JPS58201036A - 焦電装置 - Google Patents
焦電装置Info
- Publication number
- JPS58201036A JPS58201036A JP57085861A JP8586182A JPS58201036A JP S58201036 A JPS58201036 A JP S58201036A JP 57085861 A JP57085861 A JP 57085861A JP 8586182 A JP8586182 A JP 8586182A JP S58201036 A JPS58201036 A JP S58201036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- energy
- electrode
- incident energy
- thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
- H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
Landscapes
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は焦電効果によシ赤外線等の入射エネルギーを検
出する焦電装置に関するものである。
出する焦電装置に関するものである。
チタン酸鉛セラミックやＬｉＴａＯ３単結晶等は焦電効
果を有している。この焦電効果を用いて焦電体に入射し
た赤外線エネルギーに対応して焦電体２ページ 表面に発生する電荷を検出し、上記赤外線エネルギーを
検知することが行われている。ところが上記焦電体は赤
外線の吸収効率が低く、吸収効率を上げるため、赤外線
吸収率Ｑ大＠な白金黒やニッケル・クロム合金等の膜を
焦電体の表面に装着する等の工夫がなされている。
果を有している。この焦電効果を用いて焦電体に入射し
た赤外線エネルギーに対応して焦電体２ページ 表面に発生する電荷を検出し、上記赤外線エネルギーを
検知することが行われている。ところが上記焦電体は赤
外線の吸収効率が低く、吸収効率を上げるため、赤外線
吸収率Ｑ大＠な白金黒やニッケル・クロム合金等の膜を
焦電体の表面に装着する等の工夫がなされている。
すなわち、第１図に示すように焦電素体１の両面にニッ
ケル・クロム合金からなる熱電極２，３を装着したシ、
第２図に示すように焦電索体１のエネルギー入射面にニ
ッケル・クロム合金からなる熱電極２を装着し、その反
対面に入射エネルギーを反射するアルミニウムからなる
電極４を装着した構造になっていた。
ケル・クロム合金からなる熱電極２，３を装着したシ、
第２図に示すように焦電索体１のエネルギー入射面にニ
ッケル・クロム合金からなる熱電極２を装着し、その反
対面に入射エネルギーを反射するアルミニウムからなる
電極４を装着した構造になっていた。
このような従来例では、第１図のような例の場合は入射
赤外線エネルギーが焦電索体１及び熱電極２，３で吸収
しきれず、通過してし１つため、熱電極２，３の膜厚を
工夫しても入射エネルギーの高々７ｏ〜８０％程度しか
その検出に利用することができず、また第２図のような
例の場合でもアルミニウムの熱電極４で通過する赤外線
を遮断−ベーン しても、入射エネルギーの高々６ｏ〜７６％程度しかそ
の検出に利用することができず、検出感度が低かった。
赤外線エネルギーが焦電索体１及び熱電極２，３で吸収
しきれず、通過してし１つため、熱電極２，３の膜厚を
工夫しても入射エネルギーの高々７ｏ〜８０％程度しか
その検出に利用することができず、また第２図のような
例の場合でもアルミニウムの熱電極４で通過する赤外線
を遮断−ベーン しても、入射エネルギーの高々６ｏ〜７６％程度しかそ
の検出に利用することができず、検出感度が低かった。
本発明は上記のような事情を考慮し、入射エネルギーの
吸収率を高め、高感度な検出特性を有し、且つ量産性に
富む構造の焦電装置を提供することにある。
吸収率を高め、高感度な検出特性を有し、且つ量産性に
富む構造の焦電装置を提供することにある。
本発明の一実施例を第３図、第４図に示し説明する。本
発明は第３図に示すように焦電素体６のエネルギー入射
面に入射エネルギーを吸収する例えばニッケル・クロム
合金等の熱電極６を装着し、その焦電素体６の熱電極６
の反対面に入射エネルギーを吸収する熱電極７と、さら
にその上に入射エネルギーを反射する例えばアルミニウ
ム、金等の電極８を装着した焦電体を、第４図に示すよ
うに金属パッケージ９内に収納した構造を有する焦電装
置である。第４図で１０はステム、１１はビン、１２は
絶縁体、１３はリード線、１４は窓材である。
発明は第３図に示すように焦電素体６のエネルギー入射
面に入射エネルギーを吸収する例えばニッケル・クロム
合金等の熱電極６を装着し、その焦電素体６の熱電極６
の反対面に入射エネルギーを吸収する熱電極７と、さら
にその上に入射エネルギーを反射する例えばアルミニウ
ム、金等の電極８を装着した焦電体を、第４図に示すよ
うに金属パッケージ９内に収納した構造を有する焦電装
置である。第４図で１０はステム、１１はビン、１２は
絶縁体、１３はリード線、１４は窓材である。
本発明のような電極構造を有する焦電体を用いれば、入
射エネルギーの７５〜８５Ｘ程度を利用することができ
、従来よりも５〜２０％程度感度を上げることができる
。特に焦電体の熱時定数を下げるために焦電体の厚みを
薄くした時、焦電体を透過するエネルギー量が増大する
ため本発明は非常に有効である。また、電極構成は蒸着
によシ容易に形成でき、量産性に富んだ焦電装置を提供
するものである。
射エネルギーの７５〜８５Ｘ程度を利用することができ
、従来よりも５〜２０％程度感度を上げることができる
。特に焦電体の熱時定数を下げるために焦電体の厚みを
薄くした時、焦電体を透過するエネルギー量が増大する
ため本発明は非常に有効である。また、電極構成は蒸着
によシ容易に形成でき、量産性に富んだ焦電装置を提供
するものである。
第１図及び第２図はそれぞれ従来例における焦電装置を
構成する焦電体の断面図、第３図は本考案に係る焦電装
置を構成する焦電体の一実施例を示す断面図、第４図は
第３図の焦電体を組込んだ本考案の焦電装置を示す概略
断面図である。 ６・１０１１．焦電素体、６・７・・・・・・熱電極、
８・・団・電極。
構成する焦電体の断面図、第３図は本考案に係る焦電装
置を構成する焦電体の一実施例を示す断面図、第４図は
第３図の焦電体を組込んだ本考案の焦電装置を示す概略
断面図である。 ６・１０１１．焦電素体、６・７・・・・・・熱電極、
８・・団・電極。
Claims (2)
- （１）焦電索体のエネルギー入射面に入射エネルギーを
吸収する熱電極を装着し、上記焦電素体のエネルギー入
射面と反対面に入射エネルギーを吸収する熱電極と、さ
らにその上に入射エネルギーを反射する電極を装着した
焦電体よシ構成されたことを特徴とする焦電装置。 - （２）入射エネルギーを吸収する熱電極をニッケル・ク
ロム合金で構成し、入射エネルギーを反射する電極をア
ルミニウムまたは金で構成してなる特許請求の範囲第１
項記載の焦電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085861A JPS58201036A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 焦電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085861A JPS58201036A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 焦電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201036A true JPS58201036A (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=13870658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57085861A Pending JPS58201036A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 焦電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201036A (ja) |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP57085861A patent/JPS58201036A/ja active Pending
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