JPS58202531A - 反応性スパツタエツチング装置 - Google Patents
反応性スパツタエツチング装置Info
- Publication number
- JPS58202531A JPS58202531A JP8476882A JP8476882A JPS58202531A JP S58202531 A JPS58202531 A JP S58202531A JP 8476882 A JP8476882 A JP 8476882A JP 8476882 A JP8476882 A JP 8476882A JP S58202531 A JPS58202531 A JP S58202531A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- sample
- sputter etching
- electrode
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、反応性スパッタエツチング装置に係り、特に
、エツチング速度の制御および試料の照射損傷の低減に
好適な反応性スパッタエツチング装置に関する。
、エツチング速度の制御および試料の照射損傷の低減に
好適な反応性スパッタエツチング装置に関する。
従来の平行平板型二極スパッタエツチング装置は、第１
図（ａ）、 （ｂ）に示す構造となっており、試料上へ
の入射イオンのエネルギーは、反応ガスの種類、圧力、
高周波入力、電極構造により一義的に決まり、上記の条
件を一定としたまま入射イオンエネルギーを変えること
はできなかった。
図（ａ）、 （ｂ）に示す構造となっており、試料上へ
の入射イオンのエネルギーは、反応ガスの種類、圧力、
高周波入力、電極構造により一義的に決まり、上記の条
件を一定としたまま入射イオンエネルギーを変えること
はできなかった。
また入射イオンエネルギーを変える方法としては上下と
もに高周波入力を導入する方法がある。
もに高周波入力を導入する方法がある。
なお、図において、ｉＦｉ真空容器、２Ｆｉ高周波電源
、３は上部電極、４は下部電極、５は試料を示す。
、３は上部電極、４は下部電極、５は試料を示す。
本発明の主な目的は、高周波入力、放電圧力を変化させ
ることなしに、非常に簡単に試料上への入射イオンエネ
ルギーを可変にし、エツチング速度を制御し、また試料
の照射損傷を低減させるエツチング装置を提供すること
にある。本発明の他の目的は、エツチングを異方的な特
性から等方的な特性に連続的に変化させることも可能で
、加工断面形状の制御も行なうことができるエツチング
装置を提供することにある。
ることなしに、非常に簡単に試料上への入射イオンエネ
ルギーを可変にし、エツチング速度を制御し、また試料
の照射損傷を低減させるエツチング装置を提供すること
にある。本発明の他の目的は、エツチングを異方的な特
性から等方的な特性に連続的に変化させることも可能で
、加工断面形状の制御も行なうことができるエツチング
装置を提供することにある。
高周波入力の同波数が約１００ＫＨ２のとき、試料台が
接地されていると、入射イオンのエネルギーは最大で高
周波電圧の振幅（通常数１００〜数１０００Ｖ）程度に
なる。また絶縁されているときは数１０Ｖのフロティン
グポテンシャルとなる。
接地されていると、入射イオンのエネルギーは最大で高
周波電圧の振幅（通常数１００〜数１０００Ｖ）程度に
なる。また絶縁されているときは数１０Ｖのフロティン
グポテンシャルとなる。
本発明は、このような点に着目し、イオンの入射エネル
ギーを、特に圧力、高周波入力を変えないで数１０〜１
０００ＫｅＶに変えるため、試料台を直接接地せずに抵
抗、コンデンサー、コイルなどを通して接地したことに
特徴がある。
ギーを、特に圧力、高周波入力を変えないで数１０〜１
０００ＫｅＶに変えるため、試料台を直接接地せずに抵
抗、コンデンサー、コイルなどを通して接地したことに
特徴がある。
以下、本発明の実施例を第２図により説明する。
本実施例では試料台１４は可変抵抗１６を通して接地さ
れている。この抵抗値を変えることによりイオンの入射
エネルギーを変えることができる。
れている。この抵抗値を変えることによりイオンの入射
エネルギーを変えることができる。
第３図には、同波数約３５０ＫＨ２Ｏ高周波電源１２を
用い、ＣＦ ４ とＨ２の混合ガス圧力２７ｐａで放電
したとき、抵抗値を変えたときの高周波電極１３および
試料台１４のピー〉・ツー・ピーク電圧の変化する様子
を示す。高周波電極と試料台の電圧の位相が同じときは
、両者の振幅の差が試料上に入射する最高のイオンエネ
ルギーになる。第４図には５ｉｎ２ のエツチング速度
の抵抗値依存性を示す。５１０２ のエッチ速度はガス
圧、Ｍｌｉ４波入力全入力ないで、抵抗値だけを変える
ことによって制御することができる。つぎに、第５図に
抵抗値を変えてエツチングしたＳ１ウエハのライフタイ
ムを示す。抵抗値が大きくなるにしたがいライフタイム
は大きくなっており、これは入射イオンエネルギーが小
さくなっていることを示している。このように本実施例
により照射損傷が低減できる。
用い、ＣＦ ４ とＨ２の混合ガス圧力２７ｐａで放電
したとき、抵抗値を変えたときの高周波電極１３および
試料台１４のピー〉・ツー・ピーク電圧の変化する様子
を示す。高周波電極と試料台の電圧の位相が同じときは
、両者の振幅の差が試料上に入射する最高のイオンエネ
ルギーになる。第４図には５ｉｎ２ のエツチング速度
の抵抗値依存性を示す。５１０２ のエッチ速度はガス
圧、Ｍｌｉ４波入力全入力ないで、抵抗値だけを変える
ことによって制御することができる。つぎに、第５図に
抵抗値を変えてエツチングしたＳ１ウエハのライフタイ
ムを示す。抵抗値が大きくなるにしたがいライフタイム
は大きくなっており、これは入射イオンエネルギーが小
さくなっていることを示している。このように本実施例
により照射損傷が低減できる。
なお、第２図において、１１は真空容器、１５は試料を
示す。
示す。
以上述べたように、本発明によれば試料上に入射するイ
オンの加速エネルギーを数１０Ｖから数１００Ｖの範囲
で、放電圧、高周波入力を変えないで制御できるので、
エツチング速度の制御、照射損傷の低減ができる。また
、エツチング反応においてイオンが主に反応を起こすか
、中性活性種が主に反応を起こすかにより加工断面形状
が異り、前者は異方的、後者は等方的な性質を持ってい
るので、本発明の装置を用いることにより、加工断面形
状を連続的に異方性から等方性に変えることができる。
オンの加速エネルギーを数１０Ｖから数１００Ｖの範囲
で、放電圧、高周波入力を変えないで制御できるので、
エツチング速度の制御、照射損傷の低減ができる。また
、エツチング反応においてイオンが主に反応を起こすか
、中性活性種が主に反応を起こすかにより加工断面形状
が異り、前者は異方的、後者は等方的な性質を持ってい
るので、本発明の装置を用いることにより、加工断面形
状を連続的に異方性から等方性に変えることができる。
第１図は従来装置構造のブロック図、第２図は本発明の
装置の一実施例のブロック図、第３図は本発明による装
置の抵抗値を変えたときの高周波電極および試料台のピ
ーク・ツー・ピーク電圧の変化を示すグラフ、第４図は
８１０２ エッチ速度の抵抗値依存性を示すグラフ、
第５図はイオン照射されたＳｉのライフタイムの抵抗値
依存性を示すグラフである。 １・・・真空容器、２・・・高周波電源、３・・・下部
電極、４・・・下部電極、５・・・試料、１１・・・真
空容器、１２・・・高周波電源、３・・・高周波電極、
１４・・・試料台、１５・・・試料、１６・・・試料台
と接地間に挿入した可変抵抗器である。 代理人 弁理士 薄田利幸。 （５） 第１図 （Ｌ） （ｂ’） 第？図 第 ３ 図 第 ４ 図 言Δ、米千台傾りの４１さ、］ン’ｂ （ｆＬ）第
Ｅ 図 １２９−
装置の一実施例のブロック図、第３図は本発明による装
置の抵抗値を変えたときの高周波電極および試料台のピ
ーク・ツー・ピーク電圧の変化を示すグラフ、第４図は
８１０２ エッチ速度の抵抗値依存性を示すグラフ、
第５図はイオン照射されたＳｉのライフタイムの抵抗値
依存性を示すグラフである。 １・・・真空容器、２・・・高周波電源、３・・・下部
電極、４・・・下部電極、５・・・試料、１１・・・真
空容器、１２・・・高周波電源、３・・・高周波電極、
１４・・・試料台、１５・・・試料、１６・・・試料台
と接地間に挿入した可変抵抗器である。 代理人 弁理士 薄田利幸。 （５） 第１図 （Ｌ） （ｂ’） 第？図 第 ３ 図 第 ４ 図 言Δ、米千台傾りの４１さ、］ン’ｂ （ｆＬ）第
Ｅ 図 １２９−
Claims (1)
- １、 上部電極に高周波電力を印加し、下部電極上に試
料を設置して高周波プラズマを発生せしめてエツチング
を行なう平行平板型二極スパッタエツチング装置におい
て、下部電極と接地間に高周波に対し等制約に抵抗とな
る素子を設け、試料上に入射するイオンの加速エネルギ
ーを可変にすることを特徴とする反応性スパッタエツチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8476882A JPS58202531A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 反応性スパツタエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8476882A JPS58202531A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 反応性スパツタエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202531A true JPS58202531A (ja) | 1983-11-25 |
Family
ID=13839856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8476882A Pending JPS58202531A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | 反応性スパツタエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202531A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137326A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Ulvac Corp | 基板表面の整形装置 |
| JPS61166028A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS61174633A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Ulvac Corp | スパッタエッチング装置 |
| JPS62274725A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Tokuda Seisakusho Ltd | エツチング装置 |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8476882A patent/JPS58202531A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137326A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Ulvac Corp | 基板表面の整形装置 |
| JPS61166028A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS61174633A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Ulvac Corp | スパッタエッチング装置 |
| JPS62274725A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Tokuda Seisakusho Ltd | エツチング装置 |
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