JPS58206167A - 電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS58206167A JPS58206167A JP57087988A JP8798882A JPS58206167A JP S58206167 A JPS58206167 A JP S58206167A JP 57087988 A JP57087988 A JP 57087988A JP 8798882 A JP8798882 A JP 8798882A JP S58206167 A JPS58206167 A JP S58206167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- impurity
- train
- active
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
不発明は化合物半導体４川いた、ショットヤ接曾形竃介
ｊｆＪＪ釆トフン／スタの製造方法Ｖ（関丁ゐものてあ
る。 従来，化付物牛尋体？用いｆ（ショット−？接台形電界
幼米トラン７スタ（以十に″ＥＴと略−→リは、ソース
電極ータート屯惨曲及ひケート＊蝉−トレイン＊ ’ｔ
ｅｌ １０１の抵りしくＲお、ＲＧゎと略−ｊ９か篩く
、こ７＋４低減フるため、抛々の方法か試みられている
。叱ｑノー・ψυ忙第１凶にホ１゜この使木技術では牛
杷蘇汁ＧａＡｓ基板１１ ｆＣ能１１２年イオン江人ｆ
ｈで杉成し、次に、１’ｉＷ或は１’１ＷＳｉといった
簡耐熱扛會自丁ゐケート電極１３を杉成し、このゲート
電極１３ケマスクとして能動層１２と同一の４奄型ヒ狗
ゐ不純物ン尚磯度ｆＣイオ／ｌＦ：人（、てソース鎖板
１４ 、ドレイン領域１５會杉成
ｊｆＪＪ釆トフン／スタの製造方法Ｖ（関丁ゐものてあ
る。 従来，化付物牛尋体？用いｆ（ショット−？接台形電界
幼米トラン７スタ（以十に″ＥＴと略−→リは、ソース
電極ータート屯惨曲及ひケート＊蝉−トレイン＊ ’ｔ
ｅｌ １０１の抵りしくＲお、ＲＧゎと略−ｊ９か篩く
、こ７＋４低減フるため、抛々の方法か試みられている
。叱ｑノー・ψυ忙第１凶にホ１゜この使木技術では牛
杷蘇汁ＧａＡｓ基板１１ ｆＣ能１１２年イオン江人ｆ
ｈで杉成し、次に、１’ｉＷ或は１’１ＷＳｉといった
簡耐熱扛會自丁ゐケート電極１３を杉成し、このゲート
電極１３ケマスクとして能動層１２と同一の４奄型ヒ狗
ゐ不純物ン尚磯度ｆＣイオ／ｌＦ：人（、てソース鎖板
１４ 、ドレイン領域１５會杉成
【−ていた。この方法
では、ソース領域１４及びトレイン領域１５の粘性化の
ため８ｏＯ℃でｌｏ分間程度の熱処理力・必散となり、
従ってケート電極１３ｔ：１この熱処理ケ受りても劣化
しｌいことが必費となリケード用句不４ ｒｃｉｉｌｌ
眠を受灯る。−カｈ １’ｉＷ或いｎ ’ｉ’１Ｗｓｉ
ｆ：Ｊ、 、 Ｍｏ 、 Ａ／、 、 ’ｌ’１ ％
と比軟〔て、抵抗か５〜和倍以上尚いため、ケート抵抗
の低減か難しくｂｈ’Ｅ’ｆ’（／、）尚周肢特性が劣
化してしビ□゛ １９という欠点を会していた。また、この従来蚊術ては
、４１２６人俵の高温熱処理會れるだＵ）、用い侍る半
導１４−能動層１２に、Ｉｒ＝ＪじくイオンＬｉ人法Ｖ
Ｃより杉成さｔｌだものでｌｖフれはならう、エヒタキ
シャル成長されｌこ能動層に幼し、てｒＪ、堰用てさｌ
いといワ欠点紮勺し−Ｃいた０本発明はこれらの欠点ケ
ｍ次するため菌担捧峡度層ケ４５０〜７５０℃という比
較的低温の熱処理により形成することかでさ、〃・つ、
ケート′屯憔會低抵抗の金Ｊ！ＩｉＩ鳩で杉成出来る↓
うｅ（することケ目的と丁ゐものである○ 明記の目的を通威すゐＩＣめ、本発明は化音物牛尋捧基
板士Ｖｃ能動ｌ−ケ形成する１桿と、該ｌヒＩｆｌ＋Ｉ
曽ＶＣ対してショットキ接合４得る向ｊ熱むのりゐ金鵬
層會全面ＶＣ伝瘉する上（ｉと、ソース及びトレインと
なる饋城のし金一層を選択的に味ムする工程と、該能動
層と同一の導電型と１１４＋小糾−を宮令する妨奄体層
忙扱盾するＪ−６：と、姥ａ８ｉｋ体層〃・ら該金輪ｌ
−４マスクとして前６Ｃ不純物ゲ仏畝１−該狗し鯛ｌ曽
のソース及びトレインとなる鎖酸に担体＊度の尚い題城
會杉成する工程とτ含わ・ことを特徴と丁／）％界効呆
トン／ンスタの裟負号法を発明の較旨とするものである
〇〆ＶＣ４−発明の実施ｖす？碓隋図囲につい−【直切
する。なお天ｂ？＋νり番、１−・つの伊リボであ′ニ
ノて、奎虻９Ｊ（１）軸神會逸＆ＬＩＪい範囲内で、軸
々の変更め心いは改良をイ丁し）′）ゐことにｂうｌで
もｌい０第２凶に本発明ｐｃよる実施例會ボす０＋４体
ノ、１板２１とし１比抵抗ｌＯΩｍ根没の牛杷縁性にａ
Ａｓ）ｄ１４１い、この牛専１４−基板上に能動層２２
ケ形成する０能動１曽２２＋、Ｉ？すｉ ｋｌ Ｓｉ
、 Ｓ 、 Ｓｅ 等のイ Ａ ／江人法
、或いを１気相ｂｙ、長、准相成長９分子籾成長寿の１
ビタキ／−’＋′ル成長法により形成さｔｆ心０（第２
図ａ） 次に、 Ａｔ 、 ｆＶｌｏ 、 ｉ’ａ 、 Ｔｉ
、 Ｗ ％の比較的１ｌＩＩ熱１′１Ｇｌン） ／）
’／ヨツトＡす表置ヶ倚る金輪Ｊ−ムン蒸珈。 スハツタ汰壺匹よＶ］専俸基板２１．畦１ｊＩ曽２２［
全曲１ｉＬ ＊ ４ Ｔ心（、眩釜編ｌ四ムのＪ学さｒ
、ｉＵ、ｌ〜１μ？ｎ＋上１徒が適当−Ｃあ４＋ｎＫ阪
金糾（−おのうち、ノース頭載２４及びトレ１］南域６
に相当する酢分子反１１ｔ ｔｅｌイＡ／上ノフ、フラ
ズマエツナ或い會Ｊ化￥エツナｅ（よりＰｊ：： ：ｚ
、 ｔ 、開口ｊる。Ｃ（〕とき、同肋にり゛−１〜奄
’ｆＢ１４２６ρ１形成されるｅ（第２凶ｂ ） 次に、舵ｗＪｌ曽２２と１０」−の導電へＶとなろ不Ａ
メ［勿例えＵＳｎ、Ｓ寺奮含南’ Ｔ ４＋ Ｓ＋ ０
２材の一電捧１曽２７ケ全面ＶＣ０，１−１ｐｍ厚ＶＣ
扱＆す６０こ１１． ｒＪ、？ｌＪえは該５ｉＯｚ材が
し１体の場合スノくツタ法号Ｖこニジ被虐することか出
来る。−また、該８１０２月か液体の場曾全１ｍに塗布
またはＣＶＤ法等ＶＣより被ホできる。Ｓ或いはＳｎの
宮七率は崖−比で０．１〜１０ Ｘ ６度で艮い０該肪
亀体層２７ケ全…１に被虐体、該錦電捧驕２７に含有さ
ｎた不純物紮半専杯の王＠ｋａＬで拡散させる。 この拡販の方法としてｔｌ、抄１」えは５５０〜７５０
℃で１−加分間程度の熱処理により、遅ｂｋできる。−
また他の方法とし″（、ルヒー、Ａｒ 、 ＹＡＧ寺の
レーザまたは、電子線、または、Ｘｅ 、 ／・電」ケ
ン等のフランプユランフ會用い又工不ルキー黄度帆０１
−１０ Ｊ／ｍ−’ｃ照射することｙこより、ノース電
域及びｌレイン題城の題域尚一度鳩２８會形成すること
が出来、〃一つ、全編層ｒｃよって仮構されｆｃ部分は
先細または篭ｆ−か金−次面で反射さ／’ｌて、 ＩＭ
反上昇〃・抑えられ心々−リ、ソス及びトレイン頭載２
４ 、２５以外Ｑノケ一トト能動層２２′と半碑１４−
＆仮２１とＦＣｔ、ｘ照射さノ１に九−ま〃ｔ−１奄す
麹のに；臀か殆？、７Ｌい。このため、エヒタＡ７ヤル
敗長伝によって形成された能動ｌ曽Ｖ（対し、−Ｃもケ
ート嵐極旧１の能動層の７０フアイルを変えずＶＣンソ
ー及びトレイン領域を＾態度化−３゛なことか一〇きる
。］（第２凶Ｃ）最８：に、−′市、 ｌ＋ 増２７
／＜開口し１１、ＡｕＧｅ１の４ムａ接触會狗／−１金
−１曽ン被層し、ソース電極２４′。 トレイン電極２！】′を彫戚した後、不安部の窮゛亀捧
噛及び、金概噛盆１ｑ去してＲ２Ｏ”ＧＩＪの低い／ヨ
ノトキ接合ＪしＦ ＥＴ葡影形成きる。（第２凶ｄ）こ
こで、ソ ス′東憧２４′及びトン１ン電健ｂ′の恢Ｌ
−Ｌいな生害体表圓れＬ也捧磯度が尚いｆ（５）、メー
ノ・ｔ＋、接触抵抗゛も低減できる。 以上説明【７Ｇよりゃ（、本発明によれは、閥倣度増の
形成〃・便本り蘭１１比熱処理よりも低銀で用油でめ／
−ｖ １（ｊｊ・・ｋｊ＋九抗の市−１熱ケート會用い
／、）心象〃・なく、Ｕ（抵抗のケート’に４１葡使用
丁心ことかでさるｃ−１アＣ％Ｆ Ｅ’ｌ” （／Ｊ篩
周阪待廿か改＠δれゐ０また、菌倣度ｌ−會杉成する鳩
舎９で、。 ケート電像ト都の）！シ動鳩りンロファイルか＾１Ｌし
ない１（め、エビタキ７オルシ又長１曽を能動１曽と［
゛て便用するＦ Ｅ Ｔに対しても、＋１幼” ＳＧ
’Ｒ，ＬＩ會低秋てきゐ＾従って、本発明によ才１はケ
ート抵抗ｋｃＥ３ｏ、ＲＧｌ、會低秋でき＾１こめ１本
発明りＦ Ｅ Ｔ ｋ染槓ＩＢ路に通用うなと、簡運什
１か区１ねる効果ケ令する。
では、ソース領域１４及びトレイン領域１５の粘性化の
ため８ｏＯ℃でｌｏ分間程度の熱処理力・必散となり、
従ってケート電極１３ｔ：１この熱処理ケ受りても劣化
しｌいことが必費となリケード用句不４ ｒｃｉｉｌｌ
眠を受灯る。−カｈ １’ｉＷ或いｎ ’ｉ’１Ｗｓｉ
ｆ：Ｊ、 、 Ｍｏ 、 Ａ／、 、 ’ｌ’１ ％
と比軟〔て、抵抗か５〜和倍以上尚いため、ケート抵抗
の低減か難しくｂｈ’Ｅ’ｆ’（／、）尚周肢特性が劣
化してしビ□゛ １９という欠点を会していた。また、この従来蚊術ては
、４１２６人俵の高温熱処理會れるだＵ）、用い侍る半
導１４−能動層１２に、Ｉｒ＝ＪじくイオンＬｉ人法Ｖ
Ｃより杉成さｔｌだものでｌｖフれはならう、エヒタキ
シャル成長されｌこ能動層に幼し、てｒＪ、堰用てさｌ
いといワ欠点紮勺し−Ｃいた０本発明はこれらの欠点ケ
ｍ次するため菌担捧峡度層ケ４５０〜７５０℃という比
較的低温の熱処理により形成することかでさ、〃・つ、
ケート′屯憔會低抵抗の金Ｊ！ＩｉＩ鳩で杉成出来る↓
うｅ（することケ目的と丁ゐものである○ 明記の目的を通威すゐＩＣめ、本発明は化音物牛尋捧基
板士Ｖｃ能動ｌ−ケ形成する１桿と、該ｌヒＩｆｌ＋Ｉ
曽ＶＣ対してショットキ接合４得る向ｊ熱むのりゐ金鵬
層會全面ＶＣ伝瘉する上（ｉと、ソース及びトレインと
なる饋城のし金一層を選択的に味ムする工程と、該能動
層と同一の導電型と１１４＋小糾−を宮令する妨奄体層
忙扱盾するＪ−６：と、姥ａ８ｉｋ体層〃・ら該金輪ｌ
−４マスクとして前６Ｃ不純物ゲ仏畝１−該狗し鯛ｌ曽
のソース及びトレインとなる鎖酸に担体＊度の尚い題城
會杉成する工程とτ含わ・ことを特徴と丁／）％界効呆
トン／ンスタの裟負号法を発明の較旨とするものである
〇〆ＶＣ４−発明の実施ｖす？碓隋図囲につい−【直切
する。なお天ｂ？＋νり番、１−・つの伊リボであ′ニ
ノて、奎虻９Ｊ（１）軸神會逸＆ＬＩＪい範囲内で、軸
々の変更め心いは改良をイ丁し）′）ゐことにｂうｌで
もｌい０第２凶に本発明ｐｃよる実施例會ボす０＋４体
ノ、１板２１とし１比抵抗ｌＯΩｍ根没の牛杷縁性にａ
Ａｓ）ｄ１４１い、この牛専１４−基板上に能動層２２
ケ形成する０能動１曽２２＋、Ｉ？すｉ ｋｌ Ｓｉ
、 Ｓ 、 Ｓｅ 等のイ Ａ ／江人法
、或いを１気相ｂｙ、長、准相成長９分子籾成長寿の１
ビタキ／−’＋′ル成長法により形成さｔｆ心０（第２
図ａ） 次に、 Ａｔ 、 ｆＶｌｏ 、 ｉ’ａ 、 Ｔｉ
、 Ｗ ％の比較的１ｌＩＩ熱１′１Ｇｌン） ／）
’／ヨツトＡす表置ヶ倚る金輪Ｊ−ムン蒸珈。 スハツタ汰壺匹よＶ］専俸基板２１．畦１ｊＩ曽２２［
全曲１ｉＬ ＊ ４ Ｔ心（、眩釜編ｌ四ムのＪ学さｒ
、ｉＵ、ｌ〜１μ？ｎ＋上１徒が適当−Ｃあ４＋ｎＫ阪
金糾（−おのうち、ノース頭載２４及びトレ１］南域６
に相当する酢分子反１１ｔ ｔｅｌイＡ／上ノフ、フラ
ズマエツナ或い會Ｊ化￥エツナｅ（よりＰｊ：： ：ｚ
、 ｔ 、開口ｊる。Ｃ（〕とき、同肋にり゛−１〜奄
’ｆＢ１４２６ρ１形成されるｅ（第２凶ｂ ） 次に、舵ｗＪｌ曽２２と１０」−の導電へＶとなろ不Ａ
メ［勿例えＵＳｎ、Ｓ寺奮含南’ Ｔ ４＋ Ｓ＋ ０
２材の一電捧１曽２７ケ全面ＶＣ０，１−１ｐｍ厚ＶＣ
扱＆す６０こ１１． ｒＪ、？ｌＪえは該５ｉＯｚ材が
し１体の場合スノくツタ法号Ｖこニジ被虐することか出
来る。−また、該８１０２月か液体の場曾全１ｍに塗布
またはＣＶＤ法等ＶＣより被ホできる。Ｓ或いはＳｎの
宮七率は崖−比で０．１〜１０ Ｘ ６度で艮い０該肪
亀体層２７ケ全…１に被虐体、該錦電捧驕２７に含有さ
ｎた不純物紮半専杯の王＠ｋａＬで拡散させる。 この拡販の方法としてｔｌ、抄１」えは５５０〜７５０
℃で１−加分間程度の熱処理により、遅ｂｋできる。−
また他の方法とし″（、ルヒー、Ａｒ 、 ＹＡＧ寺の
レーザまたは、電子線、または、Ｘｅ 、 ／・電」ケ
ン等のフランプユランフ會用い又工不ルキー黄度帆０１
−１０ Ｊ／ｍ−’ｃ照射することｙこより、ノース電
域及びｌレイン題城の題域尚一度鳩２８會形成すること
が出来、〃一つ、全編層ｒｃよって仮構されｆｃ部分は
先細または篭ｆ−か金−次面で反射さ／’ｌて、 ＩＭ
反上昇〃・抑えられ心々−リ、ソス及びトレイン頭載２
４ 、２５以外Ｑノケ一トト能動層２２′と半碑１４−
＆仮２１とＦＣｔ、ｘ照射さノ１に九−ま〃ｔ−１奄す
麹のに；臀か殆？、７Ｌい。このため、エヒタＡ７ヤル
敗長伝によって形成された能動ｌ曽Ｖ（対し、−Ｃもケ
ート嵐極旧１の能動層の７０フアイルを変えずＶＣンソ
ー及びトレイン領域を＾態度化−３゛なことか一〇きる
。］（第２凶Ｃ）最８：に、−′市、 ｌ＋ 増２７
／＜開口し１１、ＡｕＧｅ１の４ムａ接触會狗／−１金
−１曽ン被層し、ソース電極２４′。 トレイン電極２！】′を彫戚した後、不安部の窮゛亀捧
噛及び、金概噛盆１ｑ去してＲ２Ｏ”ＧＩＪの低い／ヨ
ノトキ接合ＪしＦ ＥＴ葡影形成きる。（第２凶ｄ）こ
こで、ソ ス′東憧２４′及びトン１ン電健ｂ′の恢Ｌ
−Ｌいな生害体表圓れＬ也捧磯度が尚いｆ（５）、メー
ノ・ｔ＋、接触抵抗゛も低減できる。 以上説明【７Ｇよりゃ（、本発明によれは、閥倣度増の
形成〃・便本り蘭１１比熱処理よりも低銀で用油でめ／
−ｖ １（ｊｊ・・ｋｊ＋九抗の市−１熱ケート會用い
／、）心象〃・なく、Ｕ（抵抗のケート’に４１葡使用
丁心ことかでさるｃ−１アＣ％Ｆ Ｅ’ｌ” （／Ｊ篩
周阪待廿か改＠δれゐ０また、菌倣度ｌ−會杉成する鳩
舎９で、。 ケート電像ト都の）！シ動鳩りンロファイルか＾１Ｌし
ない１（め、エビタキ７オルシ又長１曽を能動１曽と［
゛て便用するＦ Ｅ Ｔに対しても、＋１幼” ＳＧ
’Ｒ，ＬＩ會低秋てきゐ＾従って、本発明によ才１はケ
ート抵抗ｋｃＥ３ｏ、ＲＧｌ、會低秋でき＾１こめ１本
発明りＦ Ｅ Ｔ ｋ染槓ＩＢ路に通用うなと、簡運什
１か区１ねる効果ケ令する。
第ｌ凶１Ｊ従米の製］゛ム方法による゛動界幼宋トフン
ジスタの一１面図、第２図ｔａＪ〜（ｄ）は本発明の表
両方法＆（よる゛龜弄効米トラン７スクの１１を囲凶り
゛小丁・） １１ 、２１ ・・化合物千寺犀基板、１２．２１・
・ｉし角ｖＩ麹、 １．３ 、 ２６ − −−
り−）％全路ｉｆｉ 、 ｌ−４、ｌｂ 、 ２
８ −・・尚磯良ｌ曽、１４’ 、 ２４’・・・・・
ソース電極、１５’、２５’・・・・・・トレイン１に
慣、お・・・・・・ショットキ金輌胸、２４・・・・・
ノース狽Ｍ、２５・・・・・・トレインＶｊＪｔｍ、２
７・・・・防′−５俸１曽 第１図 ＋４ １／１５
ジスタの一１面図、第２図ｔａＪ〜（ｄ）は本発明の表
両方法＆（よる゛龜弄効米トラン７スクの１１を囲凶り
゛小丁・） １１ 、２１ ・・化合物千寺犀基板、１２．２１・
・ｉし角ｖＩ麹、 １．３ 、 ２６ − −−
り−）％全路ｉｆｉ 、 ｌ−４、ｌｂ 、 ２
８ −・・尚磯良ｌ曽、１４’ 、 ２４’・・・・・
ソース電極、１５’、２５’・・・・・・トレイン１に
慣、お・・・・・・ショットキ金輌胸、２４・・・・・
ノース狽Ｍ、２５・・・・・・トレインＶｊＪｔｍ、２
７・・・・防′−５俸１曽 第１図 ＋４ １／１５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ｌｌ 化合物半導体＆板上に能動層ケ杉成する上程
と、該能ｖＪ層に対してショットキ接合を得る耐熱性の
ある金一層ケ全面ｙｃｖｔ盾する工程と、ソース及びト
レインとなる割載の該金楓層を選択的に除去する１桿と
、該能動層と同一の尋電型となる不純物をａ有するｖ５
亀体層に被層する１程と、該＠電捧層から該金鵬層をマ
スクとして前ｉｉｅ不純物？拡散し７該能動階のソース
及びトレインとなる１１こ」１４捧一度の高い領域會杉
成する工程とａ′舌ｔｒことケ特徴とする亀界効来トフ
ン７スタの製眞力仏。 （２Ｊ Ａｉｌ配電界効米トンノンスタの１！！造万
ｆｆｉ Ｋふ・いて、Ｓ或いｒよＳｎケ不純物として含
む５ｊＯｔ會訪亀捧層とし１用いなごとを特徴とする請
求範囲第１項ｉじ載の′眼界幼果トンンジスタの製造方
法。 （３）＠ｉＪ ＥＣ １ｋＬ脊幼朱トランゾスタの製造
方法に↓・い１、Ｓ賊いＵＳｎ勿小輛物とし１言有する
δｉ０２ｋｌ１８％捧鳩として川い，５５０・−７５０
Ｃ−ｔ １〜５９分間の熱拡散ケ打９こと全待悼と丁
ゐ待タ１珀氷の範囲第ｌ項記載の竃ｙト幼米トラン／ス
タの製造方法。 （４）前ｂじ竃脊効米トランジスタの製造方法Ｖζふ・
いて、Ｓ戚いｔｒｉＳｎ葡不純物として言上１るＳｉＯ
ｔケ誘′＃ｌｉμ層として用い，レーザ＋１［千勝或い
り二Ｌフラッシュランクの照射ＶＣＸリソース及びトレ
イン題域のみに尚磯反層會形敗丁ゐＣと會待似とする特
Ｉｆｔ−ｉｔ＊＊の範囲第１項６じ載の奄界効米トフ／
ジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087988A JPS58206167A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087988A JPS58206167A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206167A true JPS58206167A (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=13930189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57087988A Pending JPS58206167A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58206167A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039879A (ja) * | 1973-08-13 | 1975-04-12 | ||
| JPS5425171A (en) * | 1977-07-27 | 1979-02-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of field effect semiconductor device |
| JPS5650577A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP57087988A patent/JPS58206167A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039879A (ja) * | 1973-08-13 | 1975-04-12 | ||
| JPS5425171A (en) * | 1977-07-27 | 1979-02-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of field effect semiconductor device |
| JPS5650577A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Karakaya et al. | Ethnobotanical study of medicinal plants in Aziziye district (Erzurum, Turkey) | |
| DE3603470A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feldeffektbauelementen auf einem siliziumsubstrat | |
| DE1614356B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterbaugruppe mit komplementären Feldeffekttransistoren und Material zur Durchführung des Verfahrens | |
| FR2357064A1 (fr) | Procede de fabrication de couches implantees d'ions a bords abrupts qui permet de reduire la resistance parasite des fet a barriere de schottky et des transistors bipolaires | |
| JPS58206167A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| Piotrowska et al. | Impact of soils amended with Zn and Pb smelter dust on Cd concentrations in potatoes | |
| Coughenour et al. | Dwarf shrub ecology in Kenya's arid zone: Indigofera spinosa as a key forage resource | |
| Karakaya et al. | An ethnobotanical study on plants used in the treatment of gynecological diseases in some provinces of the Eastern Anatolia Region | |
| DE1929084B2 (de) | Ätzlösung für ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
| Haddon | 132. Note on the Gogodara (Kabiri or Girara.) | |
| JPS599978A (ja) | 半導体装置 | |
| Webster | To Plough or Not To Plough? A Newar Dilemma: Taboo And Technology in Kathmandu Valley, Nepal | |
| JPS54122653A (en) | Sn-au base solder alloy | |
| JPS59135774A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Lawson | Algae associated with mangroves in the Niger Delta area. | |
| JPS5893375A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61234566A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| Willoughby | Archaeological Perspectives on the Origins of Modern Humans: A View from the Levant. DANIEL KAUFMAN. 1999. Bergin & Garvey, Westport, CT. xii+ 140 pp. $65.00 (cloth), ISBN 0-89789-578-9. | |
| DE1564537C (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter Schaltungsmoduls | |
| JPS58153375A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| Bussola et al. | Jesus takes up the Cross | |
| JPH0810703B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| Holmgren | SPHAERALCEA CAESPITOSA VAR. WILLIAMSIAE, VAR. NOV.(MALVACEAE) | |
| Kebela et al. | Journal of Biodiversity, Bioprospecting and Development | |
| JPS5868901A (ja) | ジヨセフソン集積回路用抵抗素子 |