JPS58208603A - 位置検出方法 - Google Patents

位置検出方法

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Publication number
JPS58208603A
JPS58208603A JP9122782A JP9122782A JPS58208603A JP S58208603 A JPS58208603 A JP S58208603A JP 9122782 A JP9122782 A JP 9122782A JP 9122782 A JP9122782 A JP 9122782A JP S58208603 A JPS58208603 A JP S58208603A
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JP
Japan
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pattern
solid
state image
target
position detection
Prior art date
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Pending
Application number
JP9122782A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiko Hara
靖彦 原
Mitsuyoshi Koizumi
小泉 光義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9122782A priority Critical patent/JPS58208603A/ja
Publication of JPS58208603A publication Critical patent/JPS58208603A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェハ、マスク、プリント基板等に形成
された2次元バクーンの位置を検出する方法に関するも
のである。
従来、マスクアライメント装置等に用いられている位置
検出装置には、位蓋検出用ターゲットとして線状パター
ンをマスク及び半導体ウェハ上に形成し、スIJ 7 
トの振動や、誂の励動を利用して紛状パターンの光像を
光走査にてマスクと半導体つ壬ハの位置を知る光走査方
式がある。
本方式はスIJ ット及び、鏡による光像の走査を行う
ため、機械的振動が生じる問題および機械駆動部の信頼
性の問題があった。
また、受光素子を一列に配列した固体撮像素子とシリン
ドリカルレンズを用いたマスクアライメント装置提案さ
れた(特開昭51−76979号)。
本装置では上記した問題はないが、シリンドリカルレン
ズを高精度で製造することの困難さから、検出精度の低
下と、若干の光学系の複雑さを有している。特に上記の
如〈従来のシリンドリカルレンズを用いた方式ではシリ
ンドリカルレンジ表面の研摩誤差によって固体撮像素子
上に形成される光学圧縮像に変形が生じる。シリンドリ
カルレンズは、通常円形のレンズ製作に用いられる研摩
法が用いられないので、精度よく製作することが困難で
あるので、上記の位置検出種度に対する影響は大きい。
不発明は上記従来技術の欠点をすくシたターゲット位置
の検出方式を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために、2次元パターンを
光学的に結像させ、ピッチより幅の広い受光面をMする
素子を直1嵌上に配列した固体撮像素子で上記結像を撮
像し、該撮像素子からら検出される信号により、直線状
パターン、または点列状パターンの位置を検出すること
を特徴とする位置検出方法である。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。即ち不発明の位置検出方法を実施する装置の構成
を第1図に示す。
1はランプであり、焦光用レンズ2と半透明@3を介し
て位置検出対象パターン4を照明する。対象パターン4
は対物レンズ5によって拡大される。光束は半透鏡3′
によって2つに分離されパターン検出器6および6′上
に結像する。
検出器6.6′は固体撮像素子であり、$2図に示すよ
うに受光素子8が一列に配列しているが、受光素子はピ
ッチpおよび幅dに比べて長さLが極めて長く形成され
ている。
本発明は、第2図に示すようにピッチpおよび幅dに比
べて長ざLがきわめて大きく形成されている固体撮像素
子6.6′を使用することによって撮像素子6,6′の
受光素子面8上で圧縮効果を得ようとするものである。
従来の如くシリンドリカルレンズを用いた方式ではシリ
ンドリカルレンズ表面の研摩誤差によって、固体撮像素
子6,6′上ζこ形成される光学圧縮像に変形が生じる
。とくにシリンドリカルレンズは通常の円形のレンズ裏
作に用いられる研摩法が用いられないので、精度良く製
作することが困難であるので、上記の位置検出精度に対
する影響は大きい。また、シリンド11カルレンズ7.
7′を撮像素子6,6′に対して正確に位置決めして組
立てる必要がある。
第2図に示した形状の固体撮像素子を用いることによっ
て、上水の問題は全て叫央し、かつ位置検出器のS戎は
i薦めで間車になる。
ところで、第1図における位1#検出用対象パターン4
8!、j象の圧縮方向tこ長い嵌分または点列を有する
パターンが用いろnる。ターゲットパターンを用いるこ
とができる。また位置瑛出用のパターンに直線成分が、
う5れば、これを位置検出用に用いることカ≦できる。
とく(こ第3図に示すように、直線状のパターンを有す
る対象パターン4′の2個所の位置を検量す<’3こと
によって、対象パターン4′の回転角eを検出すること
ができるので、回転方向の位置決めに利用することがで
きる(この揚合第1図に示すような固体撮像素子す、6
′の両方は不要であり6′のみあれば良い〕。−転角θ
は第4図に示すように固体撮像素子6′オよび6+Vの
端部力1らBの3の、11 、12の位置に対象パター
ン4′がある場合、回転角θは次式で計算される。
また、本検出手法はx−y−eテープJVIO上に載置
された半導体クエハ11上に形成された2軸方向の@線
成分を有するターゲットマーク12a12bとマスク1
3上5こ形成された2割方向を有するターゲットマーク
14a 、 14bとの位置ずれを検出できることは明
らかである。即ちターゲットマーク12aと14aにつ
いてはランプla1集光用レンズ2a、及び半透#4鏡
3aからなる照明線と、ターゲットパターン12a、1
4aを拡大して固体撮像素子5a、6a’上に結像する
対物レンズ5a1各固体撮慮索子6a、6a’へ分枝す
る半透明鏡3 a/及び第2図に示す如くピッチpおよ
び幅dに比べて長さLを極めて長く形成した受光素子を
一直線上に配列した固体撮像素子6a、f3a’からな
る位置検出器とによつ−で2軸方向中心の相対的変位Δ
℃Δy1が検出される。同様にターゲットマーク12b
・14bについても、ランプ1b、果光用レンズ2N半
透明鏡3bからなる照明線と、ターゲットパターン12
b、14bを拡大して固体撮像素子6b、6b’上に結
像する対物レンズ5b1各固体撮像6b、6b’へ分岐
する半透明鏡3b′、及び第2図に示す如く受光素子を
一直線上に配列した固体撮像素子6b。
sb/からなる位置検出器によって2軸方向の中心の相
対的変位Δx2.Δy2が検出される。この両者ΔXI
、Δy1.ΔX2.Δy2.から検出された値にもとづ
いて例えば、 Δy1+Δy2 67w   2 等の計算をし、その結果をX−Y−8テーブル10ヘフ
イードハノクすることに半導体ワエハ11とマスク13
とをアライメントすることが出来る。
また半導体ウェハとマスクとか著しく距離している場合
には、対物レンズとして焦点深度の浅いものを用い、光
路長を変えた複数の光学系を設げることにより、半導体
ウェハ、及びマスクの各々のターゲットマークを上記撮
像素子上に結像させることができる。またマスク上のタ
ーゲットマークを半導体ウェハ上に投影し、その投影さ
れたターデッドマークと半導体ウェハ上に形成されたタ
ーゲットマークとを上記光学系で一体撮像業子上に結像
させて固体撮像素子で検出する場合でもよいことは明ら
かである。
以上説明したように本発明(こよれば、シリンドリカル
レンズを用いることなく、直線成分を有するパターンに
凹凸や、欠けがあったり、異物等が部分的に付着してい
Cも、またこのパターンの形成精度が悪くても、高精度
に位置を検出することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の位置検出方法を実施する装置の概略構
成図、第2図は本発明で用いる固体撮像素子の形状を示
す図、第3図は本発明を回転方向の位置検出器々して用
いた場合を示した説明図、第4図は回転方向の位置を算
出するための説明図、第5図は本発明の位置検出方法を
適用(−1たマスクアライメント方法を説明するための
図である。 l・・・ランプ     2・・・集光用レンズ3・・
・半透鏡 4・・・位買検出用対象パターン 5・・・対物レンズ   6・・・固体撮像素子7・・
・シリンドリカルレンズ 8・・・固体撮像素子の受光素子 代理人弁理士 薄 1)利 幸 寸 1 図 1 一’;i′2  図 173 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 2次元パタータを光学部で結像させ、配列方向と垂直゛
    な方向に長い形状の受光素子を1次元に配列した撮像素
    子で上記結像された像を撮像し、該撮像素子から検出さ
    れる信号により、直線状パターン、または点列状パター
    ンの位置を検出することを特徴とする位置検出方法。 
    −
JP9122782A 1982-05-31 1982-05-31 位置検出方法 Pending JPS58208603A (ja)

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JP9122782A JPS58208603A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 位置検出方法

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Publications (1)

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JPS58208603A true JPS58208603A (ja) 1983-12-05

Family

ID=14020531

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JP9122782A Pending JPS58208603A (ja) 1982-05-31 1982-05-31 位置検出方法

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5176979A (ja) * 1974-12-27 1976-07-03 Hitachi Ltd
JPS5429977A (en) * 1977-08-10 1979-03-06 Hitachi Ltd Detection system for position
JPS5626206A (en) * 1979-08-09 1981-03-13 Canon Inc Detecting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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