JPS58200534A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS58200534A JPS58200534A JP57083009A JP8300982A JPS58200534A JP S58200534 A JPS58200534 A JP S58200534A JP 57083009 A JP57083009 A JP 57083009A JP 8300982 A JP8300982 A JP 8300982A JP S58200534 A JPS58200534 A JP S58200534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist film
- pattern
- dry etching
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン形成方法に関し、詳しくは、Ｘ線露光
法と紫外１露光法を併用することによシ、耐ドライエツ
チング性に優れたレジストの微細パターンを形成する方
法に関する。
法と紫外１露光法を併用することによシ、耐ドライエツ
チング性に優れたレジストの微細パターンを形成する方
法に関する。
Ｘ線リングラフィは光源として、波長が１０〜５０人の
軟ＸＩＶＩＩを用いるので、マスクによる回折、干渉強
”度が小さく、また、レジスト中での散乱の影響も小さ
いため、従来のリングラフィ手段に比べて、飛躍的に高
い解像力を実現できる。しかし、Ｘ線レジストは優れた
解像度を持ってはいるが、良好な耐ドライエツチング性
會備えたものが極めて少ないという欠点力°ある。例え
ば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）ハ、塗布膜
厚３μｍの条件でも、０．５μｍ以下までの微細パター
ンが形成可能であるが、ドライエツチングにおけるレジ
ストの膜減りや変質が著しく、この結果、こつレジスト
を用いてアルミニウムやシリコン酸化物をドライエツチ
ングによって加工を行なうことができない。
軟ＸＩＶＩＩを用いるので、マスクによる回折、干渉強
”度が小さく、また、レジスト中での散乱の影響も小さ
いため、従来のリングラフィ手段に比べて、飛躍的に高
い解像力を実現できる。しかし、Ｘ線レジストは優れた
解像度を持ってはいるが、良好な耐ドライエツチング性
會備えたものが極めて少ないという欠点力°ある。例え
ば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）ハ、塗布膜
厚３μｍの条件でも、０．５μｍ以下までの微細パター
ンが形成可能であるが、ドライエツチングにおけるレジ
ストの膜減りや変質が著しく、この結果、こつレジスト
を用いてアルミニウムやシリコン酸化物をドライエツチ
ングによって加工を行なうことができない。
したがって、Ｘ線露光用レジストとしては、高解像性を
有するとともに、ドライエツチング処理に対して変質や
変形を生じることなく、良好な耐性を持つことが要求さ
れる。
有するとともに、ドライエツチング処理に対して変質や
変形を生じることなく、良好な耐性を持つことが要求さ
れる。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、耐ドライエ
ツチング性に優れたレジストの微細パタ−ン形成法會提
供することにある。
ツチング性に優れたレジストの微細パタ−ン形成法會提
供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は耐ドライエツチング
性に優れた感光性ポジ型レジストの感光基がＸ線露光に
より分解し、紫外光に対し不感光性となることを見出し
、この新規な知見を利用したものである。すなわち、レ
ジスト膜にマスクを介して、Ｘ線によりパターン露光し
た後、全面全紫外光露光すると、Ｘ線未寓光部は通常の
感光作用により、現像液に可溶性となるが、Ｘ線露光部
Ｖｉ、紫外光に不感光性となっているので、そのまま、
現鐵液に不溶となシ、その結果、Ｘ線に対して、ネガ型
のパターン形成が可能となる。
性に優れた感光性ポジ型レジストの感光基がＸ線露光に
より分解し、紫外光に対し不感光性となることを見出し
、この新規な知見を利用したものである。すなわち、レ
ジスト膜にマスクを介して、Ｘ線によりパターン露光し
た後、全面全紫外光露光すると、Ｘ線未寓光部は通常の
感光作用により、現像液に可溶性となるが、Ｘ線露光部
Ｖｉ、紫外光に不感光性となっているので、そのまま、
現鐵液に不溶となシ、その結果、Ｘ線に対して、ネガ型
のパターン形成が可能となる。
以下、実施例を用いて、本発明の詳細な説明する。
まず、第１図■に示したように加工対象とする基板２の
表面Ｆに感光性ポジ型しジス）ＡＺ１３５０Ｊ（商品名
、米国シップレイ社製）全厚、ｈ′ □ さｌμｎ１に塗布し、レジスト膜１を形成する。
表面Ｆに感光性ポジ型しジス）ＡＺ１３５０Ｊ（商品名
、米国シップレイ社製）全厚、ｈ′ □ さｌμｎ１に塗布し、レジスト膜１を形成する。
上記レジスト膜１ｆｒ８０ｔｌ’、２０分間熱処理ずゐ
。（この熱処理？本明細書ではプリベークという） 次に、第１図■に示したように上記レジスト膜ｌにマス
ク３を介して、ＸＩｆ５１露光を行なう。この場合、Ｘ
線源にシンクロトロン軌道放射光を柑いると、最適照射
量はＺ３Ｊ／ｃｒｎ” （シンクロ）。
。（この熱処理？本明細書ではプリベークという） 次に、第１図■に示したように上記レジスト膜ｌにマス
ク３を介して、ＸＩｆ５１露光を行なう。この場合、Ｘ
線源にシンクロトロン軌道放射光を柑いると、最適照射
量はＺ３Ｊ／ｃｒｎ” （シンクロ）。
ン加速エネルギーＩ ＧｅＶ ）である。）ｌマスクは
ポリイミド基板（膜厚４μｍ）上に金パターン（金の膜
厚０．５μｍ）を形成したものを用いた。
ポリイミド基板（膜厚４μｍ）上に金パターン（金の膜
厚０．５μｍ）を形成したものを用いた。
次に、第１図（０の様に、レジスト膜ｌの全面を紫外光
で一括露光する。光源には、超高圧水親ランプ等を用い
、Ａ光量は１００〜２００ Ｊ／ｃｍ２とした。
で一括露光する。光源には、超高圧水親ランプ等を用い
、Ａ光量は１００〜２００ Ｊ／ｃｍ２とした。
次に、上記レジスト膜１を１００°〜１３０Ｃ１２０分
間熱処理する。（本明細書ではこの熱処理を露光後ベー
クという） 次に、上記レジスト膜ｌを現像する。現像液には有機性
アンモニウム水溶液１．あるいは、アルカリ水溶液？使
用できる。現像液温度は２０°〜２５Ｃで１〜２分間浸
漬させ、この後、流水洗浄する。レジスト膜１のうち、
先のＸ線露光を受けていない領域は、引き続く紫外光露
光によりアルカリ町培となり、上記現像によって除去さ
れる。
間熱処理する。（本明細書ではこの熱処理を露光後ベー
クという） 次に、上記レジスト膜ｌを現像する。現像液には有機性
アンモニウム水溶液１．あるいは、アルカリ水溶液？使
用できる。現像液温度は２０°〜２５Ｃで１〜２分間浸
漬させ、この後、流水洗浄する。レジスト膜１のうち、
先のＸ線露光を受けていない領域は、引き続く紫外光露
光によりアルカリ町培となり、上記現像によって除去さ
れる。
一方、Ｘ線露光された領域は、レジスト中の感光基がＸ
線露光によって分解され、もはや紫外光に対する感光性
は失われる。したがって、第１図（ト）に示したように
Ｘ１１ｉｉｌ露光部分は現像液に不溶となって現像後Ｖ
Ｃ残り、ネガ型パターンが形成される。
線露光によって分解され、もはや紫外光に対する感光性
は失われる。したがって、第１図（ト）に示したように
Ｘ１１ｉｉｌ露光部分は現像液に不溶となって現像後Ｖ
Ｃ残り、ネガ型パターンが形成される。
上記方法により、通常のレジスト処理工程に紫外光全面
露光を取り入れるだけという、非常に簡単な工程で、耐
ドライエツチング性に優れたＡＺ１３５０Ｊの微細ハタ
ーン倉形成することができる。
露光を取り入れるだけという、非常に簡単な工程で、耐
ドライエツチング性に優れたＡＺ１３５０Ｊの微細ハタ
ーン倉形成することができる。
上記実施例においては、レジストとしてＡＺ１３５０Ｊ
ｋ用いたが、本発明の適用はこのレジストに限雉される
ものではなく、ＡＺ１３５０Ｊ以外＋７ＪＡＺ ２４０
０ （シｙプＬ／（社製）や０ＦＰＩ’Ｌシリ−スレシ
スト（東京応化工業製）等のポジ型感光性レジストを用
いても′、これら感光性ポジ型ホトレジストはＸ線レジ
ストより耐ドライエツチ性が大きいので同様の結果を得
ることができる。
ｋ用いたが、本発明の適用はこのレジストに限雉される
ものではなく、ＡＺ１３５０Ｊ以外＋７ＪＡＺ ２４０
０ （シｙプＬ／（社製）や０ＦＰＩ’Ｌシリ−スレシ
スト（東京応化工業製）等のポジ型感光性レジストを用
いても′、これら感光性ポジ型ホトレジストはＸ線レジ
ストより耐ドライエツチ性が大きいので同様の結果を得
ることができる。
上記説明から明らかなように、本発明によれば、耐ドラ
イエツチング性の良いポジ型感光性レジストを、Ｘ線露
光により微細加工できるので、現状のドライエツチング
技術をそのまま使用することができ、Ｘ＠リソグラフィ
を従来の半導体製造プロセスに実用化できる。
イエツチング性の良いポジ型感光性レジストを、Ｘ線露
光により微細加工できるので、現状のドライエツチング
技術をそのまま使用することができ、Ｘ＠リソグラフィ
を従来の半導体製造プロセスに実用化できる。
第１−は本発明の一実施例を示す工程である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記工程會含むパターン形成法、 （ａ） 被加工物体表面上にレジストを塗布してレジ
スト膜を形成する工程、 （ｂ） 上記レジスト膜に所望の形状を有するマスク
？介し、Ｘ線會無光し、被露光部のレンスト膜の分子構
造を変化させる工程、 （Ｃ） 上記レジスト膜の全面に紫外光を妬光する工
程、 （ｄ） 上記レジスト膜を熱処理する工程、（ｅ）
上記レジスト膜を現１象処理して、Ｘ線未露光部を除
去する工程、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083009A JPS58200534A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083009A JPS58200534A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200534A true JPS58200534A (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=13790244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57083009A Pending JPS58200534A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200534A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185022A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| US5698377A (en) * | 1995-06-13 | 1997-12-16 | Nippon Precision Circuits Inc. | Method of forming a resist pattern |
-
1982
- 1982-05-19 JP JP57083009A patent/JPS58200534A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185022A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| US5104772A (en) * | 1987-01-27 | 1992-04-14 | Fujitsu Limited | Method of forming fine resist pattern in electron beam or x-ray lithography |
| US5698377A (en) * | 1995-06-13 | 1997-12-16 | Nippon Precision Circuits Inc. | Method of forming a resist pattern |
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