JPS58209106A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPS58209106A JPS58209106A JP9196582A JP9196582A JPS58209106A JP S58209106 A JPS58209106 A JP S58209106A JP 9196582 A JP9196582 A JP 9196582A JP 9196582 A JP9196582 A JP 9196582A JP S58209106 A JPS58209106 A JP S58209106A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- electrode
- thin
- capacitor
- conductive layer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に誘電体として複数の薄葉誘電体を用いたコンデ
ンサにおいて、薄葉誘電体間に生じたボイドの部分数ｔ
を防止する手段に関する。
ンサにおいて、薄葉誘電体間に生じたボイドの部分数ｔ
を防止する手段に関する。
この種のコンデンサは第１図（ａ） ”→→およ
び（ｂ）に示すように、金属箔よりなる電極ｌ。
び（ｂ）に示すように、金属箔よりなる電極ｌ。
２間に複数の、例えば２枚の７−ラスナックフィルム等
の薄葉誘電体３，４をはさみ、さらに電極の外側に同じ
く薄葉誘電体３／ 、、ｉ／を重ね、巻回すると共に
第２図に示すように各電離よりリード線５．６ｔと９出
してコンデ／す素子とする。次いでコンデンサ素子を加
熱、乾燥したのち真空引きを行ないフェス等の含浸処理
を施すが、第３図に示すように、薄葉誘電体３，４間に
ボイド７が残存するおそれがある。このようなボイド７
は誘電率が薄葉誘電体３，４より小さいため、使用時に
強い電界が加かり部分放電が生じ、絶縁を劣下させる原
因となる□ 本発明はこのようなボイドにおける部分放電の防止を目
的とするもので、その骨子とするところは、あらかじめ
薄葉誘電体に密着した導電層を設けることにより、たと
え薄葉誘電体間に誘電率の小さなボイドが残存しても、
これに電界が集中して部分放電の発生するおそれをなく
したものである。以下実施例について詳細に説明する。
の薄葉誘電体３，４をはさみ、さらに電極の外側に同じ
く薄葉誘電体３／ 、、ｉ／を重ね、巻回すると共に
第２図に示すように各電離よりリード線５．６ｔと９出
してコンデ／す素子とする。次いでコンデンサ素子を加
熱、乾燥したのち真空引きを行ないフェス等の含浸処理
を施すが、第３図に示すように、薄葉誘電体３，４間に
ボイド７が残存するおそれがある。このようなボイド７
は誘電率が薄葉誘電体３，４より小さいため、使用時に
強い電界が加かり部分放電が生じ、絶縁を劣下させる原
因となる□ 本発明はこのようなボイドにおける部分放電の防止を目
的とするもので、その骨子とするところは、あらかじめ
薄葉誘電体に密着した導電層を設けることにより、たと
え薄葉誘電体間に誘電率の小さなボイドが残存しても、
これに電界が集中して部分放電の発生するおそれをなく
したものである。以下実施例について詳細に説明する。
第４図において、電極１，２間に設けた薄葉誘電体３お
よび４には、それぞれ電極１．２に対応した部分の両面
に密着した導電層３ａと３ｂおよび４ａと４ ｂ Ｉｔ
、アルミニウムの真空蒸着や導電物寅の印刷等により
あらかじめ設ける。なお、電極の外側に設けた薄葉誘電
体ａ ／ 、 ４７にも両面に同様の導電層３’ ａ
とａ ／ ｂ、 ４ ／ ａ と４／ ｂを設ける。
よび４には、それぞれ電極１．２に対応した部分の両面
に密着した導電層３ａと３ｂおよび４ａと４ ｂ Ｉｔ
、アルミニウムの真空蒸着や導電物寅の印刷等により
あらかじめ設ける。なお、電極の外側に設けた薄葉誘電
体ａ ／ 、 ４７にも両面に同様の導電層３’ ａ
とａ ／ ｂ、 ４ ／ ａ と４／ ｂを設ける。
筐た、実際には電極１，２と、薄葉誘電体：３．３’、
４．４’の両面の導電層とは互いに密接しているが、上
記第４図（ａ）および後述する第６因においては理解し
やすいように、互いに離隔して示されている。
４．４’の両面の導電層とは互いに密接しているが、上
記第４図（ａ）および後述する第６因においては理解し
やすいように、互いに離隔して示されている。
このように薄葉誘電体の両面に導電層を密着して設け、
コンデンサ集子を構成した場合、ワニス真空含没後に第
５図に示すように薄葉誘電体３゜４間にボイド７が残存
した場合でも、ボイド７は同電位の導電層３ｂと４ａで
包囲されているためたとえその誘電率が薄葉誘電体３，
４より小さくても電界が集中するおそれはなく、従って
部分放電は生じない。なおこれは、ボイドが電極１，２
と薄葉誘電体３，４との間に生じた場合も同縁であって
、ボイドがどこにある場合でも、ボイドに部分放電が生
じることはない。
コンデンサ集子を構成した場合、ワニス真空含没後に第
５図に示すように薄葉誘電体３゜４間にボイド７が残存
した場合でも、ボイド７は同電位の導電層３ｂと４ａで
包囲されているためたとえその誘電率が薄葉誘電体３，
４より小さくても電界が集中するおそれはなく、従って
部分放電は生じない。なおこれは、ボイドが電極１，２
と薄葉誘電体３，４との間に生じた場合も同縁であって
、ボイドがどこにある場合でも、ボイドに部分放電が生
じることはない。
次に第６図に示すように、第１図（ａ）における電極１
および２が、ｌａと１ｂおよび２ａと２ｂのように、少
なくとも一万が複数に分割して千鳥に設けられ、第７図
に示すように電極１ａと２ ａ ＋２ａとｌｂ、および
ｌｂと２ｂにより互いに直列接続された複数のコンデン
サを構成する場合について説明する。このときは、電極
１ａとｌｂ、および２ａと２ｂとの間、すなわち分割し
た電極間隙８，９では導電層を次のようにする。
および２が、ｌａと１ｂおよび２ａと２ｂのように、少
なくとも一万が複数に分割して千鳥に設けられ、第７図
に示すように電極１ａと２ ａ ＋２ａとｌｂ、および
ｌｂと２ｂにより互いに直列接続された複数のコンデン
サを構成する場合について説明する。このときは、電極
１ａとｌｂ、および２ａと２ｂとの間、すなわち分割し
た電極間隙８，９では導電層を次のようにする。
すなわち、導電層はすべて電極１ａ、ｌｂおよび２ａ、
２ｂに対応して分割し、電極間隙８，９に対応する部分
は除去する。ただし、電極に接する導電膜は必ずしも′
他方の電極に対応して分割する必要はなく、その接する
電極のみに対応して分割すればよい。よって、電極に接
しない導電膜は電極間隙８，９の双方に対応して分割し
、３ｂｌ。
２ｂに対応して分割し、電極間隙８，９に対応する部分
は除去する。ただし、電極に接する導電膜は必ずしも′
他方の電極に対応して分割する必要はなく、その接する
電極のみに対応して分割すればよい。よって、電極に接
しない導電膜は電極間隙８，９の双方に対応して分割し
、３ｂｌ。
３ｂ２，３ｂ３ならびに４ａｌ、４ａ２．４ａ３とし、
電極に接する導電膜は電極間隙の一万すなわち８あるい
は９にのみ対応して分割して３ａｉ。
電極に接する導電膜は電極間隙の一万すなわち８あるい
は９にのみ対応して分割して３ａｉ。
３ａ２ならびに４ｂ１．４ｂ２とする。なお、このこと
は薄葉誘電体３／、４／においても同様であり、それぞ
れ導電膜を分割して３ ’ ａ ｌ Ｈ３’ａ ２ ＋
３’ｂｌ、３’ｂ２，３’ｂ３，４’ａｌ、４’ａ２゜
４’ａ３ ．４’ｂｌ 、４’ｂ２とする。
は薄葉誘電体３／、４／においても同様であり、それぞ
れ導電膜を分割して３ ’ ａ ｌ Ｈ３’ａ ２ ＋
３’ｂｌ、３’ｂ２，３’ｂ３，４’ａｌ、４’ａ２゜
４’ａ３ ．４’ｂｌ 、４’ｂ２とする。
４電膜をこのように分割する理由は、電極の分割によっ
て第７図のように複数のコンデンサが構成されるため、
導電膜もコンデンサごとに分割するためである。また電
極に接する導電膜も他方の電極の電極間隙で異なるコン
デンサに分割されるが、接する電極が連続し同電位のた
め、必ずしも他方の電極にも対応して分割することなく
、接する電極にのみ対応して分割すればよい。
て第７図のように複数のコンデンサが構成されるため、
導電膜もコンデンサごとに分割するためである。また電
極に接する導電膜も他方の電極の電極間隙で異なるコン
デンサに分割されるが、接する電極が連続し同電位のた
め、必ずしも他方の電極にも対応して分割することなく
、接する電極にのみ対応して分割すればよい。
このように、薄葉誘電体の両面に密着した導電膜を電極
に対応して配置することにより、小電流のコンデンサの
場合は電極１ａ、ｌｂ、２ａ、２ｂを省略しても、１個
のコンデンサ素子内に互いに直列接続された複数のコン
デンサを形成することができる。
に対応して配置することにより、小電流のコンデンサの
場合は電極１ａ、ｌｂ、２ａ、２ｂを省略しても、１個
のコンデンサ素子内に互いに直列接続された複数のコン
デンサを形成することができる。
また、さらＶこコンデンサの電極端部の電界集中を避け
るため、第４図において高上側の′ＦＪＬ極１の端部を
わずか折り返し、いわゆる耳折ジしてラウンドエツジと
した場合、薄葉誘電体に設けた導電層が電極１の端部よ
り外側に突出したのでは、導電層の端部に高電界が加わ
ることになる。よって、このような場合は導電層は高圧
電極１の端部より外側に出ないようにすることが必要で
ある。
るため、第４図において高上側の′ＦＪＬ極１の端部を
わずか折り返し、いわゆる耳折ジしてラウンドエツジと
した場合、薄葉誘電体に設けた導電層が電極１の端部よ
り外側に突出したのでは、導電層の端部に高電界が加わ
ることになる。よって、このような場合は導電層は高圧
電極１の端部より外側に出ないようにすることが必要で
ある。
なお、本発明のように、ｔ＠！間に配置した複数の薄葉
誘電体の両面にそれぞれ導電層を設けた場合、１枚の薄
葉誘電体の１箇所にでも絶縁不良の部分があると、その
薄葉誘電体が導電体となり、所期のコンデンサは構成さ
れない。このためには、薄葉誘電体はあらかじめ１枚ず
つに耐電圧試験を行ない、絶縁不良のおそれのないもの
を用いることによジ、目的を達することができる。
誘電体の両面にそれぞれ導電層を設けた場合、１枚の薄
葉誘電体の１箇所にでも絶縁不良の部分があると、その
薄葉誘電体が導電体となり、所期のコンデンサは構成さ
れない。このためには、薄葉誘電体はあらかじめ１枚ず
つに耐電圧試験を行ない、絶縁不良のおそれのないもの
を用いることによジ、目的を達することができる。
以上説明したように、不発明によるときは複数の薄葉誘
電体間にボイドが残存しても、部分放電発生のおそれの
ないコンデンサを得ることができる。
電体間にボイドが残存しても、部分放電発生のおそれの
ないコンデンサを得ることができる。
第１図（ａ）および（ｂ）は電極間に複数の薄葉誘電体
を配置してコンデンサを構成する状態を示す側面図およ
び平面図、第２図は電極よりそれぞれリード線を引出し
た状態を示す説明図、第３図は薄葉誘電体間にボイドが
形成された状態をボす断面図、第４図は不発明の実施例
を示す側断面図および平面図、第５図は薄葉誘電体間に
生じたボイドが同電位の導電層に包囲されている状態を
示す断面図、第６図は電極を千鳥に形成したコンデンサ
における本発明の実施例を示す断面図、第７図はこれに
より構成された複数の直列接続コンデンサを示す説明図
である。 ｌ ｒ ２ 、 ｌ ａ 、 ｌ ｂ 、 ２ ａ 、
２ ｂ−・・電極、３゜４．３’、４’・・・薄葉誘
電体、３ａ、３ｂ、４ａ＋４ｂ・・・導電層、８，９・
・・電極間隙。 矛 １ 団 矛２閉 す３図 矛 ｌＩ−図
を配置してコンデンサを構成する状態を示す側面図およ
び平面図、第２図は電極よりそれぞれリード線を引出し
た状態を示す説明図、第３図は薄葉誘電体間にボイドが
形成された状態をボす断面図、第４図は不発明の実施例
を示す側断面図および平面図、第５図は薄葉誘電体間に
生じたボイドが同電位の導電層に包囲されている状態を
示す断面図、第６図は電極を千鳥に形成したコンデンサ
における本発明の実施例を示す断面図、第７図はこれに
より構成された複数の直列接続コンデンサを示す説明図
である。 ｌ ｒ ２ 、 ｌ ａ 、 ｌ ｂ 、 ２ ａ 、
２ ｂ−・・電極、３゜４．３’、４’・・・薄葉誘
電体、３ａ、３ｂ、４ａ＋４ｂ・・・導電層、８，９・
・・電極間隙。 矛 １ 団 矛２閉 す３図 矛 ｌＩ−図
Claims (3)
- （１） 第１と第２の電極間に誘、電体として複数枚
の薄葉誘電体を配置し、上記各薄葉誘電体の両ｌにそれ
ぞれ導電層を密着して設けたことｔ−特徴とするコンデ
ンサ。 - （２） 前記第１と第２の電極は少なくとも一力が複
数に分割されると共に前記複数の薄葉誘電体をはさんで
千鳥に配置され、前記導電層は前記第１と第２の電極に
対応して分割されたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のコンデンサ。 - （３） 前記導電層のうち、前記電極に接する導電膜
は・その接する電極にのみ対応して分割されたことを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載のコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9196582A JPS58209106A (ja) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9196582A JPS58209106A (ja) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209106A true JPS58209106A (ja) | 1983-12-06 |
Family
ID=14041257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9196582A Pending JPS58209106A (ja) | 1982-05-29 | 1982-05-29 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209106A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110351A (en) * | 1974-07-16 | 1976-01-27 | Nichicon Capacitor Ltd | Purasuchitsuku fuirumu kondensa |
-
1982
- 1982-05-29 JP JP9196582A patent/JPS58209106A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110351A (en) * | 1974-07-16 | 1976-01-27 | Nichicon Capacitor Ltd | Purasuchitsuku fuirumu kondensa |
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