JPS58201357A - 薄膜形光電変換素子 - Google Patents
薄膜形光電変換素子Info
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- JPS58201357A JPS58201357A JP57085953A JP8595382A JPS58201357A JP S58201357 A JPS58201357 A JP S58201357A JP 57085953 A JP57085953 A JP 57085953A JP 8595382 A JP8595382 A JP 8595382A JP S58201357 A JPS58201357 A JP S58201357A
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- JP
- Japan
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- conductive layer
- photoelectric conversion
- transparent
- conversion element
- substrate
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜形光′電変換素子に関し、とくに透明基
板の下方から受光する光電変換素子の構造に係る。
板の下方から受光する光電変換素子の構造に係る。
従来、ファクシミリ送信機用の光電変換素子としては、
ＩＣ技術等で裏作されているＭＯＳやＣＯＤの１次元ア
レイが一般に用いられている。しかし作製しつるシリコ
ン単結晶の大きさに限界があるためにアレイの長尺化が
困難であり、原稿の読取幅の拡張に対しては、光電変換
素子の密度を＾くしなければならず価格、性能にも影曽
していた。また、原稿からの画像は縮小結像して光電変
換素子に照射するので、このためのレンズ系が必要とな
る。このレンズ系は、縮小、率が大きくなる程その光路
長を擾＜シなければならないため、装置の小形化に不利
であることと、光路の微妙な調整が必要にな−っていた
。
ＩＣ技術等で裏作されているＭＯＳやＣＯＤの１次元ア
レイが一般に用いられている。しかし作製しつるシリコ
ン単結晶の大きさに限界があるためにアレイの長尺化が
困難であり、原稿の読取幅の拡張に対しては、光電変換
素子の密度を＾くしなければならず価格、性能にも影曽
していた。また、原稿からの画像は縮小結像して光電変
換素子に照射するので、このためのレンズ系が必要とな
る。このレンズ系は、縮小、率が大きくなる程その光路
長を擾＜シなければならないため、装置の小形化に不利
であることと、光路の微妙な調整が必要にな−っていた
。
このことから、最近原稿の−と光電変換装置とを１＝１
で対応させ、前記レンズ糸を不要とした密着形の読取り
装置が実用化されつ−〕ある。当然光電変換素子アレイ
は原稿−と岡等の長さが必要となり、各素子の電気的特
性は全長に渡って安定で、しかも均一であることが要求
される。従来このような光電変換を行なっている装置に
はａ１１図あるいは第２図の断面概略図に示したような
光電変換素子アレイが用いられている。第１図において
、絶縁基板３上に共通電極５が形成され、この上にＣｄ
Ｓ、 Ｃｄ８ｅ、等の光電変換材料列２が形成されてい
る。さらにこの上にＳｕｅ、、ＩＴＯ等の透明導電層６
と、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ等の分離された不透明電極層４が
配置されている。原稿からの１儂光束１は上方から照射
され、不透明電極層４で遮光されていない透明導ｉｉｍ
層６の露出している部分と、共通電極５とが相対してい
る部分で光電変換素子列の１ビツトを構成するものであ
る。
で対応させ、前記レンズ糸を不要とした密着形の読取り
装置が実用化されつ−〕ある。当然光電変換素子アレイ
は原稿−と岡等の長さが必要となり、各素子の電気的特
性は全長に渡って安定で、しかも均一であることが要求
される。従来このような光電変換を行なっている装置に
はａ１１図あるいは第２図の断面概略図に示したような
光電変換素子アレイが用いられている。第１図において
、絶縁基板３上に共通電極５が形成され、この上にＣｄ
Ｓ、 Ｃｄ８ｅ、等の光電変換材料列２が形成されてい
る。さらにこの上にＳｕｅ、、ＩＴＯ等の透明導電層６
と、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ等の分離された不透明電極層４が
配置されている。原稿からの１儂光束１は上方から照射
され、不透明電極層４で遮光されていない透明導ｉｉｍ
層６の露出している部分と、共通電極５とが相対してい
る部分で光電変換素子列の１ビツトを構成するものであ
る。
しかしながら、通常この種の光電変換素子の電気（８号
レベルは、１０１２〜１０−’Ａ程度の非常に小さい値
であり、光電変換材２に僅かのピンホールが存在すると
、光信号に関係なく電気信号が発生する１、とく（こ不
透明電極層４と共通電極５と相対している部分の方が面
積が広いので暗電流が発生し易く、イ劣化への影響が大
きい。また、光電変換材２の上部に設置する透明導電層
６は、通常形成時の基板温度を３００℃以上の高温にし
なければならないが、光電変換材２に悪影響があるため
低温で形成する。この結果、その電気抵抗が所望の小さ
い値が得られず、い、光応答特性が悪化する。
レベルは、１０１２〜１０−’Ａ程度の非常に小さい値
であり、光電変換材２に僅かのピンホールが存在すると
、光信号に関係なく電気信号が発生する１、とく（こ不
透明電極層４と共通電極５と相対している部分の方が面
積が広いので暗電流が発生し易く、イ劣化への影響が大
きい。また、光電変換材２の上部に設置する透明導電層
６は、通常形成時の基板温度を３００℃以上の高温にし
なければならないが、光電変換材２に悪影響があるため
低温で形成する。この結果、その電気抵抗が所望の小さ
い値が得られず、い、光応答特性が悪化する。
一方、第２図に示した従来例では、前述の光電変換材２
のピンホールがあっても暗電流を増加させないようにブ
リッジ形ζこ構成したものである。
のピンホールがあっても暗電流を増加させないようにブ
リッジ形ζこ構成したものである。
しかし受光部は不透明電極層４と不透明共通電極層５の
無い対向した一部分になる。このため、例えば８ビット
／ＩＩＩＩ程度の密度を得るにはその開口部の寸法は０
．１ｍｇＸ０．１１１ＬＩＩｇになり、暗電流は減少す
るが、明ｔｉも減少し結果として８７′Ｎの向上は実現
できなかった。
無い対向した一部分になる。このため、例えば８ビット
／ＩＩＩＩ程度の密度を得るにはその開口部の寸法は０
．１ｍｇＸ０．１１１ＬＩＩｇになり、暗電流は減少す
るが、明ｔｉも減少し結果として８７′Ｎの向上は実現
できなかった。
また、いずれの構造に於いても、高密度配線であるので
、耐環境性のために、基板上全域に渡り保護コートか必
要となる。しかし、基板の上方から受光する場合には、
この保護ボート材は透明な材料を使う必要があり、しか
も厳密な膜厚コントロールをしないと感度のばらつきが
生じる。使用する材料が限定される上、製造技術がより
複雑となるので低価格化、高性能化が困難であった。
、耐環境性のために、基板上全域に渡り保護コートか必
要となる。しかし、基板の上方から受光する場合には、
この保護ボート材は透明な材料を使う必要があり、しか
も厳密な膜厚コントロールをしないと感度のばらつきが
生じる。使用する材料が限定される上、製造技術がより
複雑となるので低価格化、高性能化が困難であった。
本発明の目的は以上に概略を述べたような問題点が解決
せしめ光ｔ％性、価格、信頼性等が大幅に改善され実用
ζこ供しうる薄膜形光電変換素子を提供することにある
。
せしめ光ｔ％性、価格、信頼性等が大幅に改善され実用
ζこ供しうる薄膜形光電変換素子を提供することにある
。
本発明によれば、絶縁性透明基板と、該基板上に形成さ
れた不透明導電層と、該不透明導電層を少なくとも覆う
如く形成された透明絶Ｒ層と、該絶縁層上に形成された
帯状透明導電層と、核透明導電層耶よび前記絶縁層上に
、前記不透明導電層より幅広に設置した帯状の光電変換
材膜と、該光ＩＩＥ変換材膜上に配置された４ｊＬ数の
分離した電気信号取出個別′ｆＩＬ極列とからなり、前
記基板の下方よりＩＩＬｓからの反射光を照射させる薄
膜形光電変換素子において、前記不透明導電層には前記
電気信号取出個別電極列の１向々の電極と、前記透明導
電層とか交叉する領域に１対ｌで対応した位置に、＃ｉ
配反射光の照射領域を制限するだめの受光窓を設けたこ
とを特徴とする薄膜形光電変換素子が得られる。さらに
前記受光窓を設けた不透明導電層と、前記透明導電膜よ
りなる共通電極とが、前記個別電極端の前方部に、対応
する部分に設けた前記絶縁層の穴を介して接続されてい
ることを特徴とする薄膜形光電変換素子が得られる。
れた不透明導電層と、該不透明導電層を少なくとも覆う
如く形成された透明絶Ｒ層と、該絶縁層上に形成された
帯状透明導電層と、核透明導電層耶よび前記絶縁層上に
、前記不透明導電層より幅広に設置した帯状の光電変換
材膜と、該光ＩＩＥ変換材膜上に配置された４ｊＬ数の
分離した電気信号取出個別′ｆＩＬ極列とからなり、前
記基板の下方よりＩＩＬｓからの反射光を照射させる薄
膜形光電変換素子において、前記不透明導電層には前記
電気信号取出個別電極列の１向々の電極と、前記透明導
電層とか交叉する領域に１対ｌで対応した位置に、＃ｉ
配反射光の照射領域を制限するだめの受光窓を設けたこ
とを特徴とする薄膜形光電変換素子が得られる。さらに
前記受光窓を設けた不透明導電層と、前記透明導電膜よ
りなる共通電極とが、前記個別電極端の前方部に、対応
する部分に設けた前記絶縁層の穴を介して接続されてい
ることを特徴とする薄膜形光電変換素子が得られる。
このような構造の本発明によれば、透明導電膜からなる
共通電極と、光電変換材膜を介し、て配置される電気信
号取出個別電極との対向する領域は、受光部を構成する
透明導電膜だけである。基板上に直接設けた不透明導電
膜と寛気信号取出憫別゛イ。
共通電極と、光電変換材膜を介し、て配置される電気信
号取出個別電極との対向する領域は、受光部を構成する
透明導電膜だけである。基板上に直接設けた不透明導電
膜と寛気信号取出憫別゛イ。
極との間には、透明絶縁層が形成されているために、万
一この部分の光電変換材膜にピンホールがあってもこの
絶縁層によってさえぎられ、暗電流の増加は起りえず、
光電特性のばらつきにはなりえない。
一この部分の光電変換材膜にピンホールがあってもこの
絶縁層によってさえぎられ、暗電流の増加は起りえず、
光電特性のばらつきにはなりえない。
また、透明導電膜は光電変換材膜を形成するり前に設置
できるので基板の温度を充分高くできろ。
できるので基板の温度を充分高くできろ。
このため低抵抗の透明溝Ｘ膜が得られる３、したがって
従来の光電変換素子において問題になっていた軸重、光
応答が改善される。他にも基板の下方から受光するので
、耐環境性のための保護コートは４１に透明である必責
がな（、充分厚く基板の上函に形成した配線、光電変換
材膜に塗布することが可能となる。しかもその膜厚に不
均一性があっても光電特性に何ら影醤を与えない。
従来の光電変換素子において問題になっていた軸重、光
応答が改善される。他にも基板の下方から受光するので
、耐環境性のための保護コートは４１に透明である必責
がな（、充分厚く基板の上函に形成した配線、光電変換
材膜に塗布することが可能となる。しかもその膜厚に不
均一性があっても光電特性に何ら影醤を与えない。
基板上に直接設置した不透明導電層には、光電変換素子
の谷ビットに対応した位置に、受光窓を設けであるが、
このような構造による光電変換素子は、各ビットとビッ
ト間にも遮光膜が形成された構成になっている。したが
って、従来のこの種の光電変換素子列は、配列されてい
る方、向への受光開口部の形状は、帯状の長方形開口部
となっていたが、各ビット間を遮光することによって、
ビットとビットとの間に１ｌＩｉ像光が閣射されても、
光電変換材膜への画像光入射は無くなり、完全に分離さ
れる。その結果、主走査方向へのｌ＋！ＩｉｇＩＩ分離
が確実に行えるようになり分ｐｓ能の格段の向上が実現
された薄膜形光電変換素子が得られる。以下、本＠明に
ついて図面を用いて詳述する。
の谷ビットに対応した位置に、受光窓を設けであるが、
このような構造による光電変換素子は、各ビットとビッ
ト間にも遮光膜が形成された構成になっている。したが
って、従来のこの種の光電変換素子列は、配列されてい
る方、向への受光開口部の形状は、帯状の長方形開口部
となっていたが、各ビット間を遮光することによって、
ビットとビットとの間に１ｌＩｉ像光が閣射されても、
光電変換材膜への画像光入射は無くなり、完全に分離さ
れる。その結果、主走査方向へのｌ＋！ＩｉｇＩＩ分離
が確実に行えるようになり分ｐｓ能の格段の向上が実現
された薄膜形光電変換素子が得られる。以下、本＠明に
ついて図面を用いて詳述する。
第３図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例を示す断面概略
図と平面概略図である。同図において、ガラスよりなる
透明基板お上にＣｒ１Ｔａ、 Ａｔ等の不透明金属層３
５を１ｏｏｏ Ｘ 蒸着し、主走ｆＭ度に対応した受
光開口窓あを設ける。例えば、８ビア １．／′ｌＪ
であれば１００μＸ １００μの寸法の窓をあけ、窓と
窓間は２５μ幅の透光層が形成されることになる。さら
にこの上にＳ１０．、入ム０．、Ｓｌ、１電等の透明絶
縁層３７をスパッタし、少なくとも不ａ明な金属層３５
より幅広（、厚さ約５００ＯＡ形成している。次に、Ｌ
’ｌ’（ＪやＳｕｅ、等の透明導電層３６７ａ−不透明
金縞層３３の開口部に対応した位置上に設置し共通電極
を形成する。さらにこの上擾こアモルンアスンリコン３
２ヲ生成し、電気信号を取り出すための＾缶度配−を極
Ｍを受光開口窓あ上に対応させて設ＫＬ、透明電極層あ
と、それぞれが交叉した平面て光°゛颯変侠素子の１ビ
ツトを形成し℃いる。
図と平面概略図である。同図において、ガラスよりなる
透明基板お上にＣｒ１Ｔａ、 Ａｔ等の不透明金属層３
５を１ｏｏｏ Ｘ 蒸着し、主走ｆＭ度に対応した受
光開口窓あを設ける。例えば、８ビア １．／′ｌＪ
であれば１００μＸ １００μの寸法の窓をあけ、窓と
窓間は２５μ幅の透光層が形成されることになる。さら
にこの上にＳ１０．、入ム０．、Ｓｌ、１電等の透明絶
縁層３７をスパッタし、少なくとも不ａ明な金属層３５
より幅広（、厚さ約５００ＯＡ形成している。次に、Ｌ
’ｌ’（ＪやＳｕｅ、等の透明導電層３６７ａ−不透明
金縞層３３の開口部に対応した位置上に設置し共通電極
を形成する。さらにこの上擾こアモルンアスンリコン３
２ヲ生成し、電気信号を取り出すための＾缶度配−を極
Ｍを受光開口窓あ上に対応させて設ＫＬ、透明電極層あ
と、それぞれが交叉した平面て光°゛颯変侠素子の１ビ
ツトを形成し℃いる。
このような構造の光電変換素子は基板３３のＦ方より原
稿からの画像光束ｌを受光するので不透明金属層あの各
ビット対応の受光開口部あ以外からは不必要な光信号電
流が混入することが無いように充分透光できる構造にで
きる。このため、広い領域に渡る１ｍｇｋ光束１があっ
ても分解能の高いセンサを得ることができる。
稿からの画像光束ｌを受光するので不透明金属層あの各
ビット対応の受光開口部あ以外からは不必要な光信号電
流が混入することが無いように充分透光できる構造にで
きる。このため、広い領域に渡る１ｍｇｋ光束１があっ
ても分解能の高いセンサを得ることができる。
８／Ｎを劣化させる大きな原因となっていた高密度配ｌ
ＩＡ電極スと、アモルフｌスシリコン膜３２を挾ム不透
明金ｌｌｓ＠３５との間を流れる暗電流は、その間に透
明絶縁層３７を介在させたことによって極め−Ｃ減少し
、８／Ｎは格段に大きくてきる。この絶縁層３７の膜厚
は１０００ Ａ程度から、＃−流の低減効果が表われ、
増加させる程良＜ｌｊる。但し、余り厚くすると１ｉｋ
ｉ像光束１の伝播効率が低下ｙるので５０００１ｆｆｌ
ｄが最適であった。また、アモルファス８ｉ３２が設置
される面は、はとんど透明絶縁層３７面であり僅に透明
導電膜Ｊ６（こよる段差の６である。この透明溝ｔ ｔ
ｍ ３６の漢Ｊ享は通常数１００Ａｄ度であるために、
とかく大きな段差部分に発生していたγモルフアメＳ１
３２ のクラックは無くなり、安定な光電変良材膜を潜
ることができる。通常この積のパターン化技術には、］
７酸を用いたケミカルエ。
ＩＡ電極スと、アモルフｌスシリコン膜３２を挾ム不透
明金ｌｌｓ＠３５との間を流れる暗電流は、その間に透
明絶縁層３７を介在させたことによって極め−Ｃ減少し
、８／Ｎは格段に大きくてきる。この絶縁層３７の膜厚
は１０００ Ａ程度から、＃−流の低減効果が表われ、
増加させる程良＜ｌｊる。但し、余り厚くすると１ｉｋ
ｉ像光束１の伝播効率が低下ｙるので５０００１ｆｆｌ
ｄが最適であった。また、アモルファス８ｉ３２が設置
される面は、はとんど透明絶縁層３７面であり僅に透明
導電膜Ｊ６（こよる段差の６である。この透明溝ｔ ｔ
ｍ ３６の漢Ｊ享は通常数１００Ａｄ度であるために、
とかく大きな段差部分に発生していたγモルフアメＳ１
３２ のクラックは無くなり、安定な光電変良材膜を潜
ることができる。通常この積のパターン化技術には、］
７酸を用いたケミカルエ。
チを必要とし、基板お面、あるいは受光開口部に損傷を
与えることが多かったが、これが不要となり、精度の良
いセンサを得ることができる。
与えることが多かったが、これが不要となり、精度の良
いセンサを得ることができる。
第４図（ａ）（ｂ）は本発明の第２の発明の一実施例を
示す断面概略図および平面概略図である。同図において
、ガラス基板４３上に、各ビット毎に対応させた受光開
口窓４８が設けられた不透明金属層４５、透明絶縁層４
７、透明導電＠４６、アモルファスシリコン膜４２、前
記受光開口窓４８に対応させて配置した高密度配線電極
４４とが拳に形成され、受光開口部を設けた不透明金属
１１）４紮透明導電層４６とは、高密度配線電極４４端
の延長上前方に相当する付量の透明絶縁層４７に設けた
穴４９を年して接続されている。
示す断面概略図および平面概略図である。同図において
、ガラス基板４３上に、各ビット毎に対応させた受光開
口窓４８が設けられた不透明金属層４５、透明絶縁層４
７、透明導電＠４６、アモルファスシリコン膜４２、前
記受光開口窓４８に対応させて配置した高密度配線電極
４４とが拳に形成され、受光開口部を設けた不透明金属
１１）４紮透明導電層４６とは、高密度配線電極４４端
の延長上前方に相当する付量の透明絶縁層４７に設けた
穴４９を年して接続されている。
このような構造の光電変換素子は、・第１の実厖例−こ
示した性能を有することはもちろん、この他、光電変換
素子としての共通電極としては、きビット毎に連光を行
な）ている不透明金属層４５と透明導電層４６との並列
接続された構成となる。一般ｄこ。
示した性能を有することはもちろん、この他、光電変換
素子としての共通電極としては、きビット毎に連光を行
な）ている不透明金属層４５と透明導電層４６との並列
接続された構成となる。一般ｄこ。
ＩＴＯや８ｕＯ，等の透明導電層は最適な製作条件で生
成しても、通常の金属層に比べて１桁以上比抵抗が高い
。しかも、この透明導電層弱部分における可視光での光
反射係数を考慮すると無制限に厚くできず、数１００
Ｋが最適となるため、透明導電層鋳単独での低抵抗化は
困難であったが、不透明金属層４５に並列接続すること
によってこれが改善される。この結果、充電変換特性に
おける感度の向上、光応答性過渡特性等の向上が実現さ
れる。
成しても、通常の金属層に比べて１桁以上比抵抗が高い
。しかも、この透明導電層弱部分における可視光での光
反射係数を考慮すると無制限に厚くできず、数１００
Ｋが最適となるため、透明導電層鋳単独での低抵抗化は
困難であったが、不透明金属層４５に並列接続すること
によってこれが改善される。この結果、充電変換特性に
おける感度の向上、光応答性過渡特性等の向上が実現さ
れる。
尚、透明絶縁層４７に設ける接続用穴４９は、各ビタト
毎に分際されていても良く、いくつかのビットをまとめ
たブロック毎に設けても良く、いずれでも特性向上を達
成することができる。
毎に分際されていても良く、いくつかのビットをまとめ
たブロック毎に設けても良く、いずれでも特性向上を達
成することができる。
以上本発明を実施例をもと鹸こ説明したが、この種の光
電変換素子は一般に信号のレベルが１０−１２〜ｌＯ″
Ａ楊度と非常に小さく、本発明による暗・１流の減少対
策は、ｓ／Ｎを向上させるのに極めて効果的なものであ
り、実質的な高感度化を実現するものである。また温度
変化に対する暗電流の増加も極めて小さくなり、とくに
温度上昇を伴なう回路装置が近傍に存在しても充分その
性能を発揮できるようになる。本発明による薄膜形光電
変換素子を例えばファクシミリ送信機に用いれば、光電
変換材膜のアモルファスＳｉの形成は容易に長尺化がで
きるので、縮小レンズ系を不要としたλ４判、８４判密
着形イメージセンサが低価格、＾感度、高分解能で且つ
高信頼性で得られるようになる。
電変換素子は一般に信号のレベルが１０−１２〜ｌＯ″
Ａ楊度と非常に小さく、本発明による暗・１流の減少対
策は、ｓ／Ｎを向上させるのに極めて効果的なものであ
り、実質的な高感度化を実現するものである。また温度
変化に対する暗電流の増加も極めて小さくなり、とくに
温度上昇を伴なう回路装置が近傍に存在しても充分その
性能を発揮できるようになる。本発明による薄膜形光電
変換素子を例えばファクシミリ送信機に用いれば、光電
変換材膜のアモルファスＳｉの形成は容易に長尺化がで
きるので、縮小レンズ系を不要としたλ４判、８４判密
着形イメージセンサが低価格、＾感度、高分解能で且つ
高信頼性で得られるようになる。
第１図および第２図は従来の光電変換素子を示す断面概
略図、第３図（ａ）（ｂ）および第４図（ａ）（ｂ）は
本発明の各−実施例を示す断面概略図と平面概略図であ
る。図においてｌは画像光束、２は光電変換材膜、３は
絶縁基板、４は不透明電極層、５は共通電極、６は透明
導電層、３２．４２はアモルファスＳｉ膜、お、４３は
透明ガラス基板、綱、４４は高密度配線電極、３５．４
５は不透明金属層、ア、妬は透明導電層、３７．４７は
透明絶縁層、３８．４８は受光開口窓、４９は接続用穴
を示す。 第１図
略図、第３図（ａ）（ｂ）および第４図（ａ）（ｂ）は
本発明の各−実施例を示す断面概略図と平面概略図であ
る。図においてｌは画像光束、２は光電変換材膜、３は
絶縁基板、４は不透明電極層、５は共通電極、６は透明
導電層、３２．４２はアモルファスＳｉ膜、お、４３は
透明ガラス基板、綱、４４は高密度配線電極、３５．４
５は不透明金属層、ア、妬は透明導電層、３７．４７は
透明絶縁層、３８．４８は受光開口窓、４９は接続用穴
を示す。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性透明基板と、該基板上に形成された不透明導
電層と、該不透明導電層を少な（とも橿う如く形成され
た透明絶縁層と、該絶縁層上に形成された帯状透明導電
層と、咳透明導電層および前記絶縁層上に、前記不透明
導電層より幅広に設置された帯状の光電変換材膜と、該
光電変換材膜上に配置された資数の分離した電気信号取
出個別電極列とからなり、前記基板の下方より原稿から
の反射光を照射させる薄膜形光電変換素子において、前
記不透明導電層には、前記電気信号堰出電極夕１」の個
々の電極と、前記透明導電層とが交叉する領域に１対１
で対応した位置ｌこ、前記反射光の照射領域を制限する
ための受光窓を設けたことを％像とする薄膜形光電変換
素子。 ２、絶縁性透明基板と、該基板上に形成された不透明導
電層と、該不透明導電層を少なくとも憶う如く拳成され
た透明絶縁層と、該絶縁層上に形成された帯状透明導電
層と、皺透明導電層および前記絶縁層上に、前記不透明
導電層より幅広に設置した帯状の光電変換材膜と、腋光
電変換材膜上に配置された複数の分離した電気信号取出
個別電極とからなり、前記基板の下方より原稿からの反
射光を照射させる薄膜形光電変換素子において、前記不
透明導電層には前記電気信号取出個別電極列の個々の電
極と、前記透明導電層とが交叉する領域に１対１で対応
した位ｔ！こ、前記反射光の照射領域を制限するための
受光窓を設けると共に、該受光窓を設けた前記不透明導
電層と、前記透明導電膜よりなる共通電極とが、＃記電
気信号取出個別電極端の前方部に対応する部分に設けた
前記絶縁層の穴を介して接続されていることを％徴とす
る薄膜形光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085953A JPS58201357A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 薄膜形光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085953A JPS58201357A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 薄膜形光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201357A true JPS58201357A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13873114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57085953A Pending JPS58201357A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 薄膜形光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201357A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617766A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Kyocera Corp | 読み取り装置 |
| JPS6124274A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
| US5336906A (en) * | 1986-09-09 | 1994-08-09 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor and method of manufacture |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP57085953A patent/JPS58201357A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617766A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Kyocera Corp | 読み取り装置 |
| JPS6124274A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
| US5336906A (en) * | 1986-09-09 | 1994-08-09 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor and method of manufacture |
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