JPS582057Y2 - 半導体素子マウント構造 - Google Patents
半導体素子マウント構造Info
- Publication number
- JPS582057Y2 JPS582057Y2 JP1977054890U JP5489077U JPS582057Y2 JP S582057 Y2 JPS582057 Y2 JP S582057Y2 JP 1977054890 U JP1977054890 U JP 1977054890U JP 5489077 U JP5489077 U JP 5489077U JP S582057 Y2 JPS582057 Y2 JP S582057Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- holder
- electrode
- stud
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は発振器、増幅器等の電子機器において高周波の
電波が通る導波管中にダイオード等の半導体素子を配置
する半導体素子マウント構造に係り、特に半導体素子を
安定的に保持させるものに関する。
電波が通る導波管中にダイオード等の半導体素子を配置
する半導体素子マウント構造に係り、特に半導体素子を
安定的に保持させるものに関する。
従来導波管中でダイオード等の半導体素子を保持させる
場合には、半導体素子の一方の電極の側をスタッドにチ
ャック機構で支持したりまたは直接半田付は等で個着し
、その他方の電極の側にホルダを当て・半導体素子を挾
持するように構成されている。
場合には、半導体素子の一方の電極の側をスタッドにチ
ャック機構で支持したりまたは直接半田付は等で個着し
、その他方の電極の側にホルダを当て・半導体素子を挾
持するように構成されている。
ところで一般に市販されているビル形ダイオード等では
製造の際の誤差で両電極が最大Ｑ、２ｍｍ位偏心してお
り、前述の従来構造のように半導体素子の両電極をスタ
ッドとホルダで単に挟持するだけではこの両電極の偏心
を吸収することができず、このため半導体素子に曲げ応
力が作用して破損させる危惧があった。
製造の際の誤差で両電極が最大Ｑ、２ｍｍ位偏心してお
り、前述の従来構造のように半導体素子の両電極をスタ
ッドとホルダで単に挟持するだけではこの両電極の偏心
を吸収することができず、このため半導体素子に曲げ応
力が作用して破損させる危惧があった。
また半導体素子の他方の電極とホルダは平面で接触して
いるため、外部から振動が加わった場合に両者の接触部
がずれて電気的特性がそのとき不安定になるという不具
合があった。
いるため、外部から振動が加わった場合に両者の接触部
がずれて電気的特性がそのとき不安定になるという不具
合があった。
本考案はこのような不具合を解消することを目的とする
もので、半導体素子の一方の電極をスタッドに固定する
場合にホルダ側の他方の電極と芯合わせして両電極の偏
心を吸収し、半導体素子の他方の電極をホルダ先端のテ
ーパまたは円弧の付いた凹所に嵌合させて両者の接触部
のずれを防ぎ、更にホルダにばね力を付勢して半導体素
子を弾性的に押圧し、ホルダ自体を支持体の蓋の部分で
左右にガタを生じないように支持した半導体素子マウン
ト構造を提供するものである。
もので、半導体素子の一方の電極をスタッドに固定する
場合にホルダ側の他方の電極と芯合わせして両電極の偏
心を吸収し、半導体素子の他方の電極をホルダ先端のテ
ーパまたは円弧の付いた凹所に嵌合させて両者の接触部
のずれを防ぎ、更にホルダにばね力を付勢して半導体素
子を弾性的に押圧し、ホルダ自体を支持体の蓋の部分で
左右にガタを生じないように支持した半導体素子マウン
ト構造を提供するものである。
以下に本考案を図面の実施例により説明する。
第１図に本考案を発振器に適用した場合の実施例が示さ
れており、筐体１の内部の高周波電波を通す矩形状の導
波管２の途中に直交した状態でスタッド３がねじ込まれ
ると共にホルダ４を具備する支持体５が一部挿入してね
し止めされ、これらにより後述するように半導体素子を
保持するように構成されている。
れており、筐体１の内部の高周波電波を通す矩形状の導
波管２の途中に直交した状態でスタッド３がねじ込まれ
ると共にホルダ４を具備する支持体５が一部挿入してね
し止めされ、これらにより後述するように半導体素子を
保持するように構成されている。
また筐体１の一方には導波管２と連通した状態でキャビ
ティ６が取付けられており、このキャビティ６で発振後
の電波の所定の周波数のみを取出すようになっている。
ティ６が取付けられており、このキャビティ６で発振後
の電波の所定の周波数のみを取出すようになっている。
次いで第２図において、筐体１の導波管２と直交するマ
ウント孔７の一方にスタッド３がねじ込まれ、このスタ
ッド３の先端の電極挿入孔９に半導体素子１０の一方の
電極１０ ａが一部挿入して半田付けされている。
ウント孔７の一方にスタッド３がねじ込まれ、このスタ
ッド３の先端の電極挿入孔９に半導体素子１０の一方の
電極１０ ａが一部挿入して半田付けされている。
この場合に電極挿入孔９の孔径は予め電極１０ ａの外
径よす０．１〜０．２ｍｍ位大きくなっており、電極挿
入孔９と半導体素子１０のホルダ側の他方の電極１０
ｂが同軸上に位置すべく芯合わせして半田付けされる。
径よす０．１〜０．２ｍｍ位大きくなっており、電極挿
入孔９と半導体素子１０のホルダ側の他方の電極１０
ｂが同軸上に位置すべく芯合わせして半田付けされる。
またスタッド３の反対側に設けられるホルダ４の先端に
は９０’または１２０°のテーパの付いた円錐形の凹部
１１が形成され、この凹部１１に半導体素子１０の電極
１０ ｂを嵌合して外部から振動等が加わった場合にも
両者の接触部が左右にずれないように保持されている。
は９０’または１２０°のテーパの付いた円錐形の凹部
１１が形成され、この凹部１１に半導体素子１０の電極
１０ ｂを嵌合して外部から振動等が加わった場合にも
両者の接触部が左右にずれないように保持されている。
筐体１においてホルダ４の周囲には径の大きい段付きの
孔１２が明けられ、この孔１２の内部に一部挿入した状
態で筒状の支持体５がスペーサ１４を挾んでねし止めさ
れており、ホルダ４と支持体５との間に誘電体のラジア
ルフィルタ１５、電波吸収体１６が装着されている。
孔１２が明けられ、この孔１２の内部に一部挿入した状
態で筒状の支持体５がスペーサ１４を挾んでねし止めさ
れており、ホルダ４と支持体５との間に誘電体のラジア
ルフィルタ１５、電波吸収体１６が装着されている。
更に支持体５には蓋１７が被せられ、この蓋１７とホル
ダ４のフランジ１８との間にばね１９がホルダ４を半導
体素子１０の方へ弾性的に押圧すべく設けられ、ホルダ
４の端部に被装された絶縁ブツシュ１３が蓋１７の孔８
に緊密に嵌込まれる。
ダ４のフランジ１８との間にばね１９がホルダ４を半導
体素子１０の方へ弾性的に押圧すべく設けられ、ホルダ
４の端部に被装された絶縁ブツシュ１３が蓋１７の孔８
に緊密に嵌込まれる。
かくして本考案の半導体素子マウント構造によると、半
導体素子１０のホルダ側の電極１０ｂとそれを押付ける
ホルダ４が芯合わせされて同軸上に接するので、これに
より両電極１０ａ、と１０ｂの偏心が実質的に吸収され
た状態になって従来のような曲げ応力は作用したくなり
半導体素子１０の耐久性が増す。
導体素子１０のホルダ側の電極１０ｂとそれを押付ける
ホルダ４が芯合わせされて同軸上に接するので、これに
より両電極１０ａ、と１０ｂの偏心が実質的に吸収され
た状態になって従来のような曲げ応力は作用したくなり
半導体素子１０の耐久性が増す。
またホルダ４は蓋１７の孔８との嵌合でガタ付かないよ
うに支持され、この状態でばね１９のばね力で押されて
先端の凹部１１を半導体素子１０の電極１０ｂに嵌合す
るようになっているので、ホルダ４と電極１０ｂの接触
が著しく確実且つ安定したものになり、電気的特性の安
定化が計られる。
うに支持され、この状態でばね１９のばね力で押されて
先端の凹部１１を半導体素子１０の電極１０ｂに嵌合す
るようになっているので、ホルダ４と電極１０ｂの接触
が著しく確実且つ安定したものになり、電気的特性の安
定化が計られる。
従って発振器等の電子機器の信頼性が一層向上する。
なお、ホルダ４の先端の凹部１１の形状は実施例のよう
にテーパの付いた円錐形のもの以外に、円弧の付いた半
球状のものでも可能である。
にテーパの付いた円錐形のもの以外に、円弧の付いた半
球状のものでも可能である。
第１図は本考案が適用される一例の発信器の外観を示す
側面図、第２図は本考案による半導体素子マウント構造
の一実施例を示す断面図である。 １・・・・・・筐体、２・・・・・・導波管、３・・・
・・・スタッド、４・・・・・・ホルダ、５・・・・・
・支持体、６・・・・・・キャビティ、７・・・・・・
マウント孔、８・・・・・・孔、９・・・・・・電極挿
入孔、１０・・・・・・半導体素子、１０ ａ 、１０
ｂ・・・・・・電極、１１・・・・・・凹部、１２・
・・・・・孔、１３・・・・・・絶縁ブツシュ、１４・
・・・・・スペーサ、１５・・・・・・ラジアルフィル
タ、１６・・・・・・電波吸収体、１７・・・・・・蓋
、１８・・・・・・フランジ、１９・・・・・・ねじ。
側面図、第２図は本考案による半導体素子マウント構造
の一実施例を示す断面図である。 １・・・・・・筐体、２・・・・・・導波管、３・・・
・・・スタッド、４・・・・・・ホルダ、５・・・・・
・支持体、６・・・・・・キャビティ、７・・・・・・
マウント孔、８・・・・・・孔、９・・・・・・電極挿
入孔、１０・・・・・・半導体素子、１０ ａ 、１０
ｂ・・・・・・電極、１１・・・・・・凹部、１２・
・・・・・孔、１３・・・・・・絶縁ブツシュ、１４・
・・・・・スペーサ、１５・・・・・・ラジアルフィル
タ、１６・・・・・・電波吸収体、１７・・・・・・蓋
、１８・・・・・・フランジ、１９・・・・・・ねじ。
Claims (1)
- 筐体の導波管と直交するマウント孔にスタッドがねじ込
まれ、かつ、ホルダにばね力が付勢されると共に該ホル
ダ自体が支持体の蓋の部分に支持される構造において、
該スタッドに半導体素子の一方の電極がホルダ側の他方
の電極と芯合わせして固着され、該他方の円柱形状の電
極にホルダの先端のテーパ付凹部が接触するように構成
したことを特徴とする半導体素子マウント構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977054890U JPS582057Y2 (ja) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | 半導体素子マウント構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977054890U JPS582057Y2 (ja) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | 半導体素子マウント構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53149559U JPS53149559U (ja) | 1978-11-25 |
| JPS582057Y2 true JPS582057Y2 (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=28950050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977054890U Expired JPS582057Y2 (ja) | 1977-04-28 | 1977-04-28 | 半導体素子マウント構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582057Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5531819Y2 (ja) * | 1975-04-14 | 1980-07-29 |
-
1977
- 1977-04-28 JP JP1977054890U patent/JPS582057Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53149559U (ja) | 1978-11-25 |
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