JPS58204824A - 硫化亜鉛系薄膜の製造方法 - Google Patents
硫化亜鉛系薄膜の製造方法Info
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- JPS58204824A JPS58204824A JP57089045A JP8904582A JPS58204824A JP S58204824 A JPS58204824 A JP S58204824A JP 57089045 A JP57089045 A JP 57089045A JP 8904582 A JP8904582 A JP 8904582A JP S58204824 A JPS58204824 A JP S58204824A
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- Japan
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- zinc sulfide
- thin film
- sulfide
- producing
- sintered body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、硫化亜鉛系薄膜の製造方法に関し、とりわけ
、薄膜中に微小粒子や、ピンホールを含まない均質で高
品質な硫化亜鉛系薄膜の製造方法に関するものである。
、薄膜中に微小粒子や、ピンホールを含まない均質で高
品質な硫化亜鉛系薄膜の製造方法に関するものである。
従来、硫化亜鉛系薄膜は、硫化亜鉛系焼結体を電子ビー
ム蒸着することにより形成されていた。
ム蒸着することにより形成されていた。
この除用いる硫化亜鉛系焼結体は、硫化亜鉛粉末まだは
Ｍｎ 、 Ｃｕ 、 Ｔｂ Ｆ３などの活性物質を
含む硫化亜鉛粉末を、たとえば４００ 驚ｔ７Ｄ、圧力
で成形し、不活性ガスまたは硫化水素を含む不活性ガス
中で、１０００℃〜１２００℃の温度で、１〜３時間焼
成することにより形成されていた。このように形成した
硫化亜鉛系焼結体に′ＩＥイビーノ・をｉｊｊ＋射し、
加熱蒸発させ、硫化１１弓イ）系薄膜を形成した場合、
薄膜中に１〜２０ミクロンの粒径の微小れ“ｆｒやビン
ポールが生ずるという欠点があった。寸たこのような薄
膜をＥＬ薄膜として応用した場合、微小粒−ｒやピンホ
ールがＢ；（因となり、絶縁破壊を引き起し、安定なＫ
Ｌ素了を形成することができない４、このように薄膜中
に微小粒子やピンホールを生ずる原因は、従来の方法で
作成した硫化亜１イ）糸焼結体が理論密度の６ｏ〜７５
％程度の密度しかなく、壕だ値化亜鉛系焼結体は高７品
で＋ｆｐ ４（＋蒸発するため、電子ビームを照射した
とき、硫化亜鉛系焼結体が帯電し、静−１（的反全力に
より巖小ｆａｒ了が飛ｉｆ＋ シ、基板表面に付着する
ためと名えられる。。
Ｍｎ 、 Ｃｕ 、 Ｔｂ Ｆ３などの活性物質を
含む硫化亜鉛粉末を、たとえば４００ 驚ｔ７Ｄ、圧力
で成形し、不活性ガスまたは硫化水素を含む不活性ガス
中で、１０００℃〜１２００℃の温度で、１〜３時間焼
成することにより形成されていた。このように形成した
硫化亜鉛系焼結体に′ＩＥイビーノ・をｉｊｊ＋射し、
加熱蒸発させ、硫化１１弓イ）系薄膜を形成した場合、
薄膜中に１〜２０ミクロンの粒径の微小れ“ｆｒやビン
ポールが生ずるという欠点があった。寸たこのような薄
膜をＥＬ薄膜として応用した場合、微小粒−ｒやピンホ
ールがＢ；（因となり、絶縁破壊を引き起し、安定なＫ
Ｌ素了を形成することができない４、このように薄膜中
に微小粒子やピンホールを生ずる原因は、従来の方法で
作成した硫化亜１イ）糸焼結体が理論密度の６ｏ〜７５
％程度の密度しかなく、壕だ値化亜鉛系焼結体は高７品
で＋ｆｐ ４（＋蒸発するため、電子ビームを照射した
とき、硫化亜鉛系焼結体が帯電し、静−１（的反全力に
より巖小ｆａｒ了が飛ｉｆ＋ シ、基板表面に付着する
ためと名えられる。。
本発明は」−記従来技術にもとづき硫化亜鉛を主成分と
する粉末に、アルカリ金属またはアルカリ土 類金属を添加して、不活性ガスまたは硫化雰囲気中で熱
処理することにより形成した硫化ｉ′ＩＮ鉛系焼結体に
電子ビームを照射し、加熱蒸発させる、いわゆる電子ビ
ーム蒸着を行ない薄膜中の微小粒子やピンホールが皆無
に近い高品質で均質な硫化亜鉛系薄膜が形成するもので
ある。
する粉末に、アルカリ金属またはアルカリ土 類金属を添加して、不活性ガスまたは硫化雰囲気中で熱
処理することにより形成した硫化ｉ′ＩＮ鉛系焼結体に
電子ビームを照射し、加熱蒸発させる、いわゆる電子ビ
ーム蒸着を行ない薄膜中の微小粒子やピンホールが皆無
に近い高品質で均質な硫化亜鉛系薄膜が形成するもので
ある。
このような方法で作成した硫化亜鉛系焼結体は、密度が
高く、粒径が大きいだめ、電子ビームを照射した場合、
昇華が焼結体表面から一様に起るため上記特性を得られ
ると考えられる、３また添加するアルカリ金属としては
、Ｌｉ、 Ｎａ、 Ｋ、 Ｒｂ。
高く、粒径が大きいだめ、電子ビームを照射した場合、
昇華が焼結体表面から一様に起るため上記特性を得られ
ると考えられる、３また添加するアルカリ金属としては
、Ｌｉ、 Ｎａ、 Ｋ、 Ｒｂ。
Ｏｓが有効であり、添加量としては亜鉛に対する濃度が
０・１〜２原子係が適当であった。つまり、０・１％以
下では効果が微弱であり、２係以」−では焼成時にボー
トと反応する欠点があった。アルカリ土類金、犀として
は、Ｃａ、 Ｍｇ、 Ｓｒ、 Ｂａ が有効であり、添
加４１）としては、亜鉛に対する濃度が０−０２〜２原
子係が適当であった。つまりＯ−０２原子係以Ｆでは効
果が微弱であり、２原子係より」二では焼成時にボート
と反応する欠点があった。また硫化亜鉛系焼結体中に、
Ｍｎ、 Ｃｕ、 Ａｇ、 Ａｌ、 Ｔｂ＋ Ｄｙ＋Ｅｒ
、 Ｐｒ、 Ｓｍ、 Ｈａ、 Ｔｍ またはこれらノハ
ロゲン化物のうち少なくとも１種類以上を含む場合にお
いても、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の添加が
イＳ゛幼である。
０・１〜２原子係が適当であった。つまり、０・１％以
下では効果が微弱であり、２係以」−では焼成時にボー
トと反応する欠点があった。アルカリ土類金、犀として
は、Ｃａ、 Ｍｇ、 Ｓｒ、 Ｂａ が有効であり、添
加４１）としては、亜鉛に対する濃度が０−０２〜２原
子係が適当であった。つまりＯ−０２原子係以Ｆでは効
果が微弱であり、２原子係より」二では焼成時にボート
と反応する欠点があった。また硫化亜鉛系焼結体中に、
Ｍｎ、 Ｃｕ、 Ａｇ、 Ａｌ、 Ｔｂ＋ Ｄｙ＋Ｅｒ
、 Ｐｒ、 Ｓｍ、 Ｈａ、 Ｔｍ またはこれらノハ
ロゲン化物のうち少なくとも１種類以上を含む場合にお
いても、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の添加が
イＳ゛幼である。
以１ぐ実施例により説明する３、市販の硫化亜鉛粉末（
粒径ｏ１〜１・５ミクロン）に、種々のアルカリ金属化
合物やアルカリ土類金属化合物を添加し、乳鉢により混
合した後、約１０重量係の水を加え、さらに混合した後
造粒した。この粉末を４００贅の圧力で成形し７、的径
１６Ｍ、厚さ１ｏｕの円柱体とし、これを硫ｆ１１雰囲
気まだは不活性ガス雰囲−（中で、１０００〜１２ｏＯ
℃の温度で、１時間のすｑ７成を行なった。第１表に、
使用したアルカリ金属化合物捷たはアルカリ土類金属化
合物の種類および濃度、焼成雰囲気、焼成温度、焼成時
間、および得られた硫化亜鉛系焼結体の密度（理論密度
に対する割合）を示す。
粒径ｏ１〜１・５ミクロン）に、種々のアルカリ金属化
合物やアルカリ土類金属化合物を添加し、乳鉢により混
合した後、約１０重量係の水を加え、さらに混合した後
造粒した。この粉末を４００贅の圧力で成形し７、的径
１６Ｍ、厚さ１ｏｕの円柱体とし、これを硫ｆ１１雰囲
気まだは不活性ガス雰囲−（中で、１０００〜１２ｏＯ
℃の温度で、１時間のすｑ７成を行なった。第１表に、
使用したアルカリ金属化合物捷たはアルカリ土類金属化
合物の種類および濃度、焼成雰囲気、焼成温度、焼成時
間、および得られた硫化亜鉛系焼結体の密度（理論密度
に対する割合）を示す。
表から判るように得られた焼結体の密度は、理論密度の
９０％以上であった。この焼結体を用いて、電子ビーム
ｌにより硫化亜鉛系薄膜を形成したところ、従来の製法
の硫化ｉ１１’ｊ鉛系焼結体を用いて同様に形成した薄
膜に比べて、薄膜中の微小粒子やピンホールの数が激減
し、高品質で均質な硫化亜鉛系薄膜を形成することがで
きた。
９０％以上であった。この焼結体を用いて、電子ビーム
ｌにより硫化亜鉛系薄膜を形成したところ、従来の製法
の硫化ｉ１１’ｊ鉛系焼結体を用いて同様に形成した薄
膜に比べて、薄膜中の微小粒子やピンホールの数が激減
し、高品質で均質な硫化亜鉛系薄膜を形成することがで
きた。
また図面に示すようなＥＬ素子のＥＬ発光体層４を０・
０３原子％の塩化バリウムを含む硫化亜鉛系焼結体を電
子ビーム蒸着し、同時に抵抗加熱によりＭｎを蒸着し、
０８原子係のＭｎを含む硫化！ＩＩ（鉛薄膜で形成し、
発光特性を測定した結果、微小な絶縁破壊も極めて少な
く、安定なＥＬ素子であることが判明した。
０３原子％の塩化バリウムを含む硫化亜鉛系焼結体を電
子ビーム蒸着し、同時に抵抗加熱によりＭｎを蒸着し、
０８原子係のＭｎを含む硫化！ＩＩ（鉛薄膜で形成し、
発光特性を測定した結果、微小な絶縁破壊も極めて少な
く、安定なＥＬ素子であることが判明した。
以 下 余 白
以上のように、本発明の製法によれば、ピンホールや微
小付着物が極めて少なく良質の硫化亜鉛系薄膜が再現性
よく形成でき、光学薄膜、螢光体薄膜、ＫＬ薄膜として
応用した場合、光学特性や安定ゼＩの優れた素子を形成
することができる。
小付着物が極めて少なく良質の硫化亜鉛系薄膜が再現性
よく形成でき、光学薄膜、螢光体薄膜、ＫＬ薄膜として
応用した場合、光学特性や安定ゼＩの優れた素子を形成
することができる。
図面は、本発明の一実施例の製造方法により形成された
ＥＬ素子の構造を示す図である。 １・・・・・ガラス基板、２・・・・・透明電極、３・
・・・・・酸化イツトリウム薄膜、４・・・・・・マン
ガン付活硫化亜鉛薄膜、５・・・・・・酸化イソ１−リ
ウム薄膜、６・・・・・・アルシミニウム電擾。
ＥＬ素子の構造を示す図である。 １・・・・・ガラス基板、２・・・・・透明電極、３・
・・・・・酸化イツトリウム薄膜、４・・・・・・マン
ガン付活硫化亜鉛薄膜、５・・・・・・酸化イソ１−リ
ウム薄膜、６・・・・・・アルシミニウム電擾。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 硫化亜鉛を主成分とし、アルカリ金属、
またはアルカリ土類金属の内から少なくとも一種類以上
を含有する硫化亜鉛系焼結体に゛＋１ｊ−ｒビームを照
射し、前記硫化亜鉛系焼結体を加熱蒸発させ、基板−１
−に硫化亜ＩＷＩ糸薄膜を堆積させることを特徴とする
硫化亜鉛系薄膜の製造方法。 （２）前記硫化亜鉛系焼結体が、Ｍｎ、 Ｃｕ、 ｋｇ
、 Ａｌ＋Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｅｒ、 Ｐｒ、 Ｓｍ＋
Ｈｏ、 Ｔｍ 、またはこれらのハｔ」ゲン化物のうち
少なくとも１１・１類以１．を含むことを特徴とする特
許１１゛１求の範囲第１項に記載の硫化亜鉛系薄膜の製
造方法。 （３） 前記７／Ｌ’カリ金属が、Ｌｉ、 Ｎａ、
Ｋ、 Ｆｌｂｌ Ｃｓより成ることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の硫化亜鉛系薄膜の製造方法。 （４）前記アルカリ金属の亜鉛に対する濃度が０・１〜
２原子チであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の硫化亜鉛系薄膜の製造方法。 （６）前記７／Ｌ’カリ土類金属が、Ｃａ、 Ｍｇ、
Ｓｒ、 Ｂａより成ることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の硫化亜鉛系薄膜の製造方法。 亜鉛系薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089045A JPS58204824A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 硫化亜鉛系薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089045A JPS58204824A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 硫化亜鉛系薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204824A true JPS58204824A (ja) | 1983-11-29 |
| JPH0517170B2 JPH0517170B2 (ja) | 1993-03-08 |
Family
ID=13959914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089045A Granted JPS58204824A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | 硫化亜鉛系薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939189B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-09-06 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a patterned phosphor structure for an electroluminescent laminate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5186088A (en) * | 1975-01-27 | 1976-07-28 | Sharp Kk | Sekishokuhatsukoerekutorominesensuhakumakunoseiseiho |
| JPS53108293A (en) * | 1977-12-12 | 1978-09-20 | Sharp Corp | Electroluminescence thin film element |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP57089045A patent/JPS58204824A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5186088A (en) * | 1975-01-27 | 1976-07-28 | Sharp Kk | Sekishokuhatsukoerekutorominesensuhakumakunoseiseiho |
| JPS53108293A (en) * | 1977-12-12 | 1978-09-20 | Sharp Corp | Electroluminescence thin film element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939189B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-09-06 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a patterned phosphor structure for an electroluminescent laminate |
| US7427422B2 (en) | 1999-05-14 | 2008-09-23 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a thick film dielectric layer in an electroluminescent laminate |
| US7586256B2 (en) | 1999-05-14 | 2009-09-08 | Ifire Ip Corporation | Combined substrate and dielectric layer component for use in an electroluminescent laminate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0517170B2 (ja) | 1993-03-08 |
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