JPS58200574A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS58200574A JPS58200574A JP57084228A JP8422882A JPS58200574A JP S58200574 A JPS58200574 A JP S58200574A JP 57084228 A JP57084228 A JP 57084228A JP 8422882 A JP8422882 A JP 8422882A JP S58200574 A JPS58200574 A JP S58200574A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- state imaging
- transfer
- imaging device
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は信号電荷蓄積用ダイオードを有する固体撮像装
置に関し、特に走査ライン側から蓄積タ゛イオード側に
信号電荷がもし込むのを除去する機能を有する固体撮像
装置を提供するものである。
置に関し、特に走査ライン側から蓄積タ゛イオード側に
信号電荷がもし込むのを除去する機能を有する固体撮像
装置を提供するものである。
近年、２次元面体撮像装置においては、テレビジョン受
像機用カメラの小型化、軽量化の要請に伴ない、光学系
の縮少化が進んでいる。このため、撮像素子もセルサイ
ズの縮少化が進んでいる。
像機用カメラの小型化、軽量化の要請に伴ない、光学系
の縮少化が進んでいる。このため、撮像素子もセルサイ
ズの縮少化が進んでいる。
走査回路として電荷転送素子を用いた２次元面体撮像素
子、例えばＩＬ−ＣＯＤ（インターライン方式ｃ ｃ
Ｄ ） Ｔｉｃおいては、セルサイズが小型化するこき
により、転送段や、蓄積ダイオードから転送段へ信号電
荷を読み込むＭＯＳ）ランジスタのリードゲート部で、
サイズ効果（狭チャンネル効果、・短チャンネル効果）
による電位の変調が発生する。
子、例えばＩＬ−ＣＯＤ（インターライン方式ｃ ｃ
Ｄ ） Ｔｉｃおいては、セルサイズが小型化するこき
により、転送段や、蓄積ダイオードから転送段へ信号電
荷を読み込むＭＯＳ）ランジスタのリードゲート部で、
サイズ効果（狭チャンネル効果、・短チャンネル効果）
による電位の変調が発生する。
又、ＩＬ−ＣＧＩＩ！においては、リードゲート部。
転送段の転送効率を向上させるため、リードゲート部を
転送段とも、各々、ディプレッション形。
転送段とも、各々、ディプレッション形。
埋め込み形で形成しなけ扛ばならない。
その時、リードゲート部と転送段の遷移領域のＶｐ（ウ
ェルのピンチオフ電位）を、同一のウェル濃度により等
しく形成した場合においては、リードゲート部と転送段
のチャンネル幅やチャンネル長の違いによるサイズ効果
の差と、でき上りセルサイズのウェハー上のバラツキと
により、転送ライン中の信号電荷が転送途上で、蓄積ダ
イオード側へこぼｎ落ちる現象が発生し、画像劣化につ
ながる。
ェルのピンチオフ電位）を、同一のウェル濃度により等
しく形成した場合においては、リードゲート部と転送段
のチャンネル幅やチャンネル長の違いによるサイズ効果
の差と、でき上りセルサイズのウェハー上のバラツキと
により、転送ライン中の信号電荷が転送途上で、蓄積ダ
イオード側へこぼｎ落ちる現象が発生し、画像劣化につ
ながる。
不発明はかかる従来の問題点に鑑み、走査回路として電
荷転送素子を用いた２次元固体撮像装置１：□ の、転送ライン中の信号軍曹ｙ＝、転送途上で蓄積ダイ
オード側へ流ｎ込むのを除去できる固体撮像装置を提供
するものである。
荷転送素子を用いた２次元固体撮像装置１：□ の、転送ライン中の信号軍曹ｙ＝、転送途上で蓄積ダイ
オード側へ流ｎ込むのを除去できる固体撮像装置を提供
するものである。
不発明の固体撮像装置の概略的な構成は以下の様である
。
。
ＩＬ−ＣＯＤ（インターライン方式ＣＯＤ ）において
、リードゲート部と、転送段の遷移領域のＷａｌｌ（ウ
ェル）のピンチオフ電位ｖＰを独立に異なる値に形成す
るものである。
、リードゲート部と、転送段の遷移領域のＷａｌｌ（ウ
ェル）のピンチオフ電位ｖＰを独立に異なる値に形成す
るものである。
本発明の固体撮像装置の一実施例を第１図、第２図に示
し、同装置の動作を第３図、第４図を用いて説明する。
し、同装置の動作を第３図、第４図を用いて説明する。
第１図は、垂直の転送回路として２層ポリシリコン電極
のＣＯＤを用い、かつ蓄積ダイオードから転送ラインへ
の信号電荷の読み出しを、ＣＯＤの転送電極とは独立に
別途設けたゲート電極（以下こｎを、別ゲート電極と呼
ぶ）によって行なう、インターライン構成の２次元の固
体撮像装置のイメージ部の部分を概略的に平面図で示し
たものである。なお、矢印は電荷の転送方向を示す。
のＣＯＤを用い、かつ蓄積ダイオードから転送ラインへ
の信号電荷の読み出しを、ＣＯＤの転送電極とは独立に
別途設けたゲート電極（以下こｎを、別ゲート電極と呼
ぶ）によって行なう、インターライン構成の２次元の固
体撮像装置のイメージ部の部分を概略的に平面図で示し
たものである。なお、矢印は電荷の転送方向を示す。
第２図は、第１図の１−１′断面を概略的に示し、１【
ゝ たものである。説明を容易にするため、共通の構成要素
に同一の番号で示しである。本ＣＯＤは、！転送段の蓄
積領域と遷移領域の電位障壁をイオン注入による各領域
のＷｅｌｌ濃度の制御によって形成している。ここで、
１はＣＯＤの転送ライン、２は転送ライン１の蓄積領域
で、半導体基板３と反対の導電形を有する不純物で形成
さｎている。４は転送ライン１の遷移領域で、半導体基
板３と反対の導電形を有する不純物で形成さｎｌかつ蓄
積領域２の不純物濃度より低濃度で浅い。そのためピン
チオフ電位ｖｐが蓄積領域２より小さい。６は第２層の
ポリシリコンで形成さｎたｃａｎ転送ライン１の転送電
極で、転送パルスφＶ１が印加さｎる。６は、同様に第
３層のポリシリコンで形成さｎた転送電極で、転送パル
スφＶ２が印加さｎる。
ゝ たものである。説明を容易にするため、共通の構成要素
に同一の番号で示しである。本ＣＯＤは、！転送段の蓄
積領域と遷移領域の電位障壁をイオン注入による各領域
のＷｅｌｌ濃度の制御によって形成している。ここで、
１はＣＯＤの転送ライン、２は転送ライン１の蓄積領域
で、半導体基板３と反対の導電形を有する不純物で形成
さｎている。４は転送ライン１の遷移領域で、半導体基
板３と反対の導電形を有する不純物で形成さｎｌかつ蓄
積領域２の不純物濃度より低濃度で浅い。そのためピン
チオフ電位ｖｐが蓄積領域２より小さい。６は第２層の
ポリシリコンで形成さｎたｃａｎ転送ライン１の転送電
極で、転送パルスφＶ１が印加さｎる。６は、同様に第
３層のポリシリコンで形成さｎた転送電極で、転送パル
スφＶ２が印加さｎる。
７は、半導体基板３と反対の導電形を有する不純物拡散
層で形成さｎた蓄積ダイオード、８は、蓄積ダイオード
了から、蓄積領域２へ信号電荷を読み込むＭＯＳ）ラン
ジスタムのゲートチャンネル部で、ディプレッション形
になっており、かつチャンネル部の不純物濃度は遷移領
域４の濃度と同じ導電形を有し、そ扛より低濃度で浅く
形成さｎている。そのため、ピンチオフ電位ｖＰが該遷
移領域４より小さい。９は、リードゲートトランジスタ
ムのゲート電極で、第１層のポリシリコンで形成さｎて
お９、かつリードパルスφＲが印加さｎる。
層で形成さｎた蓄積ダイオード、８は、蓄積ダイオード
了から、蓄積領域２へ信号電荷を読み込むＭＯＳ）ラン
ジスタムのゲートチャンネル部で、ディプレッション形
になっており、かつチャンネル部の不純物濃度は遷移領
域４の濃度と同じ導電形を有し、そ扛より低濃度で浅く
形成さｎている。そのため、ピンチオフ電位ｖＰが該遷
移領域４より小さい。９は、リードゲートトランジスタ
ムのゲート電極で、第１層のポリシリコンで形成さｎて
お９、かつリードパルスφＲが印加さｎる。
１０はゲート酸化膜、１１はフィールド酸化膜、１２は
チャンネルストッパーである。
チャンネルストッパーである。
次に、第３図、第４図を用いて、第１図、第２図に示し
た本発明の実施例における固体撮像装置の動作を説明す
る。
た本発明の実施例における固体撮像装置の動作を説明す
る。
第３図（荀〜（Ｃ）は、垂直走査用駆動パルスである。
第３図（ＩＬ＞は、リードゲート電極９に印加さｎるリ
ードパルスφＲである。ここで、Ｒはリードパルスφ寵
の振幅を示し、Ｔｆは１フレ一ム期間（ａａｍｓｅｃ）
、ＴＶは１フイ一ルド期間（１６５直）、Ｔ、は垂直ブ
ランキング期間を示す。第３図（ｂ）は、転送電極５に
印加さｎる転送パルスφｖ１である。ここで、φＶｊＴ
は転送パルス、φマ１Ｒは読み込み用パルス、Ｔはφマ
１Ｔ＋φマ＋ｓ＋パルスの振幅を示す。第３図（ｃ）は
、転送電極６に印加さｎる転送パルスφｖ２である。こ
こでφマ２！ハ転送パルス、φＶ２１ Ｆ：ｉ読み込み
用パルス、Ｔはφマ２！、φマ２１１パルスの振幅を示
す。
ードパルスφＲである。ここで、Ｒはリードパルスφ寵
の振幅を示し、Ｔｆは１フレ一ム期間（ａａｍｓｅｃ）
、ＴＶは１フイ一ルド期間（１６５直）、Ｔ、は垂直ブ
ランキング期間を示す。第３図（ｂ）は、転送電極５に
印加さｎる転送パルスφｖ１である。ここで、φＶｊＴ
は転送パルス、φマ１Ｒは読み込み用パルス、Ｔはφマ
１Ｔ＋φマ＋ｓ＋パルスの振幅を示す。第３図（ｃ）は
、転送電極６に印加さｎる転送パルスφｖ２である。こ
こでφマ２！ハ転送パルス、φＶ２１ Ｆ：ｉ読み込み
用パルス、Ｔはφマ２！、φマ２１１パルスの振幅を示
す。
ここで、φＶｊ＋ φｖ２においては、各々のパルス
系において１フレーム毎に読み込み用パルスが立ち、か
つφマ１とφｖ２間では１フイールド毎に交互になって
いる（インターレース走査）。また、φｖ１とφｖ２の
転送パルスは位相が反転している（２相駆動）。
系において１フレーム毎に読み込み用パルスが立ち、か
つφマ１とφｖ２間では１フイールド毎に交互になって
いる（インターレース走査）。また、φｖ１とφｖ２の
転送パルスは位相が反転している（２相駆動）。
また第３図において、ｔ１〜ｔ５は任意の時刻での位相
を示したものである。
を示したものである。
第４図（ａ）〜（ｒ）は、第３図の駆動パルス系を用い
たときの本発明の実施例における固体撮像装置の読み込
み時と光積分時の単位絵素部のポテンシャル状態を示し
たものである。
たときの本発明の実施例における固体撮像装置の読み込
み時と光積分時の単位絵素部のポテンシャル状態を示し
たものである。
第４図０は、第１図の１−１’断面に沿った単位絵素部
の等価回路で、φＲ９φマ１．φマ２は垂直走査用駆動
パルスである。第４図（ｂ）〜（ｆ）は、第４図（＆）
に対応する部分のポテンシャル状態を示しており、こｎ
を用いて動作を説明讐る。
の等価回路で、φＲ９φマ１．φマ２は垂直走査用駆動
パルスである。第４図（ｂ）〜（ｆ）は、第４図（＆）
に対応する部分のポテンシャル状態を示しており、こｎ
を用いて動作を説明讐る。
第４図（ｂ１〜（ｆノニオイテ、ψＲ（ＯＦＦ）ハφ、
＝ ０Ｖ（ＯＦＦ ）の時、ψＲ（ＯＮ）にφ、 ＝
ＯＮの時の電位を示し、ψ武Ｏｎ）。
＝ ０Ｖ（ＯＦＦ ）の時、ψＲ（ＯＮ）にφ、 ＝
ＯＮの時の電位を示し、ψ武Ｏｎ）。
ψ５（ｏｙｙ ）はφｖ＋＝ＯＶ（ＯＦｉ’）の時、ψ
ｒ（ＯＮ）、ψａ（０）ｉ）はφｖ＋＝ＯＮの時の電位
を示す。ψＤは、該蓄積ダイオード７のリセット電位を
示し、θＳは、蓄積信号電荷量である。
ｒ（ＯＮ）、ψａ（０）ｉ）はφｖ＋＝ＯＮの時の電位
を示す。ψＤは、該蓄積ダイオード７のリセット電位を
示し、θＳは、蓄積信号電荷量である。
第４図（ｂ）に示す様に、１＝１．においては、１フレ
一ム間の光積分後、ダイオードには信号電荷θＳが蓄積
さｎている。また、遷移領域４とリードゲート８のｖＰ
は同図（＆）に示さ扛る様に形成さｎている。次に、第
４図（ｃ）に示す様に、ｔ＝ｔ２において、φＹＩＲパ
ルスがＯＮ（オン）する。次に第４図（ｄ）に示す様に
、ｔ＝ｔ５において、φＢパルスがＯＮし、信号電荷を
転送段側に読み込む。この時、蓄積ダイオードの電位は
（ＰＤにリセットされる。次に、第４図ｔｏ）に示す様
に、ｔ−１４において、φＲパルスが０ＦＦ（オフ）と
なり、リードゲートが閉じる。次に、第４図（ｆ）に示
す様に、ｔ＝ｔ５において、φｖｕｔパルスがＯＦＦと
なり、蓄積ダイオードから転送段への信号電荷の読み込
み動作は終了する。この後、ｔ−１５以降においそ、転
送パルスφＷＩＴ ｌφＶＡＴが交互にＯＮ、０ＦＦＩ
繰り返して、信号電荷を転送す羞。
一ム間の光積分後、ダイオードには信号電荷θＳが蓄積
さｎている。また、遷移領域４とリードゲート８のｖＰ
は同図（＆）に示さ扛る様に形成さｎている。次に、第
４図（ｃ）に示す様に、ｔ＝ｔ２において、φＹＩＲパ
ルスがＯＮ（オン）する。次に第４図（ｄ）に示す様に
、ｔ＝ｔ５において、φＢパルスがＯＮし、信号電荷を
転送段側に読み込む。この時、蓄積ダイオードの電位は
（ＰＤにリセットされる。次に、第４図ｔｏ）に示す様
に、ｔ−１４において、φＲパルスが０ＦＦ（オフ）と
なり、リードゲートが閉じる。次に、第４図（ｆ）に示
す様に、ｔ＝ｔ５において、φｖｕｔパルスがＯＦＦと
なり、蓄積ダイオードから転送段への信号電荷の読み込
み動作は終了する。この後、ｔ−１５以降においそ、転
送パルスφＷＩＴ ｌφＶＡＴが交互にＯＮ、０ＦＦＩ
繰り返して、信号電荷を転送す羞。
なお、罰記実施例においてＱ、ＭＯＳ）ランジスタのチ
ャンネル部のウェルの電位と、電荷転送素子の遷移領域
のウェルの電位との間に電位差を形成するため、前記各
ウェルの不純物濃度に差を設ける構成を採用したが、他
の構成によっても電位差を形成できる。例えば、ＭＯＳ
トランジスタ電位差を形成できる。
ャンネル部のウェルの電位と、電荷転送素子の遷移領域
のウェルの電位との間に電位差を形成するため、前記各
ウェルの不純物濃度に差を設ける構成を採用したが、他
の構成によっても電位差を形成できる。例えば、ＭＯＳ
トランジスタ電位差を形成できる。
第４四軸）に示す様に、本発明にかかる固体撮像装置の
ＣＯＤの転送容量は、ＣＯＤの蓄積領域２と遷移領域４
のピンチオフ電位ｖＰの差で決定さｎている。そのため
、遷移領域４のピンチオフ電位ｖＰ以上の電位のしき９
を要する信号電荷は、次段の転送段にあふｔ出ることに
より、転送できない。
ＣＯＤの転送容量は、ＣＯＤの蓄積領域２と遷移領域４
のピンチオフ電位ｖＰの差で決定さｎている。そのため
、遷移領域４のピンチオフ電位ｖＰ以上の電位のしき９
を要する信号電荷は、次段の転送段にあふｔ出ることに
より、転送できない。
一方リードゲート部のチャンネル長が短かいことにより
生ずる短チャンネル効果により、リードゲート部の電位
が、ダイオード側と転送段側との電位差により変調さｎ
る。特に、ダイオード側の電位が上昇している部分（明
部）と電位の上昇して ０ １°。
生ずる短チャンネル効果により、リードゲート部の電位
が、ダイオード側と転送段側との電位差により変調さｎ
る。特に、ダイオード側の電位が上昇している部分（明
部）と電位の上昇して ０ １°。
いない部分（暗部）と者の変調差は太きい。このため、
リードゲート部と遷移領域部のピンチオフ電位％を等し
く形成した場合には、上記のリードゲート部の電位の変
調により、リードゲート部の電位が下げらｎ１転送段側
の信号電荷がダイオード側へこぼｎ落ち、画像劣化を招
く。しかし、不発明においては、リードゲート部のピン
チオフ電位ｖＰは、遷移領域４のピンチオフ電位ｖＰよ
ジ十分低く形成さｎているため、上記の短チャンネル効
果によるリードゲート部の電位の変調を回避して、ダイ
オード側へ、信号電荷が転送途上でこぼｎ落ちるのを防
ぐことが可能である０こ【よジ画像劣化の問題を解決す
ることができ、工業上極めて価値が高い。
リードゲート部と遷移領域部のピンチオフ電位％を等し
く形成した場合には、上記のリードゲート部の電位の変
調により、リードゲート部の電位が下げらｎ１転送段側
の信号電荷がダイオード側へこぼｎ落ち、画像劣化を招
く。しかし、不発明においては、リードゲート部のピン
チオフ電位ｖＰは、遷移領域４のピンチオフ電位ｖＰよ
ジ十分低く形成さｎているため、上記の短チャンネル効
果によるリードゲート部の電位の変調を回避して、ダイ
オード側へ、信号電荷が転送途上でこぼｎ落ちるのを防
ぐことが可能である０こ【よジ画像劣化の問題を解決す
ることができ、工業上極めて価値が高い。
第１図は不発明の一実施例における固体撮像装置のイメ
ージ部分の平面図、第２図は第１図の１−１’断面図、
第３図（ＩＬ）〜（０）は本発明の一実施例における固
体撮像装置を駆動する垂直走査用駆動パルスの波形図、
第４図（＆）〜（ｆ）は本発明の一実施例における固体
撮像装置の動作時のポテンシャル状態を示す図である。 １・・・・・・ＣＯＤの転送ライン、２・旧・・蓄積領
域、３・・・・・・半導体基板、４・・・・・・遷移領
域、５，６・旧・・転送電極、７・・・・・・蓄積ダイ
オード、８・・・・・・ゲートチャンネル部、９・・・
・・・ゲート電極、１ｏ・・自・・ゲート酸化膜、１１
・・・・・・フィールド酸化膜、１２・旧・・チャンネ
ルストッパー、Ａ・・・・・・読み込み用ディプレッシ
ョンＭＯ８）、ランジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名：；
パ ｌ１１２ 図
ージ部分の平面図、第２図は第１図の１−１’断面図、
第３図（ＩＬ）〜（０）は本発明の一実施例における固
体撮像装置を駆動する垂直走査用駆動パルスの波形図、
第４図（＆）〜（ｆ）は本発明の一実施例における固体
撮像装置の動作時のポテンシャル状態を示す図である。 １・・・・・・ＣＯＤの転送ライン、２・旧・・蓄積領
域、３・・・・・・半導体基板、４・・・・・・遷移領
域、５，６・旧・・転送電極、７・・・・・・蓄積ダイ
オード、８・・・・・・ゲートチャンネル部、９・・・
・・・ゲート電極、１ｏ・・自・・ゲート酸化膜、１１
・・・・・・フィールド酸化膜、１２・旧・・チャンネ
ルストッパー、Ａ・・・・・・読み込み用ディプレッシ
ョンＭＯ８）、ランジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名：；
パ ｌ１１２ 図
Claims (3)
- （１）信号電荷蓄積用ダイオードと、垂直方向に配列さ
ｔた電荷転送素子と、前記信号電荷蓄積用ダイオードか
らの信号を前記電荷転送素子に読ミ込むディプレッショ
ン型のＭＯＳトランジスタとを有し、前記ＭＯ８）ラン
ジスタのゲート電極と前記電荷転送素子の転送ゲート電
極とが独立に形成さｎ１前記ＭＯ８）ランジスタのチャ
ンネ２部のウェルの電位と前記電荷転送素子の遷移領域
のウェルの電位とに差異を設けることを特徴とする固体
撮像装置。 - （２）ＭＯＳ）ランジスタのウェル電位と電荷転送素子
の遷移領域のウェル電位の差異が、不純物濃度の差によ
って形成さｎていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の固体撮像装置。 - （３） ウェル電位の差異が１．ＭＯＳ）ランジスタ
のゲート絶縁膜と電荷転送素子のゲート絶縁膜の絶縁膜
厚の差によって形成さｎていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084228A JPS58200574A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084228A JPS58200574A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200574A true JPS58200574A (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=13824613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57084228A Pending JPS58200574A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200574A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214462A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH03259570A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷転送素子およびその製造方法 |
| JPH07170459A (ja) * | 1991-02-12 | 1995-07-04 | Gold Star Electron Co Ltd | Ｃｃｄ映像素子 |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP57084228A patent/JPS58200574A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214462A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH03259570A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷転送素子およびその製造方法 |
| JPH07170459A (ja) * | 1991-02-12 | 1995-07-04 | Gold Star Electron Co Ltd | Ｃｃｄ映像素子 |
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