JPS5820752A - 半導体材料被覆用ガラス材 - Google Patents
半導体材料被覆用ガラス材Info
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- JPS5820752A JPS5820752A JP57119662A JP11966282A JPS5820752A JP S5820752 A JPS5820752 A JP S5820752A JP 57119662 A JP57119662 A JP 57119662A JP 11966282 A JP11966282 A JP 11966282A JP S5820752 A JPS5820752 A JP S5820752A
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- Japan
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- oxide
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- glass
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 4
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
- C03C3/074—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス材及びその半導体素子への適用に係る。
ガラスをベースとする材としては％ １９７０年１０月
９日公告の仏国特許出願公告第２，０２８，１２７号明
細書中に記載されたものが既知である。核材は電子産業
用の２個のガラス部品のシールに使用され得、シールガ
ラスと酸化チタンアルζニウム（すなわちチタン酸アル
ミニウム）との混合物から成シ、該シールガラス紘例え
ば酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ホウ素及び二酸化ケイ素によ
って構成される。
９日公告の仏国特許出願公告第２，０２８，１２７号明
細書中に記載されたものが既知である。核材は電子産業
用の２個のガラス部品のシールに使用され得、シールガ
ラスと酸化チタンアルζニウム（すなわちチタン酸アル
ミニウム）との混合物から成シ、該シールガラス紘例え
ば酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ホウ素及び二酸化ケイ素によ
って構成される。
しかし乍ら、前記特許出願明細書中に記載され九シール
組成物は低温で結晶し、従って場合によっては適用でき
ないこともあシ得る。
組成物は低温で結晶し、従って場合によっては適用でき
ないこともあシ得る。
本発明の目的は、半導体素子の製造に使用されるシリコ
ン部品の被覆に適用できるように、良好な耐失透性と低
い熱膨張率と比較的低い展延温度とを同時に有する透明
ガラス材を提供することである。
ン部品の被覆に適用できるように、良好な耐失透性と低
い熱膨張率と比較的低い展延温度とを同時に有する透明
ガラス材を提供することである。
本発明の目的は、酸化亜鉛ＺｎＯ、酸化鉛ｐｂｏ 。
酸化ホウ素Ｂ、Ｏ，、二酸化ケイ素Ｓ１へ、酸化チタン
アルミニウムＡＪ、ＴｉＯ，及び酸化ビスマスＢｉ、Ｏ
Ａから成るガラス材を提供することであり、核材は、Ｚ
ｎ０ ３０乃至４０重量− ｐｂｏ １ Ｂ乃至３０重量−ＢＩＯｌ
２０乃至４０重量％ＳＬ０． ５乃至２０重
量％ ムｊ鵞Ｔｉｅ、 ２乃至ｌＯ重量−Ｂｌ、Ｏ３Ｑ
乃至 ５重量− を會むことを特徴とする。
アルミニウムＡＪ、ＴｉＯ，及び酸化ビスマスＢｉ、Ｏ
Ａから成るガラス材を提供することであり、核材は、Ｚ
ｎ０ ３０乃至４０重量− ｐｂｏ １ Ｂ乃至３０重量−ＢＩＯｌ
２０乃至４０重量％ＳＬ０． ５乃至２０重
量％ ムｊ鵞Ｔｉｅ、 ２乃至ｌＯ重量−Ｂｌ、Ｏ３Ｑ
乃至 ５重量− を會むことを特徴とする。
本発明の目的は、まえ、シリコン部品を含む半導体素子
を提供することであ夛、該素子は該部品の外側表面に付
着するガラス材層を更に含み、該ガラス材は。
を提供することであ夛、該素子は該部品の外側表面に付
着するガラス材層を更に含み、該ガラス材は。
ＺｎＯ３０乃至４０重量％
Ｐｂ０ １５乃至３０重量％
Ｒｏｏｍ ２０乃至４０重量−８ｉｎ、
５乃至２０重量−人ｊ、’Ｊ’１０． ２乃
至１０重量−Ｂ１．ｏｓＯ乃至 ５重量− から成ることを特徴とする。
５乃至２０重量−人ｊ、’Ｊ’１０． ２乃
至１０重量−Ｂ１．ｏｓＯ乃至 ５重量− から成ることを特徴とする。
本発明ガラス材の製造方法の詳細を例示するために、そ
の異体例を以下に記載される。
の異体例を以下に記載される。
本発明に従うガラス材は６種の酸化物、即ち酸化亜鉛ｚ
ｎｏ ｓ ｄ化鉛ｐｂｏ、酸化ホウ素Ｂ＊Ｏｓ 、二酸
化ケイ素Ｓ１へ、酸化チク／アルミニウムＡｎ＊ Ｔ
１０ｓ及び酸化ビスマスＢｉ、Ｏ，を含む混合物である
。混合物中の各酸化物の重量比は最小値から最大値まで
変化可能であシ、この値は以下の第１表に示される。
ｎｏ ｓ ｄ化鉛ｐｂｏ、酸化ホウ素Ｂ＊Ｏｓ 、二酸
化ケイ素Ｓ１へ、酸化チク／アルミニウムＡｎ＊ Ｔ
１０ｓ及び酸化ビスマスＢｉ、Ｏ，を含む混合物である
。混合物中の各酸化物の重量比は最小値から最大値まで
変化可能であシ、この値は以下の第１表に示される。
第１表
酸化物 重量−
最小値 最大値
ＺｎＯ３０４Ｑ
ＰＩ）０ １５ ３ＧＢ、０．２０
４０ ８１０、 ５ ２０ Ａｎ、Ｔｌ０Ｉ ２ １０Ｂ１＾
０５ プラナするつぼ中で上記酸化物を粉状に混合し、混合物
を溶融するために該プラナするつほを１１■Ｃで約３時
間加熱する。気泡除去と非溶融部分の液化を促進するよ
うに、混合物を溶融期間中機械的に攪拌する。こうして
得られた液体均質浴をグラファイト鋳蓋中に鋳込む。溶
融された材を焼きなましし、次にサンプルをカットして
得られ丸材の性質を決定する。
４０ ８１０、 ５ ２０ Ａｎ、Ｔｌ０Ｉ ２ １０Ｂ１＾
０５ プラナするつぼ中で上記酸化物を粉状に混合し、混合物
を溶融するために該プラナするつほを１１■Ｃで約３時
間加熱する。気泡除去と非溶融部分の液化を促進するよ
うに、混合物を溶融期間中機械的に攪拌する。こうして
得られた液体均質浴をグラファイト鋳蓋中に鋳込む。溶
融された材を焼きなましし、次にサンプルをカットして
得られ丸材の性質を決定する。
このサンプルは、良好な耐失透性と約５×１０″ｙＣの
直線膨張率と６５０Ｃ以下の展延温度とを示す。前記展
延温度は基板上に置かれたガラスサンプルが基板上で展
延を開始する温度である。
直線膨張率と６５０Ｃ以下の展延温度とを示す。前記展
延温度は基板上に置かれたガラスサンプルが基板上で展
延を開始する温度である。
該ガラス材は、光電太陽電池のような半導体素子の製造
用のシリコン部品の外側表面に保嚢コーティングを蒸着
するために使用することができる、部品上に置かれ九ガ
ラス材サンプルが溶融することにより、部品の外側表面
に付着する透明層が形成される。
用のシリコン部品の外側表面に保嚢コーティングを蒸着
するために使用することができる、部品上に置かれ九ガ
ラス材サンプルが溶融することにより、部品の外側表面
に付着する透明層が形成される。
核材は低い展延温度を有するから、該層の蒸着はシリコ
ン部品のｐ−ｎ接合を損う危険がないっさらに、本発明
に従うガラス材は低い膨張率を有するから、シリコン基
板と蒸着されたガラスとの間の機械的応力はかなシ低い
。従って、先行技術によるガラスを使用する場合Ｋｉｌ
められる層の亀裂が１本発明の場合には完全に回避で亀
る。
ン部品のｐ−ｎ接合を損う危険がないっさらに、本発明
に従うガラス材は低い膨張率を有するから、シリコン基
板と蒸着されたガラスとの間の機械的応力はかなシ低い
。従って、先行技術によるガラスを使用する場合Ｋｉｌ
められる層の亀裂が１本発明の場合には完全に回避で亀
る。
ガラス層は紫外線に対して安定であり、従って太陽電池
の場合、有機化合物をペースとする成る種のコーティン
グに比較して著しく有利である。
の場合、有機化合物をペースとする成る種のコーティン
グに比較して著しく有利である。
更に、蒸着された層は大気汚染と機械的衝撃とに対して
嵐好なシリコン保護を構成する。
嵐好なシリコン保護を構成する。
参考として、ガラスサンプルの１例の組成を第２表に示
す。
す。
第２表
酸化物 重量−
ＺｎＯａ ５
ｐｂｏ ｇ ｓ
Ｂ、０． ２５
Ｓｔへ １０
ムｊ、Ｔｉ０． ５
上記サンプルに対する測定の結果、以下の数値が得られ
た。
た。
２０Ｇ乃至３００Ｃに於ける平均膨張率：５．２ Ｘ
１０４／Ｃ 展延温度：５５ｏｃ 変形温度：５１０Ｃ 耐失透性：良好；各々６５０Ｃ迄の上昇と１５分間６５
０Ｃ維持と室温迄の低下とから成る４度の連続熱サイク
ルを経て、ガラスはなお透明であった。
１０４／Ｃ 展延温度：５５ｏｃ 変形温度：５１０Ｃ 耐失透性：良好；各々６５０Ｃ迄の上昇と１５分間６５
０Ｃ維持と室温迄の低下とから成る４度の連続熱サイク
ルを経て、ガラスはなお透明であった。
紫外線及び湿潤抵抗：良好。
可視光線領域中の光透過率：極めて、良好。
八ツ入呼−を今 村 元
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１酸化亜鉛ＺｎＱ 、酸化鉛ｐｂｏ 、酸化ホウ素
Ｂ、Ｏ，，二酸化ケイ素８１０ｍ、酸化チタンアルギニ
ラムＡ４Ｔ１０ｓ及び酸化ビスマスＢｌ、Ｏ，を含有す
るガラス材に於いて。 ２肱ＯＳＯ乃至４０重量− Ｐｂ０ １ Ｉｓ乃至３０重量−Ｂｔｕｓ
２０乃至４０重量−８１０、５乃至２０重量％ Ａｎ、ＴＩＯ，２乃至ｌＯ重量− ＢｉｍＯｓ Ｏ乃至 ６重量−を含むことを特
徴とするガラス材。 （２）シリコン部品を含む半導体素子に於いて。 該素子は夏に該部品の外側表面に付着するガラス材層を
含み、しかして該ガラス材は。 Ｚｎ０ ３０乃至４０重量− ｐｂｏ Ｉｓ乃至３０重量− ＢｓＯｓ ２ Ｇ乃至４０重量−５ｉｏ、
５乃至２０重量− ムｊ、Ｔｔへ ２乃至１０重量− ８１、へ ０乃至 ５１量− を含むことを特徴とする半導体素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8113497A FR2509285A1 (fr) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | Materiau vitreux et application a un composant a semi-conducteur |
| FR8113497 | 1981-07-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820752A true JPS5820752A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS6146419B2 JPS6146419B2 (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=9260378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119662A Granted JPS5820752A (ja) | 1981-07-09 | 1982-07-09 | 半導体材料被覆用ガラス材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4409292A (ja) |
| EP (1) | EP0069963B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5820752A (ja) |
| DE (1) | DE3261460D1 (ja) |
| FR (1) | FR2509285A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DK0757554T3 (da) * | 1994-04-22 | 2000-03-13 | Dibona Holding Ag | Slik-bolsje med tandbelægnings-neutraliserende indvirkning |
| US5629247A (en) * | 1996-05-08 | 1997-05-13 | The O'hommel Company | High bismuth oxide based flux and paint compositions for glass substrates |
| US6184163B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | Dielectric composition for plasma display panel |
| KR100682931B1 (ko) * | 2005-02-15 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 비정질 유전막 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1258070A (fr) * | 1959-05-28 | 1961-04-07 | Westinghouse Electric Corp | Composition de verre |
| NL251694A (ja) * | 1959-05-28 | |||
| FR1370296A (fr) * | 1962-09-20 | 1964-08-21 | Du Pont | Résistance électrique |
| NL298179A (ja) * | 1962-09-20 | |||
| US3734702A (en) * | 1969-01-10 | 1973-05-22 | Owens Illinois Inc | Glass sealing method |
| US3645839A (en) * | 1969-01-10 | 1972-02-29 | Owens Illinois Inc | Glass sealing compositions containing aluminum titanate |
| US3684536A (en) * | 1970-11-04 | 1972-08-15 | Du Pont | Bismuthate glass-ceramic precursor compositions |
| JPS5110844B2 (ja) * | 1973-04-24 | 1976-04-07 | ||
| DE2517743C3 (de) * | 1975-04-22 | 1980-03-06 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz | Passivierender Schutzüberzug für Siliziumhalbleiterbauelemente |
-
1981
- 1981-07-09 FR FR8113497A patent/FR2509285A1/fr active Granted
-
1982
- 1982-07-06 DE DE8282105998T patent/DE3261460D1/de not_active Expired
- 1982-07-06 EP EP82105998A patent/EP0069963B1/fr not_active Expired
- 1982-07-09 US US06/396,950 patent/US4409292A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-07-09 JP JP57119662A patent/JPS5820752A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3261460D1 (en) | 1985-01-17 |
| EP0069963A1 (fr) | 1983-01-19 |
| EP0069963B1 (fr) | 1984-12-05 |
| FR2509285A1 (fr) | 1983-01-14 |
| FR2509285B1 (ja) | 1984-08-10 |
| US4409292A (en) | 1983-10-11 |
| JPS6146419B2 (ja) | 1986-10-14 |
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