JPS58200546A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58200546A
JPS58200546A JP57083091A JP8309182A JPS58200546A JP S58200546 A JPS58200546 A JP S58200546A JP 57083091 A JP57083091 A JP 57083091A JP 8309182 A JP8309182 A JP 8309182A JP S58200546 A JPS58200546 A JP S58200546A
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JP
Japan
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solder
pellet
copper
wire
melting point
Prior art date
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Pending
Application number
JP57083091A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Miyamoto
宮本　圭二
Toru Kawanobe
川野辺　徹
Tatsuo Itagaki
板垣　達夫
Shinobu Tokuhara
徳原　忍
Seiichi Ichihara
誠一 市原
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58200546A publication Critical patent/JPS58200546A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は安価で確実なペレット付けを行うことのできる
半導体装置に関するものである。
従来、半導体製品の製造過程において半導体ベレットを
リードフレームのタブ等のベレット取付面上に散り付け
る場合、ベレットのシリコン（Ｓｉ）とベレット取付面
上の金（Ａｕ）との共晶を利用してペレット付けを行っ
てぃる＠ ところが、金の価格の高騰によりペレット付けのコスｔ
が極めて高くなって米ており、この傾向は全資源の枯渇
により将来ますます深刻化して行くものと考えられる。
そこで、金のようκ高価な材料を用いることなくペレッ
ト付けを行なうために様々な提案がなされており、その
１つとして半田を用いる方式がある。半田は金忙比べて
はるかに安価な材料であり、ペレット付は性能から見て
も非常に有望なものである。
しかしなから、半田材料を用いることにも間鵬点がない
わけではない。すなわち、半田は鉛（Ｐｂ）とすず（Ｓ
ｎ）との合金で、その融点が非常に低く、たとえばＰｂ
５０％，Ｓｎ５０％の半田合金の融点は２１３℃である
。
そのため、半田を用いてペレット付けをした場合、その
後のワイヤボンディング時やノくツケージの刺止時にた
とえば３５０℃以上の高温で加勢さＶる際に半田が溶融
し、ペレッ｝Ｋ対して圧着力が加えられるとベレットの
位置がずれてしまう等（７’）問題があった。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、安価
な半田材料を使用して確実なペレット付けを行ない、ワ
イヤボンディング時等にペレット付は位置のずれを生じ
ることのない半導体装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明は半田中に銅を混入し
、半田の融点を上げることを％像とするものである。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたがって詳細に
説明する。
第１図は本発明により銅を少量混入させた半田材料でペ
レット付けを行なった半導体装置のペレット取付部の部
分断面図である。
本実施例において、リードフレーム１のタブ２の上には
、シリコンよりなる半導体ペレット４が半田３を用いて
ペレット付けされている。そして、半導体ペレット４の
ポンディングパッド（電極部）はアルミニウム（Ａりの
ワイヤ５により前記リードフレーム１のインナーリード
部６と電気的に接続されている。その後、ペレット取付
部はたとえばセラミック材料等よりなる）くツケージ０
）中に気密刺止される。
本実施例では、ペレット付けのために用（・もれている
半田３は鉛とすすに少量の銅を混入し、その融点をたと
えば３５０℃以上、６６０℃以下ｆ）範囲まで上げるよ
うにしたものである。
すなわち、この場合の鋼の含有率は第２図ｆ）状塾図に
おい℃半田の融点が３５０℃以上、６６０″Ｃ以下にな
る範囲で選ばれている。この場合σン３５０℃の下限値
はリードフレーム１の加熱温度を基準とし、また６６０
℃の上限偽はワイヤボンディング用のワイヤとしてアル
ミニウムワイヤを用（・た場合の熱圧着時のアルミニウ
ムの融点を基準とした、ものである。
したがって、この場合には、銅の含有率は約１〜４原子
％　（ＡｔｏｍｉＣ−）　テアル。
また、アルミニウムワイヤを用いない場合等の条件を考
慮に入れると、銅の含有率＆１好ましく（家ｌ〜２原子
嘩である０ その結果、本実施例においては、ペレット付は後Ｋ　ハ
ラケージの気密刺止やワイヤボンディングのために３５
０℃以上の高温で加熱された場合でも、半田３が溶融し
て半導体ペレット４の位置がずれるようなことは防止さ
れる。
以上説明したように、本発明によれば、半田中に銅を所
定量混入することにより、半田の融点を上げ、ワイヤボ
ンディング時等のペレット付は位置のずれを防止し、安
価で確実なペレット付けを行なうことができろう
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明により鋼を混入した半田でペレット付け
を行った半導体装置のペレット取付部の部分断面図、 第２図は銅の含有率と融点の関係郷な示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・タブ、３・・・半田
、４・・・半導体ペレット、５・・・ワイヤ、６・・・
インナーリード部７ 代理人　弁理士　　薄　１）利　幸 第１図 第　　２　　図 鉛（オｆ・＊〕

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ベレットを半田によりベレット取付面上に取
    り付けてなる半導体装置において、半田の中に銅を混入
    させたことを特徴とする半導体装置。 ２、半田中の銅の含ｗｅが１〜４Ｊｒ（子チであること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３　半田中の銅の含有率が１〜２原子チであることを特
    徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装置。
JP57083091A 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置 Pending JPS58200546A (ja)

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JPS58200546A true JPS58200546A (ja) 1983-11-22

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JP57083091A Pending JPS58200546A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4622205A (en) * 1985-04-12 1986-11-11 Ibm Corporation Electromigration lifetime increase of lead base alloys
JP2008235898A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Infineon Technologies Ag パワー半導体モジュール、パワー半導体モジュールの製造方法、および、半導体チップ

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JPS5653996Y2 (ja) * 1977-08-17 1981-12-16

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