JPS5821156A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- JPS5821156A JPS5821156A JP11967981A JP11967981A JPS5821156A JP S5821156 A JPS5821156 A JP S5821156A JP 11967981 A JP11967981 A JP 11967981A JP 11967981 A JP11967981 A JP 11967981A JP S5821156 A JPS5821156 A JP S5821156A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
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- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 19
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- 229910003445 palladium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
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- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 53
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
- G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、都市ガス、プロパンガス等を検出するように
したガスセンサに関する。
したガスセンサに関する。
従来、この種のガスセンサとしては、ステーに0、05
mm前後の白金線を所定回数だけ回巻し、アルミナ担
体を介して触媒処理を施し、通常商用AC’100Vを
電源として降圧した電圧を供給することによる自己発熱
によ#)2000C〜400°Cに加熱し、都市ガスプ
ロパンガス等に接触したときの触媒作用によシ白金線の
抵抗値が上昇することを利用してガスを検出するように
している。
mm前後の白金線を所定回数だけ回巻し、アルミナ担
体を介して触媒処理を施し、通常商用AC’100Vを
電源として降圧した電圧を供給することによる自己発熱
によ#)2000C〜400°Cに加熱し、都市ガスプ
ロパンガス等に接触したときの触媒作用によシ白金線の
抵抗値が上昇することを利用してガスを検出するように
している。
しかしながら、このような従来のカスセンサにあっては
、白金線の触媒的に活性となる温度を得る自己発熱のた
めに、約100ミリアンペアオーダの電流を常に流す必
要があったため、電源として乾電池を用いることには無
理があシ、商用AC100Vを電源としており、センサ
としては消費電力が大きすぎるという問題があった。
、白金線の触媒的に活性となる温度を得る自己発熱のた
めに、約100ミリアンペアオーダの電流を常に流す必
要があったため、電源として乾電池を用いることには無
理があシ、商用AC100Vを電源としており、センサ
としては消費電力が大きすぎるという問題があった。
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされた
もので、白金検出体の抵抗値を充分に高めることによシ
、極くわずかな電流で触媒活性温度に達することができ
、乾電池を電源とすることを可能にするガスセンサを提
供することを目的とする。
もので、白金検出体の抵抗値を充分に高めることによシ
、極くわずかな電流で触媒活性温度に達することができ
、乾電池を電源とすることを可能にするガスセンサを提
供することを目的とする。
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明の実施例を示した図である。
まず構成を説明すると、1は酸化シリコン(si02)
基板、2は酸化シリコン基板1上に蒸着によシ形成され
た白金電極であり、酸化シリコン基板1はその寸法がL
+ −2mm、 L2= 1 mm、 L、 = 0.
051n[11程度の大きさとなる。
基板、2は酸化シリコン基板1上に蒸着によシ形成され
た白金電極であり、酸化シリコン基板1はその寸法がL
+ −2mm、 L2= 1 mm、 L、 = 0.
051n[11程度の大きさとなる。
第2図は第1図に示すガスセンサの断面図を示したもの
で、酸化シリコン基板1の上に白金蒸着層を形成した白
金電極2曝テ祷の表面に酸化パラジウムのスパッタリン
グ層3を形成するようにしたものである。とれは酸化シ
リコン基板の上に白金膜層を形成したものを、真空スパ
ッタリング装置内に固定し、その対向位置からパラジウ
ムをスパッタリングにより放出すると、パラジウムが該
白金の蒸着膜の表面に突きささるようにして層を形成す
る。こうしてできたガスセンサに強制的に酸素を供給す
ると、該パラジウムが酸化パラジウムになり、以後安定
した触媒作用をする。
で、酸化シリコン基板1の上に白金蒸着層を形成した白
金電極2曝テ祷の表面に酸化パラジウムのスパッタリン
グ層3を形成するようにしたものである。とれは酸化シ
リコン基板の上に白金膜層を形成したものを、真空スパ
ッタリング装置内に固定し、その対向位置からパラジウ
ムをスパッタリングにより放出すると、パラジウムが該
白金の蒸着膜の表面に突きささるようにして層を形成す
る。こうしてできたガスセンサに強制的に酸素を供給す
ると、該パラジウムが酸化パラジウムになり、以後安定
した触媒作用をする。
ここで、第1図の実施例に示す白金線2の常温における
抵抗値としては、3〜100Ωの抵抗値を有する長さ及
び断面積とする。
抵抗値としては、3〜100Ωの抵抗値を有する長さ及
び断面積とする。
今、仮に白金電極2の端子4,4′間に乾電池により1
.5Vを印加したものとする。この電圧印加により、白
金電極2はその抵抗値で定まる電流が流れる。この電流
としては、例えば白金電極2の抵抗値が15ΩでI Q
OmA、 30Ωで50mA、。
.5Vを印加したものとする。この電圧印加により、白
金電極2はその抵抗値で定まる電流が流れる。この電流
としては、例えば白金電極2の抵抗値が15ΩでI Q
OmA、 30Ωで50mA、。
50Ωで30 mA、 1 (l OΩで15mAと
なる。このような電流の通電によシ、白金電極2は自己
発熱を起し、温度上昇と共に抵抗値が増加し、ガス検知
を行なうための触媒活性温度260’C〜400゜Cに
到達したときには、その抵抗値は約常温の3倍〜4倍と
なシ、ガス検知可能状態におかれる。
なる。このような電流の通電によシ、白金電極2は自己
発熱を起し、温度上昇と共に抵抗値が増加し、ガス検知
を行なうための触媒活性温度260’C〜400゜Cに
到達したときには、その抵抗値は約常温の3倍〜4倍と
なシ、ガス検知可能状態におかれる。
このようなガス検知可能状態に於いて、ガスセンサの白
金電極2に都市ガス若しくはプロパンガス等の可燃性ガ
スが接触すると、触媒反応により、該ガスが激しく燃焼
し、白金電極2の抵抗値が増加する。
金電極2に都市ガス若しくはプロパンガス等の可燃性ガ
スが接触すると、触媒反応により、該ガスが激しく燃焼
し、白金電極2の抵抗値が増加する。
この場合のガス濃度に対する白金t&2の抵抗値の変化
は第3図のグラフに示すように1000〜5000pp
mのガス濃度の変化に対し、直線的に増加する抵抗値の
変化を示すことが確認された。
は第3図のグラフに示すように1000〜5000pp
mのガス濃度の変化に対し、直線的に増加する抵抗値の
変化を示すことが確認された。
第4図は、本発明のガスセンサを用いたガス検出回路の
一実施例を示した回路図である。すなわちガスセンサ5
A、ガスセンサ5Bを用い、一方のガスセンサ5Aけ外
気に開放するようにし2て設け、他方のガスセンサ5B
は外気から密封した状態で設ける。このガスセンサ5A
、5B及び抵抗R1、R2とによ如抵抗ブリッジを構成
し、この抵抗ブリッジに乾電池4によ多電源電圧を印加
するようにする。
一実施例を示した回路図である。すなわちガスセンサ5
A、ガスセンサ5Bを用い、一方のガスセンサ5Aけ外
気に開放するようにし2て設け、他方のガスセンサ5B
は外気から密封した状態で設ける。このガスセンサ5A
、5B及び抵抗R1、R2とによ如抵抗ブリッジを構成
し、この抵抗ブリッジに乾電池4によ多電源電圧を印加
するようにする。
第5図は、第4図のガス検出回路で用いられるガスセン
サの斜視図を示したもので、一方のガスセンサ5Aは、
カバー7の開口部7a内に配置され、他方のガスセンサ
5Bはカバー7の中に密封された状態で取シ付けられて
いる。これらのガスセンサ5A、5Bは、プラスチック
ベース6の上に配設されプラスチックベース6の下部(
側方でも良い)からは電極リード8が引き出されている
。
サの斜視図を示したもので、一方のガスセンサ5Aは、
カバー7の開口部7a内に配置され、他方のガスセンサ
5Bはカバー7の中に密封された状態で取シ付けられて
いる。これらのガスセンサ5A、5Bは、プラスチック
ベース6の上に配設されプラスチックベース6の下部(
側方でも良い)からは電極リード8が引き出されている
。
勿論カバー7の中には第4図に示す抵抗R1゜R2を含
んだ抵抗ブリッジ回路が絶縁基板上に形成されており、
電池電源の印加及び抵抗ブリッジの出力を電極リードよ
り取ジ出せるように構成している。
んだ抵抗ブリッジ回路が絶縁基板上に形成されており、
電池電源の印加及び抵抗ブリッジの出力を電極リードよ
り取ジ出せるように構成している。
次に作用を説明する。第4図のガス検出回路は
“ガスセンサ5A、5Bを直列接続してその間に乾電池
4の電源電圧例えば1.5■を印加しているので、ガス
センサの抵抗値は、2倍となり、従ってガスセンサ5A
、5Bを流れる電流は前述のガスセンサ1個の場合に較
べ電流値が半分になる。又ガス監視状態において、カス
センサ5Aの抵抗値と抵抗R2とのかけ算値がガスセン
サ5Bの抵抗値と抵抗R1のかけ算値に平衡するように
自己加熱が行なわれ、その結果ガスセンサ5A及び5B
の加熱温度が常に同じになるように電流を流す。
“ガスセンサ5A、5Bを直列接続してその間に乾電池
4の電源電圧例えば1.5■を印加しているので、ガス
センサの抵抗値は、2倍となり、従ってガスセンサ5A
、5Bを流れる電流は前述のガスセンサ1個の場合に較
べ電流値が半分になる。又ガス監視状態において、カス
センサ5Aの抵抗値と抵抗R2とのかけ算値がガスセン
サ5Bの抵抗値と抵抗R1のかけ算値に平衡するように
自己加熱が行なわれ、その結果ガスセンサ5A及び5B
の加熱温度が常に同じになるように電流を流す。
次にガスセンサ5Aに可燃性ガスが接触して抵抗値が増
加したとすると、抵抗ブリッジのバランスが崩れ、その
出力に所定の電圧変化を生ずる。
加したとすると、抵抗ブリッジのバランスが崩れ、その
出力に所定の電圧変化を生ずる。
従って抵抗ブリッジの出力電圧をコンパレータを用いて
取9出すことにより、ガス漏れ警報等を行カうことかで
きる。
取9出すことにより、ガス漏れ警報等を行カうことかで
きる。
以上説明してきたように本発明によれば、白金検出体の
抵抗値を充分に高めることにより、ごくわずかな電流で
触媒活性温度に達することができ、また、酸化シリコン
基板の上に蒸着した白金電極の表面部分を酸化パラジウ
ムのスパッタリング層を形成するようにして安定化した
ため、乾電池による電源供給を受けて所定の触媒活性温
度に加熱することができ、白金電極を流れる電流値はご
くわずかであることから、乾電池の寿命は充分長くでき
、商用AC]、00Vを用いた従来のガスセンサに軟べ
その取シ扱いが簡単となp1又電源回路を必要としない
ことから構造が簡単となると共にコスト的にも安価にで
きるという効果が得られる。
抵抗値を充分に高めることにより、ごくわずかな電流で
触媒活性温度に達することができ、また、酸化シリコン
基板の上に蒸着した白金電極の表面部分を酸化パラジウ
ムのスパッタリング層を形成するようにして安定化した
ため、乾電池による電源供給を受けて所定の触媒活性温
度に加熱することができ、白金電極を流れる電流値はご
くわずかであることから、乾電池の寿命は充分長くでき
、商用AC]、00Vを用いた従来のガスセンサに軟べ
その取シ扱いが簡単となp1又電源回路を必要としない
ことから構造が簡単となると共にコスト的にも安価にで
きるという効果が得られる。
第1図は本発明によるガスセンサの一実施例を示した斜
視図、第2図は第1図の断面図、第3図は本発明による
ガスセンサのガス濃度に対する白金電極の抵抗値の変化
を示したグラフ図。 第4図は、本発明のガスセンサを用いたガス検出回路の
一実施例を示した回路図、第5図は第4図のガス検出回
路をパッケージ化した余1視図。 1・・・酸化シリコン基板 2・・・白金電極3
・・・スパッタリング層 4・・・乾電池5A、
5B・・・ガスセンサ 6・・・プラスチックベ
ース7・・・カバー 7a・・・開口8・・
・電極リード 特許出願人 神 谷 弘 代理人 弁理士 竹 内 進第1図 第2図
視図、第2図は第1図の断面図、第3図は本発明による
ガスセンサのガス濃度に対する白金電極の抵抗値の変化
を示したグラフ図。 第4図は、本発明のガスセンサを用いたガス検出回路の
一実施例を示した回路図、第5図は第4図のガス検出回
路をパッケージ化した余1視図。 1・・・酸化シリコン基板 2・・・白金電極3
・・・スパッタリング層 4・・・乾電池5A、
5B・・・ガスセンサ 6・・・プラスチックベ
ース7・・・カバー 7a・・・開口8・・
・電極リード 特許出願人 神 谷 弘 代理人 弁理士 竹 内 進第1図 第2図
Claims (1)
- 酸化シリコンの基板上に所定の抵抗値を有する白金電極
を蒸着し、該白金電極の表面部分に酸化パラジウムのス
パッタリング層を形成した積層構造を備えたことを特徴
とするガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11967981A JPS5821156A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11967981A JPS5821156A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821156A true JPS5821156A (ja) | 1983-02-07 |
Family
ID=14767360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11967981A Pending JPS5821156A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821156A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60243549A (ja) * | 1984-05-05 | 1985-12-03 | ゲゼルシヤフト、フユール、ゲレーテバウ、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング | ガスの触媒燃焼用のセンサの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55149048A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-20 | Kaaku:Kk | Contact combustion type detecting element exclusive for hydrogen gas |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP11967981A patent/JPS5821156A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55149048A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-20 | Kaaku:Kk | Contact combustion type detecting element exclusive for hydrogen gas |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60243549A (ja) * | 1984-05-05 | 1985-12-03 | ゲゼルシヤフト、フユール、ゲレーテバウ、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング | ガスの触媒燃焼用のセンサの製造方法 |
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