JPS5820420B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5820420B2 JPS5820420B2 JP53156136A JP15613678A JPS5820420B2 JP S5820420 B2 JPS5820420 B2 JP S5820420B2 JP 53156136 A JP53156136 A JP 53156136A JP 15613678 A JP15613678 A JP 15613678A JP S5820420 B2 JPS5820420 B2 JP S5820420B2
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- JP
- Japan
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- molecular weight
- resist
- diallyl
- dap
- film thickness
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は波長が１８０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲の遠紫外
線に対して良好な感度を示すレジストを使用したパター
ン形成方法に関するものである。
線に対して良好な感度を示すレジストを使用したパター
ン形成方法に関するものである。
従来、半導体集積回路等の回路パターンを形成する方法
として、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線を使用
したフォトリソグラフィーが用いられている。
として、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの紫外線を使用
したフォトリソグラフィーが用いられている。
またこれら素子パターンの高密度化に伴いフォトリソグ
ラフィーの限界パターン幅２μｍ〜３μｍ以下の微細パ
ターンが必要とされ、このために、電子線或はＸ線を用
いたリソグラフィーが検討され、提案されている。
ラフィーの限界パターン幅２μｍ〜３μｍ以下の微細パ
ターンが必要とされ、このために、電子線或はＸ線を用
いたリソグラフィーが検討され、提案されている。
しかしながら、電子線或はＸ線を用いたリソグラフィー
は、電子線或はＸ線の偏向回路、機構が複雑であった。
は、電子線或はＸ線の偏向回路、機構が複雑であった。
このためフォトリソグラフィーに使用される紫外線の波
長を１８０ｎｍ〜３５０ｎｍに置き替えた所謂遠紫外線
を使用し、光学的な構成はフォトリソグラフィーに使用
されるものを利用して、１μｍ以下のパターンを容易に
形成できることが１９７５年にＢｕｒｎ−ｊｅｎｇ Ｌ
ｉｎにより提案された。
長を１８０ｎｍ〜３５０ｎｍに置き替えた所謂遠紫外線
を使用し、光学的な構成はフォトリソグラフィーに使用
されるものを利用して、１μｍ以下のパターンを容易に
形成できることが１９７５年にＢｕｒｎ−ｊｅｎｇ Ｌ
ｉｎにより提案された。
この遠紫外線リソグラフィーにおいて従来の紫外線リソ
グラフィーと同様にその波長域で感光するネガ型のレジ
ストとして、無水マレイン酸と、フロロアルキルビニル
エーテルとの共重合体のアリル化合物、或は、２−３ジ
ブロモプロピルアクリレート等が提案されている。
グラフィーと同様にその波長域で感光するネガ型のレジ
ストとして、無水マレイン酸と、フロロアルキルビニル
エーテルとの共重合体のアリル化合物、或は、２−３ジ
ブロモプロピルアクリレート等が提案されている。
しかしながら、これらネガ型レジストは、■解像度が悪
い■適正露光量が露光雰囲気によって大きく影響を受け
る、■保存安定性が悪い、等の欠点を有している。
い■適正露光量が露光雰囲気によって大きく影響を受け
る、■保存安定性が悪い、等の欠点を有している。
本発明の目的は以上の欠点を有さないパターン形成材料
でパターンを形成し得るパターン形成方法を提供するこ
とにある。
でパターンを形成し得るパターン形成方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するために本発明では、化学的ニ安定な
ジカルボン酸ジアリルエステル重合体を遠紫外線のパタ
ーン形成材料として使用したものである。
ジカルボン酸ジアリルエステル重合体を遠紫外線のパタ
ーン形成材料として使用したものである。
即ち、ジカルボン酸ジアリル重合体は一般式（１）で示
される脂肪族ジカルボン酸ジアリルとして・・・ＣＨ２
−ＣＨ−ＣＨ２−０ＣＯ（ＣＨ２）ｎＣＯＯ−ＣＨ２−
ＣＨ−ＣＨ２・・・・・・・・・（１）（但しｎ ＝
０〜８の整数） 例えばシュウ酸ジアリル、マロン酸ジアリル、コハク酸
ジアリル、グルクル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、
セバシン酸ジアリル また一般式（２）で示される芳香族ジカルボン酸ジアリ
ルとして・・・・・・・・・ （但し、Ａはフェニレン、ナフチレン） 例えば、フタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、テ
レフタル酸ジアリル、 更にその他に炭酸ジアリル、マレイン酸ジアリルが掲げ
られられる。
される脂肪族ジカルボン酸ジアリルとして・・・ＣＨ２
−ＣＨ−ＣＨ２−０ＣＯ（ＣＨ２）ｎＣＯＯ−ＣＨ２−
ＣＨ−ＣＨ２・・・・・・・・・（１）（但しｎ ＝
０〜８の整数） 例えばシュウ酸ジアリル、マロン酸ジアリル、コハク酸
ジアリル、グルクル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、
セバシン酸ジアリル また一般式（２）で示される芳香族ジカルボン酸ジアリ
ルとして・・・・・・・・・ （但し、Ａはフェニレン、ナフチレン） 例えば、フタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、テ
レフタル酸ジアリル、 更にその他に炭酸ジアリル、マレイン酸ジアリルが掲げ
られられる。
この中で、特に実用性の高い材料としては、フェニル基
を有する樹脂は一般に耐熱性が高いため、耐熱性の面か
ら考えると、芳香族ジカルボン酸ジアリル重合体が掲げ
られる。
を有する樹脂は一般に耐熱性が高いため、耐熱性の面か
ら考えると、芳香族ジカルボン酸ジアリル重合体が掲げ
られる。
また重合体の分子量Ｍｗの範囲は２０００〜５００００
０、数平均分子量Ｍｎと重量平均分子量Ｍｗの比である
分散度Ｍｗ／Ｍｎの範囲は１．０〜３．０が解像度の面
から好ましい事が見い出された。
０、数平均分子量Ｍｎと重量平均分子量Ｍｗの比である
分散度Ｍｗ／Ｍｎの範囲は１．０〜３．０が解像度の面
から好ましい事が見い出された。
また本レジスト材料の現像液としては、モノクロルベン
ゼンと酢酸イソアミルとの混合溶剤、ＭＩＢＫが使用で
きることが判った。
ゼンと酢酸イソアミルとの混合溶剤、ＭＩＢＫが使用で
きることが判った。
更に、ジカルボン酸ジアリルエステル重合体に含まれる
アリル基は、重合中に分子内環化を起こすため、アリル
含量が低下する。
アリル基は、重合中に分子内環化を起こすため、アリル
含量が低下する。
ここで使用されるレジストの好ましいアリル基含量は３
０〜９５モル係である。
０〜９５モル係である。
以下実施例により詳述する。
実施例、１
第１表に示すフタル酸ジアリルポリマー（以下ＤＡＰと
称する）およびイソフタル酸ジアリルポリマー（以下Ｄ
ＡＩと称する）を２−エトキシエチルアセテート２０ｗ
ｔ％の濃度にて溶解し、レジスト液とした。
称する）およびイソフタル酸ジアリルポリマー（以下Ｄ
ＡＩと称する）を２−エトキシエチルアセテート２０ｗ
ｔ％の濃度にて溶解し、レジスト液とした。
尚いずれのポリマーもアリル基の含量は６０モル係であ
った。
った。
これを熱酸化ＳｉＯ□（０，５μｍ）被膜のＳｉ基板に
スピンコードにて乾燥膜厚が０．５μｍになるように塗
布した。
スピンコードにて乾燥膜厚が０．５μｍになるように塗
布した。
これを８０°Ｃで３０分間窒素気流中にて熱処理し試料
ＤＡＰ１〜４、及びＤＡＩ−１とした。
ＤＡＰ１〜４、及びＤＡＩ−１とした。
この試料を２００ｗ重水素ランプにて露光した。
第１図にこの重水素ランプの波長人ｎｍ−相対エネルギ
ー特性を示す。
ー特性を示す。
同図より、この重水素ランプは波長１５０ｎｍ〜３５０
ｎｍ前後の遠紫外線領域にエネルギーが集中している事
が判る。
ｎｍ前後の遠紫外線領域にエネルギーが集中している事
が判る。
露光後モノクロルベンゼンと酢酸イソアミルとの混合溶
剤を現像液とし液温２０℃にて約１分間浸漬し現像した
。
剤を現像液とし液温２０℃にて約１分間浸漬し現像した
。
第２図は一般的なレジス゛トの露光量、残存膜厚特性を
示す。
示す。
レジストの感度は現像後にレジスト膜の残膜率が１００
係となるときの露光量人と定義し０．５μｍのＰＭＭＡ
を同一光源で露光しメチルイソブチルケトン／イソプロ
ピルアルコール＝１／３（容量比）（２０’Ｃ）で現像
し残存膜厚が零となるときの露光量を１としたときの相
対値を第１表に示した。
係となるときの露光量人と定義し０．５μｍのＰＭＭＡ
を同一光源で露光しメチルイソブチルケトン／イソプロ
ピルアルコール＝１／３（容量比）（２０’Ｃ）で現像
し残存膜厚が零となるときの露光量を１としたときの相
対値を第１表に示した。
レジストの分子量は分子量分布を高速液体クロ、マドグ
ラフィーにより求め標準ポリスチレンの検量線から線分
法により算出した。
ラフィーにより求め標準ポリスチレンの検量線から線分
法により算出した。
同表によれば本発明におけるレジストは分子量Ｍｗによ
り感度が変化するが一般のレジストよりも２桁程感度が
良い事が判る。
り感度が変化するが一般のレジストよりも２桁程感度が
良い事が判る。
第３図は、試料ＤＡＰ−１の紫外線吸収特性を示す。
尚、他の試料ＤＡＰ−２〜４、についても同様な特性で
あった事は言うまでもない。
あった事は言うまでもない。
この紫外線吸収特性は、第１図に示した重水素ランプの
光を照射した場合のレジストの透過率を示し、試料ＤＡ
Ｐ−１は、紫外線波長２５０ｎｍ〜３０５ｎｍの範囲で
紫外線を吸収し、この領域で感光するものである事を示
している。
光を照射した場合のレジストの透過率を示し、試料ＤＡ
Ｐ−１は、紫外線波長２５０ｎｍ〜３０５ｎｍの範囲で
紫外線を吸収し、この領域で感光するものである事を示
している。
実施例 ２
第２図において、本発明ではコントラストｒは残存膜厚
曲線の残存膜厚が５０係の時の残存膜厚曲線の露光量ｐ
ｇ５０と、残存膜厚曲線の直線部分を延長し、残存膜厚
が０チの時の露光量Ｄｇ０とを第（３）式に代入して得
られるものと定義する。
曲線の残存膜厚が５０係の時の残存膜厚曲線の露光量ｐ
ｇ５０と、残存膜厚曲線の直線部分を延長し、残存膜厚
が０チの時の露光量Ｄｇ０とを第（３）式に代入して得
られるものと定義する。
尚このコントラスＩ−ｆはほぼ、残存膜厚曲線の５０％
位置の傾きとみて良い。
位置の傾きとみて良い。
また２μｍのパターンを形成するためには、このコント
ラストが１以上有してないと、露光用マスクのエツジで
の遠紫外線の回折により不必要な部分のレジストまで露
光されることとなり、レジストには少なくともｒ二１以
上が必要となる。
ラストが１以上有してないと、露光用マスクのエツジで
の遠紫外線の回折により不必要な部分のレジストまで露
光されることとなり、レジストには少なくともｒ二１以
上が必要となる。
第４図は、レジストの分子量分布曲線を示す。
図中Ａは平均分子量Ｍｎ ＝ ６．６７ Ｘ １０３、
ＭＷ：４．２３×１０４、分散度６．３４のフタル酸ジ
アリルポリマーを実施例１と同様に２−エトキシエチル
アセテートに２０ ｗ ｔ％濃度にて溶解し、レジスト
液とした、レジスト材料（以下試料ＤＡＰ−５と称する
）の分子量分布曲線、またＢは、平均分子量Ｍｎ＝１．
１４Ｘ ］、 ０４、Ｍｗ＝ ２．９４ Ｘ １０’、
分散度２．５８のフタル酸ジアリルポリマーのレジスト
（以下試料ＤＡＰ−６と称する）の分子量分布曲線、Ｃ
は、実施例１の試料Ｄ Ａ、 Ｐ −２の分子量分布曲
線を示す。
ＭＷ：４．２３×１０４、分散度６．３４のフタル酸ジ
アリルポリマーを実施例１と同様に２−エトキシエチル
アセテートに２０ ｗ ｔ％濃度にて溶解し、レジスト
液とした、レジスト材料（以下試料ＤＡＰ−５と称する
）の分子量分布曲線、またＢは、平均分子量Ｍｎ＝１．
１４Ｘ ］、 ０４、Ｍｗ＝ ２．９４ Ｘ １０’、
分散度２．５８のフタル酸ジアリルポリマーのレジスト
（以下試料ＤＡＰ−６と称する）の分子量分布曲線、Ｃ
は、実施例１の試料Ｄ Ａ、 Ｐ −２の分子量分布曲
線を示す。
第５図は、第４図に用いた各試料ＤＡＰ−２、ＤＡＰ−
５、ＤＡＰ−Ｌ６の残存膜厚特性を示す。
５、ＤＡＰ−Ｌ６の残存膜厚特性を示す。
尚横軸は、ＰＭＭＡの感度を１とした場合の相対露光量
を示す。
を示す。
図中、Ａ、Ｂ、Ｃは第４図に用いたものと同一の試料を
指すものである。
指すものである。
第４図と、第５図とを検討すると、分子量分布の広いも
の、つまり分散度Ｍｗ／Ｍｎが大きいもの程、前述した
コントラストｒが良い事が判る。
の、つまり分散度Ｍｗ／Ｍｎが大きいもの程、前述した
コントラストｒが良い事が判る。
また分散度が３に近い試料ＤＡＰ−６は、コントラスト
ｒ＝１．２６であることから考察すると、分散度が３以
下となる分子量分布を持つジカルボン酸ジアリルエステ
ル重合体がコントラストの面から遠紫外線域に適するも
のであることが判る。
ｒ＝１．２６であることから考察すると、分散度が３以
下となる分子量分布を持つジカルボン酸ジアリルエステ
ル重合体がコントラストの面から遠紫外線域に適するも
のであることが判る。
尚、分散度６．３４の試料ＤＡＰ−５のコントラストｒ
は０．７９であり、分散度１．７２の試料ＤＡＰ−２の
コントラストｒは２．８４であった。
は０．７９であり、分散度１．７２の試料ＤＡＰ−２の
コントラストｒは２．８４であった。
更に第５図の残存膜厚特性を測定方法は、実施：例１と
同様な方法でＳｉ基板上に作成されたレジストに対し、
０．０６１ｎｃｈの厚みの合成石英製クロムマスクをバ
ードコンタクトし、露光し、１．０μｍの線パターンに
ついて測定したものである。
同様な方法でＳｉ基板上に作成されたレジストに対し、
０．０６１ｎｃｈの厚みの合成石英製クロムマスクをバ
ードコンタクトし、露光し、１．０μｍの線パターンに
ついて測定したものである。
実施例 ３
ジカルボン酸ジアリルエステル重合体のレジストに対す
る現像液を検討した。
る現像液を検討した。
′実施例１の各レジストＤＡＰ−１〜ＤＡＰ ４
、及びＤＡＩに対し、実施例１と同様の方法で０．５μ
ｍパターンを露光し、メチルインブチルケトンとメチル
エチルケトンとの混合した現像液（ＳＱＬ−１）、１−
２ジクロルエタン（ＳＯＬ−２）モノクロルベンゼン（
ＳＯＬ−３）、ジオキサン（ＳＱＬ−４）、シクロヘキ
サノン（ＳＱＬ−５）、酢酸ｎプロピル（ＳＱＬ−６）
、メチルエチルケトンとイソプロピルアルコールとを混
合した現像液（ＳＯＬ−７）、メチルエチルケトンとエ
チルアルコールとの混合溶剤（ＳＱＬ−８）、メチルイ
ソブチルケトン（ＳＱＬ−９）、及びモノクロルベンゼ
ンと酢酸イソアミルとの混合溶剤（ＳＯＬ−１０）を各
々使用して現像した。
、及びＤＡＩに対し、実施例１と同様の方法で０．５μ
ｍパターンを露光し、メチルインブチルケトンとメチル
エチルケトンとの混合した現像液（ＳＱＬ−１）、１−
２ジクロルエタン（ＳＯＬ−２）モノクロルベンゼン（
ＳＯＬ−３）、ジオキサン（ＳＱＬ−４）、シクロヘキ
サノン（ＳＱＬ−５）、酢酸ｎプロピル（ＳＱＬ−６）
、メチルエチルケトンとイソプロピルアルコールとを混
合した現像液（ＳＯＬ−７）、メチルエチルケトンとエ
チルアルコールとの混合溶剤（ＳＱＬ−８）、メチルイ
ソブチルケトン（ＳＱＬ−９）、及びモノクロルベンゼ
ンと酢酸イソアミルとの混合溶剤（ＳＯＬ−１０）を各
々使用して現像した。
尚現像条件は、各々液温２０℃にて約１分間浸漬した。
結果を第２表に示す。第２表によれば現像液としては溶
剤５ＯＬ９゜５ＱＬＩＯが良い事が判る。
剤５ＯＬ９゜５ＱＬＩＯが良い事が判る。
実施例 ４
ＤＡＰ−１のＣＦ４ガスによるプラズマエツチングを行
なった平行平板電極型のプラズマエツチング装置を用い
１３．５６ ＭＨｚの高周波で印加電力１５０ｗＣＦ４
ガス圧０．０６ Ｔｏｒｒの条件でエツチングを行なっ
た。
なった平行平板電極型のプラズマエツチング装置を用い
１３．５６ ＭＨｚの高周波で印加電力１５０ｗＣＦ４
ガス圧０．０６ Ｔｏｒｒの条件でエツチングを行なっ
た。
ＡＺ−１３５０Ｊのエツチング速度を１としたときの相
対速度比を第２表に示す。
対速度比を第２表に示す。
第２表よりＤＡＰはＡＺ−１３５０Ｊ相当の優れた耐ド
ライエツチング性を有することがわかる第−表に した
レジストも同等の特性を有する。
ライエツチング性を有することがわかる第−表に した
レジストも同等の特性を有する。
以上説明した様に本発明によれば、遠紫外線を、ジカル
ボン酸ジアリルエステル重合体に照射して露光し、現像
することにより、現像度の高い、つまりコントラストｒ
の高い、しかも感度の良く、微細なパターンが作成でき
る。
ボン酸ジアリルエステル重合体に照射して露光し、現像
することにより、現像度の高い、つまりコントラストｒ
の高い、しかも感度の良く、微細なパターンが作成でき
る。
第１図は本発明の実施例に使用される重水素ランプのエ
ネルギー分布図、第２図は露光量に対する残存膜厚特性
説明図、第３図はレジストの紫外線吸収特性を示す図、
第４図は分子量分布図、第５図は本発明の実施例に使用
されるジカルボン酸ジアリル重合体の残存膜厚特性図で
ある。
ネルギー分布図、第２図は露光量に対する残存膜厚特性
説明図、第３図はレジストの紫外線吸収特性を示す図、
第４図は分子量分布図、第５図は本発明の実施例に使用
されるジカルボン酸ジアリル重合体の残存膜厚特性図で
ある。
Claims (1)
- １ 基板上に重量平均分子量Ｍｗが２０００〜５０００
００で数平均分子量Ｍｎと、重量平均分子量Ｍｗとの比
である分散度Ｍｗ／Ｍｎが１．０〜３．０であるジカル
ボン酸ジアリルエステル重合体のレジスト膜を形成する
工程と、該レジスト膜に１８０〜３５０ｎｍの波長の遠
紫外線を形成すべきパターンに応じて照射して露光する
工程と、該露光されたレジスト膜を現象せしめる工程と
を有する事を特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53156136A JPS5820420B2 (ja) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | パタ−ン形成方法 |
| US06/101,688 US4267258A (en) | 1978-12-15 | 1979-12-10 | Negative type deep ultraviolet resist |
| DE2950212A DE2950212C2 (de) | 1978-12-15 | 1979-12-13 | Photovernetzbares Polymer für die Herstellung von Resiststrukturen mit kurzwelligem UV-Licht und Verfahren zur Herstellung einer Maske mit einem photovernetzbaren Polymer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53156136A JPS5820420B2 (ja) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5582437A JPS5582437A (en) | 1980-06-21 |
| JPS5820420B2 true JPS5820420B2 (ja) | 1983-04-22 |
Family
ID=15621103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53156136A Expired JPS5820420B2 (ja) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4267258A (ja) |
| JP (1) | JPS5820420B2 (ja) |
| DE (1) | DE2950212C2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129212A (en) * | 1980-03-13 | 1981-10-09 | Toray Ind Inc | Photosensitive polyamide resin composition |
| JPS5730829A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Hitachi Ltd | Micropattern formation method |
| US4318976A (en) * | 1980-10-27 | 1982-03-09 | Texas Instruments Incorporated | High gel rigidity, negative electron beam resists |
| JPS57109943A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of submicron pattern using radiation sensitive resist |
| JPS5872139A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-04-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性材料 |
| JP2711590B2 (ja) * | 1990-09-13 | 1998-02-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| US5496685A (en) * | 1993-09-17 | 1996-03-05 | Chase Elastomer Corporation | Photosensitive compositions and elements for flexographic printing |
| JP4554665B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
| US8637229B2 (en) * | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
| US8530148B2 (en) * | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
| JP4562784B2 (ja) | 2007-04-13 | 2010-10-13 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液 |
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