JPS5821035B2 - 銅の電着用組成物及び方法 - Google Patents
銅の電着用組成物及び方法Info
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- JPS5821035B2 JPS5821035B2 JP50115933A JP11593375A JPS5821035B2 JP S5821035 B2 JPS5821035 B2 JP S5821035B2 JP 50115933 A JP50115933 A JP 50115933A JP 11593375 A JP11593375 A JP 11593375A JP S5821035 B2 JPS5821035 B2 JP S5821035B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は銅の電着用組成物及びその電着方法に関し、更
に詳しくは水性酸性鍍金浴、特（こ硫酸銅及びフッ化ホ
ウ素酸浴から銅を鍍金することに関するものであり、よ
り詳しくは、広範囲の浴濃度と操作電流密度ζこおいて
、光沢性、高延性、低応力及び高平滑性の銅を析出する
ような鍍金浴中に、有機化合物を使用することに関する
。
に詳しくは水性酸性鍍金浴、特（こ硫酸銅及びフッ化ホ
ウ素酸浴から銅を鍍金することに関するものであり、よ
り詳しくは、広範囲の浴濃度と操作電流密度ζこおいて
、光沢性、高延性、低応力及び高平滑性の銅を析出する
ような鍍金浴中に、有機化合物を使用することに関する
。
米国特許第３．７７０．５９８号（こは、上述の利点を
得るために、酸性の銅鍍金浴にある種の反応生成物を添
加することが提案されている。
得るために、酸性の銅鍍金浴にある種の反応生成物を添
加することが提案されている。
この先行技術中に示される添加物は、例えばベンジルク
ロライドのようなアルキル化剤とポリエチレンイミンと
の反応によって生成する。
ロライドのようなアルキル化剤とポリエチレンイミンと
の反応によって生成する。
このような反応生成物は銅の析出物の性状を改善するに
は効果的であるが、水性の酸性鍍金浴に比較的溶解し難
い場合が多い。
は効果的であるが、水性の酸性鍍金浴に比較的溶解し難
い場合が多い。
本発明は銅の析出物の性状が、水性酸性鍍金浴にポリ（
アルカノール第四級アンモニウム塩）を添加することに
よって改善されることを見出し、完成されたものである
。
アルカノール第四級アンモニウム塩）を添加することに
よって改善されることを見出し、完成されたものである
。
このような塩類は前記先行技術に示されるアルキル化ポ
リエチレンイミンよりも水性酸性浴に対して溶解度が高
く又、相溶性にもすぐれている。
リエチレンイミンよりも水性酸性浴に対して溶解度が高
く又、相溶性にもすぐれている。
本発明による組成物とその方法は、酸性の硫酸銅又は、
酸性のフッ化ホウ素酸銅型の酸性銅鍍金浴を含むもので
ある。
酸性のフッ化ホウ素酸銅型の酸性銅鍍金浴を含むもので
ある。
よく知られた通り、このような酸性硫酸銅浴は、代表的
には硫酸銅約１８０〜２５０ｇ／７ｉｔ、と硫酸３０〜
ｓｏｇ／ｌｉｔ。
には硫酸銅約１８０〜２５０ｇ／７ｉｔ、と硫酸３０〜
ｓｏｇ／ｌｉｔ。
を含んでいるが、酸性フッ化ホウ素酸銅浴は代表的には
フッ化ホウ素酸銅２００〜６００ ｊ！／１１ｔ。
フッ化ホウ素酸銅２００〜６００ ｊ！／１１ｔ。
及びフッ化ホウ素酸約Ｏ〜６０９／ａｉｔ、を含んでい
る。
る。
更に、本発明の添加物を使用すれば、これらの酸性銅鍍
金浴は、高い酸濃度と低い金属含量の条件下で操作でき
ることが見出されている。
金浴は、高い酸濃度と低い金属含量の条件下で操作でき
ることが見出されている。
従って、例えば、約７．５ ｇ／ Ａｉ ｔ、という低
濃度の銅と３５０ ｇ／ｌＩＬ、という高濃度の硫酸又
はフッ化ホウ素酸を含むような鍍金浴でも、優れた鍍金
効果が得られる。
濃度の銅と３５０ ｇ／ｌＩＬ、という高濃度の硫酸又
はフッ化ホウ素酸を含むような鍍金浴でも、優れた鍍金
効果が得られる。
これらの鍍金浴は約１０〜１００Ａ／ｆｔ２（約１．１
〜ＩＩＡ／ｄｍ２）の電流密度範囲内で操作されること
が好ましいが、多くの場合、約０．５ Ａ／ｆｔ２（０
，０５６Ａ／ｄｍ”）という低電流密度でも操作するこ
とができる。
〜ＩＩＡ／ｄｍ２）の電流密度範囲内で操作されること
が好ましいが、多くの場合、約０．５ Ａ／ｆｔ２（０
，０５６Ａ／ｄｍ”）という低電流密度でも操作するこ
とができる。
低銅濃度、高酸濃度浴では、約１０〜５０Ａ／ｆｔ２（
約１．０〜５．４Ａ／ｄｍ”）範囲の電流密度が一般（
こ使用される。
約１．０〜５．４Ａ／ｄｍ”）範囲の電流密度が一般（
こ使用される。
又、輪転グラビア版シリンダーの鍍金に用いられるよう
な強攪拌浴中において、４００Ａ／ｆｔ２（４３／ｄｍ
”）という高い電流密度を採用することもできる。
な強攪拌浴中において、４００Ａ／ｆｔ２（４３／ｄｍ
”）という高い電流密度を採用することもできる。
浴は空気攪拌、陰極棒攪拌又は溶液攪拌と陰極棒攪拌を
用いて操作してもよいが、それは使用される特定浴と鍍
金条件によって左右される。
用いて操作してもよいが、それは使用される特定浴と鍍
金条件によって左右される。
代表的な鍍金浴温度は約２５〜３５℃の範囲内であるが
、それより低部又は高温度、例えば５０℃又はそれ以上
の温度も使用できる。
、それより低部又は高温度、例えば５０℃又はそれ以上
の温度も使用できる。
これに関連して、注目すべきことは、本発明の鍍金浴が
銅の電気精錬にも利用できるということであり、銅の電
気精錬法では一般に約６０〜７０℃の温度が採用される
。
銅の電気精錬にも利用できるということであり、銅の電
気精錬法では一般に約６０〜７０℃の温度が採用される
。
浴中の塩素イオン及び／又は臭素イオンの濃度は、約０
．１ｇ／ｌｉｔ、以下であることが望ましいが、可なり
多量の多くの無機イオン例えば第一鉄イオン、ニッケル
、コバルト、亜鉛、カドミウム等の各イオンが少くとも
約２５ｇ／ｌｉｔ、という高濃度で浴中に存在しても、
有害作用を及ぼさないことが分った。
．１ｇ／ｌｉｔ、以下であることが望ましいが、可なり
多量の多くの無機イオン例えば第一鉄イオン、ニッケル
、コバルト、亜鉛、カドミウム等の各イオンが少くとも
約２５ｇ／ｌｉｔ、という高濃度で浴中に存在しても、
有害作用を及ぼさないことが分った。
更に又、本発明による酸性銅鍍金浴は、高濃度の酸と低
銅金属含量という条件下においても、優れた結果を与え
るのみならず、貫通孔の鍍金にもよく適応し、従って印
刷回路板の製造にも可なり利用できることが分る。
銅金属含量という条件下においても、優れた結果を与え
るのみならず、貫通孔の鍍金にもよく適応し、従って印
刷回路板の製造にも可なり利用できることが分る。
本発明によるポリ（アルカノール第四級アンモニウム塩
）は、ある反応順序に従って調製される３一段目はポリ
アルキレンイミンの混合物とアルキレンオキサイドとの
反応によってポリアルカノールアミンを生成する反応を
含み、二段目はこのポリアルカノールアミンがアルキル
化又は第四化合物化剤と反応して、ポリ（アルカノール
第四級アンモニウム塩）を生成する反応を含む。
）は、ある反応順序に従って調製される３一段目はポリ
アルキレンイミンの混合物とアルキレンオキサイドとの
反応によってポリアルカノールアミンを生成する反応を
含み、二段目はこのポリアルカノールアミンがアルキル
化又は第四化合物化剤と反応して、ポリ（アルカノール
第四級アンモニウム塩）を生成する反応を含む。
この反応過程は次のように表わされる：
鼓にＲ，、Ｒ２−炭素原子数１〜６のアルキレン基、
Ｒ，＝ −ＣＨ２−ＣＨ−Ｒ６又はＨ
Ｒ５＝炭素原子数１〜４のアルキル基、アラルキル基、
炭素原子数１〜４のアルケニル基、炭素原子数１〜４の
アルキニル基、 炭素原子数１〜４のアルキレンスルホネート基（例えば Ｒ６＝Ｈ，−ＣＨ３，−ＣＨ２０Ｈ。
炭素原子数１〜４のアルケニル基、炭素原子数１〜４の
アルキニル基、 炭素原子数１〜４のアルキレンスルホネート基（例えば Ｒ６＝Ｈ，−ＣＨ３，−ＣＨ２０Ｈ。
Ｒ７−炭素原子数１〜４のアルキル基、
ｍ＝１〜２
Ｘ〇−Ｃ１■、Ｂｒ○、 ＣＨ３８０，ｌ。
ｐ＝ｌ〜２である。
ｍとｐの値は、最終生成物が若干のアルカノール第四級
アンモニウム基を含むようζこ選択しなければならない
。
アンモニウム基を含むようζこ選択しなければならない
。
若しｐの値が２以下であれば、上式中のＲ５基（及び第
四級アンモニウム基）の数はこれζこ対応する値を持つ
ことが明らかである。
四級アンモニウム基）の数はこれζこ対応する値を持つ
ことが明らかである。
アルキル化剤がアルカンスルトンであれば、式中のＸ○
はアルキレン基についたスルホン基（ＳＯ９であること
は明らかである。
はアルキレン基についたスルホン基（ＳＯ９であること
は明らかである。
本発明で利用できる特定のポリアルキレンイミンは、
の重合生成物として表わすことができる；鼓にＲ８（！
：Ｒ９は水素、炭素原子数１〜３のアルキル基、Ｒｌｏ
は水素、又は炭素原子数１〜３のアルキル、アラルキル
又はヒ１−ｊｏキシアルキル基である。
：Ｒ９は水素、炭素原子数１〜３のアルキル基、Ｒｌｏ
は水素、又は炭素原子数１〜３のアルキル、アラルキル
又はヒ１−ｊｏキシアルキル基である。
好ましいポリアルキレンイミンは、分子量約３００〜約
ｉ、ｏ ｏ ｏ、ｏ ｏ ｏの範囲内の未置換ポリエチ
レンイミンである。
ｉ、ｏ ｏ ｏ、ｏ ｏ ｏの範囲内の未置換ポリエチ
レンイミンである。
本発明で利用できるアルキレンオキサイドとしては、エ
チレンオキサイド、プロピレンオキサイド及びグリシド
ールなどが挙げられ、これらの化合物はポリエチレンイ
ミンと反応して分子量約３００〜約ｉ、ｏ ｏ ｏ、ｏ
ｏ ｏ範囲内の反応生成物を生ずる。
チレンオキサイド、プロピレンオキサイド及びグリシド
ールなどが挙げられ、これらの化合物はポリエチレンイ
ミンと反応して分子量約３００〜約ｉ、ｏ ｏ ｏ、ｏ
ｏ ｏ範囲内の反応生成物を生ずる。
ポリアルキレンイミンとアルキレンオキサイドの反応生
成物すなわちポリアルカノールアミンは、アルキル化剤
と反応して酸性の銅鍍金浴に可溶性の生成物を生ずるが
、エチレンオキサイドとグリシドールから得られる反応
生成物は、プロピレンオキサイドから得られる反応生成
物より溶解度が大きい。
成物すなわちポリアルカノールアミンは、アルキル化剤
と反応して酸性の銅鍍金浴に可溶性の生成物を生ずるが
、エチレンオキサイドとグリシドールから得られる反応
生成物は、プロピレンオキサイドから得られる反応生成
物より溶解度が大きい。
ポリアルカノールアミンの窒素をアルキル化することに
よって、本発明の浴に添加する反応生成物を生成させる
には、各種の有機化合物をポリアルカノールアミンと反
応させることができる。
よって、本発明の浴に添加する反応生成物を生成させる
には、各種の有機化合物をポリアルカノールアミンと反
応させることができる。
特に好結果を与えることが分った特定化合物は、ベンジ
ルクロライド、アリルブＰマイト、ジメチル硫酸、プロ
パンスルトン及び（３−クロロ−２−ヒドロキシプロピ
ル）トリメチル塩化アンモニウムすなわち （Ｃｌ−ＣＨ２−ＣＨＯＨＣＨ２−Ｎ （ＣＨｓ）３）
＋Ｃｌ−などである。
ルクロライド、アリルブＰマイト、ジメチル硫酸、プロ
パンスルトン及び（３−クロロ−２−ヒドロキシプロピ
ル）トリメチル塩化アンモニウムすなわち （Ｃｌ−ＣＨ２−ＣＨＯＨＣＨ２−Ｎ （ＣＨｓ）３）
＋Ｃｌ−などである。
この反応生成物の生成法は、比較的簡単である。
ポリアルカノールアミンの必要量を熱湯に溶かして之に
所要量のアルキル化剤を加え、この反応混合物を約５０
〜約１００℃の範囲の温度に加熱しさえすればよい。
所要量のアルキル化剤を加え、この反応混合物を約５０
〜約１００℃の範囲の温度に加熱しさえすればよい。
ポリアルカノールアミンとアルキル化剤の量比は、ポリ
アルカノールアミン中のアミノ基の全部はアルキル化さ
れないように種々変えることができる。
アルカノールアミン中のアミノ基の全部はアルキル化さ
れないように種々変えることができる。
本発明の内容を更に詳述すると、反応成分としてＮ−（
２−ヒドロキシエチル）ポリエチレンイミンとベンジル
クロライドを例に取ると、次のような反応が起るものと
考えられている： 本発明の水性酸性銅鍍金浴は、上述の光沢剤の外に、少
くとも一種の浴可溶性のポリエーテル化合物を含むこと
が好ましい。
２−ヒドロキシエチル）ポリエチレンイミンとベンジル
クロライドを例に取ると、次のような反応が起るものと
考えられている： 本発明の水性酸性銅鍍金浴は、上述の光沢剤の外に、少
くとも一種の浴可溶性のポリエーテル化合物を含むこと
が好ましい。
この鍍金浴に可溶性のポリエーテル化合物として各種の
ものが使用できる。
ものが使用できる。
例えば、特に高硫酸濃度と低調金属浴では、長さ６以上
の炭素チェーンを持ったポリグライコールのような非イ
オン性のポリエーテル湿潤剤が有用である。
の炭素チェーンを持ったポリグライコールのような非イ
オン性のポリエーテル湿潤剤が有用である。
熱し、一般に最も好ましいポリエーテル類は、少くとも
６個のエーテル酸素原子を含んでいて、直鎖又は側鎖に
６個以上の炭素原子のアルキル基を含まないようなもの
である。
６個のエーテル酸素原子を含んでいて、直鎖又は側鎖に
６個以上の炭素原子のアルキル基を含まないようなもの
である。
使用することのできる各種のポリエーテル化合物の中で
、優れた結果が得られるのは、平均分子量約３６０〜ｉ
、ｏｏｏのポリプロピレンプロパノールとポリグライコ
ール、すなわち一般式（ＣｓＨａＯ） ｙなる基を含む
ポリエーテル類である、鼓にｙは約６〜２０の整数であ
る。
、優れた結果が得られるのは、平均分子量約３６０〜ｉ
、ｏｏｏのポリプロピレンプロパノールとポリグライコ
ール、すなわち一般式（ＣｓＨａＯ） ｙなる基を含む
ポリエーテル類である、鼓にｙは約６〜２０の整数であ
る。
又、（Ｃ２Ｈ４０） ｘ （ｘは少くとも６の整数）基
を含むポリエーテル類によっても、優れた結果が得られ
る。
を含むポリエーテル類によっても、優れた結果が得られ
る。
米国特許第３．３２８，２７３号明細書第５．第６欄の
表■に、各種の好ましいポリエーテル化合物の例を掲げ
である。
表■に、各種の好ましいポリエーテル化合物の例を掲げ
である。
本発明の鍍金浴はこれらのポリエーテル化合物を約０．
０１〜５ ｇ／ ｌｉ ｔの範囲内の濃度で含むことが
望ましく、低い方の濃度は一般に比較的高分子量のポリ
エーテル類に対して用いられる。
０１〜５ ｇ／ ｌｉ ｔの範囲内の濃度で含むことが
望ましく、低い方の濃度は一般に比較的高分子量のポリ
エーテル類に対して用いられる。
本発明の水性酸性銅鍍金浴中には、前述のポリエチレン
イミン反応生成物とポリエーテル類の外に、有機の二価
イオウ化合物を加えることも望ましい。
イミン反応生成物とポリエーテル類の外に、有機の二価
イオウ化合物を加えることも望ましい。
この種の適当な有機化合物の代表的なものは、スルホン
化有機硫化物、すなわち少くとも１個のスルホン基を有
する有機硫化物である。
化有機硫化物、すなわち少くとも１個のスルホン基を有
する有機硫化物である。
之らの有機スルホン化硫化物は又その分子特に芳香族と
複素環式硫化物スルホン酸に各種の置換基を持つことが
できる。
複素環式硫化物スルホン酸に各種の置換基を持つことが
できる。
例えばメチル、クロロ、ブロモ、メトキシ、エトキシ、
カルボキシ及びヒドロキシ基などである。
カルボキシ及びヒドロキシ基などである。
これらの有機硫化物スルホン酸は遊離の酸として、ある
いはアルカリ金属塩として、又は有機アミン塩として用
いることができる。
いはアルカリ金属塩として、又は有機アミン塩として用
いることができる。
これらの有機硫化物スルホン酸塩の例は、米国特許第３
，２６７．０１０号明細書の第５と第６欄の表■及び第
７と第８欄に示しである。
，２６７．０１０号明細書の第５と第６欄の表■及び第
７と第８欄に示しである。
本発明で使用されるその他の適当な有機二価イオウ化合
物にはメルカプタン、チオカーバメイト、チオールカー
バメイト、チオザンセイト及びチオカーボネイトなどが
あり、何れも少くとも１個のスルホン基を含むものであ
る。
物にはメルカプタン、チオカーバメイト、チオールカー
バメイト、チオザンセイト及びチオカーボネイトなどが
あり、何れも少くとも１個のスルホン基を含むものであ
る。
更に、有機ポリサルファイド類も使用できるが、この種
の有機ポリサルファイド化合物は、一般式ＸＲ１−（Ｓ
）。
の有機ポリサルファイド化合物は、一般式ＸＲ１−（Ｓ
）。
Ｒ２５Ｏ３Ｈで表わされ、鼓にＲ１とＲ２は炭素数的１
〜６の同種又は異種のアルキレン基であり、Ｘは水素又
は５Ｏ３Ｈで、ｎは約２〜５の数である。
〜６の同種又は異種のアルキレン基であり、Ｘは水素又
は５Ｏ３Ｈで、ｎは約２〜５の数である。
これらの有機二価イオウ化合物は脂肪族ポリサルファイ
ドで少くとも２個の二価イオウ原子がビシナルの位置に
あり且つその分子は１個又は２個の末端スルホン酸基を
持っている。
ドで少くとも２個の二価イオウ原子がビシナルの位置に
あり且つその分子は１個又は２個の末端スルホン酸基を
持っている。
分子中のアルキレン基は、メチル、エチル、クロロ、ブ
ロモ、エトキシ、ヒドロキシなどの基で置換されていて
もよい。
ロモ、エトキシ、ヒドロキシなどの基で置換されていて
もよい。
これらの化合物は、遊離酸の又はアルカリ金属塩又はア
ミン塩の形で添加することができる。
ミン塩の形で添加することができる。
本発明で使用される特定の有機ポリサルファイド化合物
は、米国特許第３，３２８，２７３号明細書第２欄の表
Ｉに例示しである。
は、米国特許第３，３２８，２７３号明細書第２欄の表
Ｉに例示しである。
これらの有機ポリサルファイド化合物の本発明の鍍金浴
中の量は、約０．０００５〜１，０ｇ７１口、の範囲内
である。
中の量は、約０．０００５〜１，０ｇ７１口、の範囲内
である。
次に示す反応生成物とその調製法及び鍍金浴とその操作
法の実施例は、本発明の内容を具体的に示すだめの例で
あって、本発明はそれによって何何ら制限されるもので
は無い。
法の実施例は、本発明の内容を具体的に示すだめの例で
あって、本発明はそれによって何何ら制限されるもので
は無い。
■１反応生成物の調製
（ａ） エチレンオキサイドとポリエチレンイミン重
合体繰返し単位とのモル比１：１で合成した分子量約１
，２００のエトキシ化ポリエチレ７４：：７］０９部の
混合物を５００部の水に溶解し、この溶液に８０〜９０
℃で６４部のベンジルクロライドを加えた。
合体繰返し単位とのモル比１：１で合成した分子量約１
，２００のエトキシ化ポリエチレ７４：：７］０９部の
混合物を５００部の水に溶解し、この溶液に８０〜９０
℃で６４部のベンジルクロライドを加えた。
この反応混合物を９０℃で５時間加熱し、７０℃で更に
１９時間加熱を続けた。
１９時間加熱を続けた。
この反応生成物を冷却してから１１ｉｔ、に稀釈した。
（ｂ） 分子量約３，６００のエトキシ化ポリエチレ
ンイミンを用いた以外（ａ）と同様な混合物調製と操作
を繰返した。
ンイミンを用いた以外（ａ）と同様な混合物調製と操作
を繰返した。
（ｃ） （ａ）と同一の混合物と操作を繰返した、但
し分子量約１２０，０００のエトキシ化ポリエチレンイ
ミンを用いた。
し分子量約１２０，０００のエトキシ化ポリエチレンイ
ミンを用いた。
（ｄ） プロピレンオキサイドとポリエチレンイミン
重合体繰返し単位とのモル比１：２で調製した分子量約
１，０００のプロポキシ化ポリエチレンイミンの混合物
１４６部を５００部の水に溶かし、この溶液に８０−９
０℃で６４部のベンジルクロライドを加えた。
重合体繰返し単位とのモル比１：２で調製した分子量約
１，０００のプロポキシ化ポリエチレンイミンの混合物
１４６部を５００部の水に溶かし、この溶液に８０−９
０℃で６４部のベンジルクロライドを加えた。
この反応混合物を５時間９０℃で加熱し、７０℃で１９
時間加熱を続けた。
時間加熱を続けた。
この反応生成物を冷却してから１＃ｉｔ、迄稀釈した。
（ｅ） プロピレンオキサイドとポリエチレンイミン
重合体繰返し単位とのモル比１：１で調製した分子量約
３，０００のプロポキシ化ポリエチレンイミン１０９部
の混合物を上記（ｄ）と同様に水に溶かしてベンジルク
ロライドと反応させ、反応生成物を得た。
重合体繰返し単位とのモル比１：１で調製した分子量約
３，０００のプロポキシ化ポリエチレンイミン１０９部
の混合物を上記（ｄ）と同様に水に溶かしてベンジルク
ロライドと反応させ、反応生成物を得た。
■、電気鍍金
実施例 １
Ｊ”型研摩スチールパネルを清浄処理し、シアン化銅の
被覆をうずく鍍金し、この被覆パネルを水洗してから次
の組成を有する酸性鍍金浴中で鍍金した： ２２０ ＆／ ｌｉ ｔ、 Ｃｕ５Ｏ・５Ｈ２０
６０〃 Ｈ２ＳＯ４ １０ｍ９／ ｌ ｉ ｔ 、 ＨＣｌ１１５ 〃
Ｈ３Ｏ３−（ＣＨ２）３−８−８−（ＣＨ２
）３−８０３Ｈ １０μ ポリエチレングライコール分子量９，
０００ パネルの鍍金は温度約２５℃で電流密度４０Ａ／ｆｔ２
（約４．５Ａ／ｄｍ２）、空気攪拌の下に２０分間行な
われた。
被覆をうずく鍍金し、この被覆パネルを水洗してから次
の組成を有する酸性鍍金浴中で鍍金した： ２２０ ＆／ ｌｉ ｔ、 Ｃｕ５Ｏ・５Ｈ２０
６０〃 Ｈ２ＳＯ４ １０ｍ９／ ｌ ｉ ｔ 、 ＨＣｌ１１５ 〃
Ｈ３Ｏ３−（ＣＨ２）３−８−８−（ＣＨ２
）３−８０３Ｈ １０μ ポリエチレングライコール分子量９，
０００ パネルの鍍金は温度約２５℃で電流密度４０Ａ／ｆｔ２
（約４．５Ａ／ｄｍ２）、空気攪拌の下に２０分間行な
われた。
得られた鍍金パネルは、鍍金が不均一で全体が曇ってい
た。
た。
実施例 ２
別の５Ｊ”形研摩スチールパネル清浄処理、被覆鍍金を
施し、０．５■／ｌｈｔ、の前記（ｃｌの反応物を加え
た以外、実施例１と同様な組成を有する鍍金浴で鍍金し
た。
施し、０．５■／ｌｈｔ、の前記（ｃｌの反応物を加え
た以外、実施例１と同様な組成を有する鍍金浴で鍍金し
た。
得られたパネルは鏡面光沢性、均一性を示し、改良され
た平滑化性を持っていた。
た平滑化性を持っていた。
実施例 ３
１Ｊ“形の研摩スチールパネルを清浄処理後実施例１と
同様Ｏこ被覆鍍金を施し、次いで次の組成を有する酸性
の銅浴中で電気鍍金した： パネルの鍍金は光沢があり、平滑化性にすぐれた均一性
を示した。
同様Ｏこ被覆鍍金を施し、次いで次の組成を有する酸性
の銅浴中で電気鍍金した： パネルの鍍金は光沢があり、平滑化性にすぐれた均一性
を示した。
実施例 ４
別の研摩したゞＪ“形スチールパネルを実施例１と同様
に清浄してから被覆鍍金した。
に清浄してから被覆鍍金した。
次いで次の組成を有する鍍金浴中で電気鍍金した：
鍍金されたパネルはすぐれた光沢を示し、パネル上には
平滑化性の良い銅鍍金が一様に析出されていた。
平滑化性の良い銅鍍金が一様に析出されていた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 下記の反応式に示すアルコキシ化ポリアルキレンイ
ミンとアルキル化剤との反応生成物を０．０４〜１００
０〜／ｌ；ｉｔ、の範囲で溶存する水性酸註銅鍍金浴か
ら成る銅の電着浴： 〔ここでＲ，、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキレン基； Ｒ５は炭素数１〜４のアルキｌし基、アラルキル基、 炭素数１〜４のアルケニル基、 炭素数１〜４のアルキニル基、 炭素数１〜４のアルキレンスルホネート基（例えば−Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＣＨ２５０３０）及びＲ６はＨ，−ＣＨ３，
−ＣＨ２０Ｈ； Ｒ７は炭素数１〜４のアルキル基； ｍは１〜２； Ｘ○は（Ｊ’■、Ｂｒ○、 ＣＨＳＯ○； ４ ｐは１〜２である。 〕２ 下記の反応式ζこ示すアルコキシ化ポリアルキレ
ンイミンとアルキル化剤との反応生成物を０．０４〜１
０００ｍ９／ Ａｉｔ、の範囲で溶存し、更に０．０１
〜５．０ｇ／ｌｉｔ、の溶に可溶性のポリエーテル化合
物ならびに少なくとも１個のスルホン基を有する脂肪族
ポリサルファイドと有機硫化物かろ選ばれた０、０００
５〜１．ｏｇｌｌ目、の有機二価イオウ化合物を含有す
る水性酸性銅鍍金浴から成る電着浴： 〔ここでＲ，、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキレン基； Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、アラルキル基、 炭素数１〜４のアルケニル基、 炭素数１〜４のアルキニル基、 炭素数１〜４のアルキレンスルホネート 基（例えば −ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２別９）及び Ｒ６はＨ，−ＣＨ３，−ＣＨ２０Ｈ； Ｒ７は炭素数１〜４のアルキル基； ｍは１〜２： Ｘ■はＣ１■、Ｂｒ■、ＣＨ３ＳＯ４■ ；ｐは１〜２
である。 〕
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US55744375A | 1975-03-11 | 1975-03-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51104442A JPS51104442A (en) | 1976-09-16 |
| JPS5821035B2 true JPS5821035B2 (ja) | 1983-04-26 |
Family
ID=24225416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50115933A Expired JPS5821035B2 (ja) | 1975-03-11 | 1975-09-25 | 銅の電着用組成物及び方法 |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4110176A (ja) |
| JP (1) | JPS5821035B2 (ja) |
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| BE (1) | BE833384A (ja) |
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| CA (1) | CA1050924A (ja) |
| DE (1) | DE2541897C2 (ja) |
| ES (1) | ES440918A1 (ja) |
| FR (1) | FR2303871A1 (ja) |
| GB (1) | GB1526076A (ja) |
| IT (1) | IT1046971B (ja) |
| NL (1) | NL7510771A (ja) |
| SE (1) | SE444822B (ja) |
Families Citing this family (115)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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