JPS58200540A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents

半導体ウエハの洗浄方法

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Publication number
JPS58200540A
JPS58200540A JP57083004A JP8300482A JPS58200540A JP S58200540 A JPS58200540 A JP S58200540A JP 57083004 A JP57083004 A JP 57083004A JP 8300482 A JP8300482 A JP 8300482A JP S58200540 A JPS58200540 A JP S58200540A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
wafer
water
isopropyl alcohol
washing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57083004A
Other languages
English (en)
Inventor
Michio Suzuki
道夫 鈴木
Naotaka Hashimoto
直孝 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57083004A priority Critical patent/JPS58200540A/ja
Publication of JPS58200540A publication Critical patent/JPS58200540A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H10P90/126—Preparing bulk and homogeneous wafers by chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は３ｉウエハの洗浄に関するものであり、特に水
洗後の然気乾燥で清浄な結果を得ることのできるＳＩウ
ェハの洗浄方法に関する。
従来の蒸気乾燥法は乾燥処理液として一般にフロン系の
溶剤を使用するものが多い。これらフロン系溶剤への水
の溶解＆は０．０１　ｆａ　（２５′ｃ）程度と非常に
小さいため、水洗後のＳｔウェハをフロン系溶剤の蒸気
に曝してもウェハ上の水は除去し難い。
氷の溶解度の尚い浴剤としてアルコール系の溶媒がある
が、アルコール蒸気の使用は安全面で難点がある。
他の方法として水洗後乾燥処理液に浸漬してから蒸気−
乾燥を行なう方法も提案されている。しかしウェハを浸
漬した液中に異物が多数存在していると、液からＳｉウ
ェハを取出した時にウェハに異物が付着してしまう。こ
の対策として０．２〜０．４μｍのポアサイズを有する
フィルタを通した浸漬液を使用しても十分清浄な洗浄面
が得られない。
特に超ＬＳＩと呼ばれるパターン加工線幅が１μｍ前後
の半導体装置では素子の特性不良に関係する異物の大き
さは小さなもので０．１μｍ程度である。この大きさを
対象とした濾過は一般のデプスフィルタやメンブレンフ
ィルタＫｌ’つても満足な結果は得られないことが判か
った。
本発明の目的は上記従来の問題を解決し、水洗後のＳｉ
ウェハを清浄な状態で乾燥させる方法を提供することに
ある。
１記目的を達成するため、本発明は蒸気乾燥処理液とし
て使い易く、安全であるフロン系溶剤を使い、水洗水が
ウェハ上に残らず、短時間に清浄な乾燥ができるように
水洗後、水の溶解度の高い液から成る浸漬液にウェハを
浸して蒸気乾燥を行なうとともに、浸漬液を常時限外濾
過するものである。
以下本発明の一実施例を第１図により説明する。
Ｓｉ９面ウェハ１を弗酸：水＝１＝９の組成エッチ液２
で３０秒間エツチングし友後、直ちに脱イオン純水に（
ｉｌｉｔ喚し、１０ｅ／分で５分間流水水洗する。こ＼
で険相する脱イオン純水は当然限外濾過したもので０．
０５μｍ以との異物が１００１１ａ／ｍｌ以下のレベル
である。次に第２図に示すように、水洗後直ちにイソプ
ロピルアルコール４ｔ−人′れ几浸漬槽５に上記ウェハ
ｌを３０秒浸漬したのち蒸気乾燥装置６へ移す。イソプ
ロピルアルコールＵ０．４μｍ孔径のカートリッジフィ
ルタ７を通して一時溜め８に流入しポンプ９で３ｋｏ／
ｃｍ”に加圧し、ポリイミド膜を利用した限外濾過＠１
０ＩＩ。
を通過し浸漬槽５に戻丞。一方イソブロビルアルコール
中の異物や高分子量物質は限外濾過＠１０に阻止され、
これらは／１ｋｌｌｉＩ液排出口１１を通して外部へ捨
てられる。蒸気乾燥装置６の下部にはダイフロンツルベ
ンか（商品名、Ｃ２Ｃ１ａＦｓ）　１２を乾燥処理液と
して貯え、沸点（４７，６℃）迄加熱し、ウェハ１を上
記処理液１２の蒸気に５分間曝す。
本実施例により乾燥処理したウェハ上の０．１μｍ以上
の付着異物数はレーザ光散乱方式倹食機で測定したとこ
ろＯ〜１１固／３インチウェハであった。
また、一度限外濾過したイソプロピルアルコールを循環
濾過することなく何回もその液中にウェハを浸漬すると
次第に液が汚れて限外沖過の効果がなくなる。例えば３
インチウェハ上に付着する異物Ｖｉ１回目θ〜１個、２
回目３１１ＡＩ、３回目９１固となった。
一方通常の０．２μｍメンブレンフィルタで濾過したイ
ソプロピルアルコールに浸漬した場合の付着異物数は約
３０′Ｉｌｉ！ｉＩ／３インチウェハであり、限外濾過
の効果が大きいことは明白である。
本発明によれば、宜エバの洗浄工程、特に乾燥時に０．
１μｍ程度の微小異物を付着させることのない超清浄洗
浄プロセスを再現性良く実現でき、その結果絶縁嘆の磁
気特性不良が減少し製品歩留は向丘する。
水の溶解度は低いが安全性の高いダイフロンの如き溶剤
を使用した蒸気乾燥が可能になり置産も可能である。
ウェハが大口径化されても清浄度は低下することがない
。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の一実施例を説明するため
の模式図である。 １・・・ＳＩウェハ、２・・・エッチ液、３・・・脱イ
オン純水、４・・・イソプロピルアルコール、５・・・
浸漬槽、６・・・蒸気乾燥装置、７・・・カートリッジ
フィルタ、８・・・一時溜め、９・・・ポンプ、１０・
・・限外濾過膜、１１・・・接縮液排出口、１２・・・
ダイ７０ンブルペントＯ 代理人　弁理士　薄田利幸 第　ｊ　　図 ｆＪ、　Ｚ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、水洗された半導体ウェハを有機溶媒に浸漬した後蒸
    気乾燥を行なう方法において、少なくとも上記昼機有媒
    は限外濾過されたものであることを特徴とする半導体ウ
    ェハの洗浄方法。
JP57083004A 1982-05-19 1982-05-19 半導体ウエハの洗浄方法 Pending JPS58200540A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239628A (ja) * 1985-04-17 1986-10-24 Tokuyama Soda Co Ltd 半導体基材の洗浄方法
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