JPS58207645A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58207645A
JPS58207645A JP57090679A JP9067982A JPS58207645A JP S58207645 A JPS58207645 A JP S58207645A JP 57090679 A JP57090679 A JP 57090679A JP 9067982 A JP9067982 A JP 9067982A JP S58207645 A JPS58207645 A JP S58207645A
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JP
Japan
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adhered
semiconductor element
projections
die stage
resin
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Pending
Application number
JP57090679A
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English (en)
Inventor
Michio Ono
小野　道夫
Akihiro Kubota
昭弘 窪田
Tsuyoshi Aoki
強 青木
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58207645A publication Critical patent/JPS58207645A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明はリードフレームの素子搭載部への半導体チップ
の固着を接着剤により行なう樹脂封止型半導体装置に関
する。
（ｂ）　　技術の背景 外部にリード端子を配設し、セラミック又はガラス等の
耐熱性絶縁基板に半導体素子を搭載し、　。
該基板と同−材又は金属材料でなるキャップを用いてハ
ーメチックシール構造とする気密封止形半導体パンケー
ジに対して、パッシベーション技術の向上及び樹脂の改
善によ！１ｌ１１産的で安価な樹脂封止形が多用されて
いる。
この方式は多連のリードフレームに半導体素子を搭載し
、エポキン系又はシリコン系仙脂で多数個一度にモール
ドした上で個々に切断する方法で一般のＩＣからＬＳＩ
まで広範囲に用いられている。−男手導体素子は微細加
工技術の発展に伴い高密度集積化され、より小型化され
る傾向があり、ダイステージに半導体素子の取付方法も
作業性、コスト面から従来の導電性飯属を融着して固定
するマウント方法から、導電性金属粉を樹脂内に混合攪
拌して接着固定する方法が用いられつ＼ある。
この場合接着強度及び均一な接着層の形成等重要な課題
となっている。
（ｃ）　　従来技術と問題点 第１図は従来の多連リードフレームを示す平面図である
。
第２図は従来の樹脂側止型半導体装置の断面図である。
図中１はリードフレーム、２はダイステージ、３はリー
ド、４はガイドフレーム、５は半導体素子、６はワイヤ
、７は樹脂接着部、８は接着樹脂、を示す。
゛　　一連続してプレス打抜形成される多連リードフレ
ーム１は、仲数のリード端子３とグイステージ２を有し
両ｆｌｌｌｌに設けたガイドフレーム４により形成させ
ている。
ダイステージ２に半導体素子５を搭載し、接着樹脂８に
より接着固定する。接着樹脂８はエポキシ系樹脂に金又
は銀粉末を混合した接着剤で導電性に優れ、加熱硬化（
１５０℃〜２００°Ｃ）により固定する。
［＾１定された半導体素子５は素子面に形成されたボン
デング用バットとリード３の先端をワイヤ６でボンデン
グ接続することによシ外リードと電気的に結合する。
グイステージ２に半導体素子５を接九−固定するには先
づダイステージ２面に接着剤を塗布し、ＩＣ素子５を載
置するので、接着面の均一性が得難く接着層の厚さにバ
ラツキを生ずる。接着層が厚くなると導体抵抗が増加し
小さいと接着強度が低下損うことなく、接着層の厚みが
均一に得られるようグイステージに突起を設けた、リー
ドフレーム導体素子搭載面に少くとも３個の突起を有す
るリードフレームに前記半導体素子を接着固定し、樹に
半導体素子を取付けた状態を矢印入方向から見た図であ
る。
ｍ　３１ｒ’ｌにおいてリードフレーム１１のグイステ
ージ１２に突起１３を形成する。その形成法は多連のリ
ードフレーム１１のプレス打抜の際同時に行ないグイス
テージ１２の半導体素子取付面に少くとも３ケ所形成す
る。
突起１３は同一形状に形成され、そめ高さ寸法は略１０
〜１００μｍ程度の同一高さであることが望捷しい。
その取付方法はまずグイステージ１２に銀又は金粉末を
混合したエポキシ系樹脂でなる接着樹脂１４を塗布１２
、半導体素子１５を載置し、その底面がグイステージ１
２の突起１３に接するように軽く押圧する。次に１５０
°Ｃ〜２００６Ｃ範囲で加熱硬化処理を行う。
このように接着樹脂１４による接着層は略突起１３の高
さ寸法によって決するから常に均一な接着層が得られ従
来に比しバラツキは減少し改善される。
また作業も簡易化されるため自動化が容易である０ （ｇ）発明の効果 以上詳細に説明し／とように、グイステージに突起を設
けて半導体素子を接木固定することにより従来に比して
接着層の厚みは均一化されるから接着強度が向上する優
れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第３図は本発明の一実施例である多連リードフレームの
平面図、第４図は本発明の一実施例であるグイステージ
に半導体素子を取付けた状態を矢印Ａ方向から兄だ図で
ある。 １１曲リードフレーム、１２曲ダイステージ、１３・・
・・突起、１４曲接着樹脂、１５曲半導体素子。 第　１　霞 工 ２２霞 第３閃 １９１

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ダイステージの半導体素子搭載面に少くとも一３個の突
    起を肩するリードフレームに前記半導体素子を接着固定
    し、樹脂封止してなることを特徴とする半導体装置。
JP57090679A 1982-05-28 1982-05-28 半導体装置 Pending JPS58207645A (ja)

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ID=14005217

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