JPS58200185A - ゲインスタビライザ - Google Patents
ゲインスタビライザInfo
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- JPS58200185A JPS58200185A JP8426182A JP8426182A JPS58200185A JP S58200185 A JPS58200185 A JP S58200185A JP 8426182 A JP8426182 A JP 8426182A JP 8426182 A JP8426182 A JP 8426182A JP S58200185 A JPS58200185 A JP S58200185A
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- JP
- Japan
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- value
- pulse
- gain
- wave height
- peak value
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/36—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry
- G01T1/40—Stabilisation of spectrometers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は放射線検出器の出力波高値の変動を抑えるた
めのゲインスタビライザに関するもので。
めのゲインスタビライザに関するもので。
検出器内蔵もしくは検出器外部に設置した放射線源゛ま
たは光電子増倍管を使用した検出器においては光電子増
倍管に対するパルス状発光源により基準となる波高値の
パルスを出力できる放射線検出器を対象とするものであ
る。
たは光電子増倍管を使用した検出器においては光電子増
倍管に対するパルス状発光源により基準となる波高値の
パルスを出力できる放射線検出器を対象とするものであ
る。
以下ではコｌ／ＡｍをドープしたＮａ１（Ｔｊ）シンチ
レーション検出器を例にとり説明する。この検出器は、
出力波高値が計数率、温度、光電子増倍管の長期的劣化
等により変動するため波高分析や。
レーション検出器を例にとり説明する。この検出器は、
出力波高値が計数率、温度、光電子増倍管の長期的劣化
等により変動するため波高分析や。
シングルチャンネルアナライザ等により特定波高値区間
の計数値を測定する場合に誤差を持ち込むことがあった
。このような波高値の変動を抑えるための装置として従
来第１図に示すものがあった。
の計数値を測定する場合に誤差を持ち込むことがあった
。このような波高値の変動を抑えるための装置として従
来第１図に示すものがあった。
第１図において、／はコ４（／Ａｍドープ型ＮａＩ（Ｔ
ｊ）シンチレーション検出器、コは検出器用のバイアス
電源、３はプリアンプ、ダはメインアンプ、ｊは第１の
シングルチャンネルアナライザ、６は第一のシングルチ
ャンネルアナライザ、りは第１の計数率計、ｔは第一の
計数率計、９は引算器である。なお、第１および第一の
シングルチャンネルアナライザよおよび６．第１および
第一の計数率計７およびざ、および引算器デにてゲイ／
スタビライザ／θ０が構成されてコる。
ｊ）シンチレーション検出器、コは検出器用のバイアス
電源、３はプリアンプ、ダはメインアンプ、ｊは第１の
シングルチャンネルアナライザ、６は第一のシングルチ
ャンネルアナライザ、りは第１の計数率計、ｔは第一の
計数率計、９は引算器である。なお、第１および第一の
シングルチャンネルアナライザよおよび６．第１および
第一の計数率計７およびざ、および引算器デにてゲイ／
スタビライザ／θ０が構成されてコる。
次に動作について説明する。バイアス電源コによりバイ
アス電圧を印加されたｊ４１／Ａｍドープ型Ｎａ１（Ｔ
ｆ）シンチレーション検出器／に入射したＴ線と検出器
内蔵のコダ／Ａｍα線はそれぞれ検出器内部で光パルス
を生じその結果電気的パルス信号が検出器出力として発
生される。この出力はプリアンプ３．メインアンプ亭で
増幅、波形整形され通常測定系へ与えられると共に、ゲ
インスタビライザｌθ０ｊＩｃも入力される。
アス電圧を印加されたｊ４１／Ａｍドープ型Ｎａ１（Ｔ
ｆ）シンチレーション検出器／に入射したＴ線と検出器
内蔵のコダ／Ａｍα線はそれぞれ検出器内部で光パルス
を生じその結果電気的パルス信号が検出器出力として発
生される。この出力はプリアンプ３．メインアンプ亭で
増幅、波形整形され通常測定系へ与えられると共に、ゲ
インスタビライザｌθ０ｊＩｃも入力される。
第一図はメインアンプ出力波高値の分布を示したもので
、横軸には検出器出力パルス波高値を。
、横軸には検出器出力パルス波高値を。
縦軸には計数率を示している。一点鎖線１の左側には測
定対象ｒｌｉによる計数率が、右側には波高値変動補正
用ｊｌ／Ａｍａ線ビークα線示されており１図示するよ
うにｒ線によるパルス波高値は通常ｊ ＩＩ ／ Ａｍ
α線によるパルス波高値よりも小さい。
定対象ｒｌｉによる計数率が、右側には波高値変動補正
用ｊｌ／Ａｍａ線ビークα線示されており１図示するよ
うにｒ線によるパルス波高値は通常ｊ ＩＩ ／ Ａｍ
α線によるパルス波高値よりも小さい。
第１のシングルチャンネルアナライザ３は第一図の波高
値Ｈ７とＨａの間の波高値を持つパルスに対してのみパ
ルスを出力するように調整され、シングルチャンネルア
ナライザ６は第一図の波高値１（ＪとＨＪの間の波高値
を持つパルスに対しての １みパルスを出力するよ
うに調整される。Ｈ／、ＨＪとＨＪ 、Ｈｚは普通２
ｅ ／ Ａｍα線ピークの中心波高値ＨＯＩ／Ｃ対して
ほぼ対称にとらねる。シングルチャンネルアナライザよ
、６の出力はそれぞれ計数率計７．ｊに入力され計数率
に比例した出力を出す。今、計数率？、ｔの出力をｆｉ
／ 、’ｆｉＪとし。
値Ｈ７とＨａの間の波高値を持つパルスに対してのみパ
ルスを出力するように調整され、シングルチャンネルア
ナライザ６は第一図の波高値１（ＪとＨＪの間の波高値
を持つパルスに対しての １みパルスを出力するよ
うに調整される。Ｈ／、ＨＪとＨＪ 、Ｈｚは普通２
ｅ ／ Ａｍα線ピークの中心波高値ＨＯＩ／Ｃ対して
ほぼ対称にとらねる。シングルチャンネルアナライザよ
、６の出力はそれぞれ計数率計７．ｊに入力され計数率
に比例した出力を出す。今、計数率？、ｔの出力をｆｉ
／ 、’ｆｉＪとし。
両出力共引算器９に入力し、ここでｎｌ、ｎＪ。
差Δｎ＝ｎ／−ｎＪを出力しΔｎの絶対値および符号に
よりメインアンプ亭のゲインを調節する。
よりメインアンプ亭のゲインを調節する。
この調節について以下もう少し具体的に説明する。
今、ｎ／＝ｎＪとなるようにシングルチャンネルアナラ
イザ３．６を設定し、引算器デの出力が負ならばその絶
対値に比例してメインアンプゲインを自動的に下げ引算
器９の出力が正ならばその絶対値に比例してメインアン
プゲインを自動的に士げるようにする。光電子増倍管の
増幅率の低下等の理由により出力パルス波高値が一定の
割合で低下した場合を第３図（ａ）および（ｂ）で説明
する。第３図では簡略化のためｌ（Ｊ ＝ ＨＪ ＝
ＨＤととってあり、またコ４’／Ａｍα線ピークＰのみ
を示しである。第３図（ａ）に示すようにｎ／＝ｆｉＪ
の初期設定をした後、第３図（ｂ）に示すよう忙波高値
が低下するとｎｌ＞ｎコ従って引算器９の出力Δｎｕｎ
／−ｎＪは正数になる。既に述べたようにΔｎが正の時
はその絶対値に比例してメインアンプゲインを自動的に
上げるようにするため波高値は初期状ＩＩにもどり、ｎ
ｌ：ｉｌＪとなり、その結果Δｎ≧Ｏとなることでゲイ
ン調整動作が終了する。波高値の増加が起った場合には
以上述べた場合と反対の現象が起り、同様のプロセスに
よりゲイン調整が行われる。
イザ３．６を設定し、引算器デの出力が負ならばその絶
対値に比例してメインアンプゲインを自動的に下げ引算
器９の出力が正ならばその絶対値に比例してメインアン
プゲインを自動的に士げるようにする。光電子増倍管の
増幅率の低下等の理由により出力パルス波高値が一定の
割合で低下した場合を第３図（ａ）および（ｂ）で説明
する。第３図では簡略化のためｌ（Ｊ ＝ ＨＪ ＝
ＨＤととってあり、またコ４’／Ａｍα線ピークＰのみ
を示しである。第３図（ａ）に示すようにｎ／＝ｆｉＪ
の初期設定をした後、第３図（ｂ）に示すよう忙波高値
が低下するとｎｌ＞ｎコ従って引算器９の出力Δｎｕｎ
／−ｎＪは正数になる。既に述べたようにΔｎが正の時
はその絶対値に比例してメインアンプゲインを自動的に
上げるようにするため波高値は初期状ＩＩにもどり、ｎ
ｌ：ｉｌＪとなり、その結果Δｎ≧Ｏとなることでゲイ
ン調整動作が終了する。波高値の増加が起った場合には
以上述べた場合と反対の現象が起り、同様のプロセスに
よりゲイン調整が行われる。
なお、メインアンプ亭のゲインを調整する代わりに、バ
イアス電源−の電圧を調整して光電子増倍管の増倍率を
変えることによりパルス波高値を調整するという方法を
とる場合もある。
イアス電源−の電圧を調整して光電子増倍管の増倍率を
変えることによりパルス波高値を調整するという方法を
とる場合もある。
従来の装置は以上のように構成されているが。
何らかの原因で波高値が急変した場合や、測定系の電源
投入時等の場合には、第ダ図（ａ）に示すように初期波
高値設定状態と異なる波高値でｎｌとｎＪの値が等しく
なる場合があり、また第参図（ｂ）に示すように波高分
布形状によっては本来調整すべき方向にゲイン調整でき
なくなりｎｌ＞ｎＪまたはＨｔ （ｎＪ状態がいつまで
も解消せず、ついには波高値変動に対する調整能力を喪
失してしまうようになることもある。第ダ図では波高値
が急激に増加した場合について示したが急激に低下した
場合についても類似の現象が起こりうる。従って完全自
動での波高値変動補正はできなかった。
投入時等の場合には、第ダ図（ａ）に示すように初期波
高値設定状態と異なる波高値でｎｌとｎＪの値が等しく
なる場合があり、また第参図（ｂ）に示すように波高分
布形状によっては本来調整すべき方向にゲイン調整でき
なくなりｎｌ＞ｎＪまたはＨｔ （ｎＪ状態がいつまで
も解消せず、ついには波高値変動に対する調整能力を喪
失してしまうようになることもある。第ダ図では波高値
が急激に増加した場合について示したが急激に低下した
場合についても類似の現象が起こりうる。従って完全自
動での波高値変動補正はできなかった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、測定対象とする放射線によるパ
ルス波高値よりも高い波高値を有するパルスを放射線検
出器を経由して発生させうる強度一定の基準パルス発生
源を備えた放射線検出器において、前記基準パルス発生
源に起因する検出器出力パルス波高分布上の基準ピーク
領域内に１点、適当な波高値を設定し、それ以上の波高
値をもつパルスのみを計測し、あらかじめ設定した値と
の差もしくは比によりアンプゲインもしくはバイアス電
圧等を調整するこ・：、とくよりパルス波高値の変動補
正を完全自動化できるゲインスタビライザーを提供する
ことを目的としている。
ためになされたもので、測定対象とする放射線によるパ
ルス波高値よりも高い波高値を有するパルスを放射線検
出器を経由して発生させうる強度一定の基準パルス発生
源を備えた放射線検出器において、前記基準パルス発生
源に起因する検出器出力パルス波高分布上の基準ピーク
領域内に１点、適当な波高値を設定し、それ以上の波高
値をもつパルスのみを計測し、あらかじめ設定した値と
の差もしくは比によりアンプゲインもしくはバイアス電
圧等を調整するこ・：、とくよりパルス波高値の変動補
正を完全自動化できるゲインスタビライザーを提供する
ことを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。従来
例と同様コク／Ａｍドープ型ＮａＩ（Ｔｊ）シンチレー
ション検出器を例にとる。第Ｓ図においてはゲインスタ
ビライザ１０／の構成が第１図のものと相違しており、
符号／〜ダは第１図と同様である１、従ってメインアン
プダの出カッくルス波高分布は第一図に示したものと同
様である８ゲインスビライザ１０／において、ＩＯは波
高弁別器であり、入力パルスが第一図のＨ＋以上の波高
値を有する場合にのみ出力を生じるよう設計されている
。
例と同様コク／Ａｍドープ型ＮａＩ（Ｔｊ）シンチレー
ション検出器を例にとる。第Ｓ図においてはゲインスタ
ビライザ１０／の構成が第１図のものと相違しており、
符号／〜ダは第１図と同様である１、従ってメインアン
プダの出カッくルス波高分布は第一図に示したものと同
様である８ゲインスビライザ１０／において、ＩＯは波
高弁別器であり、入力パルスが第一図のＨ＋以上の波高
値を有する場合にのみ出力を生じるよう設計されている
。
まず、／／は波高弁別器１０の出力を受けてＨ亭以上の
波高値のパルスの計数率に比例する電圧を計数率ｎ３と
して出力する計数率計である。ｌコは引算器であり、基
準計数率設定器／３からの基 ゛準計数率信号ｎ
３０と前記１１Ｊとの差（Δｎ’−ｎＪ−ＨＪｏ）を出
力する。この出力はメインアンプゲイン調節用に使用さ
れる。基準計数率設定器１３のｎ３ｏは外部より設定で
きるように設計しである。
波高値のパルスの計数率に比例する電圧を計数率ｎ３と
して出力する計数率計である。ｌコは引算器であり、基
準計数率設定器／３からの基 ゛準計数率信号ｎ
３０と前記１１Ｊとの差（Δｎ’−ｎＪ−ＨＪｏ）を出
力する。この出力はメインアンプゲイン調節用に使用さ
れる。基準計数率設定器１３のｎ３ｏは外部より設定で
きるように設計しである。
次に動作について説明する。今、 ２’ｌ／ｋｍα線
１パルスＰより高い波高値のパルスは無視できる
程少ないように２１Ｉ／ｋｍα線パルス波高値を設定し
であるものとする（コダ／Ａｍａ線パルス波高値はＮａ
Ｉ（Ｔｊ ）中に光学的に結合をもって埋め込まれたコ
ＩＩ／ＡｍをドープしたＮａＩ（Ｔｊ ）結晶小片中の
Ｔ１の量をコントロールすることにより変えることがで
きる）。こうすると、波高弁別器１０により計測される
波高値Ｈ４１以上のパルスの計数率ｎ３の値は波高分布
に対するＨ亭の相対的位置関係だけでその値は一意的に
定まってしまう。このＨ３が基準とすべき値ｎ３ｏに等
しくなるようにパルス波高値をコントロールすれば波高
値の急激な変動時や、測定系の電源投入時など、従来の
ゲ、インスタビライザではコントロールできなかった場
合にも完全自動でゲインコントロールができるようにな
る。
１パルスＰより高い波高値のパルスは無視できる
程少ないように２１Ｉ／ｋｍα線パルス波高値を設定し
であるものとする（コダ／Ａｍａ線パルス波高値はＮａ
Ｉ（Ｔｊ ）中に光学的に結合をもって埋め込まれたコ
ＩＩ／ＡｍをドープしたＮａＩ（Ｔｊ ）結晶小片中の
Ｔ１の量をコントロールすることにより変えることがで
きる）。こうすると、波高弁別器１０により計測される
波高値Ｈ４１以上のパルスの計数率ｎ３の値は波高分布
に対するＨ亭の相対的位置関係だけでその値は一意的に
定まってしまう。このＨ３が基準とすべき値ｎ３ｏに等
しくなるようにパルス波高値をコントロールすれば波高
値の急激な変動時や、測定系の電源投入時など、従来の
ゲ、インスタビライザではコントロールできなかった場
合にも完全自動でゲインコントロールができるようにな
る。
波高値変動補正について第６図（ａ） ｅ （ｂ）およ
び（ｃ）により具体的に述べる、第６図（ａ）はこの発
明による装置の初期設定時のパルス波高分布と、波高弁
別器の弁別波高値Ｈ４１とを示すもので、ｎＪ＝＝＝Ｈ
Ｊｉ７になっている。第６図１ｂ３および（Ｃ）は七わ
すれ波高値が増加した時と低下した時の波高分布を波高
弁別器の弁別波高値Ｈｅとの関係で図示したものである
。
び（ｃ）により具体的に述べる、第６図（ａ）はこの発
明による装置の初期設定時のパルス波高分布と、波高弁
別器の弁別波高値Ｈ４１とを示すもので、ｎＪ＝＝＝Ｈ
Ｊｉ７になっている。第６図１ｂ３および（Ｃ）は七わ
すれ波高値が増加した時と低下した時の波高分布を波高
弁別器の弁別波高値Ｈｅとの関係で図示したものである
。
この第６図かられかるように波高値が増加すれば常にｎ
Ｊ）ＨｊＯ，逆に低下すれば常にｎＪ＜ｎＪＯの関係が
成立するためΔｎ’＝ ｎ Ｊ −ｎ３０の絶対値と符
号に従ってメインアンプダのゲインを自動的に調整すれ
ば、完全自動で波高値変動の補正ができる。この補正能
力は波高値の急激な大変動があってもそこなわれること
はないし、測定系電源投入時など波高値の設定が最初に
どうなっているかわからない場合でもあらかじめ設定さ
れた波高値に正しくパルス波高値を補正することができ
る。
Ｊ）ＨｊＯ，逆に低下すれば常にｎＪ＜ｎＪＯの関係が
成立するためΔｎ’＝ ｎ Ｊ −ｎ３０の絶対値と符
号に従ってメインアンプダのゲインを自動的に調整すれ
ば、完全自動で波高値変動の補正ができる。この補正能
力は波高値の急激な大変動があってもそこなわれること
はないし、測定系電源投入時など波高値の設定が最初に
どうなっているかわからない場合でもあらかじめ設定さ
れた波高値に正しくパルス波高値を補正することができ
る。
波高弁別５１０の弁別波高値Ｈｅの設定は基準とするピ
ーク領域のどこでもよいが波高値の変動が計数率計／ｌ
の出力ｎ３の変動率として最も大踵く現わねる場所に設
定するのが好ましい。
ーク領域のどこでもよいが波高値の変動が計数率計／ｌ
の出力ｎ３の変動率として最も大踵く現わねる場所に設
定するのが好ましい。
なお、上記実施例では引算器ｌコの信号でメインｊンプ
ダのゲインをコントロールする場合について説明したが
メインアンプダのゲインの代りに他ノゲイン変化要素、
例えばシンチレーション検出５においてはバイアス電源
−の電圧をコントロールしてもよい。また上記実施例で
は波高弁別器ＩＯを使用したが、実質的にこれと同等の
働きをするものであれば何でもよい。また、計数率計／
ｌの代りにカウンタを使用して一定時間計数毎に引算器
／コに読み込ませ、かつ基準計数率設定器／３からの基
準出力をその一定時間に相応するものとすることにより
実施例と同様な操作を行わせるようにしても良い。
ダのゲインをコントロールする場合について説明したが
メインアンプダのゲインの代りに他ノゲイン変化要素、
例えばシンチレーション検出５においてはバイアス電源
−の電圧をコントロールしてもよい。また上記実施例で
は波高弁別器ＩＯを使用したが、実質的にこれと同等の
働きをするものであれば何でもよい。また、計数率計／
ｌの代りにカウンタを使用して一定時間計数毎に引算器
／コに読み込ませ、かつ基準計数率設定器／３からの基
準出力をその一定時間に相応するものとすることにより
実施例と同様な操作を行わせるようにしても良い。
このような変更は、カウンタや、引算器内部。
または基準計数率設定器への設定値を変えるなどにより
簡単に対処することができる。さらに引算器／２をコン
ピュータもしくはマイクロプロセッサ等に代えて上記実
施例にて述べた演算、制御をすべてソフトウェアで代行
させてもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。− また、上記実施例ではコ４Ｉ／Ａｍドープ型Ｎａ１（Ｔ
ｊ）シンチレーション検出器を例にとり説明したが：１
１Ｉ／Ａｍα線による第１図に示すように波高分布上の
ピークと同様、それ以上の波高値をもちかつ強度の変化
するパルスが存在しないようなピークを波高分布上に形
成するような強度一定の基準波高値パルス発生源（適当
なエネルギーのα線を放出する核種で長半減期のもので
＋ｔ’ｔば良く、２ダｌＡｍ以外に例えばｊｊｆＰｕを
上げることがで鎗る。）を備えた検出系であればどのよ
うな検出系であってもよく上記実施例と同様の効果を奏
する。このような検出系として例えば、 ＮａＩ（Ｔｊ
）シンチレーション検出器ではなく、 ｃｓｒ（’ｒｇ
、アントラセン、プラスチックシンチレータ、ＢＧφ等
のシンチレーション検出器に上記したような強度一定の
基準波高値パルス発生源をドープしたものを上げること
ができ、またガス比例計数管内部壁面にコ４（／Ａｍ等
のα放出核種を塗布したものでも。
簡単に対処することができる。さらに引算器／２をコン
ピュータもしくはマイクロプロセッサ等に代えて上記実
施例にて述べた演算、制御をすべてソフトウェアで代行
させてもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。− また、上記実施例ではコ４Ｉ／Ａｍドープ型Ｎａ１（Ｔ
ｊ）シンチレーション検出器を例にとり説明したが：１
１Ｉ／Ａｍα線による第１図に示すように波高分布上の
ピークと同様、それ以上の波高値をもちかつ強度の変化
するパルスが存在しないようなピークを波高分布上に形
成するような強度一定の基準波高値パルス発生源（適当
なエネルギーのα線を放出する核種で長半減期のもので
＋ｔ’ｔば良く、２ダｌＡｍ以外に例えばｊｊｆＰｕを
上げることがで鎗る。）を備えた検出系であればどのよ
うな検出系であってもよく上記実施例と同様の効果を奏
する。このような検出系として例えば、 ＮａＩ（Ｔｊ
）シンチレーション検出器ではなく、 ｃｓｒ（’ｒｇ
、アントラセン、プラスチックシンチレータ、ＢＧφ等
のシンチレーション検出器に上記したような強度一定の
基準波高値パルス発生源をドープしたものを上げること
ができ、またガス比例計数管内部壁面にコ４（／Ａｍ等
のα放出核種を塗布したものでも。
コ４１ ／ Ａｍをドープしたシンチレーション検出器
の場合と同様なαスペクトルを得られる。
の場合と同様なαスペクトルを得られる。
以上のようにこの発明によれば測定対象とする １
放射線によるパルス波高値よりも高い波高値を有するパ
ルスを、測定に使用している放射線検出器を経由して発
生させうる強度一定の基準波高値パルス発生源を備えた
放射線検出器において基準波高値パルス発生源に起因す
る検出器出力パルス波高分布上の基準ピーク領域内に１
点適当な波高値を設定し波高弁別器を使ってそれ以上の
波高のパルスのみを計測し、あらかじめ設定した値との
差もしくは比によりアンプゲイン、もしくはバイアス電
圧等ゲイン変化要素を調整することによりパルス波高値
の変動を補正するようにしたので次に示すような効果か
えられる。
放射線によるパルス波高値よりも高い波高値を有するパ
ルスを、測定に使用している放射線検出器を経由して発
生させうる強度一定の基準波高値パルス発生源を備えた
放射線検出器において基準波高値パルス発生源に起因す
る検出器出力パルス波高分布上の基準ピーク領域内に１
点適当な波高値を設定し波高弁別器を使ってそれ以上の
波高のパルスのみを計測し、あらかじめ設定した値との
差もしくは比によりアンプゲイン、もしくはバイアス電
圧等ゲイン変化要素を調整することによりパルス波高値
の変動を補正するようにしたので次に示すような効果か
えられる。
（１） 装置が簡単になるので安価かつ信頼性が高く
なる。
なる。
（コ）急激かつ大きな波高値の変動が起こっても波高値
変動補正能力を喪失することがなく、正しく補正できる
。
変動補正能力を喪失することがなく、正しく補正できる
。
（３）測定系電源投入の際、波高値初期状態がどのよう
になっていようとも設定どおりの波高値に自動補正する
ことができる。
になっていようとも設定どおりの波高値に自動補正する
ことができる。
（４’１ 項目（コ）および（３）よりパルス波高値
の変動補正を完全自動化できる。
の変動補正を完全自動化できる。
第１図は従来のゲインスタビライザーを概略的に示すブ
ロック構成図、第２図は２ダ／Ａｍドープ型ＮａＩ（Ｔ
ｊ）シンチレーション検出器出力の波高分布例を示す波
形図、第３図（ａ）および（ｂ）は第１図に示す従来の
ゲインスタビライザーを使用した場合の動作原理を説明
するための波形図、第ｑ図（＆）および（ｂ）は第１図
に示す従来のゲイスタビライザの欠点を説明するための
波形図、第３図はこの発明の一実施例によるゲインスタ
ビライザを概略的に示すブロック構成図、第６図（ａ）
、 ｌｂ）および（ｅ）は。 第５図の動作を説明するための波形図である。図におい
て、ｌは：ｌＩｔ／ｋｍドープ型ＮａＩ（Ｔ４ ）シン
チレーショ／検出器、コはバイアス電源、Ｊはプリアン
プ、ダはメインアンプ、ＩＯは波高弁別器。 ｌ／は計数率計、ｌコは引算器、／３は基準計数率設定
器、１０／はゲインスタビライザである。 なお５図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 尾３図 （ＤＪ 処４図 手続補正書（自発） 等、ｖ許庁長宮殿 １、事件の表示 特願昭 １９−＃＃ＪＡ／考２
、発明の名称 ゲインスタビライず ３、補正をする者 代表者片由仁へ部 り代理人 口） 明細書の特許請求の範囲の欄 （２） 明細書の発明の詳細な説明の欄ム 補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 （２） 明細書第ダ頁／４１行の「第７の」の前に「
第１図に示された」を挿入し、同１６行の「調整され、
」の後に「第一の」を挿入する。 （３） 同第１／頁を行の「一定時間」を「一定時間
計数値」と補正する。 ＋４１ 同第１コ頁／Ｓ行の「α放出」を「α線放出
」と補正し、同１７行の「αスペクトル」を「α線スペ
クトル」と補正する。 ２、特許請求の範囲 （１） 測定対象とする放射線によるパルス波高値よ
りも高い基準ピーク波高分布のパルスを発生する基準波
４１＋１パルス発生源からのパルスを、測定に使用して
いる放射線検出器を経由して発生させ、これにより得た
前記検出器からの基準ピーク波高分布出力を監視するこ
とにより測定系のゲインを調整するよう和したゲインス
タビライザにおいて、前記基準波高値パルス発生源から
前記放射線検出器を経由した出力パルスの基準ピーク波
高分布ＩＪＩｂＲＦＰ３に、ある所定の波高値を設定し
、この所定の波高値以上の波高値のパルスのみン計数す
るための波高弁別機能を有する波高弁別装置と、この波
高弁別装置からの計数値と予じめ設定した基準計数値と
をもとに演算する演算装置とを備え、この演算装置の出
力により前記測定系のゲインを調整するようにしたこと
馨特徴とするゲインスタビライザ。 （２） 前記波高弁別装置＆１波高弁別器である特許
請求の範囲第１項記載のゲインスタビライザ。 （３）前記演算装置は、前記波高弁別装置からの計数値
と前記基準計数値との差を出力でる特許請求の範囲第１
項または第２項記載のゲインスタビライザ。 （４） 前記演算装置を了、前記波高弁別装置からの
計数値と前記基準計数値との比を出力する特許請求の範
囲第７項またを：第−項記載のゲインスタビライザ。
ロック構成図、第２図は２ダ／Ａｍドープ型ＮａＩ（Ｔ
ｊ）シンチレーション検出器出力の波高分布例を示す波
形図、第３図（ａ）および（ｂ）は第１図に示す従来の
ゲインスタビライザーを使用した場合の動作原理を説明
するための波形図、第ｑ図（＆）および（ｂ）は第１図
に示す従来のゲイスタビライザの欠点を説明するための
波形図、第３図はこの発明の一実施例によるゲインスタ
ビライザを概略的に示すブロック構成図、第６図（ａ）
、 ｌｂ）および（ｅ）は。 第５図の動作を説明するための波形図である。図におい
て、ｌは：ｌＩｔ／ｋｍドープ型ＮａＩ（Ｔ４ ）シン
チレーショ／検出器、コはバイアス電源、Ｊはプリアン
プ、ダはメインアンプ、ＩＯは波高弁別器。 ｌ／は計数率計、ｌコは引算器、／３は基準計数率設定
器、１０／はゲインスタビライザである。 なお５図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 尾３図 （ＤＪ 処４図 手続補正書（自発） 等、ｖ許庁長宮殿 １、事件の表示 特願昭 １９−＃＃ＪＡ／考２
、発明の名称 ゲインスタビライず ３、補正をする者 代表者片由仁へ部 り代理人 口） 明細書の特許請求の範囲の欄 （２） 明細書の発明の詳細な説明の欄ム 補正の内容 （１） 特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 （２） 明細書第ダ頁／４１行の「第７の」の前に「
第１図に示された」を挿入し、同１６行の「調整され、
」の後に「第一の」を挿入する。 （３） 同第１／頁を行の「一定時間」を「一定時間
計数値」と補正する。 ＋４１ 同第１コ頁／Ｓ行の「α放出」を「α線放出
」と補正し、同１７行の「αスペクトル」を「α線スペ
クトル」と補正する。 ２、特許請求の範囲 （１） 測定対象とする放射線によるパルス波高値よ
りも高い基準ピーク波高分布のパルスを発生する基準波
４１＋１パルス発生源からのパルスを、測定に使用して
いる放射線検出器を経由して発生させ、これにより得た
前記検出器からの基準ピーク波高分布出力を監視するこ
とにより測定系のゲインを調整するよう和したゲインス
タビライザにおいて、前記基準波高値パルス発生源から
前記放射線検出器を経由した出力パルスの基準ピーク波
高分布ＩＪＩｂＲＦＰ３に、ある所定の波高値を設定し
、この所定の波高値以上の波高値のパルスのみン計数す
るための波高弁別機能を有する波高弁別装置と、この波
高弁別装置からの計数値と予じめ設定した基準計数値と
をもとに演算する演算装置とを備え、この演算装置の出
力により前記測定系のゲインを調整するようにしたこと
馨特徴とするゲインスタビライザ。 （２） 前記波高弁別装置＆１波高弁別器である特許
請求の範囲第１項記載のゲインスタビライザ。 （３）前記演算装置は、前記波高弁別装置からの計数値
と前記基準計数値との差を出力でる特許請求の範囲第１
項または第２項記載のゲインスタビライザ。 （４） 前記演算装置を了、前記波高弁別装置からの
計数値と前記基準計数値との比を出力する特許請求の範
囲第７項またを：第−項記載のゲインスタビライザ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）測定対象とする放射線によるパルス波高値よりも
高い基準ピーク波高分布のパルスを発生する基準波高値
パルス発生源からのパルスを、測定に使用している放射
線検出器を経由させ、これにより得た前記検出器からの
基準ピーク波高分布出力を監視することにより測定系の
ゲインを調整するようにしたゲインスタビライザにおい
て。 前記基準波高値パルス発生源から前記放射線検出器を経
由した出力パルスの基準ピーク波高分布領域内に、ある
所定の波高値を設定し、この所定の波高値以上の波高値
のパルスのみを計数するための波高弁別機能を有する波
高弁別装置と、この波高弁別装置からの計数値と予じめ
設定した基準計数値とをもとに演算する演算装置とを備
え、この演算装置の出力により前記測定系のゲインを調
整するようにしたことを特徴とするゲインスタビライザ
。 （コ） 前記波高弁別装置は波高弁別器である特許請求
の範囲第１項記載のゲインスタビライザ。 （３）前記演算装置は、前記波高弁別装置からの計数値
と前記基準計数値との差を出力する特許請求の範囲第１
ＪＪＮ４たは第一項記載のゲインスタビライザ。 （ダ）前記演算装置は、前記波高弁別装置からの計数値
と前記基準計数値との比を出力する特許請求の範囲第１
項または第一項記載のゲインスタビライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8426182A JPS58200185A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | ゲインスタビライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8426182A JPS58200185A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | ゲインスタビライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200185A true JPS58200185A (ja) | 1983-11-21 |
Family
ID=13825508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8426182A Pending JPS58200185A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | ゲインスタビライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200185A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200625A (en) * | 1990-10-30 | 1993-04-06 | Shimadzu Corporation | X-ray spectrometer |
| CN105182399A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-23 | 江苏赛诺格兰医疗科技有限公司 | 一种正电子断层扫描探测器在线实时校正方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221392A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-17 | Teijin Ltd | Process for preparing prostaglandin derivatives |
| JPS5544219B2 (ja) * | 1976-03-03 | 1980-11-11 |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP8426182A patent/JPS58200185A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221392A (en) * | 1975-08-13 | 1977-02-17 | Teijin Ltd | Process for preparing prostaglandin derivatives |
| JPS5544219B2 (ja) * | 1976-03-03 | 1980-11-11 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200625A (en) * | 1990-10-30 | 1993-04-06 | Shimadzu Corporation | X-ray spectrometer |
| CN105182399A (zh) * | 2015-07-27 | 2015-12-23 | 江苏赛诺格兰医疗科技有限公司 | 一种正电子断层扫描探测器在线实时校正方法 |
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