検出方
法を提供したが、本発明は電池電圧検出回路の検出電圧
の調整を容易にすることにより、電池寿命表示をより実
用化され易くするものである。
ＥＴと略す）のスレッショルド電圧（以下ＶＴＨと略す
）を利用した電池寿命を検知するための電池電圧検出方
法を提供したが、本発明は電池電圧検出回路の検出電圧
の調整を容易にすることにより、電池寿命表示をより実
用化され易くするものである。
最初に、本発明の理解を容易ならしめるため先に提供し
た電池電圧検出方法を説明する。
た電池電圧検出方法を説明する。
周知のように、電池容量と電池電圧の関係は、電池容量
が残り少なくなると電池電圧も低下してくるため、電池
電圧の低下を検出することにより、電池容量の低下を検
知できる。
が残り少なくなると電池電圧も低下してくるため、電池
電圧の低下を検出することにより、電池容量の低下を検
知できる。
その電池電圧の低下を検出するのが電池電圧検出回路で
あり、その基本回路を第１図に示す。
あり、その基本回路を第１図に示す。
同図において、１はエンハンスメント型Ｐ・ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ、２〜５はＭＯＳ−ＦＥＴで形成された相補型イン
バーター、６，７は伝送ゲート、８は可変抵抗から成る
負荷抵抗である。
ＥＴ、２〜５はＭＯＳ−ＦＥＴで形成された相補型イン
バーター、６，７は伝送ゲート、８は可変抵抗から成る
負荷抵抗である。
なお、伝送ゲート６．７の詳細は第５図点線内に示す。
同回路において、１〜３及び８で電池電圧検出回路を形
成し、４〜７でメモリー回路を形成しており、Ｐ−ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴＩのゲート電圧がＬｏｗ、すなわちサンプリ
ング（検出）指令信号ａがＬｏｗになった時だけサンプ
リング検出し、その間メモリーは電池電圧検出回路の出
力を書き込み、同信号ａがＨｉでは電池電圧検出回路は
非検出状態となり、メモリーはホールド状態となる。
成し、４〜７でメモリー回路を形成しており、Ｐ−ＭＯ
Ｓ−ＦＥＴＩのゲート電圧がＬｏｗ、すなわちサンプリ
ング（検出）指令信号ａがＬｏｗになった時だけサンプ
リング検出し、その間メモリーは電池電圧検出回路の出
力を書き込み、同信号ａがＨｉでは電池電圧検出回路は
非検出状態となり、メモリーはホールド状態となる。
（サンプリング検出の目的とするところは、主には消費
電流の削減である。
電流の削減である。
）ここで、サンプリング指令信号がＬｏｗ状態（Ｐ−Ｍ
、、０８−ＦＥＴのゲート・ソース間電圧が電源電圧と
同一）における、インバーター３、もしくはインバータ
ー５の出力が反転する時の電源電圧、すなわち検出電圧
ＶＤＤは、Ｐ−ＭＯＳ・ＦＥＴ１及びインバーター２，
３の各ＦＥＴが検出時点にそれぞれ飽和領域で動作して
いるとすれば、次式で表わせる。
、、０８−ＦＥＴのゲート・ソース間電圧が電源電圧と
同一）における、インバーター３、もしくはインバータ
ー５の出力が反転する時の電源電圧、すなわち検出電圧
ＶＤＤは、Ｐ−ＭＯＳ・ＦＥＴ１及びインバーター２，
３の各ＦＥＴが検出時点にそれぞれ飽和領域で動作して
いるとすれば、次式で表わせる。
ただし１
、Ｗ
β 、−・μ・ＣＯＸ
ＶＧＴＰ：Ｐ−ＭＯＳ−ＦＥＴのＶＴＨ
ｖＧＴＮ：Ｍ−ＭＯＳ−ＦＥＴのｖＴＨ
βＰ１ ：Ｐ−ＭＯＳ−ＦＥＴ１のβ
βｐ２ ’相補型インバーター２のＰ−ＭＯＳ・ＦＥ
Ｔのβ βＮ２ ’相補型インバーター２のＮ−ＭＯＳ・ＦＥ
Ｔのβ Ｍ ：チャネル内の電子の移動度 Ｃｏｘ ：酸化膜の単位面積当りの容量Ｌ ：チャ
ネル長 Ｗ ：チャネル幅 Ｒ：負荷抵抗８の抵抗値 上式から明らかなように、検出電圧ＶＤＤはＮ・電源電
圧の影響を受けずに一定値を有すため、電池電圧の低下
を検出できるのである。
Ｔのβ βＮ２ ’相補型インバーター２のＮ−ＭＯＳ・ＦＥ
Ｔのβ Ｍ ：チャネル内の電子の移動度 Ｃｏｘ ：酸化膜の単位面積当りの容量Ｌ ：チャ
ネル長 Ｗ ：チャネル幅 Ｒ：負荷抵抗８の抵抗値 上式から明らかなように、検出電圧ＶＤＤはＮ・電源電
圧の影響を受けずに一定値を有すため、電池電圧の低下
を検出できるのである。
なお、検出電圧ＶＤＤの温度係数は、ＶＴＲｊβの温度
係数から検出電圧の温度係数が最小になるり、検出電圧
ＶＤＤの温度特性は実用範囲内で満足できる値にするこ
とが可能である。
係数から検出電圧の温度係数が最小になるり、検出電圧
ＶＤＤの温度特性は実用範囲内で満足できる値にするこ
とが可能である。
一方、ＶＴＨ？βはＩＣ製造時において変動するため、
所望の検出電圧にするには、負荷抵抗８を可変すること
による検出電圧の調整が必要となる。
所望の検出電圧にするには、負荷抵抗８を可変すること
による検出電圧の調整が必要となる。
電池寿命の表示は、例えば１秒運針の指針式水晶時計で
あるならば、２秒に一度２秒分秒針を運針させる、ある
いは液晶表示時計であるならば、フラッシング表示、も
しくは電池寿命表示セグメントの点灯等、通常とは異る
時刻表示により電池寿命を表示すれば良い。
あるならば、２秒に一度２秒分秒針を運針させる、ある
いは液晶表示時計であるならば、フラッシング表示、も
しくは電池寿命表示セグメントの点灯等、通常とは異る
時刻表示により電池寿命を表示すれば良い。
第３図に、前記指針式水晶時計のタイミングチヤードを
示す。
示す。
同図Ｓは２Ｈｚの出力を有す分周回路のスレーブ信号、
Ｍは同マスター信号、ａは第１図のサンプリング指令信
号、■は同図メモリー回路、もしくは電池電圧検出回路
のインバート出力信号、０は電気−機械変換器の駆動電
流信号であり、電池電圧検出回路の出力計がＬｏｗ状態
では、変換器は０から明らかなように１秒ごとに駆動さ
れ（したがって秒針は１秒運針）、同出力すがＨｉｇｈ
、すなわち電池電圧の低下が検出されると、変換器は２
秒に１回２秒分駆動される。
Ｍは同マスター信号、ａは第１図のサンプリング指令信
号、■は同図メモリー回路、もしくは電池電圧検出回路
のインバート出力信号、０は電気−機械変換器の駆動電
流信号であり、電池電圧検出回路の出力計がＬｏｗ状態
では、変換器は０から明らかなように１秒ごとに駆動さ
れ（したがって秒針は１秒運針）、同出力すがＨｉｇｈ
、すなわち電池電圧の低下が検出されると、変換器は２
秒に１回２秒分駆動される。
したがって、電池電圧検出回路の検出電圧の調整時にお
いて、電池電圧検出回路の出力を直接モニターできなけ
れば、同検出回路の検出状態の観測は２秒周期の変換器
用出力の位相観測によらざるを得ないため、調整に時間
がかかり、一方検出電圧の調整を容易にするため電池電
圧検出回路のモニター用出力端子を単独で設ければ、Ｉ
Ｃ端子の増加によるコストアップ、寸法大となりいずれ
も好ましくない。
いて、電池電圧検出回路の出力を直接モニターできなけ
れば、同検出回路の検出状態の観測は２秒周期の変換器
用出力の位相観測によらざるを得ないため、調整に時間
がかかり、一方検出電圧の調整を容易にするため電池電
圧検出回路のモニター用出力端子を単独で設ければ、Ｉ
Ｃ端子の増加によるコストアップ、寸法大となりいずれ
も好ましくない。
本発明はかかる点に鑑み、・電池電圧検出回路のモニタ
ー出力端子と、他の機能出力、もしくは入力端子を共用
することにより、端子を増やさずに電池電圧検出回路の
出力状態を直接モニターし、迅速かつ容易に検出電圧の
調整をせんとするものである。
ー出力端子と、他の機能出力、もしくは入力端子を共用
することにより、端子を増やさずに電池電圧検出回路の
出力状態を直接モニターし、迅速かつ容易に検出電圧の
調整をせんとするものである。
以下、具体例に基き、本発明の説明を行う。
初めに指針式電子時計について説明すれば、通常指針式
電子時計、例えば変換器にステップモーターを用いた水
晶時計の回路（ＩＣ）端子は、電源の■、○、リセット
、水晶振動子を接続する発振回路の入・出力端子及び変
換器用出力２端子の計７端子であり、このうち端子の共
用化に供しうるものは発振回路の入・出力、及び変換器
用出力２端子であるが、変換器用出力は分周回路のリセ
ット状態において出力がでないため、出力機能の切り換
えに好都合である。
電子時計、例えば変換器にステップモーターを用いた水
晶時計の回路（ＩＣ）端子は、電源の■、○、リセット
、水晶振動子を接続する発振回路の入・出力端子及び変
換器用出力２端子の計７端子であり、このうち端子の共
用化に供しうるものは発振回路の入・出力、及び変換器
用出力２端子であるが、変換器用出力は分周回路のリセ
ット状態において出力がでないため、出力機能の切り換
えに好都合である。
（発振回路入出力は分周回路リセット状態においても発
振しているため、機能切り換えが難かしく、また浮遊容
量の点でも端子の共用化は好ましくない。
振しているため、機能切り換えが難かしく、また浮遊容
量の点でも端子の共用化は好ましくない。
）したがって、本発明から成る実施例は、電気−機械変
換器へのＩＣ出力端子と電池電圧検出回路のモニター出
力端子とを共用している。
換器へのＩＣ出力端子と電池電圧検出回路のモニター出
力端子とを共用している。
第４図に、該実施例の電池電圧検出回路部及び出力回路
部を示す。
部を示す。
同図において、１〜３，８及び４〜７は、第１図と同様
にそれぞれ電池電圧検出回路及びメモリー回路を形成し
ており、９゜１０及び１１，１２は変換器駆動用のエン
ハンスメントＮ及びＰ−ＭＯＳ−ＦＥＴ、１３，１４は
ＮＯＲゲート、１５は伝送ゲート、１６〜１８はＮＡＮ
Ｄゲート、１９はＡＮＤゲート、２０はエンハンスメン
トＮ −ＭＯＳ −ＦＥＴから成るＭＯ８抵抗である。
にそれぞれ電池電圧検出回路及びメモリー回路を形成し
ており、９゜１０及び１１，１２は変換器駆動用のエン
ハンスメントＮ及びＰ−ＭＯＳ−ＦＥＴ、１３，１４は
ＮＯＲゲート、１５は伝送ゲート、１６〜１８はＮＡＮ
Ｄゲート、１９はＡＮＤゲート、２０はエンハンスメン
トＮ −ＭＯＳ −ＦＥＴから成るＭＯ８抵抗である。
またｃ、ｄは分周回路からの駆動回路制御信号、ｅはサ
ンプリング指令信号、ｆはリセット端子、夕は電池電圧
検出回路の出力信号であり、それぞれ第４図に示してな
い分周回路等の他の電子回路に接続される。
ンプリング指令信号、ｆはリセット端子、夕は電池電圧
検出回路の出力信号であり、それぞれ第４図に示してな
い分周回路等の他の電子回路に接続される。
動作を説明するに、通常状態、すなわちリセット端子ｆ
がＬｏｗ状態においては、ＮＯＲゲート１３ 、１４
、 ＮＡＮＤゲート１６，１７はいずれもインバーター
として動作し、また伝送ゲート１５は非導通、ＮＡＮＤ
ゲート１８の出力は駆動回路の出力０゜の状態にかかわ
らずＨｉ ｇｈ、したがってＡＮＤゲート１９はサンプ
リング指令信号ｅをその才ま通過させる３このため、駆
動回路のＭＯＳ−ＦＥＴＩｏ、１２及び９，１１のゲー
トには駆動回路制御信号Ｃ２ｄのインバート信号が印加
され、また電池電圧検出回路にはサンプリング指令信号
ｅが印加されてそれぞれ通常動作を行う。
がＬｏｗ状態においては、ＮＯＲゲート１３ 、１４
、 ＮＡＮＤゲート１６，１７はいずれもインバーター
として動作し、また伝送ゲート１５は非導通、ＮＡＮＤ
ゲート１８の出力は駆動回路の出力０゜の状態にかかわ
らずＨｉ ｇｈ、したがってＡＮＤゲート１９はサンプ
リング指令信号ｅをその才ま通過させる３このため、駆
動回路のＭＯＳ−ＦＥＴＩｏ、１２及び９，１１のゲー
トには駆動回路制御信号Ｃ２ｄのインバート信号が印加
され、また電池電圧検出回路にはサンプリング指令信号
ｅが印加されてそれぞれ通常動作を行う。
一方、リセット端子ｆがＨｉｇｈ状態になると、ＮＯＲ
ゲート１３，１４の出力がＬｏｗ、したがってＮ−ＭＯ
Ｓ−ＦＥ″Ｔ９，１０は非導通、ＮＡＮＤゲート１６，
１７の出力はＨｉｇｈ、ｊ、たがってＰ・ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ１１．１２も非導通となる。
ゲート１３，１４の出力がＬｏｗ、したがってＮ−ＭＯ
Ｓ−ＦＥ″Ｔ９，１０は非導通、ＮＡＮＤゲート１６，
１７の出力はＨｉｇｈ、ｊ、たがってＰ・ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ１１．１２も非導通となる。
サンプリング指令信号の方は、Ｎ−ＭＯＳ−ＦＥＴ２０
が導通するため、外部から０１に電位を与えなければ０
１はＬｏｗ、 したがってＮＡＮＤゲート１８の出力は
Ｈｉｇｈ、Ｌ、たがってＡＮＤゲート１９はサンプリン
グ指令信号ｅを通過させる。
が導通するため、外部から０１に電位を与えなければ０
１はＬｏｗ、 したがってＮＡＮＤゲート１８の出力は
Ｈｉｇｈ、Ｌ、たがってＡＮＤゲート１９はサンプリン
グ指令信号ｅを通過させる。
なお、リセット状態では、分周回路からのサンプリング
指令信号ｅはＨｉｇｈを保つため、０１に外部から電位
を与えない限り、リセット状態では電池電圧検出回路は
動作しない。
指令信号ｅはＨｉｇｈを保つため、０１に外部から電位
を与えない限り、リセット状態では電池電圧検出回路は
動作しない。
一方、この状態で出力端子０１に外部からＨｉｇｈＬｅ
ｖｅｌ の電位を与えると、ＮＡＮＤゲート１８の出力
はＬｏｗ、したがってＡＮＤゲート１９の出力もＬｏｗ
となり、電池電圧検出回路が動作状態となってメモリー
回路も書き込み状態となる。
ｖｅｌ の電位を与えると、ＮＡＮＤゲート１８の出力
はＬｏｗ、したがってＡＮＤゲート１９の出力もＬｏｗ
となり、電池電圧検出回路が動作状態となってメモリー
回路も書き込み状態となる。
他方、伝送ゲート１５は、リセット端子がＨｉ ｇｈに
なると導通状態となるので、リセット状態では出力端子
０２は電池電圧検出回路の出力端子となる。
なると導通状態となるので、リセット状態では出力端子
０２は電池電圧検出回路の出力端子となる。
つまり、リセット状態において、出力端子０１にＨｉｇ
ｈ Ｌｅｖｅｌの電位を印加することにより、電池電
圧検出回路は動作状態となり、その出力状態を出力端子
０２を通じてモニターできるのである。
ｈ Ｌｅｖｅｌの電位を印加することにより、電池電
圧検出回路は動作状態となり、その出力状態を出力端子
０２を通じてモニターできるのである。
前記第４図から成る具体例では、出力端子０１−０２間
に負荷が接続されている場合、電池電圧検出回路のモニ
ターはできないが、実際の調整は回路ブロック単位（す
なわち負荷が接続されていない状態）で行うので支障な
い。
に負荷が接続されている場合、電池電圧検出回路のモニ
ターはできないが、実際の調整は回路ブロック単位（す
なわち負荷が接続されていない状態）で行うので支障な
い。
なお、若干素子数が増えるものの、出力端子０１−〇□
間に負荷を接続した状態でも電池電圧検出回路の出力を
モニターできる回路を第６図に示す。
間に負荷を接続した状態でも電池電圧検出回路の出力を
モニターできる回路を第６図に示す。
第６図において、Ｇａｔｅ１４，３１，３３同＝じ＜
Ｇａ ｔｅ １７ ｔ、３，２ ｔ ３４でセレクト
ゲートを形成し、ＢＬＤモニター出力５の、信号が該セ
レクトゲートによって選択され、モータードライバー９
ｏｒｌｌを１駆動し、０２にＢＬＤモニター出力する。
Ｇａ ｔｅ １７ ｔ、３，２ ｔ ３４でセレクト
ゲートを形成し、ＢＬＤモニター出力５の、信号が該セ
レクトゲートによって選択され、モータードライバー９
ｏｒｌｌを１駆動し、０２にＢＬＤモニター出力する。
この場合モニターコイルが０，０−０２間に接続されて
いてもモータードライバー９ｏｒ１１によってモーター
コイルが駆動されるため０□はＶｓｓしベルまで電位を
とることが可能となる。
いてもモータードライバー９ｏｒ１１によってモーター
コイルが駆動されるため０□はＶｓｓしベルまで電位を
とることが可能となる。
また、検出時の電池電圧検出回路の消費電流が、リセッ
ト状態における電子時計の消費電流と比べて小さければ
、リセット状態で電池電圧検出回路を検出状態とし、同
検出回路の出力を出力端子０１あるいは０２に出力する
ことも可能である。
ト状態における電子時計の消費電流と比べて小さければ
、リセット状態で電池電圧検出回路を検出状態とし、同
検出回路の出力を出力端子０１あるいは０２に出力する
ことも可能である。
次に、表示手段に液晶表示素子等の電子光学的表示手段
を用いた電子時計に本発明を適用した例を説明する。
を用いた電子時計に本発明を適用した例を説明する。
第５図に、歩度調整用の１秒信号出力端子を電池電圧検
出回路のモニタ一端子と共用した例の電池電圧検出回路
と出力切り換え回路を表わす。
出回路のモニタ一端子と共用した例の電池電圧検出回路
と出力切り換え回路を表わす。
同図１〜８で電池電圧検出回路及びメモリー回路を形成
しており、２１はＡＮＤゲート、２２，２３はエンハン
スメント型Ｎ−ＭＯ８−ＦＥＴ、２４゜２５はエンハン
スメント型Ｐ−ＭＯ８−ＦＥＴ。
しており、２１はＡＮＤゲート、２２，２３はエンハン
スメント型Ｎ−ＭＯ８−ＦＥＴ、２４゜２５はエンハン
スメント型Ｐ−ＭＯ８−ＦＥＴ。
２６．２７は相補型ＩＶＩＯＳインバータ、２８は○ト
リガー（クロックがＬｏｗでスレーブが書き込み状態）
のマスター・スレーブフリップ・フロップ、２９，３０
は伝送ゲートである。
リガー（クロックがＬｏｗでスレーブが書き込み状態）
のマスター・スレーブフリップ・フロップ、２９，３０
は伝送ゲートである。
リセット端子、もしくは時刻修正用ロック端子ｆがＬｏ
ｗ状態では、フリップ・フ田ンプ２８がリセット状態に
なるため、その出力はＬｏｗ、したがってＡＮＤゲート
２１は分周回路からのサンプリング指令信号ｅをそのま
ま通過させる。
ｗ状態では、フリップ・フ田ンプ２８がリセット状態に
なるため、その出力はＬｏｗ、したがってＡＮＤゲート
２１は分周回路からのサンプリング指令信号ｅをそのま
ま通過させる。
また、この状態では、伝送ゲート２９は非導通、同３０
が導通状態となるため、出力端子ｉには分周回路からの
１秒信号りが出力される。
が導通状態となるため、出力端子ｉには分周回路からの
１秒信号りが出力される。
一方、ｆがＨｉｇｈになると、フリップ・フロップ２Ｂ
はリセットが解除され、伝送ゲート３０が非導通、ＭＯ
８抵抗２２が動作状態となる。
はリセットが解除され、伝送ゲート３０が非導通、ＭＯ
８抵抗２２が動作状態となる。
この状態で出力端子ｉに外部から信号が印加されなけれ
ば゛、フリップ・フロップ２８のスレーブ出力はＬｏｗ
のままであり、伝送ゲート２９も非導通である。
ば゛、フリップ・フロップ２８のスレーブ出力はＬｏｗ
のままであり、伝送ゲート２９も非導通である。
ここで、外部から出力端子ＩにＨｉ ｇｈ Ｌｅｖｅｌ
の電圧を印加すると、フリップ・フロップ２８のクロッ
クがＨｉｇｈになるから、フリップ・フロップ２８のデ
ータ一端子のＨｉｇｈがマスタ一部に書き込まれ、再び
出力端子ｌをＬｏｗ Ｌｅｖｅｌにするとスレーブ部に
）ｌｉｇｈが書き込まれ、スレーブ出力はＨｉｇｈとな
る。
の電圧を印加すると、フリップ・フロップ２８のクロッ
クがＨｉｇｈになるから、フリップ・フロップ２８のデ
ータ一端子のＨｉｇｈがマスタ一部に書き込まれ、再び
出力端子ｌをＬｏｗ Ｌｅｖｅｌにするとスレーブ部に
）ｌｉｇｈが書き込まれ、スレーブ出力はＨｉｇｈとな
る。
フリップ・フロップのスレーブ出力がＨｉｇｈになると
伝送ゲート２９が導通し、ＡＮＤゲート２１の出力はサ
ンプリング指令信号ｅにかかわらずＬｏｗとなり、電池
電圧検出回路は動作状態となる。
伝送ゲート２９が導通し、ＡＮＤゲート２１の出力はサ
ンプリング指令信号ｅにかかわらずＬｏｗとなり、電池
電圧検出回路は動作状態となる。
すなわち、リセットもしくは時刻修正状態において、出
力端子ｉ（１秒信号出力端子）を電源の■に瞬間的に導
通きせることにより、電源電圧検出回路は検出状態とな
り、同検出回路のインバート出力が出力端子■に出力さ
れるのであり、その状態は出力端子ｉの電圧Ｉ、ｅｖｅ
ｌにかかわらず、端子ｆがＬｏｗになるまで持続される
のである。
力端子ｉ（１秒信号出力端子）を電源の■に瞬間的に導
通きせることにより、電源電圧検出回路は検出状態とな
り、同検出回路のインバート出力が出力端子■に出力さ
れるのであり、その状態は出力端子ｉの電圧Ｉ、ｅｖｅ
ｌにかかわらず、端子ｆがＬｏｗになるまで持続される
のである。
したがって、検出電圧の調整は、前記要領で電池電圧検
出回路を動作状態にして、電源端子に希望検出電圧を印
加し、同検出回路の出力状態をモニター出力端子で直接
モニターしながら同検出回路の負荷抵抗を可変して、同
検出回路の出力状態が切り換わった抵抗値に負荷抵抗を
設定すれば良い。
出回路を動作状態にして、電源端子に希望検出電圧を印
加し、同検出回路の出力状態をモニター出力端子で直接
モニターしながら同検出回路の負荷抵抗を可変して、同
検出回路の出力状態が切り換わった抵抗値に負荷抵抗を
設定すれば良い。
以上詳記した如く、本発明に依れば、ＩＣの端子を増や
すことなく電池電圧検出回路の出力状態を直接モニター
できるため、ＩＣもしくは回路ブロックの価格上昇なし
に同検出回路の検出電圧の調整時間を短縮できるので、
本発明の生産上の効果は大きい。
すことなく電池電圧検出回路の出力状態を直接モニター
できるため、ＩＣもしくは回路ブロックの価格上昇なし
に同検出回路の検出電圧の調整時間を短縮できるので、
本発明の生産上の効果は大きい。
第１図は、電池電圧検出回路の基本回路図。
１・・・・・・エンハンスメント型’Ｐ −ＭＯＳ −
ＦＢＴ。 ２〜５・・・・・・相補型ＩＶＩＯＳインバーター、６
，７・・・・・・伝送ゲート、８・・・・・・負荷抵抗
、ａ・・・・・サンプリング（検出）指令信号、ｂ・・
・・・・電池電圧検出回路の出力。 第２図は、第１図電池電圧検出回路の電源電圧Ｅと出力
電圧との関係を表わした図。 実線はＰ・ＭＯＳ−ＦＥＴＩの出力電圧を、点線はイン
バーター３の出力電圧を表わす。 第３図は、第１図電池電圧検出回路を有す電子時計のタ
イミングチャート図。 ａ・・・・・・サンプリング（検出）指令信号、ｂ・・
・・・・電池電圧検出回路の出力、０・・・・・・変換
器１駆動電流。 第４図は、指針表示の電子時計に本発明を適用した場合
の回路図の一部を示す図。 ｃｄ・・・・・・駆動回路制御信号、ｅ・・・・・・サ
ンプリング（検出）指令信号、ｆ・・・・・・リセット
端子、ｇ・・・・・・電池電圧検出回路出力、０□、０
２・・・・・・変換器駆動用出力端子。 第５図は、液晶表示の電子時計に本発明を適用した場合
の回路図の一例を示す図。 ｈ・・・・・・１秒信号出力、ビ・・・・１秒信号出力
端子。 第６図は、本発明から成る指針表示の電子時計の他の回
路例を示す図。
ＦＢＴ。 ２〜５・・・・・・相補型ＩＶＩＯＳインバーター、６
，７・・・・・・伝送ゲート、８・・・・・・負荷抵抗
、ａ・・・・・サンプリング（検出）指令信号、ｂ・・
・・・・電池電圧検出回路の出力。 第２図は、第１図電池電圧検出回路の電源電圧Ｅと出力
電圧との関係を表わした図。 実線はＰ・ＭＯＳ−ＦＥＴＩの出力電圧を、点線はイン
バーター３の出力電圧を表わす。 第３図は、第１図電池電圧検出回路を有す電子時計のタ
イミングチャート図。 ａ・・・・・・サンプリング（検出）指令信号、ｂ・・
・・・・電池電圧検出回路の出力、０・・・・・・変換
器１駆動電流。 第４図は、指針表示の電子時計に本発明を適用した場合
の回路図の一部を示す図。 ｃｄ・・・・・・駆動回路制御信号、ｅ・・・・・・サ
ンプリング（検出）指令信号、ｆ・・・・・・リセット
端子、ｇ・・・・・・電池電圧検出回路出力、０□、０
２・・・・・・変換器駆動用出力端子。 第５図は、液晶表示の電子時計に本発明を適用した場合
の回路図の一例を示す図。 ｈ・・・・・・１秒信号出力、ビ・・・・１秒信号出力
端子。 第６図は、本発明から成る指針表示の電子時計の他の回
路例を示す図。
Claims (1)
- １ 時間標準源、表示手段、電源電池及び該電源電池の
電圧を検出する電池電圧検出回路、分周回路等から成る
ＭＯ８ＩＣから少なくも構成される電子時計において、
前記電池電圧検出回路の調整時と非調整時でＭＯ８ＩＣ
の人、出力端子の一部を機能切り換えする切り換え回路
を有し、該切り換え回路により調整時はＭＯ８ＩＣの一
部端子が前記電池電圧検出回路のモニター出力となるこ
とを特徴とする電子時計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50067166A JPS5819994B2 (ja) | 1975-06-04 | 1975-06-04 | デンシドケイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50067166A JPS5819994B2 (ja) | 1975-06-04 | 1975-06-04 | デンシドケイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51143365A JPS51143365A (en) | 1976-12-09 |
| JPS5819994B2 true JPS5819994B2 (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=13337029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50067166A Expired JPS5819994B2 (ja) | 1975-06-04 | 1975-06-04 | デンシドケイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819994B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS479284U (ja) * | 1971-02-18 | 1972-10-04 | ||
| JPS492872A (ja) * | 1972-04-22 | 1974-01-11 |
-
1975
- 1975-06-04 JP JP50067166A patent/JPS5819994B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51143365A (en) | 1976-12-09 |
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