JPH0531292B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0531292B2 JPH0531292B2 JP59192874A JP19287484A JPH0531292B2 JP H0531292 B2 JPH0531292 B2 JP H0531292B2 JP 59192874 A JP59192874 A JP 59192874A JP 19287484 A JP19287484 A JP 19287484A JP H0531292 B2 JPH0531292 B2 JP H0531292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- contrast
- negative
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は微細なパターンを形成する方法に関す
るものである。
るものである。
従来例の構成とその問題点
半導体のリソグラフイ工程では、ホトレジスト
と呼ばれる有機高分子薄膜が用いられ、このホト
レジストに光または荷電ビームを照射し、照射部
と未照射部の現像液に対する溶解速度の差を利用
してパターンを形成する。このとき、照射部の高
分子薄膜が架橋し、現存するレジストをネガ形レ
ジスト、照射部の高分子薄膜が分解し、除去され
るレジストをポジ形レジストと呼ぶ。
と呼ばれる有機高分子薄膜が用いられ、このホト
レジストに光または荷電ビームを照射し、照射部
と未照射部の現像液に対する溶解速度の差を利用
してパターンを形成する。このとき、照射部の高
分子薄膜が架橋し、現存するレジストをネガ形レ
ジスト、照射部の高分子薄膜が分解し、除去され
るレジストをポジ形レジストと呼ぶ。
一般にネガ形レジストはポジ形レジストに比べ
てコントラストが低く（γ〜１程度）、現像時に
膨潤が起るため超微細加工に用いることが困難で
ある。これに対してノボラツク樹脂系ポジ形ホト
レジストを用い電子ビーム露光により反転ネガ形
パターンを形成する方法が提案されている。すな
わち、基板上に電子ビーム露光を施したノボラツ
ク樹脂系ポジ系ホトレジストに波長300〜400nｍ
の紫外光を照射した後、アルカリ系現像液で現像
することによつて反転ネガ系パターンを形成する
ものである。この方法によつてコントラストが高
く、膨潤のない反転ネガ形パターンを形成するこ
とができる。しかし、この方法では紫外線照射装
置が必要で系全体が大型化する欠点がある。
てコントラストが低く（γ〜１程度）、現像時に
膨潤が起るため超微細加工に用いることが困難で
ある。これに対してノボラツク樹脂系ポジ形ホト
レジストを用い電子ビーム露光により反転ネガ形
パターンを形成する方法が提案されている。すな
わち、基板上に電子ビーム露光を施したノボラツ
ク樹脂系ポジ系ホトレジストに波長300〜400nｍ
の紫外光を照射した後、アルカリ系現像液で現像
することによつて反転ネガ系パターンを形成する
ものである。この方法によつてコントラストが高
く、膨潤のない反転ネガ形パターンを形成するこ
とができる。しかし、この方法では紫外線照射装
置が必要で系全体が大型化する欠点がある。
このような理由から、特別の装置を用いず、反
転ネガ形レジストパターンを形成できるパターン
形成方法が望まれていた。
転ネガ形レジストパターンを形成できるパターン
形成方法が望まれていた。
発明の目的
本発明はこの問題を解決するものであり、本発
明の目的は特別の装置を使うことなく、コントラ
ストが高く、膨潤のない反転ネガ形パターンを形
成することである。
明の目的は特別の装置を使うことなく、コントラ
ストが高く、膨潤のない反転ネガ形パターンを形
成することである。
発明の構成
すなわち、本発明は基板上にノボラツク樹脂系
ポジ形レジストを塗布し、プリベーク後、所定部
分に荷電ビームを照射し、80℃以上150℃以下で
熱処理した後、有機溶剤を現像するパターン形成
方法であり、これにより、微細なレジストパター
ンの形成が効率よく可能である。
ポジ形レジストを塗布し、プリベーク後、所定部
分に荷電ビームを照射し、80℃以上150℃以下で
熱処理した後、有機溶剤を現像するパターン形成
方法であり、これにより、微細なレジストパター
ンの形成が効率よく可能である。
実施例の説明
以下に第１図ａ〜ｃの工程順断面図に基いて本
発明の実施例について説明する。第１図ａのよう
に、シリコンウエハ１上に東京応化（社）製の商
品名OFPR−800としてよく知られたポジ形ホト
レジスト２を1μｍの厚さに塗布し、85℃、20分
プリベークを行う。
発明の実施例について説明する。第１図ａのよう
に、シリコンウエハ１上に東京応化（社）製の商
品名OFPR−800としてよく知られたポジ形ホト
レジスト２を1μｍの厚さに塗布し、85℃、20分
プリベークを行う。
次に、第１図ｂのように、電子ビーム３を用い
て露光量３８μc／cm2でパターンを露光する。こ
の後、120℃、20分間ベークを行つた後、酢酸イ
ソアミルの有機溶剤で約20秒現像を行うと、第１
図ｃのように、露光部４が残り反転ネガ形パター
ン５が形成される。
て露光量３８μc／cm2でパターンを露光する。こ
の後、120℃、20分間ベークを行つた後、酢酸イ
ソアミルの有機溶剤で約20秒現像を行うと、第１
図ｃのように、露光部４が残り反転ネガ形パター
ン５が形成される。
第２図に露光量38μc／cm2時の中間ベーク温度
に対するコントラストの関係を示す。これより低
温では反転パターンは形成できず、温度が高くな
るにしたがつて、コントラストが高くなるが、
150℃以上では熱硬化が起り、パターンが形成さ
れない。
に対するコントラストの関係を示す。これより低
温では反転パターンは形成できず、温度が高くな
るにしたがつて、コントラストが高くなるが、
150℃以上では熱硬化が起り、パターンが形成さ
れない。
また、100℃以上の中間ベークを施すことによ
つて、一般のネガ形レジストのコントラスト（γ
〜１）より高い値であることがわかる。
つて、一般のネガ形レジストのコントラスト（γ
〜１）より高い値であることがわかる。
第３図に露光量38μc／cm2の時の2μｍラインパ
ターンについて、現像時間に対するライン幅変化
の関係を示す。このグラフより一般のネガ形レジ
ストと異なり、ライン幅を現像時間で制御するこ
とができる。このことから、精度のよいパターン
を形成することができる。
ターンについて、現像時間に対するライン幅変化
の関係を示す。このグラフより一般のネガ形レジ
ストと異なり、ライン幅を現像時間で制御するこ
とができる。このことから、精度のよいパターン
を形成することができる。
なお、ここではOFPR−800レジストについて
のべたが、他のノボラツク樹脂系レジストで、例
えば、シツプレー社製の商品名AZ−1350J、ある
いは、東京応化（社）製の商品名OFPR−1000に
ついても反転パターンが得られる。
のべたが、他のノボラツク樹脂系レジストで、例
えば、シツプレー社製の商品名AZ−1350J、ある
いは、東京応化（社）製の商品名OFPR−1000に
ついても反転パターンが得られる。
また、ここでは電子ビームを用いてパターン露
光を行つているが、Ｘ線、イオンビームを用いた
場合にも、反転パターンが得られる。
光を行つているが、Ｘ線、イオンビームを用いた
場合にも、反転パターンが得られる。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明に基板上にノボ
ラツク樹脂系ポジ形ホトレジストを塗布し、プリ
ベーク後、所定部分に荷電ビームを照射し、80℃
以上150℃以下で熱処理した後、有機溶剤で現像
するパターン形成方法であつて、本発明を用いる
ことにより、特別の装置を用いず、コントラスト
が高く、膨潤がなく、パターン精度の良いネガ形
パターンを形成することができる。
ラツク樹脂系ポジ形ホトレジストを塗布し、プリ
ベーク後、所定部分に荷電ビームを照射し、80℃
以上150℃以下で熱処理した後、有機溶剤で現像
するパターン形成方法であつて、本発明を用いる
ことにより、特別の装置を用いず、コントラスト
が高く、膨潤がなく、パターン精度の良いネガ形
パターンを形成することができる。
第１図ａ〜ｃは本発明の実施例を説明するため
の工程順断面図である。第２図は、本発明実施例
の露光量38μc／cm2時の中間ベーク温度に対する
コントラストの関係を示す特性図、第３図は本発
明実施例の露光量38μc／cm2の時の2μｍラインパ
ターンにおける現像時間に対するライン幅変化の
関係を示す特性図である。 １……シリコンウエハ、２……ノボラツク樹脂
系ポジ形レジスト、３……電子ビーム、４……露
光部、５……レジストパターン。
の工程順断面図である。第２図は、本発明実施例
の露光量38μc／cm2時の中間ベーク温度に対する
コントラストの関係を示す特性図、第３図は本発
明実施例の露光量38μc／cm2の時の2μｍラインパ
ターンにおける現像時間に対するライン幅変化の
関係を示す特性図である。 １……シリコンウエハ、２……ノボラツク樹脂
系ポジ形レジスト、３……電子ビーム、４……露
光部、５……レジストパターン。
Claims (1)
- １ 基板上にノボラツク樹脂系ポジ形レジストを
塗布し、プリベーク後、所定部分に荷電ビームを
照射し、80℃以上150℃以下で熱処理した後、有
機溶剤で現像するパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192874A JPS6170718A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192874A JPS6170718A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170718A JPS6170718A (ja) | 1986-04-11 |
| JPH0531292B2 true JPH0531292B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=16298407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59192874A Granted JPS6170718A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170718A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278987B1 (ko) * | 1998-02-18 | 2001-02-01 | 김영환 | 반도체장치의제조방법 |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP59192874A patent/JPS6170718A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6170718A (ja) | 1986-04-11 |
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