JPS58201376A - 太陽電池装置 - Google Patents
太陽電池装置Info
- Publication number
- JPS58201376A JPS58201376A JP57083923A JP8392382A JPS58201376A JP S58201376 A JPS58201376 A JP S58201376A JP 57083923 A JP57083923 A JP 57083923A JP 8392382 A JP8392382 A JP 8392382A JP S58201376 A JPS58201376 A JP S58201376A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- expansion
- coefficient
- cell
- lead
- leads
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
- H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
- H10F19/904—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells characterised by the shapes of the structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/137—Batch treatment of the devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は太陽電池装置に関し、特に太陽電池パネルの構
造の改良に関する。
造の改良に関する。
（発明の技術的背景）
第１図により従来の基板型太陽電池装置の構造を説明す
る。厚さｌ■の炭素鋼製の基板（１）上には、厚さ０．
３〜１ ａｓ Ｉｉ度のｇＶＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｖ
ｉｎｙｌａｃｅｔａｔｅ）やＰＶＢ （Ｐｏｌｙｖｉｎ
ｙｌ ｂｕｔｙｒａｌ）等の透明接着剤（２）が被覆さ
れる。この接着剤（２）のｈＶｃ豪数のリード（３）で
電気的に接続されたシリコン太陽電池セル（４）が配設
され、さらにこの上に透明接着剤（２）が被覆される。
る。厚さｌ■の炭素鋼製の基板（１）上には、厚さ０．
３〜１ ａｓ Ｉｉ度のｇＶＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｖ
ｉｎｙｌａｃｅｔａｔｅ）やＰＶＢ （Ｐｏｌｙｖｉｎ
ｙｌ ｂｕｔｙｒａｌ）等の透明接着剤（２）が被覆さ
れる。この接着剤（２）のｈＶｃ豪数のリード（３）で
電気的に接続されたシリコン太陽電池セル（４）が配設
され、さらにこの上に透明接着剤（２）が被覆される。
最上部には耐薬品性の強いテトラでなるフロントカバー
（５）が設けられる。前記リードは８ｎメツキした１０
０μｍ＠度のＣＵ リボンである。排気を害鳥にするた
めにリード（３）と接着剤（２）との間にガラス不織布
（６）を敷くこともある。
（５）が設けられる。前記リードは８ｎメツキした１０
０μｍ＠度のＣＵ リボンである。排気を害鳥にするた
めにリード（３）と接着剤（２）との間にガラス不織布
（６）を敷くこともある。
（背景接衝の問題点）
太陽電池装置は通常、太陽光の直射する場所に置いて使
用するが、 １１１ｍが大型である４力用のものけ夜間
でも屋外に放置される。そのため装置は日中と夜間とで
温ば差が６０℃にも運する。このような過酷な条件下で
太陽電池装置をすると太陽電池セルがクラックを生ずる
ことがある。これを防止するために接着剤（２）の厚さ
を増すことが考えられるが杼済的【みて不利であり、又
放熱特性が悪くなってしまうので好ましくない。
用するが、 １１１ｍが大型である４力用のものけ夜間
でも屋外に放置される。そのため装置は日中と夜間とで
温ば差が６０℃にも運する。このような過酷な条件下で
太陽電池装置をすると太陽電池セルがクラックを生ずる
ことがある。これを防止するために接着剤（２）の厚さ
を増すことが考えられるが杼済的【みて不利であり、又
放熱特性が悪くなってしまうので好ましくない。
又別の対策としＣＩＪ−ド（３）に弛みをもたせるため
にリード（３）の長さを長くしてもこれも確実な対策と
はなり得ない。特にストリング（セルの直列岐）が奇数
の場合には入力と出力の端子を片方に集める関係でリー
ド（３）が著しく長なると色にはり−ド１３）の先端に
セル（４）のシリコン片を“りけたま＼剥れる現象が多
発する。
にリード（３）の長さを長くしてもこれも確実な対策と
はなり得ない。特にストリング（セルの直列岐）が奇数
の場合には入力と出力の端子を片方に集める関係でリー
ド（３）が著しく長なると色にはり−ド１３）の先端に
セル（４）のシリコン片を“りけたま＼剥れる現象が多
発する。
一方テドラ製フロントカバー（５）は埃が付かないとの
り利点はあるが、湿気に対しては炭素鋼に比べると看し
く弱Ｂので、リード（３）とセル＋４３との接１（ 着に用ｌている軟鑞が結晶粒界に増って酸化され、その
結果太陽１ｇ池の直列抵抗が増え、特性劣化金蔵こすと
いう欠点がある。これを防止するために熱疲労の強い鑞
剤會遍ふとそれはコスト的に或いは酸化の見地から硬質
のものに限定され、その結果セル＋４）にかかるストレ
スが増大し、クラックが生じやすくなる。
り利点はあるが、湿気に対しては炭素鋼に比べると看し
く弱Ｂので、リード（３）とセル＋４３との接１（ 着に用ｌている軟鑞が結晶粒界に増って酸化され、その
結果太陽１ｇ池の直列抵抗が増え、特性劣化金蔵こすと
いう欠点がある。これを防止するために熱疲労の強い鑞
剤會遍ふとそれはコスト的に或いは酸化の見地から硬質
のものに限定され、その結果セル＋４）にかかるストレ
スが増大し、クラックが生じやすくなる。
（発明の目的）
本発明は以上のような従来の欠点に鑑みなされたもので
、過酷な条件で使用してもセルのクラックが生じること
のない優れた太陽電池装置を提供することを目的とする
。
、過酷な条件で使用してもセルのクラックが生じること
のない優れた太陽電池装置を提供することを目的とする
。
（発明の概要）
本発明は基体と、この基体の上に配設される複数の太陽
電池セルと、この複数のセルを電気的に接続するリード
とを備えた太陽電池装置において、前記基体の膨張係数
（又は見かけの膨張係数）とリードの膨張係数（又は見
かけの膨張保ａ）とをはゾ等しくしたことを特徴とする
太陽−池装置である。
電池セルと、この複数のセルを電気的に接続するリード
とを備えた太陽電池装置において、前記基体の膨張係数
（又は見かけの膨張係数）とリードの膨張係数（又は見
かけの膨張保ａ）とをはゾ等しくしたことを特徴とする
太陽−池装置である。
又Ｉ４１紀基板の膨張係数と太陽１−ヒルの膨張係数と
リードとの膨張係数をは望等しくしたことを特赦とする
。
リードとの膨張係数をは望等しくしたことを特赦とする
。
このような本願独特の構成Ｖこよれば、過酷な条件で使
用してもセルのクラックは生じなｌＡ浚れた太陽１池装
置となる。
用してもセルのクラックは生じなｌＡ浚れた太陽１池装
置となる。
（発明の実施例）
以丁実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例１
第２図は本発明の太陽・電池装置の概略断面図である。
厚さ１ＩＩｓ、幅４フィート、長さ１１フイートの４２
俤Ｎｉ−Ｆｅ合金製基板Ｏ９上には厚さ０．３〜ｌａｗ
程度のＥＶＡやＰＶＢの透明接着剤（２）が被覆される
２、この接着剤ａコの、ヒに３１のＮ＋Ｐ型シリコン太
陽′成池セル０４）およびこれらセルを接続する４５μ
ｍ Ｊ）Ａ ｇメッキを施した３９チＮｉ−Ｆｅ倉金ｍ
（膨張係数−２ｘ １Ｏ−７′０）のリードＩ（晃かけ
の膨張係数＝５入１ｏ−”Ｉｃ］）が配役される。こ＼
でリード０４の形状は第３図のセル平面図に示すように
最大幅３關×５５μｍ１１の３角形伏をなす。
俤Ｎｉ−Ｆｅ合金製基板Ｏ９上には厚さ０．３〜ｌａｗ
程度のＥＶＡやＰＶＢの透明接着剤（２）が被覆される
２、この接着剤ａコの、ヒに３１のＮ＋Ｐ型シリコン太
陽′成池セル０４）およびこれらセルを接続する４５μ
ｍ Ｊ）Ａ ｇメッキを施した３９チＮｉ−Ｆｅ倉金ｍ
（膨張係数−２ｘ １Ｏ−７′０）のリードＩ（晃かけ
の膨張係数＝５入１ｏ−”Ｉｃ］）が配役される。こ＼
でリード０４の形状は第３図のセル平面図に示すように
最大幅３關×５５μｍ１１の３角形伏をなす。
Ｏｎはグリッド′−極である。
このように本発明において、リードＱ３１の見かけの膨
張係数は５Ｘ１０−＠、／’０であってこれはセル０尋
の膨張係数４．２Ｘ １０”／’Ｏにはソ等しい。
張係数は５Ｘ１０−＠、／’０であってこれはセル０尋
の膨張係数４．２Ｘ １０”／’Ｏにはソ等しい。
リード（Ｉｍとセルａ４とを接層する半１４３として従
来用いていた８ｎ−Ｐｂ（１０チ）半田（ヤング率−４
Ｘ １０’ｄ ｙ ｎ ａ ／ｃｙｌで５ｈｅａｒ ｒ
ｎｏｄｕｌｕｓはこれに比例）からｆａｔ！ｇｕｅ ｄ
ｕｒａｂｉｌｉｔｙ の高い８ｎ−ｓｂ（ｔｏｅ） （
ヤング率＝６ｘ １０’ ｄｙｎｅ、々−）の硬い半田
に変更し、リードも１とセル６尋とのボンディングは第
３図の破線に示すように全面ボンディングとした。
来用いていた８ｎ−Ｐｂ（１０チ）半田（ヤング率−４
Ｘ １０’ｄ ｙ ｎ ａ ／ｃｙｌで５ｈｅａｒ ｒ
ｎｏｄｕｌｕｓはこれに比例）からｆａｔ！ｇｕｅ ｄ
ｕｒａｂｉｌｉｔｙ の高い８ｎ−ｓｂ（ｔｏｅ） （
ヤング率＝６ｘ １０’ ｄｙｎｅ、々−）の硬い半田
に変更し、リードも１とセル６尋とのボンディングは第
３図の破線に示すように全面ボンディングとした。
ボンディング後のクラック発生率は第１図に示すような
従来のセルのクラック発生率が１２．５％であるに対し
、本実施例のそれははソゼロであった。
従来のセルのクラック発生率が１２．５％であるに対し
、本実施例のそれははソゼロであった。
又、第４図に示すよりなｌサイクル６時間の温度サイク
ルテストｔ−５０サイｚＩ′Ｌ／行なったところ従来例
の直列抵抗が１６．７％増ＪＪＩＩするのに対し、本実
施例のものは４．５価しか増加しな′かった。
ルテストｔ−５０サイｚＩ′Ｌ／行なったところ従来例
の直列抵抗が１６．７％増ＪＪＩＩするのに対し、本実
施例のものは４．５価しか増加しな′かった。
父、本実施例のｉＩ置におり で、パネルの組立に際し
、リードにわずかのたわみを持たするだけで、−紀温度
サイクルテスト中のり一ド断巌事故がなくなり、組立て
が容易になった。
、リードにわずかのたわみを持たするだけで、−紀温度
サイクルテスト中のり一ド断巌事故がなくなり、組立て
が容易になった。
実施例２
４′１のセルを使用する場合、リードのセルの直列抵抗
を３″セルより更に下げねばならない。其処で圧延した
スーパーアムバー（３２チＮｉ、４チＣｏ。
を３″セルより更に下げねばならない。其処で圧延した
スーパーアムバー（３２チＮｉ、４チＣｏ。
６４９ｂＦｅ 、 （１＝０．ｌＸ１０−’／’Ｏ）の
１００／ｊのリボンをｉｌｌい１００μのＣｕ メッ
キを施した。一般に圧延した金属はアニールした金属よ
り膨張係数ａが小さいので圧延した金−を用りた。途中
工程でアニールされない様、半ＩＢｆｏ目 を用い、ｐ
ａｒｒａｒｅｌｌ ｇａｐｂｏｎｄｅｒ で数秒つｂ
ｏｎｄ ｉｎｇを行った。
１００／ｊのリボンをｉｌｌい１００μのＣｕ メッ
キを施した。一般に圧延した金属はアニールした金属よ
り膨張係数ａが小さいので圧延した金−を用りた。途中
工程でアニールされない様、半ＩＢｆｏ目 を用い、ｐ
ａｒｒａｒｅｌｌ ｇａｐｂｏｎｄｅｒ で数秒つｂ
ｏｎｄ ｉｎｇを行った。
史に基板の放熱効果を向ヒさせる為、基板とし°Ｃ０，
９ａｕｇ厚の３９チ＋Ｎ１−Ｆ’６身金に約１００μの
Ｃ１ｌメッキを行った。之に依り従来Ｍｉニ時にセル破
１卓が７．５−存在した物が２俤以下に減少した。更に
日中の微風下で基板裏面が従来的５５°０を示した物が
本実施例により４５℃に下り、之に伜な°つで効率が向
上した。
９ａｕｇ厚の３９チ＋Ｎ１−Ｆ’６身金に約１００μの
Ｃ１ｌメッキを行った。之に依り従来Ｍｉニ時にセル破
１卓が７．５−存在した物が２俤以下に減少した。更に
日中の微風下で基板裏面が従来的５５°０を示した物が
本実施例により４５℃に下り、之に伜な°つで効率が向
上した。
２専の実施例を通じて、リードも基体も見掛けの膨張係
数αがセルのそれに近ければ良い。従ノーＣ，７１Ｊコ
ンセルと膨張係数の近い％ ４２４Ｎｉ −Ｆｅ合金を
はじめ、それより小さい３９・茶Ｎ１−Ｆ’ｅ、３６チ
Ｎ１−Ｆｅ（Ｉｎｖａｒ）、８ｕｐｅｒ Ｉｎｖａｒ
等に膨張係数αと１気・熱伝導層の大き１ＡＣｕ、Ａｇ
、Ａ／等を被着して見掛けの＃Ｊ張係数を合わせた物を
使用して良い、此の他Ｋ ４． Ｃ−Ｃｕ （マイナス
のαを示すグラファイトファイバーと良導体７） （、
’ ＋＋の複舒材）等も使＃ｌＩＣ１ｒ能である。
数αがセルのそれに近ければ良い。従ノーＣ，７１Ｊコ
ンセルと膨張係数の近い％ ４２４Ｎｉ −Ｆｅ合金を
はじめ、それより小さい３９・茶Ｎ１−Ｆ’ｅ、３６チ
Ｎ１−Ｆｅ（Ｉｎｖａｒ）、８ｕｐｅｒ Ｉｎｖａｒ
等に膨張係数αと１気・熱伝導層の大き１ＡＣｕ、Ａｇ
、Ａ／等を被着して見掛けの＃Ｊ張係数を合わせた物を
使用して良い、此の他Ｋ ４． Ｃ−Ｃｕ （マイナス
のαを示すグラファイトファイバーと良導体７） （、
’ ＋＋の複舒材）等も使＃ｌＩＣ１ｒ能である。
（変形例）
熱・毘ハイブリット最陽鑵池パネルは、基本的には基板
型構造に似ている。実施例２に於（八でセルに迩択吸収
膿をコートシ、基板セしてステンンス管ｔ−被讐したＣ
ｕメッキ３９係Ｎｉ−Ｐｅ、′ｇ金を用いた。上記パネ
ルを発泡ポリスチロール等の保温剤の入った箱の中へ入
れ、辷にガラスのｉｌをした新約８０係のエネルギー効
率を示すと共に゛空だきした時の七々の破損が無くなっ
た、 通常・・イブリッド用パネルの１考、膨張糸数バランナ
ーとしてＡｊ！ｇＯｓ ｋ ｍ ｆ集熱促間に挿むが、
之は基だ高−であり、集光ＮＴ：無い限り、上記実施例
の物で光分実用に耐え得る。−付けする配ａはスデンレ
ス以外にＡ１．Ｃｕ、Ａｇ等でよく、被着法は必ずしも
鑞付けでなく、エポキシ等でも良い。
型構造に似ている。実施例２に於（八でセルに迩択吸収
膿をコートシ、基板セしてステンンス管ｔ−被讐したＣ
ｕメッキ３９係Ｎｉ−Ｐｅ、′ｇ金を用いた。上記パネ
ルを発泡ポリスチロール等の保温剤の入った箱の中へ入
れ、辷にガラスのｉｌをした新約８０係のエネルギー効
率を示すと共に゛空だきした時の七々の破損が無くなっ
た、 通常・・イブリッド用パネルの１考、膨張糸数バランナ
ーとしてＡｊ！ｇＯｓ ｋ ｍ ｆ集熱促間に挿むが、
之は基だ高−であり、集光ＮＴ：無い限り、上記実施例
の物で光分実用に耐え得る。−付けする配ａはスデンレ
ス以外にＡ１．Ｃｕ、Ａｇ等でよく、被着法は必ずしも
鑞付けでなく、エポキシ等でも良い。
第１図は従来の太陽電池装置の概略断面図、第２図は本
発明の太陽１を池装置の概略断面図、第３図は第２図に
係るセルの平面図、第４図は温度サイクルテストの条Ｖ
＋を説明する図である。 １．１１ ・基板 ３，１３ リード４．１４
・セル ５，１５ フロントｂ／（−（７
３１７） 代理人 升哩士 則 近 ｍ 市 （ほ
か１名）第 １ 図 第 ２ 図
発明の太陽１を池装置の概略断面図、第３図は第２図に
係るセルの平面図、第４図は温度サイクルテストの条Ｖ
＋を説明する図である。 １．１１ ・基板 ３，１３ リード４．１４
・セル ５，１５ フロントｂ／（−（７
３１７） 代理人 升哩士 則 近 ｍ 市 （ほ
か１名）第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１） Ｊｉｉ体と、この基体の上に配設される複数
の太陽電池セルと、この複数のセルを電気的に接続する
リードとを備えた太陽電池装置において、前記基体のｌ
ｌ張係数（又は見かけの膨張係数）とリード、″）Ｉ！
１４１［Ｘ畝（又は見かけの膨張保ｄＬ）とを２乏ｙ等
しくしたことを特徴とする太陽電池ａｉｉ０（２）
前記基体の膨張係数を太陽電池セルの膨張係数にはソ等
しくしたことを特徴とする特ｆＦｆ祷求の範囲第１項記
載の太陽電池装置。 （３） 嶋紀太１１１′ｗＬ池セルがノリ、コン太−
電池七νであり％−配基体が旧−ｒｅ合金又はこの合金
に４熱伝導皐物Ｗを僚嶺したものであることｔ峙敏とす
る特許請求のａ＃Ｍ譲１項記載の太陽題池偵１゜ｔ４Ｊ
ｄ紀Ｎｔ −ｒｅ 合金に加工硬化を幀したま＼使
用することｔ−特徴とする特許請求の範囲嬉ｌ槙ｍｌ載
の太１１１１電池装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083923A JPS58201376A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 太陽電池装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083923A JPS58201376A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 太陽電池装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201376A true JPS58201376A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13816116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57083923A Pending JPS58201376A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 太陽電池装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201376A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5100480A (en) * | 1990-04-18 | 1992-03-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solar cell and method for manufacturing the same |
| WO2003023869A3 (en) * | 2001-09-11 | 2003-08-28 | Boeing Co | Low cost high solar flux photovoltaic concentrator receiver |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP57083923A patent/JPS58201376A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5100480A (en) * | 1990-04-18 | 1992-03-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solar cell and method for manufacturing the same |
| WO2003023869A3 (en) * | 2001-09-11 | 2003-08-28 | Boeing Co | Low cost high solar flux photovoltaic concentrator receiver |
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