JPS58201732A - フツ素化反応液の後処理方法 - Google Patents
フツ素化反応液の後処理方法Info
- Publication number
- JPS58201732A JPS58201732A JP8403682A JP8403682A JPS58201732A JP S58201732 A JPS58201732 A JP S58201732A JP 8403682 A JP8403682 A JP 8403682A JP 8403682 A JP8403682 A JP 8403682A JP S58201732 A JPS58201732 A JP S58201732A
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- JP
- Japan
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- reaction solution
- silica gel
- fluorination reaction
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- derivative
- Prior art date
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- Pending
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フッ素化反応液とシリカゲルとを接触させる
ことＫよって該反応液中の無機フッ素化合物を除去する
極め【工業的価値の高いフッ素化反応液の処理方法に関
する。
ことＫよって該反応液中の無機フッ素化合物を除去する
極め【工業的価値の高いフッ素化反応液の処理方法に関
する。
医業、農薬および染料中間体として有用なトリフルオロ
メチルベンゼン誘導体は、工業的には、トリクロロメチ
ルベンゼン誘導体と無水フッ化水素ｆｆ（以下ＨＦと略
称）とを、ルイス酸触媒存在下に反応させ製造されるが
、その際フッ素化反応液中に溶存しているＨＰおよび触
媒に使用したルイス酸のフッ素化合物が、後処理の操作
上の障害となるばかりでな□く装置材質の腐蝕を来たす
等のために、これらを完全に除去する必要がある。一般
にフッ素化反応液の後処理方法と゛しては１次の方法が
行な□われている。′すなわち、反応液中め溶存ＨＦは
窒素または乾燥空気を通気して、大部分を除去し、次−
一で水または無機酸の水溶液を添加し抽出除去するか、
あるいは無機アルカリ金属塩の水溶液を添加し、中和処
理することによってフッ素化反応液から除去する方法が
取られている。
メチルベンゼン誘導体は、工業的には、トリクロロメチ
ルベンゼン誘導体と無水フッ化水素ｆｆ（以下ＨＦと略
称）とを、ルイス酸触媒存在下に反応させ製造されるが
、その際フッ素化反応液中に溶存しているＨＰおよび触
媒に使用したルイス酸のフッ素化合物が、後処理の操作
上の障害となるばかりでな□く装置材質の腐蝕を来たす
等のために、これらを完全に除去する必要がある。一般
にフッ素化反応液の後処理方法と゛しては１次の方法が
行な□われている。′すなわち、反応液中め溶存ＨＦは
窒素または乾燥空気を通気して、大部分を除去し、次−
一で水または無機酸の水溶液を添加し抽出除去するか、
あるいは無機アルカリ金属塩の水溶液を添加し、中和処
理することによってフッ素化反応液から除去する方法が
取られている。
しかしながら、抽出除去する方法では、強酸性条件下で
の処理ｊたはブッ素水溶液下での処理のため、装置材質
め腐蝕の問題が工業化の大きな障害となっている。
の処理ｊたはブッ素水溶液下での処理のため、装置材質
め腐蝕の問題が工業化の大きな障害となっている。
゛中和処理の方法では、フッ素酸塩の生成と同時にルイ
ス酸触媒による金属水酸化物の微細な結晶が析出し、濾
過など゛による除去は非常に困難で操作が非常に煩維°
となる。
ス酸触媒による金属水酸化物の微細な結晶が析出し、濾
過など゛による除去は非常に困難で操作が非常に煩維°
となる。
また蒸留による方法では、ルイス酸のフッ素化物が飛末
同伴、あるいはフッ素化反応液の熱安定性の問題で好ま
しくない。 ゛ ′本発明者、等は、こ
れら種々の、問題点を解決するため鋭意検討した結果、
フッ素化反応液をシリカゲルと接触させること顛より容
易に無機フッ素化合物をはぼ完全に除去できることを見
い出し本発明を完成した。
同伴、あるいはフッ素化反応液の熱安定性の問題で好ま
しくない。 ゛ ′本発明者、等は、こ
れら種々の、問題点を解決するため鋭意検討した結果、
フッ素化反応液をシリカゲルと接触させること顛より容
易に無機フッ素化合物をはぼ完全に除去できることを見
い出し本発明を完成した。
即ち本１発明は、ルイス酸触媒の存在下に、トリク・・
□メチルべ・ゼン誘導体ｉフッ素化反応してトリフルオ
ロメチルベンゼン誘導体を製造する方法にお５゛て＝該
り″素化反応液とどり”ゲとを接触させ、無機フッ素化
合物を除去することを特徴とするフッ素化反応液の後処
理方法である。
□メチルべ・ゼン誘導体ｉフッ素化反応してトリフルオ
ロメチルベンゼン誘導体を製造する方法にお５゛て＝該
り″素化反応液とどり”ゲとを接触させ、無機フッ素化
合物を除去することを特徴とするフッ素化反応液の後処
理方法である。
原料のトリクロロメチルベンゼン誘導体は、メ・チルベ
ンゼン−誘導体を側′画壇素化して得られるもので、た
とえば、トリクロロメチルベンゼン、２−クロロトリク
ロロメチルベンゼン、３−クロロトリクロロメチルベン
ゼン、４−１０口） ＩＪ クロロメチルベンゼン、２
．４−ジクロロ） ＩＪ クロロメチルベンゼン、２−
ツク００メチルトリクロロメ４−二トロ゛トリクロロメ
チルベンゼン、ビス（４−トリクロロメチルフェニル）
カーボネート、ビ□ ス（２−クロロ−４−） ＩＪ
クロロメールフェニル）カーボネート、などがあげられ
る。
ンゼン−誘導体を側′画壇素化して得られるもので、た
とえば、トリクロロメチルベンゼン、２−クロロトリク
ロロメチルベンゼン、３−クロロトリクロロメチルベン
ゼン、４−１０口） ＩＪ クロロメチルベンゼン、２
．４−ジクロロ） ＩＪ クロロメチルベンゼン、２−
ツク００メチルトリクロロメ４−二トロ゛トリクロロメ
チルベンゼン、ビス（４−トリクロロメチルフェニル）
カーボネート、ビ□ ス（２−クロロ−４−） ＩＪ
クロロメールフェニル）カーボネート、などがあげられ
る。
本発明に供し得るフタ素化反応液としては、上記トリク
ロロメチルベンゼン誘導体をフッ素化反□ ” 八 応に用いられる公知のルイス えばＡｔｃｔｓ、Ｆ
ｅＣＬｚ 、 ＷＣＬ＠、ＴｉＣ６ｌ、ＴｉＣｔイ８ｎ
ＣＬ４、ＰＣｌ５ 、 ＴａＣｔ６ 、 Ｒｅ
Ｃｔｓ、ＮｄＣ４５、ＭｏＣ４，，８ｂＦ、など、の存
在下ＫＨＦと反応すること、によって対応するトリフル
オロメチルベンゼン誘導体を製造する際の反応液で、必
要によりテトラクロロエタンのような反応に不活性な有
機溶媒を用いた反応液、またルイス酸触媒と原料や反応
中゛間生成物等が錯体な形成しているような一応液□等
を挙げるとと゛ができｒ 。
ロロメチルベンゼン誘導体をフッ素化反□ ” 八 応に用いられる公知のルイス えばＡｔｃｔｓ、Ｆ
ｅＣＬｚ 、 ＷＣＬ＠、ＴｉＣ６ｌ、ＴｉＣｔイ８ｎ
ＣＬ４、ＰＣｌ５ 、 ＴａＣｔ６ 、 Ｒｅ
Ｃｔｓ、ＮｄＣ４５、ＭｏＣ４，，８ｂＦ、など、の存
在下ＫＨＦと反応すること、によって対応するトリフル
オロメチルベンゼン誘導体を製造する際の反応液で、必
要によりテトラクロロエタンのような反応に不活性な有
機溶媒を用いた反応液、またルイス酸触媒と原料や反応
中゛間生成物等が錯体な形成しているような一応液□等
を挙げるとと゛ができｒ 。
る。
その他、上記反応液と同様に処理可能な例として、不安
定なフッ素化合物が貯蔵中に分解し、脱３− ＨＦした場合の再精製処理等、その他のあらゆる酸性無
機フッ！化合物の除去処理に有効に適用できる。
定なフッ素化合物が貯蔵中に分解し、脱３− ＨＦした場合の再精製処理等、その他のあらゆる酸性無
機フッ！化合物の除去処理に有効に適用できる。
奎発明に使用す５るシリカゲルは、カラムクロマト用、
薄層クロマト用、乾燥出、農薬、肥料、飼料等の粉砕助
剤用および固結防止剤用、その他塗料の艶消削出などと
、して夏用される微粉末状から塊状までの各種市販品シ
リカゲルがあげられる。
薄層クロマト用、乾燥出、農薬、肥料、飼料等の粉砕助
剤用および固結防止剤用、その他塗料の艶消削出などと
、して夏用される微粉末状から塊状までの各種市販品シ
リカゲルがあげられる。
しかし価格および処理効、率などから１０口以上の粉末
あるいは３０〜２００メツシユのビーズ状シリカゲルの
使用が好ましい。
あるいは３０〜２００メツシユのビーズ状シリカゲルの
使用が好ましい。
フッ素化反応液とシリカゲルとの接触方、法１は、フッ
素化反応液中に、シリカゲルを攪拌下に添加するか、シ
リカゲル充填塔中に連続的に通過させる。ことによって
行うことができる。
素化反応液中に、シリカゲルを攪拌下に添加するか、シ
リカゲル充填塔中に連続的に通過させる。ことによって
行うことができる。
接触温度は０〜８０℃で行われるが、好ましくは１０〜
３０℃である。接触時間はシリカゲル種のフッ素除去能
力によって一定しないが、通常は１〜６．０分である。
３０℃である。接触時間はシリカゲル種のフッ素除去能
力によって一定しないが、通常は１〜６．０分である。
シリカゲルの使用量はフッ素化反応液中の無機フッ素化
合物の含有量によって４− 異なるが１通常フッ素化反応液量に対して１−２０重量
％で良い。使用後のシリカゲルは回収し再生処理後再使
用することができる。
合物の含有量によって４− 異なるが１通常フッ素化反応液量に対して１−２０重量
％で良い。使用後のシリカゲルは回収し再生処理後再使
用することができる。
本発明方法によって処理したフッ素化反応液は無機フッ
素化合物の含有量がＳ ｐｐｍ以下となり、実質上無機
フッ素化合物による腐食を考慮した装置材質の選択の制
限を受′けることは皆無となる。
素化合物の含有量がＳ ｐｐｍ以下となり、実質上無機
フッ素化合物による腐食を考慮した装置材質の選択の制
限を受′けることは皆無となる。
以下本発明を下記実施例によって説明する。
実施例１ ・２５０−の８０
８部反応器に１９５．５部のペンシトリクロライドと１
９８部の５ｂｃｔ、とを仕込み。
８部反応器に１９５．５部のペンシトリクロライドと１
９８部の５ｂｃｔ、とを仕込み。
かきまぜながら５５℃まで昇温した。この温度を保って
、無水フッ化水素酸ガス６６部を５時間を要し導入した
。反、応終了後５０〜５５℃でＮ、通気を約１時間行っ
た。この時の反応′液中の無機フッ案分は２２ Ｓ Ｏ
ｐｐｍであった。その後室温まで冷却し、次いでジルト
ン−人（水沢化学製シリカゲル）を添加し、各時間毎に
フッ素化反応液中の無機フッ素含量をフッ素イ・オンメ
ーターにより定量・シた結果を表−１に示す０
・・表−１ 実施例２ ２５Ｃ１ｄの８ＵＳ製反応１Ｋ２７１１５部の〇−）
リ／ ａ Ｃ１メチルベンザルクロライドと１．４部の
５ｂｃｔ、とを混合し６０℃まで昇温した。同温度を７
− 保って、撹拌下に無水フッ化水素酸ガス６６部を３時間
を要し導入した。反応終了後５０〜６０℃でＮ、通気を
１時間行った。この時の反応液中の無機フッ案分は２０
′５４ｐｐｍであった。次いで６０℃に冷却後６．９部
のマイクロビーズシリカゲル（富士ディヴイソン社製）
を添加し、２０分間かきまぜた後フッ素化反応液中′の
無機フッ案分をフッ素イオンメーターにより定量した結
果２９部ｍであったＯ 実施例３．４，５．６ 実施例２のフッ素化反応液に、シリカゲルの種類を代え
同様に処理した結果を表−２に示した。
、無水フッ化水素酸ガス６６部を５時間を要し導入した
。反、応終了後５０〜５５℃でＮ、通気を約１時間行っ
た。この時の反応′液中の無機フッ案分は２２ Ｓ Ｏ
ｐｐｍであった。その後室温まで冷却し、次いでジルト
ン−人（水沢化学製シリカゲル）を添加し、各時間毎に
フッ素化反応液中の無機フッ素含量をフッ素イ・オンメ
ーターにより定量・シた結果を表−１に示す０
・・表−１ 実施例２ ２５Ｃ１ｄの８ＵＳ製反応１Ｋ２７１１５部の〇−）
リ／ ａ Ｃ１メチルベンザルクロライドと１．４部の
５ｂｃｔ、とを混合し６０℃まで昇温した。同温度を７
− 保って、撹拌下に無水フッ化水素酸ガス６６部を３時間
を要し導入した。反応終了後５０〜６０℃でＮ、通気を
１時間行った。この時の反応液中の無機フッ案分は２０
′５４ｐｐｍであった。次いで６０℃に冷却後６．９部
のマイクロビーズシリカゲル（富士ディヴイソン社製）
を添加し、２０分間かきまぜた後フッ素化反応液中′の
無機フッ案分をフッ素イオンメーターにより定量した結
果２９部ｍであったＯ 実施例３．４，５．６ 実施例２のフッ素化反応液に、シリカゲルの種類を代え
同様に処理した結果を表−２に示した。
表−２
保土谷化学工業株式会社
８−
Claims (1)
- ルイｘ酸触ｔｓの存在下に、トリクロロメチルベンゼン
誘導体をフッ素化反応してトリフルオロメチルベンゼン
誘導体を製造する方法において、該フッ素化反応液とシ
リカゲルとを接触させ、核反応液中の無機フッ素化合物
な°除去することを特徴とするフッ素゛化反応液の後処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8403682A JPS58201732A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | フツ素化反応液の後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8403682A JPS58201732A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | フツ素化反応液の後処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201732A true JPS58201732A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13819290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8403682A Pending JPS58201732A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | フツ素化反応液の後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201732A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1500641A4 (en) * | 2002-04-30 | 2006-05-31 | Mitsubishi Gas Chemical Co | HIGH PURITY (FLUOROALKYL) BENZENE DERIVATIVE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| WO2015111726A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 旭硝子株式会社 | ガラスの腐食抑制方法 |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP8403682A patent/JPS58201732A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1500641A4 (en) * | 2002-04-30 | 2006-05-31 | Mitsubishi Gas Chemical Co | HIGH PURITY (FLUOROALKYL) BENZENE DERIVATIVE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| US7405331B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-07-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | High-purity (fluoroalkyl)benzene derivative and process for producing the same |
| WO2015111726A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 旭硝子株式会社 | ガラスの腐食抑制方法 |
| CN105980344A (zh) * | 2014-01-27 | 2016-09-28 | 旭硝子株式会社 | 玻璃的腐蚀抑制方法 |
| JPWO2015111726A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2017-03-23 | 旭硝子株式会社 | ガラスの腐食抑制方法 |
| US10017693B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-07-10 | Asahi Glass Company, Limited | Method for suppressing corrosion of glass |
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