JPS58207626A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPS58207626A JPS58207626A JP57089665A JP8966582A JPS58207626A JP S58207626 A JPS58207626 A JP S58207626A JP 57089665 A JP57089665 A JP 57089665A JP 8966582 A JP8966582 A JP 8966582A JP S58207626 A JPS58207626 A JP S58207626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fork
- treatment furnace
- cap
- processing
- furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3311—Horizontal transfer of a batch of workpieces
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板を処理炉内に搬出入して所要の処理
を圃こす半導体処理装置に関する。
を圃こす半導体処理装置に関する。
従来、半導体基板（ウェハ）に対して拡散処理またはＣ
Ｖ Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）処理をぬこす場合、処理炉（拡散炉またはＣ
ＶＤ炉）内にウェハｒ振出人して所要の処理を行なって
いる。その場合、処理炉へのウェハの搬出入のためにウ
ェハ？カートリッジに戟ぜて振出人作業を行なう振出人
機構が提案されている。
Ｖ Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）処理をぬこす場合、処理炉（拡散炉またはＣ
ＶＤ炉）内にウェハｒ振出人して所要の処理を行なって
いる。その場合、処理炉へのウェハの搬出入のためにウ
ェハ？カートリッジに戟ぜて振出人作業を行なう振出人
機構が提案されている。
ところが、従来は処理炉へのウエノ・の搬出入のみは自
動化が提案されているものの、処理炉の出入口の蓋の開
閉は手作業で行なっているのが実状であり、蓋の平面性
や耐温度性等の原因により自動化は実現されていなかっ
た。
動化が提案されているものの、処理炉の出入口の蓋の開
閉は手作業で行なっているのが実状であり、蓋の平面性
や耐温度性等の原因により自動化は実現されていなかっ
た。
そのため、従来は拡散処理や低圧ＣＶＤ処理等の一貫自
動化ができず、処理能率の向上が望まれている。
動化ができず、処理能率の向上が望まれている。
本発明０目的は、前記従来技術の課題に鑑み。
処理炉の作業を自動化し、拡散処理やＣＶＤ処理等の一
貫自動化な図ることにより処理能率を大巾に向上させる
ことのできる半導体処理装置を提供することにある。
貫自動化な図ることにより処理能率を大巾に向上させる
ことのできる半導体処理装置を提供することにある。
この目的を達成するため１本発明は、半導体基板を処理
炉内に搬出入する搬送手段と処理炉の蓋を開閉する蓋開
閉手段とを処理炉への半導体基板の搬出入時に互いに連
動して自動的に動作させるものである。
炉内に搬出入する搬送手段と処理炉の蓋を開閉する蓋開
閉手段とを処理炉への半導体基板の搬出入時に互いに連
動して自動的に動作させるものである。
以下１本発明を図面に示す一実施例にしたがって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明による半導体処理装置の一実施例を示す
部分斜視図、第２図＋ａｌ〜（ｆｌは本発明の半導体処
理装置の動作を段階的に示す概略的説明図である。
部分斜視図、第２図＋ａｌ〜（ｆｌは本発明の半導体処
理装置の動作を段階的に示す概略的説明図である。
本実施例において、処理炉１は半導体基板（ウェハ）に
対して所要の処理たとえば拡散処理またはｌ、’ＶＤ処
理を施こすための炉たとえば拡散炉またはＣＶＤ炉であ
り１石英管で作られている。こ −１゜の処理炉１の出
入口には蓋２が設けられ、この蓋２は蓋開閉用モータ３
により自動的に開閉するが。
対して所要の処理たとえば拡散処理またはｌ、’ＶＤ処
理を施こすための炉たとえば拡散炉またはＣＶＤ炉であ
り１石英管で作られている。こ −１゜の処理炉１の出
入口には蓋２が設けられ、この蓋２は蓋開閉用モータ３
により自動的に開閉するが。
その開閉動作は第２図に関して後述する。
前記処理炉１の中にウェハを搬入、搬出するための搬出
入機構として石英製のフォーク４が処理炉１の長手方向
手前側に設置されている。フォーク４はその先端側のウ
ェハ支持部４ａにウェハを収容したカートリッジを支持
して処理炉１の中に搬入、載置、搬出する。
入機構として石英製のフォーク４が処理炉１の長手方向
手前側に設置されている。フォーク４はその先端側のウ
ェハ支持部４ａにウェハを収容したカートリッジを支持
して処理炉１の中に搬入、載置、搬出する。
そのため、フォーク４は１前後方向に移動可能な搬送板
５の側面に取り付けたフォーク受は台６の上に支持され
、搬送板５は前後動用モータ７により矢印入方向に前後
動してウェハの搬出入を行ない、その前後動の前進限界
は前進限界検出用ホトセンサ８．後進限界は後退限界検
出用ホトセンサ９により検出される。
５の側面に取り付けたフォーク受は台６の上に支持され
、搬送板５は前後動用モータ７により矢印入方向に前後
動してウェハの搬出入を行ない、その前後動の前進限界
は前進限界検出用ホトセンサ８．後進限界は後退限界検
出用ホトセンサ９により検出される。
また、フォーク４は処理炉１内に搬入したウェハとカー
トリッジを炉内に置くために矢印Ｈの如く上下動可能で
ある。すなわち、フォーク上下動のために搬送板５の側
面には上下動用モータ１０および該モータ１０の回転に
よりフォーク受は台６をカム動作させて上下動させる上
下動用カム１１が取り付けられている。また、フォーク
４の上下動の上限および下限を検出するため、上限検出
用ホトセンサ１２と下限検出用ホトセンサ１３がそれぞ
れ設けられている。
トリッジを炉内に置くために矢印Ｈの如く上下動可能で
ある。すなわち、フォーク上下動のために搬送板５の側
面には上下動用モータ１０および該モータ１０の回転に
よりフォーク受は台６をカム動作させて上下動させる上
下動用カム１１が取り付けられている。また、フォーク
４の上下動の上限および下限を検出するため、上限検出
用ホトセンサ１２と下限検出用ホトセンサ１３がそれぞ
れ設けられている。
なお、符号１４はフォーク４を矢印Ｃの如く揺動させて
水平状態に保つ揺動用カム、１５は蓋２・””” ”ｌ
。
水平状態に保つ揺動用カム、１５は蓋２・””” ”ｌ
。
の開状態ヲ検出するマイクロスイッチである。また１図
示しないが、蓋２の閉状態を検出するマイクロスイッチ
、蓋２の開閉検出用の各ホトトランジスタが設げられ℃
いる。
示しないが、蓋２の閉状態を検出するマイクロスイッチ
、蓋２の開閉検出用の各ホトトランジスタが設げられ℃
いる。
次に、本実施例の作用を第２図１８１〜（ｆｌについて
説明する。
説明する。
マス、ウェハ１６を多数収容したカートリッジ１７をフ
ォーク４の先端側のウェハ壺持部４ａ上に支持し、該フ
ォーク４を前後動用モー、タフにより搬送板５．フォー
ク受は台６と共に処理炉１の方向に水平移動させる。
ォーク４の先端側のウェハ壺持部４ａ上に支持し、該フ
ォーク４を前後動用モー、タフにより搬送板５．フォー
ク受は台６と共に処理炉１の方向に水平移動させる。
次いで、蓋開閉用モータ３を作動させて蓋２の開動作を
行なうが（第２図（ｂ））％その際、蓋２は処理炉１の
出入口り受フランジ１ａに対してまず若干持ち上がりす
なわち受フラ／ジｌａかも離れその後最小円弧で回転さ
れながら自動的に開放される。
行なうが（第２図（ｂ））％その際、蓋２は処理炉１の
出入口り受フランジ１ａに対してまず若干持ち上がりす
なわち受フラ／ジｌａかも離れその後最小円弧で回転さ
れながら自動的に開放される。
蓋２の自動開放動作に連動してフォーク４は処理炉１の
中に前進し、第２図ｔｃ＋に示す如くウェハ１６を処理
炉１内の中央部にまで搬入する。
中に前進し、第２図ｔｃ＋に示す如くウェハ１６を処理
炉１内の中央部にまで搬入する。
その後、上下動用モータ１０を作動させることにより上
下動用カム１１のカム作用でフォーク受は台６とフォー
ク４を下降させ、第２図＋ｄｌに示す如（カートリッジ
１７を処理炉１内の底面上に載置させる。その際、フォ
ーク４は揺動用カム１゛４の働きにより揺動しながら下
降動作を行なうのでフォーク４は水平状１１に保たれる
。
下動用カム１１のカム作用でフォーク受は台６とフォー
ク４を下降させ、第２図＋ｄｌに示す如（カートリッジ
１７を処理炉１内の底面上に載置させる。その際、フォ
ーク４は揺動用カム１゛４の働きにより揺動しながら下
降動作を行なうのでフォーク４は水平状１１に保たれる
。
カートリッジ１７が処理炉１内に載置された後、フォー
ク４は前後動用モータ７ケ逆転させることにより、処理
炉１から出る方向に後退し、第２図（ｅ＋ｙｒ−示す如
く処理炉１外に移動するが、ウェハ１６とカートリッジ
１７は処理炉１内に残される。
ク４は前後動用モータ７ケ逆転させることにより、処理
炉１から出る方向に後退し、第２図（ｅ＋ｙｒ−示す如
く処理炉１外に移動するが、ウェハ１６とカートリッジ
１７は処理炉１内に残される。
フォーク４が処理炉１外に移動する動作と連動して、蓋
開閉用モータ３が作動しＪ第２図１ｆｌの如く蓋２を自
動的に閉鎖し、処理炉ｌを密閉する。
開閉用モータ３が作動しＪ第２図１ｆｌの如く蓋２を自
動的に閉鎖し、処理炉ｌを密閉する。
以上により、処理炉１内へｂウェハ１６の搬入作業は完
ＴＬ、処理炉１内でウェハ１６に対して所要の処理な施
こすことが可能となる。
ＴＬ、処理炉１内でウェハ１６に対して所要の処理な施
こすことが可能となる。
なお、所要の処理後のウェハ１６を処理炉１かも搬出す
る場合、前記搬入作業とは逆圧、まず空状態のフォーク
４を蓋２の開動作と連動して処理炉１内のカートリッジ
１７の下に挿入した後、フォーク４を上昇させてカート
リッジ１７を処理炉１の底面から持ち上げ、その状態で
フォーク４を処理炉１外に後退させかつそれに連動して
蓋２を閉鎖すればよい。
る場合、前記搬入作業とは逆圧、まず空状態のフォーク
４を蓋２の開動作と連動して処理炉１内のカートリッジ
１７の下に挿入した後、フォーク４を上昇させてカート
リッジ１７を処理炉１の底面から持ち上げ、その状態で
フォーク４を処理炉１外に後退させかつそれに連動して
蓋２を閉鎖すればよい。
このように１本実施例によれば、処理炉１へのフォーク
４の振出人、上下動等は勿論、蓋２もフォーク４の搬出
入に連動して自動的に開閉でき、ウェハ１６の搬出入等
の処理を含む処理炉作業を一貫自動化でき、またウエノ
・１６の洗浄等の他の作業との一貫自動化も可能となり
、処理能率は大巾に向上する。
４の振出人、上下動等は勿論、蓋２もフォーク４の搬出
入に連動して自動的に開閉でき、ウェハ１６の搬出入等
の処理を含む処理炉作業を一貫自動化でき、またウエノ
・１６の洗浄等の他の作業との一貫自動化も可能となり
、処理能率は大巾に向上する。
なお１本発明は拡散処理？ＣＶＤ処理以外の半導体処理
作業にも適用できる。
作業にも適用できる。
以上説明したように１本発明によれば、処理炉への半導
体基板の搬出入や蓋の開閉を自動化したことにより、処
理炉での作業の一貫自動化な図ることができ、処理能率
を向上できる。また他の作業との一貫自動化も容易とな
る。
体基板の搬出入や蓋の開閉を自動化したことにより、処
理炉での作業の一貫自動化な図ることができ、処理能率
を向上できる。また他の作業との一貫自動化も容易とな
る。
第１図は本発明による半導体処理装置の一実施例な示す
部分斜視図。 第２図１ａｌ〜ｉｆ）は本発明の半導体処理装置の動作
な段階的に示す概略的説明図である。 １・・・処理炉、２・・・蓋、３・・・蓋開閉用モータ
、４・・・フォーク、７・・・前後動用モータ％ １０
・・・上下動用モータ、１６・・・ウェハ、１７・・・
カートリツジ。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
部分斜視図。 第２図１ａｌ〜ｉｆ）は本発明の半導体処理装置の動作
な段階的に示す概略的説明図である。 １・・・処理炉、２・・・蓋、３・・・蓋開閉用モータ
、４・・・フォーク、７・・・前後動用モータ％ １０
・・・上下動用モータ、１６・・・ウェハ、１７・・・
カートリツジ。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- 半導体基板を処理炉内に搬出入して所要の処理な施こす
半導体処理装置において、半導体基板を処理炉内に搬出
入する搬送手段と、半導体基板の搬出入時に処理炉の出
入口の蓋な開閉する蓋開閉手段とを有し、前記搬送手段
と前記蓋開閉手段とが処理炉への半導体基板の搬出入時
に互いに連動して自動的に動作することな特徴とする半
導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089665A JPS58207626A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089665A JPS58207626A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207626A true JPS58207626A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=13977037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089665A Pending JPS58207626A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207626A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116823A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Toshiba Corp | 炉芯管開閉装置 |
| JPH03297132A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Nec Corp | 半導体ウェハの熱処理炉 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295968A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-12 | Hitachi Ltd | Diffusion furnace with automatic shutter |
| JPS55158626A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Heat treating apparatus |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57089665A patent/JPS58207626A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295968A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-12 | Hitachi Ltd | Diffusion furnace with automatic shutter |
| JPS55158626A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Heat treating apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03116823A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Toshiba Corp | 炉芯管開閉装置 |
| JPH03297132A (ja) * | 1990-04-16 | 1991-12-27 | Nec Corp | 半導体ウェハの熱処理炉 |
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